Переходов — Метка (original) (raw)
Патенты с меткой «переходов»
Способ изготовления контактных переходов и медноалюминиевых токоведущих частей для электротехнической аппаратуры
Номер патента: 123219
Опубликовано: 01.01.1959
Авторы: Барбанель, Золотов, Казанович, Кирпа, Раухман, Стоклицкий
МПК: H01R 43/00
Метки: аппаратуры, контактных, медноалюминиевых, переходов, токоведущих, частей, электротехнической
...в 1(очптет по яеаам пзобретепий П Отар(ятг)й Прп СОВ(ГЕ )1.потрОВ ССГРОг)тбз(33(ца: о ( с 3)о.з,зс г(3(е ивцбр( ге п)й М 2)О за 1 ЧВ) г П релм ет илобретепии П Рг)МЕ)1 С 1311( Г 1(ЯК РОВ К 1 ЯГЮ)1113 И 51(Л 110 П Р 1 1.(30 ПИ ГОР 51 Ч С й П РО - каки Л(15 ПВГОтОВ.1 егп 15 контЯктн 11. и(рс.(ОЛ(ОВ и мсЛНОс)лют и и псв 11)( ТОКОВЕЛП)И; 1 ЯСТЕ)1 Л(151 ЭЛСКТРОТЕ:;Пп сС(КО с 1 ППЯРс 1 ТМР 1. Иввспы Рс 13,ППН 11( (пос 001 31.3 ГООВ 131351 би 1(1 етс)(1(п 1 сгескОГО,зистс) В то.( чис(1( (1 ис Гс и Геп 11 ия мел,и и с(130 гиии)1 спйсобй Гор 511 с( прокят- КР. Эти способы ивготовлспи 51 би)1(ТЯЗП)ического листа примен 5 От лл 5 П 1)НЯВОлствсг контс 1 кт(1 Ы; и(.1 е:;ОлОВ и мсл 110-ЯЛ 10.(311 П 11 СВЫ.; токОВел ши.( Частой Э.гЕКТРОтЕХНИсСОКО...
Прибор для исследования фазовых переходов пластовых флюидов
Номер патента: 129874
Опубликовано: 01.01.1960
Авторы: Безруков, Белоусов, Николаев
МПК: G01N 21/05, G01N 21/83
Метки: исследования, переходов, пластовых, прибор, фазовых, флюидов
...за тличающийся тем, что, с целью азового состояния флюидов при и асположенным внутри термостатиро 1 М с рабочей камерой в единую цирк Недостатком известного прибора для определения фазовых переходов пластовых флюидов является то, что флоид находится в неподвижном состоянииПредлагаемый прибор снабжен насосом, соедиединую циркуляционную систему, где происходитщение исследуемого флюидаПредлагаемый прибор включает в сеоя камеру 1 с вмонгированными в нее плоско-параллельными стеклами 2 и циркуляционный насос 3, которые помещены в термостатированную камеру 4, имеющую термометр 5 и отводы б для циркуляции воды из термостата Наблюдение за ФлюидОм ведут при помощи микроскопа 7 для чего слой флюида между стеклами (0,1 - 0,4 яи) просвечивают...
Полуавтомат для припайки полупроводниковых кристаллов и переходов к держателям стержневого типа полупроводниковых диодов
Номер патента: 143445
Опубликовано: 01.01.1961
Авторы: Блинова, Ермолаев, Матвеева, Сандеров, Хайт
МПК: H05K 13/00
Метки: держателям, диодов, кристаллов, переходов, полуавтомат, полупроводниковых, припайки, стержневого, типа
...тем, что для повышения точности установки кристалла на торце держателя по его оси и улучшения качества пайки в нем применен слабо подпружиненный вакуумный присос, установленный на сильно подпружиненном подвижном стакане, снабженном конусным пояском, служащим для вдавливания кристалла в штифт, а вращающаяся печь выполнена в виде дюралевой гильзы с конусным каналом, заканчивающимся призмой с прижимной пластинкой, снабженной в верхней части нагревательной обмоткой,На фиг. 1 показано конструктивное выполнение механизма захвага кристалла предлагаемого полуавтомата; на фиг. 2 - конструктивное выполнение печи предлагаемого полуавтомата.Полуавтомат для припайки полупроводниковых кристаллов конструктивно выполнен в виде трех синхронно...
