Алмаза — Метка (original) (raw)
Патенты с меткой «алмаза»
Держатель для алмаза
Номер патента: 44424
Опубликовано: 30.09.1935
Автор: Свинцов
МПК: B24B 53/12
Метки: алмаза, держатель
...разрез его со снятым молоточком.Корпус 7 держателя снабжен осевым продольным отверстием и одним концом прикрепляется к ручке, а на другом несет алмазное зерно. В продольном отверстии корпуса помещены цилиндрическая вставка 2 и прижимной винт З, несущий гайку 4, помещенную в вырезес корпуса 7, позволяющем этой гайке иметьлишь вращательное движение. На коническую часть корпуса надет молоточек 5.При вставлении алмазного зерна мо лоточек 5 снимается с конической части корпуса 7 и в боковое отверстие нижней части его вкладывается зерно, которое опускается в сужающийся открытый канал конической части корпуса; затем на коническую часть корпуса -7 надевается молоточек 5, после чего уже подбирается режущая грань зерна алмаза. Для...
Механическая ступка для дробления алмаза на шлифпорошки и шлифзерно
Номер патента: 99752
Опубликовано: 01.01.1955
Авторы: Гумилевский, Красносельский, Соколов
Метки: алмаза, дробления, механическая, ступка, шлифзерно, шлифпорошки
...аакрепится к установочной плите б прп помощи винта 7, Стакан о чаши ступки входит в отверстие плиты 6 и закрепляется в ней гайкой 9.Чатпя 1 снабжена термообработяпным вкладышем 10 и крьппкой 11, в направляющей части которой установлен подпруякипенный пестик 12. Собранный комплект своим стаканом 8 надевается на поворотно прикрепленную к плите И стойку 1 1. К валику 16 стойки 14 жестко прикреплен эксцентрик 16 с роликом 17, взаимодействующим с кулачком И, жестко связанным с приводным валиком 19 и предназначенным для передачи ступке с ситамп резких возвратно-поступательных двикопий.Встряхиванис ступки с ситамп в вертикальном на правлении осуществляется при помощи прикрепленного к плите 6 ролика 20, взаимодействующего с зубцами греоенки...
Способ изготовления алмазных инструментов из порошков алмаза на органической связке
Номер патента: 133780
Опубликовано: 01.01.1960
МПК: B24D 3/20
Метки: алмаза, алмазных, инструментов, органической, порошков, связке
...хрупкость, что снижает их механические и эксплуатационные качества. Особенно опасна хрупкость у фасонного инструмента.Согласно изобретению предлагается использовать в качестве наполнителя алмазного инструмента на органических связках железный порошок, вводимый в количестве до 85 о/о вес. связки.)Келезный порошок при прессовании подвергается некоторой деформации,:,то обеспечивает, во-первых, жесткое закрепление алмаза и, вовторых, более прочную укладку самого наполнителя (по сравнению с недеформируемыми минеральными наполнителями).В отличие от алмазных кругов на металлической связке алмазный круг с железным наполнителем на органической связке не вызывает псвышенного нагрева твердосплавного инструмента, приводящего к его растрескиванию....
Наращивания алмаза
Номер патента: 296712
Опубликовано: 01.01.1971
Авторы: Дер, Дзевицкий, Кочкин, Спицын, Эзсел
МПК: C01B 31/06
Метки: алмаза, наращивания
...и увеличение скорости процесса. Для этого в качестве исходного углеродсодержащего материала используют элементоорганические соединения, например тетраэтилсвинец, диметилртуть, Процесс ведут при температуре 400 в 10 С.Пример 1. Образец алмазного порошка дисперсностью 0 - 1 лкл в количестве 51,20 лг помещали в кварцевый реактор, к последнему присоединяли с одной стороны испаритель тетраэтилсвинца, а с другой высоковакуумную откачивающую систему, Реактор откачивали до вакуума 2 10лтлт рт. ст. Затем испаритель охлаждали до температуры - 196 С и с помощью наружной печи образец алмазного порошка разогревали в вакууме до 980 С. Одновременно испаритель нагревали до температуры 23 С и поступающие из испарителя пары тетраэтилсвинца...
