Бекирев — Автор (original) (raw)
Бекирев
Излучательная многопроходная гетероструктура
Номер патента: 1111645
Опубликовано: 20.07.2012
Авторы: Бекирев, Инкин, Степанищева
МПК: H01L 33/00, H01S 3/19
Метки: гетероструктура, излучательная, многопроходная
Излучательная многопроходная гетероструктура, включающая область излучательной рекомбинации, расположенную между широкозонными слоями, отличающаяся тем, что, с целью увеличения внешнего квантового выхода спонтанного излучения с энергией кванта, соответствующей ширине запрещенной зоны области излучательной рекомбинации и понижения порога лазерной генерации, между широкозонными слоями расположен дополнительный слой с шириной запрещенной зоны, меньшей, чем в области излучательной рекомбинации по крайней мере на десятую долю КТ, минимальная толщина которого по крайней мере не меньше обратной величины коэффициента поглощения излучения из области излучательной рекомбинации, а максимальная по...
Полупроводниковая излучательная многопроходная гетероструктура
Номер патента: 1165211
Опубликовано: 20.07.2012
Автор: Бекирев
МПК: H01S 3/18
Метки: гетероструктура, излучательная, многопроходная, полупроводниковая
Полупроводниковая излучательная многопроходная гетероструктура, включающая узкозонную область излучательной рекомбинации, расположенную между широкозонными слоями, отличающаяся тем, что, с целью понижения пороговой плотности тока накачки, между упомянутыми широкозонными слоями введены, по крайней мере, два дополнительных слоя с разными ширинами запрещенной зоны, меньшими ширины запрещенной зоны области излучательной рекомбинации, а суммарная толщина дополнительных слоев не менее обратной величины меньшего коэффициента поглощения в них излучения из области излучательной рекомбинации, но не более диффузионной длины неосновных носителей в этих слоях, толщина наиболее узкозонного...
Излучательная полупроводниковая многопроходная гетероструктура
Номер патента: 1163777
Опубликовано: 20.07.2012
Автор: Бекирев
МПК: H01L 33/00
Метки: гетероструктура, излучательная, многопроходная, полупроводниковая
Излучательная полупроводниковая многопроходная гетероструктура, содержащая излучательный узкозонный слой, расположенный между двумя широкозонными слоями, отличающаяся тем, что, с целью снижения пороговой плотности тока лазерного излучения и увеличения внешнего квантового выхода спонтанного излучения, между широкозонными слоями расположен дополнительный слой с шириной запрещенной зоны, меньшей, чем в излучательном слое, толщина дополнительного слоя по крайней мере в два раза меньше толщины излучательного слоя и меньше обратной величины коэффициента поглощения квантов света, возникающих в излучательном слое, а разница ширин запрещенных зон
Светодиод
Номер патента: 644301
Опубликовано: 20.07.2012
Авторы: Бекирев, Емельянов, Лаврищев, Полторацкий, Сидоров, Тютюнов
МПК: H01L 33/00
Метки: светодиод
1. Светодиод со сплошным электро- и теплоотводящим контактом со стороны, противоположной световыводящей поверхности, на основе p-n-гетероструктуры с изменяющейся шириной запрещенной зоны, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности, между сплошным контактом и p-n-переходом он содержит слой полупроводника с градиентом концентрации примеси у контакта, препятствующим растеканию неосновных носителей, с, по крайней мере, одним участком с увеличивающейся к p-n-переходу шириной запрещенной зоны толщиной, большей обратной величины коэффициента поглощения для излучения светодиода и не превышающей нескольких диффузионных длин неосновных носителей.2. Светодиод по п.1, отличающийся...
Способ изготовления диодных матриц
Номер патента: 1277842
Опубликовано: 20.07.2012
Авторы: Бекирев, Дмитриев, Елкин, Казаков, Полторацкий, Семеников, Хитько, Шелюхин
МПК: H01L 21/46
Способ изготовления диодных матриц, включающий формирование контактов на противоположных поверхностях полупроводниковой структуры, состоящей из слоев p- и n-типа различной толщины, соединение контактов между собой параллельными проводящими шинами, перпендикулярными шинам на противоположной поверхности структуры, изготовление в тонком слое структуры изолирующих областей между проводящими шинами и формирование в толстом слое структуры канавок между проводящими шинами, отличающийся тем, что, с целью упрощения изготовления матриц, проводящие шины на поверхности более тонкого слоя структуры выполняют из пластичного металла, а после выполнения канавок в более толстом слое структуры ее...