Устройство для измерения глубины залегания р-п переходов
Номер патента: 145665
Опубликовано: 01.01.1962
Авторы: Заргарьянц, Попов, Таубкин
МПК: H01L 23/00
Метки: глубины, залегания, переходов, р-п
...чем обеспечивается постоянство давления. С целью ослабления динамических нагру145665зок и устранения опасности повреждения образца, применен воздушный демпфер 9,Столик б (фиг. 3) с креплением для образца может поворачиваться на небольшой угол а вокруг оси 10 относительно каретки 5.Поворот столика в вертикальной плоскости осуществляется специальным винтом 11 и пружиной 12, угол поворота указывается индикатором 1 ", горизонтальное перемещение каретки 5 со столиком б производится микрометрическим виконтом 14 (фиг. 2), а величина перемещения фиксируется индикатором 15,Оптическая система 7, предназначенная для измерения угла косого среза образца, представляет собой тубус с объективом от микроскопа и окуляром.Измерение глубины залегания р -...
Способ создания электронно-дырочных переходов в дендритах полупроводникового антимонида индия
Номер патента: 146049
Опубликовано: 01.01.1962
Авторы: Дашевский, Лазарев, Миргаловская
МПК: C30B 29/40, C30B 31/04
Метки: антимонида, дендритах, индия, переходов, полупроводникового, создания, электронно-дырочных
...антимонида индия зашлифовки, полировки и травления лектронно-дырочный переход на опрефигурации,ма установки для осуществления спор - и переходов ведут следующим обр нь 1 помещают в печь 2 сопротивления температуру которой измеряют при поз иевого стерпня, обращенный к плоскост ом режим печи подбирают таким, чтоб от падения силами поверхностного натя) оя индия на поверхность дендрита 4 ст в сторону дендрита и, касаясь его пов азом.(с регу ОЩИ тЕР- и дендриы капля кения.ерпень 1 ерхности,ц лируе мопар та 4, индия мопе смачи Кдиевыи стержень 1 и печь 2 могут перемещаться в ости, что позволяет регулировать размеры поверхлоя индия. Как показано на схеме, тигель 5 с расертикости роцесс создачиндиевый стерпмым нагревом)ы 3, Конец...
Способ получения изображения p-n переходов
Номер патента: 148154
Опубликовано: 01.01.1962
Автор: Седов
МПК: G03G 13/00, H01L 21/02
Метки: изображения, переходов
...проходят объектив 8 микроскопа, оптическое устройство 4, проекционную линзу 5 и фокусируются на флуоресцирующий,экран б, на котором через окно 7 ведут наблюдение за состоянием р-и перехода.Под экраном б размещена фотокассета 8 с набором фотопластинок, которые могут последовательно подаваться под экспозицию, в результате чего осуществляется фотографирование изображения с экрана б. Вакуум внутри микроскопа обеспечивается диффузионным 9 и форвакуумным 10 насосами. Питание к электродам микроскопа н ионной пушке 2 подводится с высоковольтного выпрямителя 11,При смене объекта исследования или фотокассеты внутрь микроскопа впускается воздух, который во время наблюдения откачивается насосами 9 и 10.М 148154 Объект исследования...
