Доменах — Метка (original) (raw)
Патенты с меткой «доменах»
Устройство для считывания информации с ячеек памяти на цилиндрических магнитных доменах
Номер патента: 385316
Опубликовано: 01.01.1973
Авторы: Лисовский, Электроники
МПК: G11C 11/16
Метки: доменах, информации, магнитных, памяти, считывания, цилиндрических, ячеек
...пласти нах из магнитоодноосных материалов (орто 385316ферритах, гранатах); намагниченных нормально к их плоскости, ферромагнитный резонанс возможен на двух частотах, определяемых соотношениямив= 1 (Нл + )щ = НА. - Ф где а, а- частоты ФМР, у - гиромагнитное отношение, Н - внутреннее статическоев 10 магнитное поле, НА - поле анизотропни; частота всоответствует ориентации намагниченности вдоль поля, а частота щ- против поля. Так как намагниченность ЦМД направлена против поля подмагничивания, то внутри 15 ЦМД частота будет равна вц=а,а частота ФМР для пластины вне доменов будет равна впл=в.Для типичных магнитоодноосных гранатов Н т 10 э, Нм 102 э, ЬНт 1 э (ЛН - ширина линии ФМР), так что частоты ФМР 20 лежат в дециметровом диапазоне,...
Устройство дешифрации на цилиндрических магнитных доменах
Номер патента: 458881
Опубликовано: 30.01.1975
Авторы: Алексашенко, Прохоров, Федотов
МПК: G11C 11/14
Метки: дешифрации, доменах, магнитных, цилиндрических
...аппликации 12 - 15 (для прямых и инверсных значений входных переменных), каждая из которых охватывает концы соответствующих ферромагнитных аппликаций, размещенных параллельно каналу продвижения ЦМД, обрагценные в сторону источника доменов, и образует с аналогичными аппликациями других каналов элемент коллапсирования - зарождения доменов,По токопроводящей аппликации 11 пропускают ток. При этом зародышевый ЦМД растягивается в полосовой домен на площади кристалла, ограниченной токопроводящей аппликацией 11. В соответствии с кодом, записанным в регистре адресного слова, по однойРедактор Т. Рыбалова Корректор Л, Орлова Заказ 628/2 Изд. Юо 1077 Тираж 648 Подписное Типография, пр. Сапунова, 2 из двух проводящих аппликаций, связанных с...
Устройство дешифракции на цилиндрических магнитных доменах
Номер патента: 467404
Опубликовано: 15.04.1975
Авторы: Замковец, Прохоров, Федотов
МПК: G11C 11/14
Метки: дешифракции, доменах, магнитных, цилиндрических
...ных аппликаций 9 из магнитомягкого мате риала, вертикальные части которых размеще 30 ны параллельно каналам 4 - 7, соединены под467404 ван оставитель Е, Техред М, Се Корректор Н, Аук Редактор И,мено зказ 1665/3 Изд.1394 ЦНИИПИ Государственного комитет по делам изобретений Москва, )К, РаушскзТипография, пр, С унова,прямым углом с вертикальными частями Т-ооразных аппликаций 10 и вместе с последними составляют аннигиляторы, Шины управления А и Б пересекают аппликации 8 из магнитожесткого материала и направление их в ме сте пересечения изменяется на противоположное; через две прямоугольные аппликации 8 - для шины управления А и через одну прямоугольную аппликацию 8 - для шины управления Б.В соответствии с кодом, записанным в регистре...
Дешифратор на цилиндрических магнитных доменах
Номер патента: 477542
Опубликовано: 15.07.1975
МПК: H03K 13/247
Метки: дешифратор, доменах, магнитных, цилиндрических
...10 помещаются на другую сторону пластины 19 кристалла. Проводники 15 - 18 подсоединяются к цепи 20 выделения сигнала относительно земли, Также относительно земли опрашиваемый проводник 19 соединен с источником 21 импульсов опроса. Цепь 20 и источник 21 подсоединены к цепи управления 22. Цилиндрические магнитные домены 5 реализуются в пластине 14 кристалла во внешнем магнитном поле, создаваемым устройством 23 поля подмагничивапия. Управляющее поле создается катушками Гельмгольца, которые ориентированы вдоль линий 24 и 25. Устройство 26, питающее катушки Гельмгольца, и устройство 23 поля подмагничивания контролируются цепью управления 22, которая также управляет регистром 27 адресного слова и вводом доменов в каналы а, б, в, г их...
