Диодных — Метка (original) (raw)
Патенты с меткой «диодных»
Способ получения диодных матричных и полосовых структур
Номер патента: 168329
Опубликовано: 01.01.1965
МПК: G11C 11/36
Метки: диодных, матричных, полосовых, структур
...ЯЬ в атмосфере водорода при температуре 850 С. После этого в полученной п-р-п-структуре 20 электролитическим прорезанием в дистиллированной воде вольфрамовыми нитями ряда борозд производят разметку рядов диодов и шин. Заданное распределение диодов осуществляют удалением п-слоя в соответствую щих местах электролитическим прорезанием катодными иглами лунок в пластине. Затем электролитическим путем осаждают слой металла (например, медь или индий) толщиной 65 - 90 мм, 30 Далее на обе стороны пластины наносят полистироловый рисунок шин (ширина шин 0,8 - 0,9 мм). Незащищенный металл снимают анодным растворением в 10%-ной серной кислоте при плотности тока /=0,1 - 0,15 а/см 2 до обнажения германия. После этого полистирол смывают в толуоле, а...
Способ получения микроэлектронных диодных матричных и полосовых структур
Номер патента: 168519
Опубликовано: 01.01.1965
МПК: G11C 11/34, G11C 11/40
Метки: диодных, матричных, микроэлектронных, полосовых, структур
...в 10%-ном при плотности тока 1 = 0,2 - пор, пока р-гг-столбики гермаишь на перекрестиях, где имеаемый спо что слой снимают холостые алениПредлагных тем,германияровкой, ают полным уднии,Это позволяет уптовления диодных мизолирующие свойсшин матриц.Сущность способа соб отлича исходнойэлектрохимперекрестием германг ется от известг-р-п-пластины ической полия шин получая при травлеостить технологию изгоатриц (полос) и повысить ва холостых перекрестий О Таким образом, получается ная диодная матрица, предста две взаимно перпендикулярны раллельных шин, в утолщения положены диоды. икроэлектронляющая собойсистемы пакоторых расзаключается в следующем.Исходный матер подвергают двусто в атмосфере водор слоев полученной электрохимической кой...
Способ получения диодных матриц
Номер патента: 177688
Опубликовано: 01.01.1966
МПК: G06G 7/46
Метки: диодных, матриц
...АН УСС ОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ДИОДНЪХ МАТ Способ получения диодных матриц, апример, из микроэлектронных и - р - и (р - и - р)- матриц, путем подачи напряжения по взаимно перпендикулярным шинам в заданные перекрестия матрицы, отличтогггийся тем, что, с целью устранения изолирующих участков в перекрестии и возможности биполярного 0 включения элементов (диодов), подают упомянутое напряжение той или иной полярности с амплитудой, превышающей напряжение лавинного пробоя и - р (р - и)-перехода,Заявлено 07,111,1964 (ч"с присоединением заяПриоритетОпубликовано 18.Х 11,1Дата опубликования о Известны способы получения диодных матриц путем подачи напряжения по взаимно перпендикулярным шинам в заданные" перекрестия матрицы.Предложенный способ...
Многоканальный коммутатор на диодных переключателях тока
Номер патента: 311266
Опубликовано: 01.01.1971
Авторы: Костин, Легович, Мочалов
МПК: H03K 17/24
Метки: диодных, коммутатор, многоканальный, переключателях
...тока 2, входные резисторы 3, проходные диоды 4, управляющие диоды 5, резисторы смещения 6 и 7, компенсирующие диоды 8 и источники смещения.Выбор канала коммутатора осуществляется одновременно включснием входного и, соответствующего ему, группового диодного ключа. Для этого на вход управления коммутируемого входного ключа, а также на вход управления соответствующего группового ключа подаются положительные потенциалы. Управляющие диоды этих ключей закрываются, а проходные - открываются и ток, обусловленный величиной входного на лряжения, поступает на выход коммутатора.Остальные входные и групповые ключи остаются закрытыми. Благодаря тому, что выход каждой группы коммутируется дополнительным диодным ключом, суммарная емкость...