Паста типа вазелина для защиты поверхности р-п переходов
Номер патента: 150941
Опубликовано: 01.01.1962
Авторы: Антонов, Борисов, Дохман, Иоселевич, Уклонский, Чичерова
МПК: H01B 3/46, H01L 23/18
Метки: вазелина, защиты, паста, переходов, поверхности, р-п, типа
...жидкости с вязкостью от 300 до б 00 сст. В качестве наполнителя используются мелкодисперсные порошки окисей титана, к емнияи алюминия, которые вводятся в зависимости от требуемой консистенции в количествах от 5 до 100% к весу жидкости, Смесь тщательно пе Ъ 150941ретирается и подвергается прогреву в вакууме для удаления летучих составляющих. Полученная высоковязкая вазелиноподобная паста нассится непосредственно на р - и переход, пастой можно также заполять корпус прибора.Предлагаемые пасты могут применяться для защиты переходов как ерманиевых, так и кремниевых полупроводниковых приборов.В качестве исходных компонентов для изготовления пасты КВприменяются: полиметилсилоксановая жидкость ПМСс вязкостью 432 сст (20), белая сажа У-ЗЗЗ,...
Способ получения р-п переходов
Номер патента: 152033
Опубликовано: 01.01.1962
Авторы: Зеликман, Лукашова, Цитовский
МПК: H01L 21/24
Метки: переходов, р-п
...особ получения р-и-п тличающийся т фузии примеси до 10 еходов, в исходную п т предварительно на бора,са дифр-и-невжига Известны способы получения р-и-переходов на кремтем диффузии бора, нанесенного на пластину кремния в о раствора борной кислоты, и последующего нагрева пласти р ратуре 1300 в течение 30 - 40 час.Предлагаемый способ отличается от известных тем, что позволяет сократить время процесса диффузии примеси до 10 - 16 час и упростить технологию получения р-п-переходов Это достигается тем, что в исходную пластину кремния перед нанесением бора вжигают предварительно нанесенный слой алюминия.При осуществлении способа в пластину кремния при температуре 700 - 800 вжигают предварительно нанесенный слой алюминия, затем с помощью...
Способ обработки р-п переходов полупроводниковых приборов
Номер патента: 152034
Опубликовано: 01.01.1962
Авторы: Батавин, Волков, Русаков
МПК: C22F 1/02
Метки: переходов, полупроводниковых, приборов, р-п
...тем, что после создания окисной пленки ее подвергают термической обработке в атмосфере инертного газа или вакууме при температуре 600 в 8 в течение 10 - 20 мин.Для осуществления предлагаемого способа после травления полупроводникового прибора в травителе СРили в смеси плавиковой и азотной кислот производится промывка в циркулирующем потоке деионизированной воды с удельным сопротивлением о=12 мгом и анодное оксидирование обычным порядком. Затем производится сушка в вакууме (10мм рт, ст.) при температуре 120 в течение одного часа н кратковременная термообработка в инертном газе или вакууме при температуре 600 - 800 в течение 10 - 20 мин.152034 Предмет изобретения Редактор Е. Г. Манежева Техред Т. П, Курилко Корректор Г, Кудрявцева...
Способ осуществления переходов к подпрограммам
Номер патента: 174848
Опубликовано: 01.01.1965
Автор: Мко
МПК: G06F 9/48
Метки: переходов, подпрограммам
...по адресу команды и схем сравнения текущего адреса с адресом на клавиатуре, клавиатурыостанова по адресу числа и соответствующихсхем сравнения, а также клавиатуры останова по содержимому и, деконого регистра исоответствующих схем сравнения. Сигналы,вырабатываемые указанными блоками, используют не как спгналы остапова, а направляют в цепи, реализующие переход. Для этойцели в схемы машины вводят специальныйпереключательс помощью которого устанавливают режим работы: останов, переход иотключение.Для указания вида реализуемого переходатакже используют переключатель, которыйнаправляет сигнал перехода либо на узелпуска машины,по адресу па соответствующейклавиатуре, либо па узел авторазрыва программ.При отсутствии в маши е системы...
