Диэлектрики из оксида металла — H01G 4/10 — МПК (original) (raw)
Способ изготовления диэлектрика с большой диэлектрической постоянной
Номер патента: 43459
Опубликовано: 30.06.1935
Автор: Вологдин
МПК: H01B 3/10, H01G 4/10
Метки: большой, диэлектрика, диэлектрической, постоянной
...из отдельных мелких кристаллических зерен рутила или четы. рехокиси титана, спрессованных под большим давлением.В качестве связывающего материала между отдельными зернами применены легкоплавкие силикаты в виде мелкого раздробленного порошка или смолы, естественные или искусственные, для чего при прессовали температуру массы поднимают до пределов, отвечающих размягчению связывающего материала,Предлагаемый способ изготовления диэлектрика имеет целью повышение качества диэлектрика как в смысле диэлектрической постоянной, так и в смысле диэлектрической прочности. Для этого после прессовки материала в требуемую форму диэлектрик подвергают действию высокой температуры, превосходящей 1200, в течение нескольких часов, При этом материал...
Способ изготовления конденсатора
Номер патента: 48843
Опубликовано: 31.08.1936
Автор: Вологдин
МПК: H01G 4/10
Метки: конденсатора
...пластин диэлектрика с обкладками из металла, а путем изготовления конденсатора при одновременной прессовке йорошка двуокиси титана, в который заранее вкладывают на определенных расстояниях между собою пластины из, металла, служащего в качестве обкладок конденсатора, После такой прессовки полученный конденсатор подвергается термической обработке при высоких температурах, необходимой для спекания и придания диэлектрику нужных свойств. При таком способе изготовле-, ния может быть достигнуто полное отсутствие воздушных прослоек между металлом и диэлектриком как посередине пластин, так и по краям, что дает возможность уменьшить размеры конденсатора, а также свести к минимуму краевые йотери.В качестве материала для электродов...
Способ изготовления конденсатора постоянной емкости
Номер патента: 54327
Опубликовано: 01.01.1938
Автор: Нелепец
МПК: H01G 4/10
Метки: емкости, конденсатора, постоянной
...конденсатора электролитическим путем наносят слой окисла, поверхность которого металлизируют путем регенерации; эта металлизированная пластинка служит отрицательной обкладкой (катодной); находящийся между этими обкладками тонкий слой окисла служит диэлектриком.Анодная пластинка, например, алюминиевая, подвергается оксидирова. нию тем же способом, что формование в ваннах пластин электролитических конденсаторов. Поверхность получившейся оксидной пленки подвергается восстановлению химическим путем; образовавшийся поверхностный металлический слой служит катодной пластинкой.Выполнение описанного процесса с длинными полосами материала, с последующим свертыванием в рулон, позволит получать конденсаторы большой емкости.Описываемый...
180702
Номер патента: 180702
Опубликовано: 01.01.1966
Авторы: Блинов, Желнинский, Кокин
МПК: H01G 4/10
Метки: 180702
...слой ем, что, с це,о процесса,улучшешгя ачестве дцэл гшяПлецочць стп, содеръ металла, о рощецпя те 15 п 15 в оси ро трцческпх применен оги коцдецсатоащпй дцэлектг,гичагои 1 ггис.г тхцологпчссгсогизводим остисвойстг, вксцкарбцд ре емко- и слой ью уп- овышс- дцэлек- ктршса Завгсимое от авт. свидетельствааявлепо 04 Х.1965 (И 1005776/26-9с присоедпцепцем заявкиапта опубликования описания 12 Л,196 в, В. Д. Желцинскии, В, К и Э. А. МаркаряИзвестные диэлектрики, применяемые в пленочных конденсаторах постояпцой емкости, характеризуются вьгсокой температурой испарения, измецепием диэлектрических свойств и цедостато шой воспро;гзводпмостью.В предлагаемом пленочном конденсаторе повышение воспропзгюдимостц, улучшецги диэлектрических свойств и...
