Тонкопленочный конденсатор — SU 422047 (original) (raw)
Текст
422047 Союз Советских Социалистицеских Реслублик(22) За рисоединением заявкиосударстееннын комитетСовета ннннстрое СССРоа делам изобретенийи открытий(088.8) но 30,03.74. Бюллетень Л публик Дата опубликования описания 1,12.74 2) Авторы изобретения 3. ф бей, В. А. Лабунов, Е. М, Косаревич и С. Н. Минский радиотехнический институт(7 вите ТОН КОПЛ ЕНОЧ НЪй КОНДЕНСАТОР 4) частиимене икрое при льных нтегр Известны тонкопленочные конденсаторы, содержащие верхнюю и нижнюю алюминиевые обкладки, диэлектрический слой ОеО и контактные площадки к верхней и нижней обкладкам.Контактные площадки состоят из слоя нихрома, напыленного на подложку и служащего для увеличения адгезии слоя алюминия, обладаощего вьксокой проводимостью и верхнего слоя %, который служит для улучшения процесса прспайки проводников к контактной площадке.Кроме того, для увеличения ии под нижнюю обкладку напыляют по Х 1(.те, сверху конденсатор защищают диэлектрическим слоемтеО. адгездслой водства таких конде оследовательно испо ыления контактных п нижней об(ладки с п диэлектрического с,хней обкладки и для слоя, т. е. пять масо енсаторы имеют невыс лгавечнасть, котораянсаторов льзовать лощадок,одслоем, оя, для Для произнеобходимомаски для напдля напылениядля напылениянапыления верния защитногоТакие конддежность и до напыле(.кую нав осночИзобретение относится к сбэлектроники и может найти прпроизводстве тонкопленочныхсхем. ном определяется их низкой электрическойпрочностью.Одной из причин снижения электрическойпрочности тонкопленочных конденсаторов яв.5 ляется образование приэлектродных слоев засчет окислительно-восстановительных реакциина границе металл-диэлектрик в процессе из.готовления и их эксплуатации. Подобные реакции возможны, так как алюминий обладает10 большей теплотой образования окисла посравнению с теплотой образования окисногослоя диэлектрика. В результате реакциивблизи к А 1 образуется слой А 1,0 и слой чистого бе вблизи беО. Свободный германийГ 5 диффундирует вглубь диэлектрического слоя,образуя проводящие каналы, что в сильноймере снижает электрическую прочность конденсатора.Кроме того, технология получения извест 20 ных тонкопленочных конденсаторов усложнена тем, что для создания контактных площадок и нижней обкладки используют разныемаски, Это увеличизает затраты на изготовление масок и время технологического цикла25 изготовления конденсатороз.Цель изобретения - повышение электрической прочности, надежности и долговечноститонкопленочного конденсатора,Это достигается тем, что в предложенномз 0 конденсаторе между нижней алюминиевой об422047 Составитель С. КураеваТехред Е. Борисова Корректор Т. Добровольска едактор Т. Рыбало Тираж 760Совета Министров ССоткрытийнаб., д. 4/5 аказ 4777 Изд,1441 осударственного комитета по делам изобретений Москва, Ж.35, Раушскаодп испо НИИП ОТ, Загорский цех кладкой и диэлектрическим слоем расположен дополнительный слой металла с теплотой окисления, меньшей теплоты образования окисного диэлектрика, например никеля. При этом нижняя обкладка одновременно являет. ся и контактной площадкой.Трехслойные контактные площадки и нижняя алюминиевая обкладка конденсатора вместе с дополнительным никелевым слоем и подслоем нихрома напыляются за единый технологический цикл через одну маску (вместо двух масок). Это снижает затраты на изготовление масок и уменьшает время технологичеакого цикла изготовления,конденсатора.На чертеже показана конструкция предлагаемого тонкопленочного конденсатора.Предлагаемый конденсатор состоит из диэлектрической подложки 1, нижней обкладки 2 из слоев Мйг, А 1, %, выполненной вместе с контактными площадками 3 и 4, кото 4рые состоят из тех же слоев, что и обкладка 2; диэлектрического слоя 5 из СтеО, верхнего алюминиевого электрода 6 и защитного покрытия 7 из беО,Предмет изобретения Тонкопленочный конденсатор, содержащий 10 изолирующую подложку, нижнюю обкладку,состоящую из металлических слоев, слой диэлвктрика, верхнюю металлическую обкладку и контактные площадки, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности работы 15 конденсатора, между слоем диэлектрика и металлическими слоями нижней обкладкй расположен дополнительный слой металла с теплотой окисления, меньшей теплоты образования окисного диэлектрика, например никеля, 20 причем нижняя обкладка является одновре менно и контактной площадкой.
Заявка
1759288, 16.03.1972
Минский радиотехнический институт
изобретени Ф. Воробей, В. А. Лабунов, Е. М. Косаревич, С. Н. Кураева
МПК / Метки
МПК: H01G 4/10
Метки: конденсатор, тонкопленочный
Опубликовано: 30.03.1974