Устройство для считывания информации с блоков памяти на цилиндрических магнитных доменах
Номер патента: 566265
Опубликовано: 25.07.1977
МПК: G11C 7/02
Метки: блоков, доменах, информации, магнитных, памяти, считывания, цилиндрических
...и параллельной этому полю. Таким образом, в отсуствии ЦИД магнитное поле рассеяния ферромагнитной пластины 3 остается постоянным, а следовательно наводимая этим полем ЭДС индукции в пластине 5 второго проводника равна нулю. При прохождении ЩЯ (условно изображено на чертеже цифрой 13),по тракту продвижения 2 под пластиной 3, ее вектор намагниченности М под действием горизонтальной составляющей поля рассея- ф 5 ния этого ЦИД отклоняется от равновесного положения (обозначенного цифрой 12), параллельного оси У, на некоторый угол, в положение, показанное цифрой 14. Параллельность 30 между вектором Й и направлением высокочастотного поля нарушается, что обуславливает появление момента вращения вектора Й в этом поле, а следовательно и...
Переключатель для запоминающего устройства на цилиндрических магнитных доменах
Номер патента: 575696
Опубликовано: 05.10.1977
МПК: G11C 11/14, G11C 11/155
Метки: доменах, запоминающего, магнитных, переключатель, устройства, цилиндрических
...образующим отвегвой) канап продвиЦМД 2 содержит гнитные аппдикап ным ферромагнит образуют два вхо а пр ижения ая шина распоп Один иэ известных перЯююаержит Т- и и юбраеные аппликация образуи два выходных канапапрУправпяющая токовая шинТ-образным эпементом,пяющийся (второй выходнжения ЦМД.Другой перекпючатепьТ- и %-образные ферромвкоторые вместе с ф-образным эпементом передачиных и два выходных канапЦМД, а управпяющвя токо жена над соответствующими позициями,фобраэного эпемента.Однако функционаньные воэможности таких перекпючатепей доменов ограничены, так как они только переводят информационные потоки ЦМД со входа на один иэ двус его выходов, Второй перекпючатепь имеет два входных и два выходных канапа продвижения ЦМД,но спожная...
Магнитопровод для запоминающего устройства на цилиндрических магнитных доменах
Номер патента: 577562
Опубликовано: 25.10.1977
Авторы: Акинфиев, Арсланов, Ушаков
МПК: G11C 5/00
Метки: доменах, запоминающего, магнитных, магнитопровод, устройства, цилиндрических
...составными иэ температурноэависимых,температурнонеэавнсимых мз. териалов.На фиг. 1 изображена конструкция предлагаемого магнитопровода; на фиг. 2 - составной магнит, вариант выполнения,Магнитопровод содержит параллельно расположенные пластины 1 из магннтомягкого материала, составные магниты, образованные соединением температурнонезавнсимого 2 н температурнозависимого 3 магйитотвердого материала,магнитные шунты 4, узел регулировки 5 с резьбовыми отверстими для перемещения шунтов.Температурнонеза висим ая (металлическая) часть 2 составного магнита создает в рабочем зазоре магнитопровода магнитное поле, величина которого практическй пе зависит от темперйтури.Температурназаваиьмзя (ферритовая) чаСть Э составиою магнатв издает...