Устройство для измерения дифференциального сопротивления диодных структур
Номер патента: 482697
Опубликовано: 30.08.1975
Авторы: Рибикаускас, Чеснис
МПК: G01R 31/26
Метки: диодных, дифференциального, сопротивления, структур
...и генератор 12 прямоугольных импульсов. При помощи положительного импульса, поступающего из мультивибратора 8, коммутатор 7 переводится в состояние открыто и сигнал с резистора 4 через этот блок и сумматор 9 подается на вход вертикального отклонения осциллографа. В это же время напряжение на другом выходе мультивибратора 8 скачком уменьшается и коммутатор 6 переводится в состояние закрыто. Длительность импульсов на выходе генератора 12 подбирается равной продолжительности пребывания мультивибратора во временно устойчивом состоянии, которая больше продолжительности переходных процессов в измерительной цепи, но меньше длительности импульсов на выходе источника 5 управляющего напряжения, Таким образом, при поступлении на вход усилителя...
Адаптивное устройство для проверки диодных схем
Номер патента: 526832
Опубликовано: 30.08.1976
Автор: Коробочкин
МПК: G01R 31/02, G01R 31/28
Метки: адаптивное, диодных, проверки, схем
...и каждый раз путем опроса остальных контрольных точек электронным коммутатором 2 оценивается реакция на этот сигнал схемы соединений объекта 8 контроля, Появление во время опроса ответного сигнала в любой из контрольных точек фиксируется в блоке 5 управления как прямая связь в соединении. После этого блок 5 управления изменяет полярность пробного сигнала на обратную и через электронный коммутатор 2 фиксирует обрывов этой связи, что свидетельствует о том, что в соединении между контрольными точками имеется исправный диод. Затем полярность пробного сигнала восстанавливается, и электронный коммутатор 2 продолжает опрос остальных контрольных точек, а блок 5 управления фиксирует количество контрольных точек с диодной связью в...
Способ балансировки диодных мостовых схем
Номер патента: 687399
Опубликовано: 25.09.1979
МПК: G01R 17/10
Метки: балансировки, диодных, мостовых, схем
...6 и амплитуды Е и Е . Периодповторения импульсов равен Т. Выходное1 О напряжение О ,мостовой схемы"вых215 юа +.б ьгде Ца - прямое падение найряжения на диодах 3 и 4;К,Чь - сопротивление резисторов205 и 6,Из соотношения следует, что балансНа фиг. 1 представлена диодная мос- схемы (Оы=О ) может быть устатовая резистивная схема, пример реа- новлен как раздельной регулировкой амплизации предложенного способа; на фиг.2 литуд импульсов Е и Етак играфически показана возможная форма 25 регулировкой их длительности 1 исигнала генератора; на фиг, 3 - диодная Представленная на фиг. 3 резистивмостовая резистивно-емкостная схема, Но-емкостная диодная схема может исДиодная мостовая резистивная схема пользоваться для включения емкостных(см. фиг. 1)...
Способ регулирования фазового детектора на диодных оптронах
Номер патента: 932588
Опубликовано: 30.05.1982
МПК: H03D 13/00
Метки: детектора, диодных, оптронах, фазового
...выводам18 и 19 присоединяют нагрузочный резистор 11 фазового детектора и вольтметр 20 постоянного тока. Переменные 10резисторы 16 и 17 и миллиамперметры13 и 14 устанавливают вне цепейдетектора. Перед включением источника 12 коммутирующего напряжения сопротивления резисторов 16 и 17 полностью вводятся в цепи светодиодовоптоонов.После подачи коммутирующего напря.жения с помощью резисторов 16 и 17по миллиамперметрам 13 и 14 выставляют токи светодиодов, равные 10 мАноминальное значение.Измеряют остаточное напряжениедетектора. Затем отключают коммутирующее напряжение и вывод последовательного соединения оптронов одногоплеча моста, например оптронов 1 и2, подключенных к выводу 9 нагрузки,присоединяют к выводу 10, а выводпоследовательного...