180705
Номер патента: 180705
Опубликовано: 01.01.1966
Авторы: Желнинский, Коробов, Костаи, Крикоров, Филимоненков
МПК: H01G 4/10
Метки: 180705
...полученные поочередцым осаждением в вакууме на подложку слоев диэлектрика и металла, характеризуются сравнительно высокой температурой испарения диэлектрика, что заметно. влцяет ца диэлектрические свойства.В описываемом конденсаторе упрощение технологии изготовления ц повышение удельной емкости конденсатора достипгуты применением в качестве материала диэлектрика моноокиси германия.Моноокись германия испаряют в вакууме 2 10лглг рт. ст. цз танталовой лодочки при температуре, це превышающей 1000 С, ц осаждают ца цепрогретую подложку цз ситалла. В качестве электродов использют пленки алюминия, наносимые обычных способом. Пленки на основе моноокиси германия име.ют следующие характеристики: диэлектрическая проницаемость в = 10 - 12;...
Конденсатор постоянной емкости
Номер патента: 244508
Опубликовано: 01.01.1969
Авторы: Закгейм, Литманович, Романов, Чернюс
МПК: H01G 4/10
Метки: емкости, конденсатор, постоянной
...конденсатор отличается от известного тем, что он выполнен из двух полос вентильного металла, покрытых оксидным слоем, прижатых одна к другой металлическими слоями, нанесенными на оксидные слои, и снабженных выводами, соединенными с полосами вентильного металла.Это повышает рабочее напряжение конденсатора.На чертеже изображен описываемый конденсатор.Пластины или полосы 1 и 2 из вентильного металла с оксидными слоями 3 и 4 покрываются со стороны последних одним из известных способов тонкими слоями 5 и б металла, например алюминия или золота. Слои 5 и б несколько не доходят до краев полос. Полосы слоями 5 и б прижимают одну к другой, а выводы на чертеже не показаны) соединяют с полосами. Слои 5 и б не подключены к выво дам и служат...
Способ изготовления пленочных конденсаторов
Номер патента: 288153
Опубликовано: 01.01.1970
Авторы: Гольдберг, Зыков, Чебоненко
МПК: H01G 4/10
Метки: конденсаторов, пленочных
...способы производства пленочных конденсаторов с комбинированным диэлектриком, полученным методом вакуумного напыления.Однако используемые в качестве диэлектрика системы диэлектрических материалов не обеспечивают при удельной емкости 6000 пфсм и рабочем напряжении 13 - 15 в стабильные электрические характеристики,По предлагаемому способу для повышения удельной емкости, рабочего напряжения и процента выхода годных конденсаторов в качестве многослойного диэлектрика конденсатора используют последовательно осажденные в вакууме слои моноокиси кремния и моноокиси германия.Материалы осаждают на неподогретую подложку из ситалла при вакууме 2 510- л 1 л рт. ст. Сначала напыляют нижнюю обкладку конденсатора из слоя титана и алюминия, затем...
322796
Номер патента: 322796
Опубликовано: 01.01.1971
Авторы: Сахаров, Чернобровкин
МПК: H01G 4/10
Метки: 322796
...проугла диэлеухудшенияров. конденсаторовминия. торы на. основсмеси окисловчностью до 5 1 ктрических потостальных эле е дпэлект обладают 0 в в,с.ц и ерь 0,005 трических электриаигенсом - 001 без параметДиэоров пленочных кондепса ти па основе окислов чов, отличающийся пения электрическойконденсаторов, в канентов смеси взяты сь лантана,тонко емкос метал повы тост омпо и оки чектрик для постоянной емельиых то с целью ости и доброисходных празеодима редко тем, ч прочн честве окись Изобретение относится к технологии произ. водства радиоаппаратуры и может быть использовано при изготовлении тонкопленочных конденсаторов для микросхем,Известный диэлектрик для тонкопленочных конденсаторов постоянной емкости на основе окислов редкоземельных металлов...