Дешифратор на цилиндрических магнитных доменах
Номер патента: 590829
Опубликовано: 30.01.1978
МПК: G11C 19/08
Метки: дешифратор, доменах, магнитных, цилиндрических
...вектора поля управления 0 и 90, и через 24"- каналов продвижения доменов над О участками ферромагнитных аппликаций, соответствующими направлению вектора поля управления 180 и 270, где гг - порядковый номер шины управления, а Л=2 гг.Кроме того, шины управления над участками ферромагнитных аппликаций выполнены в виде петли,На чертеже показана схема предлагаемогодешифратора для четырехразрядного адресного слова (Лг=4).На магнитоодноосной пластине 1 с ЦМДрасположены генераторы 2 доменов, каналы 3 - 18 продвижения доменов, образованные системой ферромагнитных аппликаций, и шины управления 19 (шина1) и 20 (шина2), которые охватывают соответствующие ЦМД-позицип каналов продвижения доменов (О, 90, 180 и 270). Домены проходят на выход дешифратора...
Регистр сдвига для запоминающего устройства на цилиндрических магнитных доменах
Номер патента: 600616
Опубликовано: 30.03.1978
Автор: Андреев
МПК: G11C 19/08
Метки: доменах, запоминающего, магнитных, регистр, сдвига, устройства, цилиндрических
...- повышение надежности регистра.Это достигается тем, что он содержит расположенный на магнитоодноосной пленке слой материала, обладающего обратным пьезоэлектрическим эффектом, на поверхность которого нанесены ферромагнитные и токо- проводящие аппликации,600616 Составитель А. Андреева Корректоры: Л. Ьрахнинаи А. Степанова Редактор И. Грузо каз 92 Изд. осударстве по де 113035, Мо343 Тираж 763шого когнитста Совета Министров ССлаги изобретений и открытийсква, )К, Раушская наб., д, 4/5 Подписпо НПО Типография, пр. Сапунова, 2 1 роме того, слой материала, обладающего о 5 ратным пьезоэлектрическим эффектом, выполнен из сегнетоэлектрика. Слой сегнетоэлектрика поляризован.Слой материала, обладающего обратным пьезоэлектрическим эффектом,...
Датчик считывания информации на цилиндрических магнитных доменах
Номер патента: 612282
Опубликовано: 25.06.1978
Автор: Белкин
МПК: G11C 11/14
Метки: датчик, доменах, информации, магнитных, считывания, цилиндрических
...с магнитопле-, ночной структурой. В результате ферромагнитного обмена (фиг,н 3) либо магнитостатической связи (фиг, 2 и 4) пленки образуют магнитосвязанную структуру, состояние которой зависит от ориентации ее магнитного мо. мента. Лнизотропия в пленках индуцируется таким образом, чтобы ось легкого намагни. чнвания совпадала с вектором плотности вход. наго тока устройства. Тогда, если выполняет.б 2282 формула изобретения Романова ан Ко Составитель Техред О. Л Тираж 717 ректор А. Граце нсное Редактор Е, КЗакаа 3467/45 НИИПИ Государственного комнт но делан изобрет 303, Москва, ЖВ,Фмнаа ПОП ейатентэ, т. Уета Совета Министров СС еннй н открой аувскан наО.д. 4/Ь жзород, уя. Проектнан 4ся условие, прн котором коэрцнтнвная сила...
Устройство для считывания информации на цилиндрических магнитных доменах
Номер патента: 613403
Опубликовано: 30.06.1978
Авторы: Красовский, Смирнов
МПК: G11C 11/14, G11C 11/155, G11C 7/00 ...
Метки: доменах, информации, магнитных, считывания, цилиндрических
...НЕ 5 и магниторезисторный датчик считывания 6. Магниторезисторный датчик считывания 6 подключен к устройству регистрации изменения сопротив ления датчика 7, Магнитное поле в плоскостипластины магнитоодноосного материала создается источником 8.Устройство работает следующим образом, Прп включении источника 8 происходит перемещение информации по основному каналу продвижения доменов. После прохождения делителя 4 ЦМД разделяется на два, Один ЦМД продолжает двигаться по основному каналу продвижения доменов 2, другой - по дополнительному каналу продвижения доменов 3 к логическому элементу НЕ 5, Количество позиций основного и дополнительного каналов продвижения ЦМД выбрано таким, чтобы расстояние от делителя 4 до магнито13403 Подписиос...