Способ соединения алмаза с металлом
Номер патента: 346048
Опубликовано: 01.01.1972
МПК: B23K 1/20, C04B 37/02
Метки: алмаза, металлом, соединения
...пайки, прп котором на п 5 ность алмаза наносят слой тпомещают припой и производя пайку, отличающийся тем, что, шения качества спая, на слой размещением припоя наносят м ме- верхзазорпод повы- перед металлоаяемую поттана, вт нагревс цельютитанаслой мед Изобретение относится к области пайки, вчастности, к способу соединения алмаза сметаллом методом пайки.Известен способ соединения металла с неметаллом, в частности, с алмазом, при котором на паяемую поверхность алмаза наносятслой титана, в зазор помещают припой и производят нагрев под пайку. Однако титан вступает в реакцию с воздухом при пайке и на егоповерхности образуется окисная пленка, вследствие чего возникает необходимость проводитьпайку в вакууме или в высокочистой атмосфере...
Способ синтеза алмаза
Номер патента: 487844
Опубликовано: 15.10.1975
МПК: C01B 31/06
Метки: алмаза, синтеза
...)к, ю / ) ) рол) ые. Способ разработан применительно к обычной реакционной камере, состоящей из двух матриц, контейнера ц теплоизоляцпонного материала. Реакционный состав, состоящий из 5 однородной смеси порошков графита, металлаили сплава, помещают непосредственно в контейнер без применения специального нагревателя. Нагрев реакционного состава осуцествляют методом сопротивления путем полклю ченця источника питания к матрице, Реакционная камера имеет диаметр 7 и высоту 8 мм. Наилучшие результаты получают при напряжении 2,15 - 2,35 В и последующей выдержке в течение 10 - 20 с. При напряжении, 15 превышающем указанное цлц меньшем его,выход алмазов очень низок.П р и м е р. В качестве реакционного составаиспользуют смесь чешуйчатого...
Способ шлифования и доводки изделий из кристаллов алмаза
Номер патента: 275776
Опубликовано: 05.06.1976
Авторы: Бейлинсон, Куликов, Шлионский
МПК: B24B 9/16
Метки: алмаза, доводки, кристаллов, шлифования
...том, что для получения одина. ковой чистоты обработки на всех участках рабочей части алмазного иэделия с цилинщзической поверх. ностью, сопряженной с конической, изделию сооб. шается сложное движение относительно инструмента, состоящее из:1. Переносного перемещения по замкнутой траектории с сохранением относительного поло. жения обрабатываемого изделия параллельно заданной прямой, при этом ось вращения инструмента всегда находится внутри этой траектории (см.фиг. 1), где инструмент 1, траектория пере. мешения 2 изделия по инструменту, участок 3 обрабатываемой и зерхности, "мягкое" направление 4 на обрабатываемой поверхности, направление окружной скорости 5 инструмента в заданной точке, направление вращения 6 инструмента, направление...
Способ синтеза алмаза
Номер патента: 411726
Опубликовано: 30.06.1978
МПК: C01B 31/06
Метки: алмаза, синтеза
...качестве соединений могут быть использованы окислы этих металлов, например Ъ 05, ХгО, или карбиды металлов, например ЮС, МоС. В качестве металлоэ могут быть использозаны их смеси и сплавы, например вольфрам - молнбдсз, ванадий - вольфрам титан.П р и м е р 1. Однородную смесь спектрально чистого графита и смеси молибде - зольфрам э объемном отношении 2:1 помещают загреэатель из спектрально чистого графита, закрывают с двух сторон графитовыми дисками, подвергают воздействию давления 95 в 1 кбар и температуры 2200 - 2700 С и зыдержпзают з этих условиях 2 яин. Проводят 1,5 опытоз, в каждом опыте обнаруживаются прочные поликристаллические ал м азы.П р и м е р 2. Диски из спектрально чис того графита и диски из 2 гО помещают послойно з...
Способ крепления алмаза
Номер патента: 622623
Опубликовано: 05.09.1978
Авторы: Гречишникова, Зеликсон, Майоров, Шлиенский
МПК: B23P 5/00
Метки: алмаза, крепления
...кристалла алмаза; на фиг. 2державка с коническим отверстием,подготовленным для установки алмазана фиг. 3 - схема эапрессовки кристалла алмаза в отверстие державки вЗ 3 осевом направлении; на фиг. 4 - схема обжатия вращающейся державки в зоне закрепления кристалла алмаза.Способ крепления алмаза состоит вследующем: закрепляемую часть крис 25 таяла алмаза 1 обтачивают,с помощьюдругого алмаза 2 до получения конической поверхности с углом 10-15в державке 3 для закрепления алмазного кристалла выполняется коническоеЗ 0 отверстие 4, максимальный диаметр ко622623 фможйость измерения наибольшей твердости свыше 100 единиц Н 5 и стойкостьболее 400000 циклов стабильных измерений прибора. Формула изобретения Составитель...