Автомат для сборки переходов полупроводниковых сплавных триодов
Номер патента: 182241
Опубликовано: 01.01.1966
Авторы: Вавер, Вейденбах, Гринберг, Касаткин, Копт, Кошкин, Хот
МПК: H01L 21/00
Метки: автомат, переходов, полупроводниковых, сборки, сплавных, триодов
...комплектатора 23 вакуумными присосками. При этом кристаллы захватываются сверху из вертикальных трубок, электроды снимаются с приемных площадок 20 механизма резки 13, а пробки поступают по лотку 2 б (см. фиг. 8) и раздвигаются ножами 2 б на шаг между гнездами комплектатора 23. Собранные комплекты помещаются в гнезда кассеты при ее остановке под механизмом 22 укладки комплектов.При дальнейшем движении кассет шаровые грузы подаются по лотку 27 (см. фиг. 9), Плужок 28 лотка входит в продольный паз кассеты и обеспечивает плавную укладку грузов в гнезда.Скомплектованные кассеты поворачиваются ориентатором 29 (см. фиг, 1) поперек автомата и проталкиваются в печь сплавления механизмом загрузки 30,Предмет изобретения1. Автомат для сборки...
Способ получения р «-переходов
Номер патента: 196177
Опубликовано: 01.01.1967
МПК: H01L 21/368
Метки: переходов
...образом, На пластинку арсенида галлия, смоченную галлием, наносят дополнительное количество галлия, необходимое для растворения слоя пластинки арсенида галлия заданной толщины, Пластинку помещают в кварцевую ампулу. В ампулу закладывают также мышьяк, чтобы не было диссоциации арсенида галлия, и легирующую примесь: донорную (Те, Яе и п.т.) либо акцепторную Хп, Сс 1 и т. п.), в таком количестве, чтобы в ампуле было насыщенное давление паров примеси в течение всего процесса. Ампулу откачивают до 10-д - 10 6 мм рт. ст, и запаивают, чтобы процесс создания эпитаксиального р - и-перехода происходил в замкнутом объеме. Затем ампулу помещают в печь.При этом пластина арсенида галлия, покрытая галлием, находится при температуре 800 - 850 С,...
Устройство для определения длины образующих линии разверток переходов
Номер патента: 198683
Опубликовано: 01.01.1967
МПК: B43L 11/00, B43L 13/00
Метки: длины, линии, образующих, переходов, разверток
...цилиндрической стойки, по длине которой нанесена шкала, и двух дисков постоянного и сменного, укрепленных на втулках, также снабженных резьбой для навинчивания на стойку и установки их на определенной высоте, а для совмещения центра стойки с центром основания перехода на конической поверхности основания стойки нанесены четыре риски, лежащие в двух взаимно перпендикулярных плоскостях, пересекающихся на оси стойки.Такое выполнение устро"точность измерения и ускоряНа фиг, 1 изображено прройство, вид сбоку; на фиг.разрез по А - А на фиг, 1;ческая поверхность основанпо Б - Б на фиг. 1.Устройство выполнено в виде цилиндрической стойки ., укрепленной на коническом основании 2 и снабженной шкалой, расположенной по длине стойки. Резьба...
Устройство для фиксирования фазовых переходов в жидких и газообразных средах
Номер патента: 210416
Опубликовано: 01.01.1968
Авторы: Безруков, Куйбышевский
МПК: G01N 21/55
Метки: газообразных, жидких, переходов, средах, фазовых, фиксирования
...изогнутой трубки с полированной внутренней поверхностью. Тор цы трубки закрыты оптическими стеклами.На чертеже изображено описываемое устройство.Полость 1 заполняется исследуемым веще ством и помещается в термостат 2. От источника света 3 луч света поступает в полость под углом, если полость прямолинейной формы, или прямо, если трубка изогнута (как показано на чертеже). К торцам трубки пришлифованы оптические стекла 4 и а, Свет, прохо дя через полость, многократно в ней отражается и выходит с противоположной стороны трубки ослабленным. Затем в голости изменяется давление и при некотором его значении, соответствующем (при данной температуре) фазовому переходу, на поверхности трубки конденсируется вторая фаза. За счет интегрального...