Регистр на цилиндрических магнитных доменах
Номер патента: 616652
Опубликовано: 25.07.1978
МПК: G11C 11/14
Метки: доменах, магнитных, регистр, цилиндрических
...информации,управляемый шиной 6 управления. Междусоседними ключами включены компрессоры 7, между ключами и блохами ввода-вывода информации включены компрессоры 8.Устройство работает следующим об)в разом.При обращении по определенномуадресу, например, для вывода информации, информация, представленнаяЦМД,перемещается параллельно и синхронйо.во всех замкнутых каналах 1хранения информации до позиции,находящейся под ключами 2. Возбуждением,шины 3 управления ключа 2подсоединяют замкнутые каналы 1 хранения информации к каналу 4 вводавывода, и информация, представленная ЦМД, поступает в канал вводавывода, Форма аппликация клкчея 2позволяет располагать ключи на рас.стоянии не менее двух периодов стук616652 формула изобретения Составитель...
Устройство управления для блоков памяти на цилиндрических магнитных доменах
Номер патента: 624294
Опубликовано: 15.09.1978
Авторы: Ильяшенко, Кармацкий, Матвеев, Паринов, Чиркин
МПК: G11C 11/14
Метки: блоков, доменах, магнитных, памяти, цилиндрических
...Министров изобретений и открытий -35, Рвушсквя наб., д. 4/5 иал ППП "Патент", г, Ужгород, ул. Проектная, 4 имеют длины (0,9-1,3) Л для большой оси и (0,45-0,8) Л для малой оси, наклон большой оси по отношению к прямой, на. которой расположены центры первойо о группы эллипсов от 90 до 180, длина главной оси второй группы эллипсов от ограничивающих фигуры аппликвций . (0,9-1,6)Л для большой оси и (0,45-1)Л для малой оси, соответственно параллельны главным осям первой группы эллип- сов и смещены относительно больших осей первой группы эллипсовна (0,05-2)Я относительно малых осей первой группы эллипсов на (0,15-0,3) ЛНа чертеже дана конфигурация магнитомягких вппликаций канала продвижения устройства управления для блоков памяти на ЦМД....
Блок считывания информации для запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах
Номер патента: 625245
Опубликовано: 25.09.1978
Авторы: Красовский, Федотов
МПК: G11C 11/14, G11C 11/155, G11C 7/00 ...
Метки: блок, доменах, запоминающих, информации, магнитных, считывания, устройств, цилиндрических
...между собой 12.Однако это усгройство обладает низким быстродействием и низкой чувствительностью отдельного шевронного магнивания,Это достигается тем, что магниторезисторный датчик считывания выполнениз М-образных аппликапий, длина периода каждой из которых равна двум периодам доменорастягиваюших ферромагнитных аппликаций шевронной формы.На фиг. 1 дана схема устройствамина фиг. 2 - пример исполнения магниторзисторного датчика,На поверхности магнитной среды сЦМД 1 расположен доменный сдвиговый. регистр 2, а также магннторезисторныйдатчик считывания 3. Датчик выполнен наэлементах М-образной формы, длина каж625245 уг,Г дого иэ которых равна двум периодам доменопродвигающей схемы. Работа устройства начинается с включения магнитного поля...
Запоминающее устройство на магнитных доменах
Номер патента: 640367
Опубликовано: 30.12.1978
Авторы: Ломов, Паринов, Чиркин, Юдичев
МПК: G11C 11/14
Метки: доменах, запоминающее, магнитных
...в противополокных сторонах по оси легкой намагниченности (фиг. 2,а), магнитный домен в виде цилиндра устойчиво существует в магнитоодноосном материале, например, феррит-гранате, при наличии магнитного поля смещения Н направленного параллельно оси легкой намагниченности. Поле смещения Нможет создаваться, например, постоянными магнитами.Магнитное поле управления Н, направленное параллельно 1-образной аппликации 7 по оси х, намагничивает ее, создавая притягивающий полюс у одного своего конца (фиг, 2 б), у которого фиксируется магнитный домен 14 (позиция 1). При переключении магнитного поля управления Нв положсние, показанное на фиг, 2 в, перемагничиваются магнитопленочные аппликации, и магнитный домен переходит к новому...
