Микроскопах — Метка (original) (raw)

Патенты с меткой «микроскопах»

Оптическая система для получения промежуточного изображения при осуществлении контрастных методов в микроскопах

Номер патента: 1125592

Опубликовано: 23.11.1984

Метки: изображения, контрастных, методов, микроскопах, оптическая, осуществлении, промежуточного

...том случае, если они 15 у призмы Волластона, расположенной на стороне изображения, получаются в качестве линейно-поляризованного света.Из теоретической оптики известно, что при полном внутреннем отражении на стеклянной поверхности между составляющими лучей, колеблющимися па" раллельно и перпендикулярно плоскости падения, встречается зависимая 25 от угла падения 1 и показателя преломления стекла 1 разность фаз о . Су5592 4этой части обыкновенный луч остается обыкновенным и необыкновенный луч остается необыкновенным.Так как падающие на плоскости призм отображающие лучи имеют немного различное наклонение и поэтому достигают отражающих поверхностей под различными углами падения Ч разность фаз не одинаковая для всех лучей и для внеосевых...

Способ подготовки образцов высокопористых материалов на основе кварцевого волокна для проведения количественных исследований в оптическом иили растровом электронном микроскопах

Номер патента: 1635228

Опубликовано: 15.03.1991

Авторы: Голубев, Карлова, Локшин, Миклин, Шул

МПК: G01N 1/28, H01J 37/28

Метки: «и—или», волокна, высокопористых, исследований, кварцевого, количественных, микроскопах, образцов, оптическом, основе, подготовки, проведения, растровом, электронном

...материала на основе супертонкого кварцевого волокна, пропитанного тем же связующим Роливсан МВи протравленного в плавиковой кислоте в течение 5 мин (Ь/б 10),Вытравливание кварцевых волокон на поверхности шлифа увеличивает контраст получаемых изображений по меньшей мере вдвое за счет искусственного создания контраста по микрогеометрии, причем все структурные характеристики образца сохраняются неизменными (фиг, 1).Напыление тонкого слоя металла на поверхность шлифа не только предотвращает зарядку диэлектрического образца зондом РЭМ, но в случае напыления тяжелых металлов (Ац или Аи) способствует дальнейшему увеличению контраста.Высокое качество получаемых таким образом изображений поверхности позволяет применять такой,...