Способ контроля качества изделий алмаза и алмазоподобных материалов
Номер патента: 498889
Опубликовано: 05.02.1979
МПК: G01N 23/20
Метки: алмаза, алмазоподобных, качества
...выделением кристаллитов алмаза или алмазоподобных материалов из изделий, например, с помощью химического удаления связующего вещества.Используют дополнительный эталон, полученный путем обработки исходного порошка алмаза или алмазоподобного материала при тех же температурах и давлениях, которые применяют при изготовлении изделиИ, но без связующего вещества.Способ осуществляют следующим об 10 н 2 25 разом,Одно из которое выб механически рушают и пр образцы алм а Изобретение относится к способам контроля качества инструментов и аппаратов высокого давления, изготовленных из синтетических алмазов и алмазоподобных материалов типа карбонада, балласа, кубического нитрида бора, алмазных композиций и др,Известен способ нераэрушающего контроля...
Способ обработки поликристаллического алмаза
Номер патента: 688430
Опубликовано: 30.09.1979
Авторы: Бартенев, Городецкий, Захаров, Канаев, Львов, Скворцов
МПК: C01B 31/06
Метки: алмаза, поликристаллического
...алмаза раствором азотной и соляной кислот при 20 - 100 С 31. Различные примеси, содержащиеся в алмазе после синтеза, растворяются, что позволяет получить абразивный поликристаллический материал более высокого качества,Однако известный способ обработки поликристаллического алмаза не позволяет бразивную способность и тения - разработка такого еской обработки поликриалмаза, который позволил роизводительность и снизить од алмаза при абразивной чет повышения абразивной абразивной стойкости алма688430 Составитель А. Скворцов Техред Н, Строганова Корректор Л. Орлова Редактор А. Соловьева Заказ 2101/6 Нзд. Ме 549 Тираж 591 ПодписноеНПО Поиск Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий П 3035, Москва, Ж, Раушская наб., д....
Способ определения концентрации металлических включений в образцах синтетического алмаза
Номер патента: 714263
Опубликовано: 05.02.1980
Авторы: Пел, Понизовский
МПК: G01N 27/76
Метки: алмаза, включений, концентрации, металлических, образцах, синтетического
...металла длиною 2 мм, что достаточно дляпроизводства качественных резцов.П р и м е р 2, Подкатализаторнаязона (фиг. 2,а-б) образца карбонадо2,2 мм, зона (а) с неоднородным распределением металла 1 мм, при сошлифовке этой области зона с однороднымраспределением металла равняется.1,1 мм. Режущая часть инструмента при использовании такого алмаза будет ослаблена.П р и м е р 3. Образец, характеризуемый кривой на фиг. 3, не пригоден для изготовления указанного типа резцов, так как подкатализаторная зона меньше 2 мм. Кроме. того, вся подкатализаторная зона резко неоднородна по содержанию металлических включений,и таким образом, рабочая часть любогоинструмента, в котором этот образец мог бы использоваться, будет ослаблена,ФС помощью...
Способ наращивания граней алмаза
Номер патента: 339134
Опубликовано: 05.05.1980
МПК: C01B 31/06
Метки: алмаза, граней, наращивания
...практически неразвивается, Это,: позволяет наращивать с большой скоростью нестабильные кристаллы весом около килограмма., нпи СВ; окоп опыта 3 ч.Грань алма С 34 и СВГ н под микроскоп криствппическ нароста, Велич Сущность предлагаемого способа состоит в том, что соединения углерода С 34, СВг возгоняются при 110-120 С из ампулы и, проходя через термостатированную (продуванием воздуха 1 25 С)о трубку, попадает в виде потока молекул на грань кристалла алмаза, помещенного на нагреватель иэ танталовой ленты.Кристаллы представлятот собой плоскопаралпедьную пластину с размером 2,5 " за, обращенная к потокуаблюдаемая при увеличенииом к 1000, обнаруживаетое строение полученного ина образовавшихся полупрозрачных кристалликов в отдельных...