Переключатель для запоминающего устройства на цилиндрических магнитных доменах
Номер патента: 641497
Опубликовано: 05.01.1979
Авторы: Замковец, Иванов, Сергеев
МПК: G11C 11/14
Метки: доменах, запоминающего, магнитных, переключатель, устройства, цилиндрических
...каналена верхнем конце Н-образной аппликации 2. В период времени перехода вектора управляющего поля из положения, показанного на фиг. 2 а, в положение, показанное на фиг. 2 б, в токо- проводящую шину управления подается импульс тока такой полярности, которая препятствует продвижению домена вдоль первого канала продвижения и способствует продвижению домена по каналу передачи 4. Одновременно этот же импульс производит коллапсирование домена, находящегося на верхнем конце аппликации 12 второо канала продвижения 3. Окончательное расположение доменов показано на фиг. 26. При дальнейшем вращении вектора управляющего поля домен с элемента передачи попадает во второй канал продвижения 3На фиг. За и Зб показано последовательнм расположение...
Устройство для считывания информации из блоков памяти на магнитных доменах
Номер патента: 643971
Опубликовано: 25.01.1979
Авторы: Красовский, Потапов, Смирнов
МПК: G11C 11/14
Метки: блоков, доменах, информации, магнитных, памяти, считывания
...в делителе 9 ЦМД на два домена, один из которых продвигается дальше по каналу 4, а лругой попадает в дополнительный канал 10 пролвцжецця ЦМД и далее в точке соединения 1 попадает в основной канал 4, занимая место за первым доменом на расстоянии одного периода структур продвижения ЦМД от него. Таким образом, информационная единица преобразуется в последовательность 11, Взаимодействуя с последовательностью доменов 10 в логическом узле 6 (запрет или исключающее ИЛИ), последовательность доменов 11 преобразуется в последовательность 01 , что соответствует информационной единице. Проходя под датчиками 12 13, последовательность доменов 01 вызывает с выхода мостовой схемы сигнал 1, например, положительной полярности. 5 10 15 20 25 30 З 5 40...
Матричное запоминающее устройство на цилиндрических магнитных доменах
Номер патента: 645205
Опубликовано: 30.01.1979
Авторы: Новиков, Розенблат, Цыганов, Чиркин
МПК: G11C 11/14
Метки: доменах, запоминающее, магнитных, матричное, цилиндрических
...а магнитные ключи подключены к электропроводящим шинам. Электропроводящие шины имеют матричную структуру.Предложенное запоминающее устройствоотличается от известных типов ЗУ на ЦМД тем, что появляется возможность формировать ЗУ произвольного объема на основе замкнутых регистров достаточно малой емкости. Сокращается время доступа к произвольному, достаточно малому, объему информации.На фиг. 1 показана схема устройства; на фиг. 2 представлен пример реализации маг"нйтйого ключа; на фиг. 3 изображены фазовые диаграммы работы ключа в режимах деления и переноса магнитного домена,ЗУ состоит из столбцов 1 замкнутых регистров сдвига, каналов 2 ввода-вывода информации, дополнительных отрезков пути 3 продвижения ЦМД, магнитных ключей 4, 5,...
Устройство для считывания информации на цилиндрических магнитных доменах
Номер патента: 651415
Опубликовано: 05.03.1979
Авторы: Потапов, Раев, Смирнов
МПК: G11C 11/14, G11C 11/155, G11C 7/00 ...
Метки: доменах, информации, магнитных, считывания, цилиндрических
...6.Место магнитной связи 13 отстоит отдатчиков 11 и 12 на одинаковом расстоянии.ЦМД 14 и 15 находятся соответственнов основном 3 и первой ветви дополнительного каналов 4, ЦМД 16 и 17 находятся во второй ветви 6.Домены 14, 15, 16, 17 содержатся в пластине 1. Резисторы 18, 19, соединенные с датчиками 11, 12 в мостовую схему, находятся вне пластины 1.Устройство работает следующим образом, Работа устройства для считывания информации на ЦМД начинается с момента, когда от непрерывно действующего источника 9 второй ветви 6 в место магнитной связи 13 подходит ЦМД 16. В это время по основному каналу 3 и от делителя 10 по первой ветви 4 продвигается одна и та же информация, которая продвигается симметрично относительно ветви 6, выраженная...