290331
Номер патента: 290331
Опубликовано: 01.01.1971
МПК: H01G 4/10
Метки: 290331
...смесь воз - 700 С и папыдо температуры свинца 20 - гоняют при ляют на по 100 С.Пленочнь ный диэле С =35000 Урас = 15 вехнпке изготовле быть использова их п именениИзобретение относится к тния конденсаторов и можетно в микросхемах, требующ ря больших номиналов емкостей.Известны диэлектрики для тонкопленочных конденсаторов постоянной емкости.Недостатком известных диэлектриков является малое значение диэлектрической проницаемости, что не позволяет получать конденсаторы большой емкости.Целью изобретения является повышение удельной емкости конденсаторов,Для достижения этой цели диэлектрик содержит, вес. %: моноокись германия 80 - 90 и окись свинца 20 - 10.Исходным материалом для диэлектрика служит порошкообразная смесь, содержащая, вес. %:...
291251
Номер патента: 291251
Опубликовано: 01.01.1971
Автор: Чернобровкин
МПК: H01G 4/10
Метки: 291251
...быть использованы в5 пленочных интегральных схемах, где трся элементы с большой величиной емкповышенным рабочим напряжением. чагае- значепроч- онко- буютти и Диэлек торов по 5 методом в своем таллов, о вышения прочност О окиси не ма (20 -пленочных конденсаи, изготавливаемых арения, содержащий редкоземельных меем, что, с целью пости и электрической , он состоит из смеси ) и окиси празеодия тонкоемкост ого исп окислы ийся т й емко саторов80 - 90% трик длстояннойвакуумнсоставетличающудельнои конденодима (10%). Известен способ изготовления тонкопленочных диэлектриков методом напыления в вакууме с использованием в качестве диэлектрика окислов редкоземельных элементов.Цель изобретения - повышение удельной емкости и электрической прочности...
294184
Номер патента: 294184
Опубликовано: 01.01.1971
Авторы: Лотов, Чернобровкин
МПК: H01G 4/10
Метки: 294184
...- повышение удельной емкости конденсаторов, Для этого в качестве смеси окислов используют смесь, содержащую окись иттрия 80 - 90% и окись гольмия 20 - 10%,Использование материала предлагаемого состава позволило получить диэлектрическую проницаемость напыленных пленок до 24, что дало возможность изготовить конденсаторы с удельной емкостью до 0,22 мкф/с.я-. Обкладки конденсатора алюминиевые.Электрические характеристики тонкопленочных конденсаторов с диэлектриком на основе предлагаемой смеси, следующие:удельная емкость, мкф/слв 0,22 (при 11 раб=15 в);электрическая прочность, в/сн 2,5 10 в тангенс угла диэлектрических потерь (на частоте 1 кгт 1) 0,005 - 0,02. По остальным электрическим параметрам данные конденсаторы не уступают известным...
Способ нанесения двуокиси марганца на диэлектрик тонкопленочньх конденсаторов
Номер патента: 294191
Опубликовано: 01.01.1971
МПК: H01G 4/10
Метки: двуокиси, диэлектрик, конденсаторов, марганца, нанесения, тонкопленочньх
...катодцым распылением, с подслоем титана с алюминием, нанесенным термическим распылением ца силалловую подложку. Рисунок соответству ющей конфигурации получают фотолитографическим способом. Затем подложка со слоями Т 1 - Л 1 - Та помещается в электролитическую ванну. Гновое анодирование проводится в 0,030/,-ном водном растворе винной кислоты с рН 5 - 6. Далее пленка окисла проходит цикл тсрмообработки прц температуре 200-1-10 С в течение 5 час ц обрабатывается в 0,1 %-ном 5 растворе Мп(.Оз)2 в этцловом спирте прикатодцом ьключепцц в течение 1 - 10 итти при напряжении, равном т/в напряжения формовки диэлектрика. Время травления выбирается в соответствии с толщиной и качеством 10 диэлектрика.Повторное анодирование проводится црианодцом...