Способ контроля плоскостности гранейтвердого тела, например, алмаза
Номер патента: 815493
Опубликовано: 23.03.1981
Авторы: Атаманенко, Гавинский, Зозуля, Кожемякин, Лисица, Цебуля
МПК: G01B 11/30
Метки: алмаза, гранейтвердого, например, плоскостности, тела
...осуществляется следующим образом. В начале получают интерференцион ные полосы, создаваемые пучком моно- хроматических лучей с длиной волныСветовой поток от источника 1 света проходит через дифрагму 2, фокусируется конденсором 3 на точечную диафрагму 5 через плоское зеркало 4. Затем световой поток монохроматизируется интерференционным светофильтром б и имеет длину волны Л.После прохождения через линзу 7 параллельный пучок лучей под действием одной наклонной плоскости зеркала 8 меняет свое направление и попадает на горизонтально расположенную эталонную пластину 9, где помещается контролируемое тело 11.Интерференцианные полосы, созда" ваемые лучами с длиной волны , возникающие в воздушном зазоре, контролируемым телом 11 и эталонной...
Способ размерной обработки алмаза
Номер патента: 852586
Опубликовано: 07.08.1981
Авторы: Григорьев, Лифщиц, Шамаев
МПК: B28D 5/00
Метки: алмаза, размерной
...при температуре обработки. В качестве газов-реагентов могут быть использованы Н, НО, СО, и др. Процесс обработки с применением газареагента идет по механизму твердое - твердое - газ (алмаз - раствор углерода в месталле - газ), Обработку алмаза в атмосфере газов-реагентов ведут с применением инструментов очень небольших размеров, например выполненного из кусочков фольги определенной формы. При использовании размеров инструмента из фольги меньше размера обрабатываемого изделия становится возможным осуществление операций обработки, которые ранее не выполнялись известными способами, такие как изготовление П-образных или Г-образных глухих каналов и других выемок, полостей и наружных поверхностей сложного профиля. Способ размерной обработки...
Способ определения четности числа плоскостей двойникования в дендритах веществ со структурой алмаза
Номер патента: 973676
Опубликовано: 15.11.1982
Автор: Кибизов
МПК: C30B 33/00
Метки: алмаза, веществ, двойникования, дендритах, плоскостей, структурой, четности, числа
...(111) дендрита 1 делаютцарапину перпендикулярно направлениюроста С 211 ) и затем растягивающимусилием производят разлом, обеспечим вающий качественный скол, При рассмотрении сколов либо невооруженнымглазом, либо.в лупу обнаружено, чтово всех случаях получаются сколыдвух типов: либо в виде двух взаимно наклонных плоскостей 2, пересекающихся в плоскостях двойникованияВ и образующих с одной стороны скола впадину, а с другой - выступ; либо в виде двух параллельных плоскосЗ 5 тей 3, образующих одну общую наклонную плоскость. Если скол представляет собой одну наклонную к.направлению роста плоскость, как показанона дендрите 4, то число плоскостей40 двойникования Д четное. Если жескол образуется в виде впадины -выступа, как показано на...
Способ изготовления волок из синтетического поликристаллического алмаза
Номер патента: 990362
Опубликовано: 23.01.1983
Авторы: Кудрявцев, Поздняк, Себов, Селюков
МПК: B21C 3/18
Метки: алмаза, волок, поликристаллического, синтетического
...в течение 3 - 30 мин при40частоте 20 - 30 кГц.В результате осуществления способа наповерхности канала вскрывается связкапо границам зерен алмаза и таким образом между алмазными зернами образуются 45свободные пространства, незаполненныесвязкой.Затем на поверхность канала наносят,например, электролитическим путем материал, адгезионно-активный к алмазнымзернам. Наносимый материал заполняетсвободные пространства между алмазнымизернами, а на поверхности волочильногоканала наносимый материал распределяется тонким равномерным слоем. Прочное сцепление наносимого материала и алмазных зерен обеспецивается вследствие адгезионной активности их друг к другу, С целью снижения усилий волочения в качестве наносимых подбирают материалы, которые...