Способ получения германиевых р-п переходов
Номер патента: 248086
Опубликовано: 01.01.1969
Авторы: Бченко, Гордиенко, Дидевич, Некрасов, Смирнов
МПК: H01L 21/04
Метки: германиевых, переходов, р-п
...относится к технологии получения полупроводниковых приборов.При существующих способах получения термостабильных германиевых р-п переходов изменяются объемные свойства полупроводникового кристалла в процессе термической обработки, что приводит к ухудшению некоторых параметров приборов, в частности появляется текучесть обратных токов, ухудшаются усилительные свойства транзисторов.Предлагаемый способ устраняет указанные недостатки и позволяет улучшать термостабильность приборов без их дополнительной обработки.Сущность способа заключается в том, что в германий с удельным сопротивлением 5 й 1 ом, см,и легированный сурьмой, идущий на,изготовление монокристаллов для р-п переходов, вводятся добавки кремния от 0,5 и более вес. %.Введение атомов...
Установка для сборки переходов
Номер патента: 250320
Опубликовано: 01.01.1969
Авторы: Крупко, Мистюков, Шейнов
МПК: H01L 21/00
Метки: переходов, сборки
...направляющей, механической руки 31 с групповой вакуумной присоской и накопителя 32 электродных выводов с канавками, снабженного подпружиненной,выравнивающей планкой. Механическая рука 31 установлена подвижно в горизонтальной плоскости и в вертикальном направлении.Работает устройство следующим образомМеханическая рука 31 захватывает из вибробункера 30 трубчатые выводы и укладывает их в канавки накопителя 32. Каретку ставит в,крайнее левое положение, в котором она фиксируется. Захват 2 раскрывают и поворачивают на 90 до упора в накопитель. Нажатием на подпружиненную планку вывода выравнивают и вводят, концы, между губками захвата 2. Захват закрывают и ставят в вертикальное положение. Каретку 1 перемещают на позицию стыковки, при этом...
Спектрометр для регистрации каскадных переходов
Номер патента: 275245
Опубликовано: 01.01.1970
МПК: G01T 1/36
Метки: каскадных, переходов, регистрации, спектрометр
...кодов триггер опрокидывается в другое положение, задавая код верх- О ней границы окна; если совпадает и верхняяграница, то триггер опрокидывается в следуюцее положение, вырабатывая импульс, который опрокинет первь 1 й трпггео старшей группы триггеров числового пли адресного 5 регистра. Тем самым через дешифраторы 8 и11 в блоках цифровых окон выбираются другие группы цифровых границ, т. е выбирается доугое цифровое окно. С другой стороны, поскольку последовательность выбора окон О (энергий) в каждом канале может быть разная, реализация совпадения осуществляется через блок коммутации 12.Блок коммутации 12 соединяет выходы кешифраторов 8 и 11 с входами соответствую щей схемы И 13. Каждая из схем И имеет четыре управляющих входа,...
Способ сооружения бестраншейных переходов
Номер патента: 291065
Опубликовано: 01.01.1971
Авторы: Гальперин, Дельников, Лавров, Саттаров, Шагов
Метки: бестраншейных, переходов, сооружения
...сооружают первоначальнуюскважину малого диаметра с одновременной прокладкой трубы-лидера 1, имеющей в передней верхней части окно 2 лля разгрузки разработанного грунта при последующих операци ях. Трубу-лидер прокладывают, например,установкой 3 горизонтального бурения, После сооружения первоначальной скважины и прокладки трубы-лилера под автомобильной и железной дорогой производят,демонтаж ре- оО )кщей голоВки 4 установки горизонтальногобурения и открытие загрузочного окна. На консц трубы-лилера монтируют, например с ".омсРцью пальцев со шнекоьым транспортером 5 расширитель б, оснащенный торцовыми режу- )5щими гранями с резцами 7, а также устанавливают подлежащий проклалке кожух 8 с упорами 9. За кожухом устанавливают силовой...