Способ изготовления сегнетокерамических конденсаторов
Номер патента: 337836
Опубликовано: 01.01.1972
Авторы: Александрова, Вербицка, Иофан
МПК: H01G 4/10
Метки: конденсаторов, сегнетокерамических
...емкости +. (5 - 10) %, а наличие зазора по диэлектрику повышает надежность конденсаторов 25 или позволяет увеличить рабочее напрякение,зобретен ия ед Изобретение относится к радиоэлектронной ;промышленности и может быть использовано в производстве лобых конденсаторов, работающих в различных схемах радиоэлектроники.Известен опособ изготовления сегнетокерамических конденсаторов путем литья, вырубки и обжига заготовок с последующей металлизацией и резкой заготовки на отдельные элементы.Цель изобретения - повышение надежности конденсаторов в работе и обеспечение возможности подгонки отдельных конденсаторов до разрезания.Для этого по предлагаемому способу металлизацию заготовок, осуществляют с одной стороны сплошньцт слоем, а с другой - в...
415734
Номер патента: 415734
Опубликовано: 15.02.1974
Авторы: Бондаренко, Воробей, Лабунов, Максидонов, Минский, Соловьев, Структура
МПК: H01C 7/00, H01C 7/18, H01G 4/10, H01L 49/02 ...
Метки: 415734
...связи.Известна КС-структура со ступенчатым распределением параметров, состоящая из резистивного, диэлектрического и проводящего слоев.Недостатком известной структуры является то, что ступенчатая неоднородность в пих достигается скачкообразным изменением ширины структуры, что приводит к усложненито топологии, нерациональному использованшо площади подложки и образованию электрически слабых мест на ступеньках.В качестве материала диэлектрического слоя использована термически напылетптая моноокись кремния, позволяющая получать весьма малые удельные емкости, обладающая высоким температурным коэффициентом емкости, значительно меняющая свои диэлектрические характеристики во вреатени, что ведет к увеличению габаритов структур, их низким...
Тонкопленочный конденсатор
Номер патента: 422047
Опубликовано: 30.03.1974
Авторы: Изобретени, Косаревич, Кураева, Лабунов
МПК: H01G 4/10
Метки: конденсатор, тонкопленочный
...окисла посравнению с теплотой образования окисногослоя диэлектрика. В результате реакциивблизи к А 1 образуется слой А 1,0 и слой чистого бе вблизи беО. Свободный германийГ 5 диффундирует вглубь диэлектрического слоя,образуя проводящие каналы, что в сильноймере снижает электрическую прочность конденсатора.Кроме того, технология получения извест 20 ных тонкопленочных конденсаторов усложнена тем, что для создания контактных площадок и нижней обкладки используют разныемаски, Это увеличизает затраты на изготовление масок и время технологического цикла25 изготовления конденсатороз.Цель изобретения - повышение электрической прочности, надежности и долговечноститонкопленочного конденсатора,Это достигается тем, что в предложенномз 0...
Способ тренировки тонкопленочных конденсаторов
Номер патента: 588569
Опубликовано: 15.01.1978
Авторы: Аникин, Бучин, Воженин, Калабин, Филимоненков
МПК: H01G 4/10
Метки: конденсаторов, тонкопленочных, тренировки
...тренирозок приводит также к улучшению, но, а меньшей степени.В табл.2 приведено изменение сред" 40 него значения сопротивления изоля" еиногоденияжига иа в сра ов, нзм ате про о термоо ермоотжи пособом кондснсатов резуль ренировки щей после известным 0 подложа которыхь с диэлтекла. а М подложки Предлагае вестный спо со коли чест во к денс йъ, эи нф Ои Количест н послеэлектротронировки ослетбрмо тжни ослеермотжиа с й воконденсаэлек тро тре- ниро лекЯсд 9 р% тро- трениров" ки СйщСйф Ои% 10 ф12 4 10 ф б 5 32 2" 10 ф 3 10 5 10 ф 6 15 1 0 ю 2О 8 10 ф 9 10 а 1,5 1 104 7 10 ф П р и м е р 1. На подложку термическим испарением в вакууме наносили проводящие слои, затем на нагретую до 100 С подложку осаждали диэлек трический слой методом...