Способ получения полупроводникового алмаза
Номер патента: 1083915
Опубликовано: 30.03.1984
МПК: C30B 31/22
Метки: алмаза, полупроводникового
...приводящийк аморфности алмаза,Показатель рассеивания, т,е. число атомов, удаляемое с поверхностикристалла при ударе иона, менее единицы, поскольку в противном случаепроисходило бы сжатие кристалла,подвергаемого бомбардировке.Преимуществом предлагаемого способа является то, что поверхность алмаза, подвергаемая бомбардировке,не обязательно должна быть идеальной и может даже быть покрыта поверхностным слоем загрязняющего материала. Поэтому, как правило, нет 15необходимости прибегать к методамтщательной очистки, включающей, например, удаление смазки с последующим окислением для получения идеальной поверхности. На практике ионы20углерода, как правило, имеют единичный заряд и представляют собой изотоп С, однако могут представлятьсобой и иной...
Способ наращивания алмаза
Номер патента: 1134119
Опубликовано: 07.01.1985
МПК: C01B 31/06
Метки: алмаза, наращивания
...который бомбардируется ионами углерода 1 в предлагаемом способе содер3 11341 жит образование промежуточных петель в кристалле ионами, которые в него проникают, посредством чего дополнительные промежуточные атомы, созданные таким образом, осаждаются в промежуточных петлях. Бомбардирование вводит один дополнительный промежуточный атом в кристалл для каждого иона, падающего на кристалл. Дополнительные промежуточные атомы пред О ,почтительно осаждаются в промежуточных петлях и не компенсируются ростом незанятых петель. Концентрация и размер промежуточных петель, однако, увеличиваются в процессе бомбардирования и наружные размеры кристалла, таким образом, увеличиваются, т.е. повыша тся скорость роста алмаза и чистота поверхности.Для...
Способ установки вершины алмаза
Номер патента: 1136932
Опубликовано: 30.01.1985
Автор: Головкин
МПК: B24B 53/06
Метки: алмаза, вершины, установки
...через ось механизма поворота оправки с алмазом в плоскостиправки и ось оправки,Для достижения поставленной цели 25согласно способу установки вершиныалмаза, закрепленного в оправке,связанной с механчзмом профилирования шлифовальных кругов, по которому определяют величину смещения вер- З 0шины алмаза и перемещают оправкус алмазом на эту величину, величинусмещения вершины алмаза определяютотносительно оси оправки с помощьюизмерительного прибора, имеющегоподвижный измерительный наконечникс плоской измерительной поверхностью,выполненной перпендикулярно оси наконечника, которую располагают подуглом к оси оправки, причем измерительную поверхность прибора вводятв контакт с вершиной алмаза, послечего поворачивают оправку...
Способ центрирования кристаллов алмаза
Номер патента: 1556924
Опубликовано: 15.04.1990
Авторы: Бочаров, Кирпиченко, Корочкин, Севостьянов, Скорынин, Черных
МПК: B28D 5/00
Метки: алмаза, кристаллов, центрирования
...90 и смещают кристалл на величину 1 г. 2 ил. После этого поворачивают шпиндели на угол , смещают кристалл по линии ЮР системы координат станка на вел ич и ну Поворачивают шпиндели на угол 90 и смещают кристалл по линии ЫР на величину гг. Контроль величины смещения осуществляют с помощью датчика перемещений.В результате измерений значений локальных экстремумов расстояний четырех сторон основания по оси врагцения шпинделей повышается точность и и ронзводитльность ориентирования кристалла. так как на р- зультаты измерений не влияют морфологические особенности распыленных криталлов и погрешности профиля рундита.Пример. Кристалл гр) ппь; РОП с размером основания 5,0 Х 5,2 мм устанавливают г, оправки обточного станка модели ПО - 2, на...
Способ получения порошков алмаза
Номер патента: 1490869
Опубликовано: 23.04.1991
Авторы: Вольпин, Дубицкий, Исаев, Квачева, Новиков, Плотянская
МПК: C01B 31/06
Метки: алмаза, порошков
...изобретения Составитель Л,РоманцеваТехред М.Дидык Корректор В,Гирняк Редактор Т.Пилипенко Заказ 1899 ъ аТираж 311 Подписное комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССРМосква, Ж, Раушская наб., д. 4/5 ВНИИПИ Государственного 113035, Производственно-издательский комбинат "Патент", г,ужгород, ул. Гагарина,10 ратуре, отмывают водой и сушат и100 С до постоянной массы. 0,15 г полученного соединения с содержанием1,5 мас./ лития помещают в камеру вы сокого давления и в течение 10 мннведут синтез алмазов при давлении12 ГИа и температуре 800 С. Выход алмаза 357., Содержание марганца 0,001 Х,железа 0,0043 и никеля 0,0063.П р и м е р 3. К 4 г графита в токе аргона при перемешивании добавляют0,16 г натрия и 1,0 г калия. За 3,5 чполучают...