Способ импульсной накачки и детектирования переходов в квантомеханических системах
Номер патента: 315236
Опубликовано: 01.01.1971
Авторы: Костенко, Харчев, Якобсон
МПК: H01S 1/00
Метки: детектирования, импульсной, квантомеханических, накачки, переходов, системах
...наб д. 4/5пр. Сапунова, 2 Типография,следования импульсов большей чем Л в - ширина рабочего резонанса - может быть достигнуто за счет дополнительного воздействия, одновременного с импульсом накачки, вызывающего разрушение когерентного движения (поляризации) рабочей пары уровней, но не нарушение процесса накачки, т. е. путем создания эффективного механизма релаксаций когерентности на время действия поля накачки. Воздействие на систему можно осуществлять электромагнитным полем, представляющим собой случайный процесс, время корреляции которого меньше, чем длительность импульса накачки, и который вызывает случайное изменение энергетического интервала пары рабочих уровней, или обмен населенностями рабочеи пары с какими-либо соседними...
Устройство для определения нестабильности обратных токов переходов полупроводниковых
Номер патента: 366423
Опубликовано: 01.01.1973
МПК: G01R 31/26
Метки: нестабильности, обратных, переходов, полупроводниковых, токов
...с испытуемым полупроводниковым прибором образует управляемый делитель напряжения,Устройство работает следующим образом.С приходом импульса Пуск триггер 2 и счетчик 5 устанавливаются в такое состояние, прои котором ключи 7 - 12 закорачивают сопротивления 18 - 18, а триггер разрешает поступать импульсам с выхода генератора 4 через ключ д на счетный вход счетчика б. Счетчи 1 к, управляя ключами 7 - 12, увеличивает ступеньками сопротивление делителя; прои этом увеличивается ступеньками и напряжение Ь, снимаемое со средней точеки делителя, которое подается на вход схемы 1 сравнения:Редактор А. Батыгин Корректор А, Степанова Заказ 432/14 Изд. Лгз 114 Тираж 755 Подписное ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете...
Способ исследования структурных переходов в органических веществах
Номер патента: 381983
Опубликовано: 01.01.1973
Авторы: Бубен, Гришин, Никольский, Тальрозе, Точин
МПК: G01N 23/20
Метки: веществах, исследования, органических, переходов, структурных
...Такие вещества можно рекомендовать в качестве добавок, если необходимо повысить чувствительность,После откачки шлюза охлажденный образец вводят в вакуумную, камеру для, облучения. Температура, прои которой проводят облучение, должна быть приблизительно на 40 - 50 ниже температуры регистрируемого структурного перехода. Для большинства органических соединений вполне достаточно охлаждение до температуры кипения жидкогоазота (77 К).Величина электронного тока и время облучения выбирают, исходя из требуемой,величины дозы облучения. Для регистрации температуры структурных переходов наиболее удобен интервал доз 0,1 - 2 Мрад, так как, вопервых, максимальная интенсивность термолюминесценции наблюдается обычно при 0,5 - 2 Мрад; во-вторых, при...
Способ определения типов излучательных переходов в полупроводниках
Номер патента: 423217
Опубликовано: 05.04.1974
Авторы: Дмитриев, Евстропов, Калинина, Ордена, Царенксш, Чиабришвилн
МПК: H01S 3/00
Метки: излучательных, переходов, полупроводниках, типов
...и одновременно зависимость проводимости полупроводника от температуры.Недостатком известного способа является неточность определения типа излучательных переходов, особенно в тех случаях, когда зависимость интенсивности люминесценции от температуры полупроводника отличается от экспоненциальной,Целью изобретения является повышение точности процесса определения. Согласно изобретению, эта цель достигается измерением интенсивности спектральных полос фотолюминесценции при двух вариантах возбуждения. При первом варианте длина волны возбуждающего света выбирается такой же, как и при известном способе. При втором варианна волны выбирается такой, чтобывозбуждающих фотонов была меньшезапрещенной зоны, но больше, чем5 фотонов Йъизлучаемых при...