Устройство для контроля диодных структур
Номер патента: 1081573
Опубликовано: 23.03.1984
Автор: Шраго
МПК: G01R 31/26
Метки: диодных, структур
...собой, а параллельно каждой обмотке реле и между смежными контактами второй розетки для подключения звеньев диодной магистрали контролируемой структуры подключен соотнетствующий диод н обратном направлении, первый вывод соединения обмоток реле подключен к первому выводу индикатора, а группа замыкающих контактов реле соединена между собой последовательно, причем первый вывод ее соединен с вторым выводом индикатора, а второй - с вторым выводом первого резистора, контакты третьей розетки для подключения звеньев диодных ответвлений контролируемой структуры соединены с контактами этой розетки для подключения смежных звеньев диодной магистрали контролируемой структуры, а второй контакт третьей розетки для подключения звеньев диодной...
Устройство для контроля диодных матриц
Номер патента: 1559319
Опубликовано: 23.04.1990
Автор: Малецкий
МПК: G01R 31/26
Метки: диодных, матриц
...и контроляпрямого падения напряжения, Аналогично производится проверка третьего ичетвертого диодов. По пятому тактовому импульсу генератора 8 импульсов блок 6 синхронизации выдает сигнал и первый коммутатор 2 для подктпочения всех первых выводов контролируемых диодов 3 к генераторутока. При этом производится контрольразбаланса тока Т всехвозможных 45параллельно включенных пар диодовв диодной матрице, причем вывод одного иэ диодов пары подключается кобщей шине, а вывод второго диода -к входу блока 7 контроля тока. . 50Составитель В,Сум Изобретение, позволяет повыситьпроизводительность и достоверностьконтроля диодных матриц. 15 формула изобретении Устройство для контроля диодных матриц, содердащее генератор импульсов, генератор тока,...
Способ контроля параметров полупроводниковых диодных структур
Номер патента: 1274558
Опубликовано: 20.04.1995
Авторы: Воробьев, Склизнев, Смирнов, Юрченко
МПК: H01L 21/66
Метки: диодных, параметров, полупроводниковых, структур
СПОСОБ КОНТРОЛЯ ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДНЫХ СТРУКТУР, включающий пропускание тока через диодную структуру, измерение спектральной плотности низкочастотного шумового напряжения и отбраковку структур, отличающийся тем, что, с целью увеличения точности контроля уровня частотно-модулированных шумов диодных структур, измерение спектральной плотности низкочастотного шумового напряжения проводят при температуре диодных структур от 243 до 248 К, а отбраковку структур проводят при условии, что спектральная плотность низкочастотного шумового напряжения не превышает значения, вычисленного по формулегде S спектральная плотность низкочастотного шумового напряжения,...
Способ изготовления диодных матриц
Номер патента: 1277842
Опубликовано: 20.07.2012
Авторы: Бекирев, Дмитриев, Елкин, Казаков, Полторацкий, Семеников, Хитько, Шелюхин
МПК: H01L 21/46
Метки: диодных, матриц
Способ изготовления диодных матриц, включающий формирование контактов на противоположных поверхностях полупроводниковой структуры, состоящей из слоев p- и n-типа различной толщины, соединение контактов между собой параллельными проводящими шинами, перпендикулярными шинам на противоположной поверхности структуры, изготовление в тонком слое структуры изолирующих областей между проводящими шинами и формирование в толстом слое структуры канавок между проводящими шинами, отличающийся тем, что, с целью упрощения изготовления матриц, проводящие шины на поверхности более тонкого слоя структуры выполняют из пластичного металла, а после выполнения канавок в более толстом слое структуры ее...