Способ получения алмаза
Номер патента: 853956
Опубликовано: 30.10.1991
Авторы: Белоусова, Верещагин, Слесарев, Штеренберг
МПК: C01B 31/06
Метки: алмаза
...как графитирующихся, так и неграфитирующихся угле родсодержащих материалов; выбранных из группы, включа(54)(57) 1, СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ АЛМАЗА обработкой углеродсодержащего материала под давлением 100 - 200 кбар при температуре 1200 - 2000 С,отл и ча ю щийс я тем, что, с целью повышения выхода алмаза, в качестве углеродсодержащего матеоиала используют термообработанную канальную сажу или кокс из поливинилиденхлорида.2, Способ по п.1, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что канальную сажу предварительно термообрабатывают при температуре до 1200 С. ющей камфен, антрацен, газовую сажу, пирен, флуорен, полиэтилен, камфору, полифенилен, парафин.Однако выход алмаза недостаточно высок (15 - 700).Целью изобретения является повышение выхода...
Способ получения алмаза
Номер патента: 687761
Опубликовано: 30.10.1991
Автор: Штеренберг
МПК: C01B 31/06
Метки: алмаза
...температуру, а затем давление снижают и извлекают синтезированный алмаз.Для осуществления прямого превращения каустобиолитов в алмаз может быть использована любая аппаратура высокого давления, в которой можно создать давление не менее 10 кбар. Оценка этой граничной величины давления проводилась по шкале давления, принятой Международным бюро стандартов в 1968 г.На практике используют модифицированную аппаратуру типа "тороид" с диаметром центральной лунки 10 и 25 мм. Предпочтительно использование камеры высокогодавления с большим реакционным объемом с целью уменьшения градиентов давления и температуры и увеличения выхода алмаза,П р и м е р 1. 250 мг керита, на рентге нограмме которого отражения отсутствуют,зольностью 5, содержащего в...
Способ обработки кристаллов алмаза и устройство для его осуществления
Номер патента: 1757895
Опубликовано: 30.08.1992
Авторы: Габец, Герловский, Киселев, Марцинкевич, Минченя, Савицкий, Старовойтов
МПК: B28D 5/00
Метки: алмаза, кристаллов
...ударного импульса, а следовательно, размер скалываемых микрочастиц, т,е, изменение амплитуды колебаний (или выключение одного из двух преобразователей) позволяет управлять качеством (высотой микронеровностей) поверхности рундиста,Способ по изобретению заключается в том, что перед началом обработки выбирается типоразмер оправки 4 (фиг,2-3) в зависимости от размера обрабатываемого сырья. Оправка 4 устанавливается в посадочное отверстие ультразвукового преобразователя 1. Далее в оправку 4 устанавливается алмаз-резец 11, который крепится прижимом 3 при помощи винта 9, Обрабатываемый кристалл алмаза устанавливаетсе в шпинделе станка между двумя оправками и центрируется, Инструмент устанавливается на опору обточного станка и подводится...
Способ очистки алмаза от графита
Номер патента: 1770271
Опубликовано: 23.10.1992
Авторы: Лушникова, Молокеев, Петров, Сакович, Тараненко, Шебалин
МПК: C01B 31/06
Метки: алмаза, графита
...сверхтвердых матери и позволяет удешевить способ и улуч условия труда. Готовят окислительную с состава, мас.с: свободный ангидрид азотная кислота или нитрат щелочного м ла или аммония 1-16, серная кислота - ос ное, Полученную смесь смешива алмазсодержащим продуктом, нагрева 160-230 С и выдерживают 5-40 мин, 3 после охлаждения и роводят выделение а за, промывку и сушку, Способ позволяе ганизовать процесс очистки в непреры режиме с использованием малых обьемо акционного сосуда. 1 з.п. ф-лы, 1 табл,охлаждают до комнатнои температуры, отделяю на центрифуге твердую фазу (алмаз), промывают водой до нейтральной среды и сушат в сушильном шкафу при температуре 160 С. Идентификацию алмаза осуществляют рентгеноструктурным анализом на...