Способ исследования структурных переходов в полимерах
Номер патента: 427271
Опубликовано: 05.05.1974
Авторы: Сапожников, Точин
МПК: G01N 13/00, G01N 15/08
Метки: исследования, переходов, полимерах, структурных
...переходов известным диффузионным способом, основанным на измерении коэффициентов диффузии, связана с проведением длительной серии измерений коэффициента диффузии при разных температурах. Кроме того, необходимо иметь однородную пленку без сквозных пор и тре щин, что существенно снижает как круг исследуемых веществ, так и температурный диапазон измерений.С целью устранения указанных недостатков предлагается способ исследования структурных переходов в полимерах, отличающийся тем, что последовательно осуществляют заполнение образца полимера газом, охлаждение, вакуумирование и плавное нагревание образца с одновременной регистрацией .его Зо температуры и скорости выделения раствренного в нем газа.Способ осуществляют следующим обр...
Устройство для формовки криволинейных переходов
Номер патента: 470328
Опубликовано: 15.05.1975
Авторы: Ивлев, Колесников, Кренделев, Кулабушев, Фомин
МПК: B21C 37/28
Метки: криволинейных, переходов, формовки
...крепится составной пуансон, состоящий из фланцевой обоймы б, внутренней втулки 7 и упорной втулки 8. Во втулке 7 размещен регулятор давления 9, выполненный в виде набора эластичных шайб. К пуансону прикреплен эластичный наполнитель 10, который набран из отдельных элементов различной твердости, увеличивающейся от пуансона к донной части заготовки 11. При этом отдельные элементы наполнителя 10 соединены между собой и прикреплены к пуансону посредством троса 12 с нижней заделкой в наполни- теле, а верхней - в пуансоне с помощью пружины 13. В верхнем основании 2 матрицы установлены ограничители 14 хода.Устройство работает следующим образом.Заготовку 11, выполненную в виде цилиндрического стакана, устанавливают в матрицу, опускают основание 2...
Способ регистрации каскадных переходов
Номер патента: 476526
Опубликовано: 05.07.1975
Авторы: Афанасьев, Венков, Еремеев, Селютин
МПК: G01T 1/36
Метки: каскадных, переходов, регистрации
...в код (БАП) 4 и 5, регистр числа анализатора 6, регистр адреса 7, схемы сравнения кодов 15 (ССК) 8 и 9, схемы ИЛИ 10 и 11, триггерыуправления регистрацией 12 и 13, схемы ИЛИ 14, старшие разряды регистров адреса 15, схему И управления регистрацией 16, схему ИЛИ 17 управления быстрым разря дом БАП.Схемы сравнения кодов 8 и 9 имеют выходнепринадлежности ни,к одному из окон.Одноразрядная ячейка ССК содержит схемы И 18 и 19, на одни входы которых подается 25 сигнал опроса, а на другие входы через контакты 20 и 21 переключателя установки ко.да-сигналы с выходов О и 1 соответствующего триггера регистра числа или адреса. Выход схемы И 18 является выходом код 30 равен установленному (К-У), а выход схемыИ 19 через контакты переключателя 22...
Способ изготовления эксцентрических переходов
Номер патента: 484031
Опубликовано: 15.09.1975
Автор: Аргунов
МПК: B21C 37/28
Метки: переходов, эксцентрических
...участку, после чего ее форроны большого диаметра экспуансоном с одновременной кавнутреннему диаметру.зображена схема исходного поовки в штампе, на фиг. 2 - отпереход.ествляется следующим обрау 2 штампа 3. При этом цилинсток заготовки полностью вхоУстановленную заготовку фортвом эксцентрического пуансона хода пуансона калибруют полуод 5 по внутреннему диаметру. вают во втул дрический уч дит во втулку муют посредс 4, а в конце ченный перех обретен едме Способ изготовле реходов, содержащ раздачу с образ участка малого д 15 с я тем, что, с цел ности переходов в полученную раздач цилиндрическому муют со стороны б 20 трическим пуансон либровкой по внутрских певок и их рического ающий- азностенсечениях, ируют по его фора эксценнной каю...