Способ неразрушающего считавания информации в запоминающем устройстве с произвольной выборкой на цилиндрических магнитных доменах
Номер патента: 687469
Опубликовано: 25.09.1979
Авторы: Жучков, Крупский, Набокин
МПК: G11C 11/00, G11C 11/14, G11C 11/155 ...
Метки: выборкой, доменах, запоминающем, информации, магнитных, неразрушающего, произвольной, считавания, устройстве, цилиндрических
...домен превра- исходный цилиндрический. Велилючени щаетс по Изобрете числительно пользовано устройств с на цилнндри (БМД). изким техническим решению является способ не- считывания информации в который основан на фнкферромагнитными апплика ействии магнитного поля никах так, что располагается - в зоне счинению магнитос аппликацией ячейки и вык687469д- ния может быть значительно увеличен пу-. я- тем большего растягивания домена. Сдругой стороны, это дает возможностьуменыдить размер 11 МД без уменьшениясигнала считывания, т, е. повысить плотность записи информации. 3чины токов выбираются такими, чтобы о ного из них было недостаточно для раст гивания БМД.Па чертеже изображена ячейка памя ти ЗУЕВ на БМД, функционирующая в соответствии...
Запоминающее устройство с произвольным доступом на цилиндрических магнитных доменах
Номер патента: 690563
Опубликовано: 05.10.1979
Авторы: Гловацкий, Зельдин, Михайлычев
МПК: G11C 11/14
Метки: доменах, доступом, запоминающее, магнитных, произвольным, цилиндрических
...И-го адреса, ячейки 11-15 дополнительного компрессора И-го адреса, генератор 16 ЦМД. в и-м разряде (М)-го аДреса, динамическая ловушка 17 в и-м разряде (1 г -1)-го адреса, ячейка 18 компрессора в и-м раэ ряде (Н)-го адреса. генератор 19 ЦМД в (и - 1)-м разряда (Й) -го адреса, динамическая ловушка 20 в (и) - м разряде (й) - го адреса, ячейка 21 компрессора в (и)-м разряде (11-1)-го адреса, ячейки дополнительного компрессора 22-26 (14-1)-го адреса, магниторезистивные датчики ЦИД 27-30, аннигиляторы ЦМД 31-34.Работает устройство следующим образом.Когда возникает необходимость осуществления ортогональной выборки, тоесть формирование выходных слоев иэодноименных разрядов слов, ранее в накопитель занесенных, то ноэбуждается...
Способ изготовления носителей информации на полосковых магнитных доменах
Номер патента: 752472
Опубликовано: 30.07.1980
Авторы: Лубяный, Лукашенко, Палатник, Рощенко
МПК: G11C 11/14
Метки: доменах, информации, магнитных, носителей, полосковых
...полосовыми доменами. При нанесении пленки из наклонного молекулярного пучка внутри полосовых доменов при помощи неоднородных магнитных полей можно создавать области с намагниченностью, отличной от остальной части полосовогодомена, и продвигать эти областивдоль полосовых доменов. Последнеесвойство использовано в предлагаемом изобретении,Таким образом, в предложенном способе изготовления носителей информации на полосковых магнитных доменахроль низкокоэрцитивных каналов играют полосовые домены, а роль передвигающихся по ним полосковых магнитных доменов выполняют области неоднородной намагниченности, образуемые внутри полосовых доменов.На фиг. 1 представлена регулярная полосовая доменная структура, выявленная порошковым методом; нафиг. 2 -...