Трехуровневый тонкопленочный неполярный конденсатор
Номер патента: 879664
Опубликовано: 07.11.1981
Авторы: Лабунов, Можухов, Сокол, Уваров
МПК: H01G 4/10
Метки: конденсатор, неполярный, тонкопленочный, трехуровневый
...сквозное пористое анодное окисление слоя А 1, окисляя всю его толщину в участках, незащищенных фоторезистом и плотным анодным диэлектриком А 0 5, При этом формируется часть вспомогательного пористого анодного диэлектрика А 0 7, окружающего по периметру трехуровневую структуру. После этого, не снимая второй фоторезистивной маски, проводят еще одно электролитическое анодное окисление незащищенных участков, но уже в электролие для плотного анодирования, При этом происходит формирование слоев плотного анодного диэлектрика,13 за счет бокового анодного окисления А торцов нижнего электрода 2 и его контактной площадки 8, примыкающих к вспомогательному пористому анодному диэлектрику 7, и частичного заполнения пор элементарных ячеек пористого...
Диэлектрический материал для тонкопленочных конденсаторов
Номер патента: 970497
Опубликовано: 30.10.1982
МПК: H01G 4/10
Метки: диэлектрический, конденсаторов, материал, тонкопленочных
...Оксид иттрия 76Аморфный бор и предварительно обожженные оксид гольмия и оксид иттрия перемешивают в халцедоновых барабанах на планетарно-шаровой мельнице в среде этилового спирта. Весовое соотношение компонентов при помоле диэлектрический материал.: этиловый спирт: молющие шары равно 1:1:1,5, Время помола 5 - 6 ч, Полученную смесь сушат в термошкафу при 105 + 5 С до полного удаления спирта и970497 Формула изобретения Составитель В. СалынскийТехред И, Верес Корректор Г, ОгарТираж 761 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам Изобретений и открытий113035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д. 4/5Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Редактор Ю. КовачЗаказ 7412/66 протирают через сито 40 мкм для разрушения...
Способ изготовления тонкопленочного конденсатора
Номер патента: 1581097
Опубликовано: 20.07.1996
Авторы: Селезнев, Смолкин, Ткал
МПК: H01G 4/10
Метки: конденсатора, тонкопленочного
Способ изготовления тонкопленочного конденсатора, включающий формирование нижней обкладки путем нанесения пленки алюминия на диэлетрическую подложку, формирования слоя оксида алюминия анодированием нижней обкладки и нанесение верхней обкладки, отличающийся тем, что, с целью повышения напряжения пробоя и повышения влагостойкости, после анодирования проводят совместную обработку сформированного слоя оксида алюминия, пленки алюминия и диэлектрической подложки со стороны оксида алюминия излучением лазера с длиной волны 1,06 мкм в режиме свободной генерации с плотностью энергии (1,5-3,5) 104Дж/м2.
Способ очистки пленок оксидных материалов от углеродсодержащих примесей
Номер патента: 1447182
Опубликовано: 20.03.1997
Авторы: Александров, Селиверстов
МПК: H01G 4/10
Метки: оксидных, пленок, примесей, углеродсодержащих
Способ очистки пленок оксидных материалов от углеродсодержащих примесей, основанный на обработке изолирующей подложки с пленкой оксидного материала в озонокислородной смеси, отличающийся тем, что, с целью снижения температуры очистки, устранения твердофазного легирования материалом подложки и улучшения диэлектрических свойств, одновременно с обработкой изолирующей подложки с пленкой оксидного материала в озонокислородной смеси проводят ее облучение УФ-светом с длиной волны 240 290 нм под углом 5 90o к подложке, причем концентрацию озона в озонокислородной смеси поддерживают в диапазоне 0,01 - 11,0 об.