Полупроводниковая излучательная многопроходная гетероструктура
Номер патента: 1157994
Опубликовано: 20.07.2012
Автор: Бекирев
МПК: H01L 33/00, H01S 3/19
Метки: гетероструктура, излучательная, многопроходная, полупроводниковая
Полупроводниковая излучательная многопроходная гетероструктура, включающая область излучательной рекомбинации и дополнительный слой, примыкающий к одной из ее сторон, расположенные между широкозонными слоями, причем ширина запрещенной зоны дополнительного слоя меньше ширины запрещенной зоны области излучательной рекомбинации, минимальная толщина указанного слоя не меньше обратной величины коэффициента поглощения излучения из области изучательной рекомбинации, а максимальная - не больше диффузионной длины неосновных носителей в этом слое, отличающаяся тем, что, с целью увеличения яркости свечения на торцевых гранях структуры, между другой стороной области излучательной рекомбинации и...
Элемент интегральной оптики
Номер патента: 699926
Опубликовано: 20.07.2012
Авторы: Бекирев, Емельянов, Кононов, Лаврищев, Маслобоев, Михеев, Полторацкий, Шокин
Метки: интегральной, оптики, элемент
Элемент интегральной оптики, волноводные области которого ограничены с двух противоположных сторон слоями структуры, а с двух других сторон - областями с меньшим показателем преломления, отличающийся тем, что, с целью улучшения волноводных свойств элемента при одновременном создании его сложной конфигурации на глубине до 50 мкм, области с меньшим показателем преломления выполнены из собственного термического окисла полупроводникового материала.
Излучательный элемент с полевым управлением (и его вариант)
Номер патента: 820559
Опубликовано: 20.07.2012
Авторы: Бекирев, Емельянов, Рябоштан, Садовой, Сидорова
МПК: H01L 33/00
Метки: variant, излучательный, полевым, управлением, элемент
1. Излучательный элемент с полевым управлением, содержащий заключенные между токовыми электродами полупроводниковую излучательную структуру, состоящую из подложки и слоев противоположного типа проводимости, образующих p-n-переход, расположенную на эмиттерном слое упомянутой структуры дополнительную полупроводниковую область и МДП-структуру, отличающийся тем, что, с целью выведения света наружу со стороны, противоположной подложке, упомянутая дополнительная полупроводниковая область выполнена в виде слаболегированного слоя противоположного с эмиттерным слоем типа проводимости с гетеропереходом внутри слоя, причем внешняя часть указанного слоя - более широкозонная, чем прилегающая к...
Излучательная многопроходная гетероструктура
Номер патента: 1387821
Опубликовано: 20.07.2012
Авторы: Бекирев, Инкин, Степанищева
МПК: H01L 33/00
Метки: гетероструктура, излучательная, многопроходная
Излучательная многопроходная гетероструктура, содержащая излучающий слой, к которому с одной стороны примыкает широкозонный слой, а со стороны, противоположной широкозонному слою, - дополнительный узкозонный слой с шириной запрещенной зоны меньше, чем в излучающем слое, минимальная толщина которого - порядка или больше обратной величины коэффициента поглощения излучения, возникающего в излучающем слое, при этом разница ширин запрещенных зон между дополнительным и излучающим слоями связана с параметрами слоев соотношением где А - параметр с...
Гетероструктура
Номер патента: 505248
Опубликовано: 20.07.2012
Авторы: Бекирев, Емельянов, Лаврищев, Полторацкий
МПК: H05B 33/02
Метки: гетероструктура
1. Гетероструктура с p-n-переходом, в которой суперинжекция и излучательная рекомбинация носителей осуществляются в узкозонном слое, отличающаяся тем, что, с целью повышения эффективности гетероструктуры и стабилизации ее излучательных параметров, область излучательной рекомбинации отделена от области объемного заряда p-n-перехода слоем с переменной шириной запрещенной зоны такой толщины, что время переноса инжектированных носителей через него меньше времени жизни носителей.2. Гетероструктура по п.1, отличающаяся тем, что, с целью повышения ее эффективности при одновременном уменьшении рабочих токов, область излучательной рекомбинации выполнена в виде потенциальной ямы, размеры...
Устройство для развертки луча света
Номер патента: 314248
Опубликовано: 01.01.1971
Авторы: Бекирев, Дульдиер, Думаревский, Петрусевич
МПК: H01J 17/00
...источнику 4 постоянного напряжения. На резистивный слой 3 наносится слой .Б диэлектрика, а затем про ки связанный с о От генератора 7 п пал подается на слой 6. Источник 4 при линейном распредеЛениипотенциала в слое 3 создает в слое 1 поперечное поле, линейно меняющееся по величИ не вдоль слоя от нуля до максимального значения. Генератор 7 создает в слое 1 однородное поле, направленное противоположно полю слоя 3. Величина поля генератора 7 пропорциональна напряжению переменного сигнала.В результате сложения полей в слое 1всегда имеется область, где они полностью компенсируются, т. е. поле в этой области равно нулю. Координаты этой области зави сят от амплитуды переменного напряжения,С изменением амплитуды переменного напряжения область...