Способ изготовления запоминающего устройствана цилиндрических магнитных доменах
Номер патента: 824309
Опубликовано: 23.04.1981
МПК: G11C 11/14
Метки: доменах, запоминающего, магнитных, устройствана, цилиндрических
...рельефность слоеви вызванное ею снижение надежностифункционир ования 21.824309 4м устройстве, Кроме того, увеличенная вомного раз плошадь балластной чести шин эффективно выполняет роль радиаторВ, отводящего тепло от активных шин и равм 5 номерно распределяющего его по всей ле- площади устройства. Это приводит к снио- жению температуры узких участков токоем проводящих шин и уменьшает вероятностьих теплового разрушения, а также ослвб 1 О ляет локальный разогрев мвгнитоодноосес- ной пленки. Однако это достигается значительнь усложнением технологии изготовления.Бель изобретения - упрощение изготовления ЗУ на БМД.Поставленная цель достигается путе того, что в известном способе изготов ния ЗУ на БМД формирование токопров дящих шин...
Источник магнитного поля смещениядля накопителя ha цилиндрическихмагнитных доменах
Номер патента: 830558
Опубликовано: 15.05.1981
Авторы: Гогин, Кадкин, Чистополова
МПК: G11C 5/00
Метки: доменах, источник, магнитного, накопителя, поля, смещениядля, цилиндрическихмагнитных
...СССР Ж 577562, кл. (3 11 С 5/00, 1977. 2. Патент США Ж 4027298 кл. 340-174, опублик. 1977 (прототип).3 8308достижения заданной напряженности магнитного поля намагничивание и частичное размагничивание необходимо проводить несколько раз, чтобы подобрать ин-,дукцию магнитов, обеспечивакщую необходимую напряженность магнитного поля,. а так как при работе с различными образцами источников одного типа наблюдается определенный разброс геометрических и магнитных параметров, достижение заданной напряженности еще болееусложняется и требует многократногонамагничивания и многократного частич,ного размагничивания образцов.Цель изобретения - повышение точности установки напряженности магнитногополя смещения.Поставленная цель достигается тем,что...
Способ записи информации в оперативноезапоминающее устройство ha цилиндрическихмагнитных доменах
Номер патента: 830564
Опубликовано: 15.05.1981
Авторы: Жучков, Коростелев, Мочалов, Набокин, Шмелева
МПК: G11C 11/14, G11C 11/155, G11C 7/00 ...
Метки: доменах, записи, информации, оперативноезапоминающее, цилиндрическихмагнитных
...смещения до величины,соответствующей существованию вмагнитоодноосной пленке устойчивыхЦМД, и снимают планарное магнитноеполе.Магнитоодноосная пленка 1 с расположенной на ней ферромагнитной аппликацией 2 (фиг. 1 а) помещается в магнитное поле 3 смещения, направленное перпендикулярно поверхности пленки 1. Величина поля 3 смещения такова, что пленка 1 намагничена до насыщения, После этого к пленке 1 с аппликацией 2 (фиг, 1 б) прикладывают планарное магнитное поле 4 и намагничивают аппликацию 2 до насыщения, после чего уменьшают поле 3 смещения до величины поддержания стабильных ЦМД, При этом вертикальная компонента поля рассеивания аппликации 2 зарождает ЦМД 5, поскольку направление этой компо кенты противоположно полю 3 смещения. Если...
Способ изготовления запоминающихустройств ha цилиндрическихмагнитных доменах
Номер патента: 830571
Опубликовано: 15.05.1981
Авторы: Иванов, Миляев, Спиваков, Сурина, Чиркин
МПК: G11C 11/14
Метки: доменах, запоминающихустройств, цилиндрическихмагнитных
...слоем хрома),выполняет непосредственно рельеф поверхности пленки. При этом глубинаудаленного приповерхностного слояоблученных участков пленки определя20 г (калий бромистый) 5-7 мл (бром жидкий) 100 мл (вода дистиллированная) КВг Вг Н ,. и травителя для Сг-НС (солянаякислота) при комнатной температуре,сопровождающееся одновременным травлением облучением слоя пленки, приводит к возникновению рельефа ееповерхности, остающегося при полномудалении маскирующего покрытия ипозволяющего осуществить ориентациюуправляющих элементов относительнодоменопродвигающей структуры придальнейшем их формировании методамистандартной фотолитографии Формула изобретения 1, Способ изготовления запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах,...