Способ очистки алмаза
Номер патента: 1770272
Опубликовано: 23.10.1992
Авторы: Губаревич, Костюкова, Ларионова, Плескач, Рыжко, Сатаев, Турицына
МПК: C01B 31/06
Метки: алмаза
...условия труда из-за возрастающего выделения окислов азота.Нагревание до 50 - 100 С интенсифицирует процесс растворения примесей, повышает окислительные свойства НгчОз. При температуре ниже 50 С возможно неполное растворение металлов, что лишает способ преимущества в части качества очистки УДА, Верхний предел нагревания лимитируется температурой кипения смеси. После обработки раствором НИОз осадок шихты отделяют от кислотно-соленого раствора известными способами, например, центрифугированием, Содержание влаги в шихте составляет 60 - 980%. Снижение содержания влаги менее 60% приводит к нежелательным явлениям необратимой агрегации углеродных частиц и связанным с этим ухудшением технологичности процесса и качества очистки. Содержание влаги...
Способ контроля и сортировки кристаллов синтетического алмаза
Номер патента: 1787589
Опубликовано: 15.01.1993
МПК: B07C 5/342, B07C 5/346
Метки: алмаза, кристаллов, синтетического, сортировки
...полосы ФЛ 69010 нм. Появление красной полосы ФЛ 690 + 10 нм связано с неазотными дефектами кристаллической решетки алмаза, которые в значительной мере определяют его прочность, Однако, при сравнении абсолютной интенсивности ФЛ возникают ошибки, обуслов 5 10 15 20 25 30 35 40 ленные сложностью учета ряда трудноконтролируемых факторов (характера поверхности образцов, их формы, цвета, размеров, качества юстировки оптики и т,п.).Для предупреждения этих ошибок абсолютные измерения заменяют относительными, используя в качестве реперной линию пика полосы КР в диапазоне 1330 чсм, которая высвечивается в процессе отклика кристалла на монохроматическое возбуждение наряду с ФЛ, С этой целью и вводится безразмерный параметр К, отмеченный...
Устройство для контроля теплопроводности кристаллов алмаза и алмазных изделий
Номер патента: 1804618
Опубликовано: 23.03.1993
Авторы: Дмитриев, Зезин, Концевой, Храброва, Шемиот
МПК: G01N 25/18
Метки: алмаза, алмазных, кристаллов, теплопроводности
...55 Ь 0=1 э а ЬО,1 э - ток эмиттера транзистора;а- коэффициент передачи по току транзистораа;ЛО - изменение напряжения на коллекторе транзистора, измеряемое измерительным прибором (16 на фиг. 3).Тепловое сопротивление тракта междуэмиттером транзистора-нагревателя и датчикомтемпературы 6 равно увеличивается. В соответствии с этим увеличивается коллекторное напряжение ЧТ 1 до значения, при котором уходящий поток тепла компенсируется приростом мощности 5 рассеяния тепла на коллекторе, изменениетемпературы транзистора уменьшается и она устанавливается на первоначальном уровне. Прирост напряжения на коллекторе транзистора измеряется измерительным 10 прибором(16 на фиг. 3).Транзистор ЧТ 4 находится в механической и тепловой связи с теплоотводом...
Способ получения поликристаллического алмаза
Номер патента: 1533218
Опубликовано: 30.04.1993
Авторы: Боровикова, Вобликов, Каличкина, Преображенский
МПК: C01B 31/06
Метки: алмаза, поликристаллического
...продукт.В результате графитовая пластинаполностью переходит в поликристаллический алмаз. Образовавшийся алмазсветло-желтого цвета сохраняет формупластины 1,53,53,5 мм, имеет мелкозернистую структуру (размер зерна5 мкм и менее), не содержит пор,трещин. Примеси материала оболочкинагревателя по данным элементногоанализа составили, мас,Х: Са 0,02;Бд 0,01 МВ "0,01; 01 0,05; Тд .- 0,01. Термическая прочность алмаэных поликристаллов составляет9000, а электросопротивление поряд"ка 10 Омсм,И таблице предСтавлены данныепо чистоте алмазов, полученных поизобретению и результаты сравнитель"ных примеров.Иэ представленных в таблице данных следует, что изобретение позволяет получить поликристаллическийалмазный материал с суммарным содер.жанием...