Способ получения изображения p-n переходов — SU 148154 (original) (raw)
Текст
Класс 21 д, 13 зо148154ссср ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕ ГЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ .11 одписная грппа97Н, Н. Седов СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ИЗОБРАЖЕНИЯ р-п ПЕРЕХОДОВЗаявлено 16 июля 1961 г. за738369/26 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРОпубликовано в Бюллетене изобретений12 за 1962 г.Известные способы получения изображения р-п переходов в полу. проводниках при помощи электронной эмиссии с их поверхности имеют низкое качество изображения, в связи с чем они не находят практического применения,Предлагаемый способ отличается тем, что электронную эмиссию возбуждают бомбардировкой поверхности полупроводника положительными ионами, Это позволяет значительно улучшить качество изображения. На чертеже изображено устройство для наблюдения р-и переходов. Поверхность полупроводника 1, на которую выходят р-и переходы, служит катодом эмиссионного электронного микроскопа со вторичной эмиссией.Эмиссия электронов полупроводника вызываетсяббмбардировкой его поверхности положительными ионами, вылетающими из ионной пушки 2.Освобожденные электроны проходят объектив 8 микроскопа, оптическое устройство 4, проекционную линзу 5 и фокусируются на флуоресцирующий,экран б, на котором через окно 7 ведут наблюдение за состоянием р-и перехода.Под экраном б размещена фотокассета 8 с набором фотопластинок, которые могут последовательно подаваться под экспозицию, в результате чего осуществляется фотографирование изображения с экрана б. Вакуум внутри микроскопа обеспечивается диффузионным 9 и форвакуумным 10 насосами. Питание к электродам микроскопа н ионной пушке 2 подводится с высоковольтного выпрямителя 11,При смене объекта исследования или фотокассеты внутрь микроскопа впускается воздух, который во время наблюдения откачивается насосами 9 и 10.М 148154 Объект исследования подготавливается путем среза, шлифовки и полировки полупроводника до тех пор, пока р-и переходы не окажутся на его поверхности.Для устранения поверхностного замыкающего слоя поверхность полупроводника;подвергается травлению с последующей промывкой спиртом и дистиллированной водой.Предлагаемый способ получения изображения р-и переходов найдет широкое применение в радиоэлектронной промышленности при исследовании качества р-и переходов в полупроводниках. Предмет изобретения Способ получения изображения р-а переходов в полупроводниках при помощи электронной эмиссии с их поверхности, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью улучшения качества изображения, электронную эмиссию возбуждают бомбардировкой поверхности полупроводника положительными ионами. Редактор Т. ф. Загребельная Техред А, А. Кудрявицкая Корректор Е, М. Кашина Поди. к печ. 7 Иг. Формат бум. 70 Х 108(16Зак. 6156 Тираж 1000ЦБТИ Комитета по делам изобретений и открытий приМосква, Центр, М, Черкасский пер.,Объем 0,18 изб л,Цена 4 коп.Совете Министров СССРд. 2/6. Типография ЦБТИ, Москва, Петровка, 14,
Заявка
738359, 15.07.1961
Седов Н. Н
МПК / Метки
МПК: G03G 13/00, H01L 21/02
Метки: изображения, переходов
Опубликовано: 01.01.1962