Способ исследования фазовых переходов кристаллических веществ
Номер патента: 501343
Опубликовано: 30.01.1976
МПК: G01N 25/02
Метки: веществ, исследования, кристаллических, переходов, фазовых
...емого веще онцентрац анной тем ки исслед го вещества. ющую температоряют анало 20 высчитываю льности и за ределени уры в от Кр = П) По точке переги аличие полиморф ом теле, вызываю на графике определяют го превращения в тверго скачкообразное измеИзобретение относится к области исследования фазовых переходов кристаллических веществ, характеризующих механические и электрические свойства твердых тел.Известен способ дифференциально-термического анализа для исследования фазовых переходов кристаллических веществ при изменении их температуры путем регистрации на кривой подъема температуры точек перегибов, соответствующих фазовым переходам.Недостатком такого способа является невысокая точность, а также необходимость применения...
Способ обработки радиусных сопряжений ступенчатых переходов контуров
Номер патента: 514667
Опубликовано: 25.05.1976
МПК: B23C 3/00
Метки: контуров, переходов, радиусных, сопряжений, ступенчатых
...по предлагаемому спИнструмент 1 пбрбмбщают по траектории,равноудалбнной от обработанного контура 1,,на расстоянии радиуса инструмента, В местах пересечения радиуса сопряжения с линибй контура (прямой или дугой окружности) находят положение касатбльной к повбрхности обработанного сопряжбвия в точкб пересечения контура Т , центр радиусаинструмента перемещают;м касательную иапрямую, параллельную касательной и от514607 СоставитеаРедактор В. дибобес Техред Е Пдтрова оРРе"тоР Е.Хмелева Изд. а 7 1 178 Подписное Заказ Ь 891 Тираж ЦНИИ 11 И Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, 113035, Раушская наб., 4 филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул, Проектная, 4,3стояшую от нее на расстоянии...
Устройство для исследования фазовых переходов газа и жидкости
Номер патента: 515979
Опубликовано: 30.05.1976
МПК: G01N 25/08
Метки: газа, жидкости, исследования, переходов, фазовых
...термоспаю. Неподвижная трубка 6 снабжена отводом 21 для соединения полости трубок с устройством регулирования и измерения давления и состава среды, входящем в экспериментальную установку. На отводе 21 в месте его соединения с трубкой 6 установлен запорный орган, например клапан, внутренний объем которого не меняется при переходе из положения Открыто в положение Закрыто.С целью достижения возможности визуального наблюдения капли в процессе ее формирования подвижная трубка 8 вся или на участке, на котором установлен формирователь 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65 капли, выполнена из прозрачного материала, Этот же участок трубки (от ее уплотнительного буртика до среза) снабжен электрическим нагревателем (не показан), выполненным в виде...
Способ определения вольтамперной характеристики р-п переходов
Номер патента: 392839
Опубликовано: 05.08.1976
Авторы: Нуров, Пиорунский, Федоров
МПК: G01R 31/26, H01L 21/66
Метки: вольтамперной, переходов, р-п, характеристики
...переСоставитель М. ФримщтейнРедактор Т, Рыбалова Техред Н, Анцрейчук Корректор Н. Бабурка Заказ 4912/424 Тираж 963 ПодписноеБНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб д. 4/5 филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул, Проектная, 4 392839 3 откуда, переходя к конечным приращениям, ЪОп=При поддержании постоянным отношения - во всем диапазоне рабочих токов через р- Ь -перехоц и при данной температуре (= СОибй) всегда имеет место прямая пропорциональность между Фй и ЬО. Формула изобретения ных приращений тока и измерения получаемых приращений напряжения ЬЯ на р-Ипереходе, о т л и ч а ю щ и й с я тем,что, с целью определения отклонения реальной характеристики р- й -перехода от...