Источник вращающегося магнитногополя для запоминающего устройствана цилиндрических магнитных доменах
Номер патента: 841043
Опубликовано: 23.06.1981
Авторы: Акинфиев, Арсланов, Ушаков
МПК: G11C 11/14
Метки: вращающегося, доменах, запоминающего, источник, магнитногополя, магнитных, устройствана, цилиндрических
...второй 7 и третий 8 ключи.Третий ключ 8 состоит из п-р-п транзистора 9, р-и-р транзистора 10, первого 1 ивторого 12 диодов. Сигналы управленияподаются на соответствующие входы 13 - . 16управления.В исходном состоянии все ключи закрыты,конденсатор 4 разряжен или заряжен дономинального значения положительного напряжения, и в соленоиде 5 отсутствует ра. бочий ток, создающий магнитное поле.Работа устройства начинается включением первого ключа 2, что приводит к дозаряду конденсатора 4 до номинальногозначения положительного напряжения, одновременно открывается ключ 8, конденсатор 4 начинает разряжаться через соленоид 5, возникает колебательный режимконтура 3 с соответствующей резонанснойчастотой. Через половину периода ток...
Способ обработки информации в цифровых устройствах на цилиндрических магнитных доменах
Номер патента: 858098
Опубликовано: 23.08.1981
МПК: G11C 11/14
Метки: доменах, информации, магнитных, устройствах, цилиндрических, цифровых
...С и 2 на рас стояние, необходимое для возникновения сил магнитного взаимодействия БМД, достаточных для осуществления требуемой логической обработки информации. В случае наличия АД только в одной из критических 15 позиций С или 2 происходит его продвижение к функциональным выходам запрета в позицииили 6 . Если в критических позициях устройства присутствуют два ЙЧД, то вследствие действия сил отталкивания 20 они появятся на функциональных выходах "Коньюнкции в позициях Е и Н.Наиболее вероятной причиной отказов устройств на ЦМД является уменьшение щаметра информационных доменов, нахо дяшихся в критических позициях при их взаимодействии, что приводит к значительному снижению сил взаимодействия. как между ЮЧД, так и между ЫМД и...
Запоминающее устройство на цилиндрических магнитных доменах
Номер патента: 877615
Опубликовано: 30.10.1981
Автор: Клейменов
МПК: G11C 11/14
Метки: доменах, запоминающее, магнитных, цилиндрических
...тока продвижения(фиг. 2) содержит ключи втекающего13 и вытекающего 14 тока, включенные последовательно. Параллельно каждому ключу включены диоды 15 и 16для рекуперации энергии. Входы формирователей 17 и 18 связаны со входами ключей 13 и 14, а выход 9 сосредней точкой 20 соединения ключей 13 и 14,Сигнал с блока 12 шин управлейияпоступает по шинам управления 21-32одновременно на входы формирователейб и 7, 4 и 5, 8 и 9. Сигналы управле"ния на вторых входах источников 3магнитного поля накопителей смещены по фазе относительно сигналовуправления на первых входах источников 2 магнитного поля накопителейна угол 90 . Для уменьшения потребляоемой мощности фазовые сигналы управления подаются со скважностью 114.Эо позволяет в одну четверть периода...
Способ изготовления интегральных схем на цилиндрических магнитных доменах
Номер патента: 902072
Опубликовано: 30.01.1982
Авторы: Иванов, Ломов, Новиков, Сбежнев, Чиркин
МПК: G11C 11/14
Метки: доменах, интегральных, магнитных, схем, цилиндрических
...отравливается также и слой резиста. Интенсивность экспонирования Э выбирается таким образом, чтобы непроэкспонированный слой 11 при проведениитравлении сошел, образуя сквозное окно 12 не раньше, чем протравится слой 6 магнитомягкого материала (фиг. 6) . Далее травление про 3 травлении пленочных слоев, все пленочные слои наносят последовательно слой за слоем, например, катодным распылением, при формировании маски резиста устанавливают толщину резиста и глубину экспонирования резиста пропорционально глубине травления пленочных слоев под маской резиста и проводят сквозное травление всех пленочных слоев, не защищенных маской резиста.На фиг. 1 - 8 показана последовательность технологических операций по изготовлению ИС на ЦМД,...