415734 — Метка (original) (raw)

415734

Номер патента: 415734

Опубликовано: 15.02.1974

Авторы: Бондаренко, Воробей, Лабунов, Максидонов, Минский, Соловьев, Структура

МПК: H01C 7/00, H01C 7/18, H01G 4/10 ...

Метки: 415734

...связи.Известна КС-структура со ступенчатым распределением параметров, состоящая из резистивного, диэлектрического и проводящего слоев.Недостатком известной структуры является то, что ступенчатая неоднородность в пих достигается скачкообразным изменением ширины структуры, что приводит к усложненито топологии, нерациональному использованшо площади подложки и образованию электрически слабых мест на ступеньках.В качестве материала диэлектрического слоя использована термически напылетптая моноокись кремния, позволяющая получать весьма малые удельные емкости, обладающая высоким температурным коэффициентом емкости, значительно меняющая свои диэлектрические характеристики во вреатени, что ведет к увеличению габаритов структур, их низким...