Микротрон — Метка (original) (raw)
Патенты с меткой «микротрон»
Электронный ускоритель типа микротрон
Номер патента: 244519
Опубликовано: 01.01.1969
Авторы: Комар, Фоминенко, Чижов
Метки: микротрон, типа, ускоритель, электронный
...фиг. 3 - приведен график, схематически иллюстрирующий закон изменения магнитного поля вдоль орбиты, где Н/Н, - отношение напряженности поля на орбите к напряженности ведущего однородного поля; точки А - середины 10 магнитного,шунта.В зазор поворотного магнита с напряженностью поля Н=10 кэ (с=3,0 см) помещаются магнитные шунты, выполненные в виде железных параллелепипедов длиной 1= 13 см, ши риной 1=2 см, высотой 6=1,3 см, со скошенными краями и сквозным прямоугольным отверстием размером 0,8(0,8 см-, Шунты располагаются так, чтобы касательная к равновесной орбите в точке А (см. фиг. 3) 20 была перпендикулярна оси линейного ускорителя, в результате чего образуется замкнутость равновесных орбит. Краевое поле поворотного двухсекторного...
Микротрон с внешней инжекцией
Номер патента: 764157
Опубликовано: 15.09.1980
Автор: Есина
МПК: H05H 7/04
Метки: внешней, инжекцией, микротрон
...отверстия резонатора в медианной плоскостимикротрона под углом Ч к оси резонатора, удовлетворяющим соотношен ию,г Д,ВИду+%сову- ЯЧЬ-Рве)- : Йгде (. - толщина резонатора;А - перпендикулярный к оси размер полости резонатора в медианной плоскости;Э - толщина магнитного канала;Й - радиус первой орбиты,Расположение магнитного каналапод углом Ч к оси резонатора позволяет электронам обойти стенку магнитного канала, так как при этомсоздается смещение между координатами входа частиц на первую Х 4 ивторую Х орбиты ьХ =Х-Х 2, Величина смещения должна быть больше, чемтолщина магнитного канала В, но недолжна превышать половины перпендикулярного к оси размера полости резонатора. Условие (1) можно запи 2сать в виде р Й ф поля враметрарЯ На чертеже...
Микротрон
Номер патента: 898628
Опубликовано: 15.01.1982
МПК: H05H 7/08
Метки: микротрон
...что обусловлено сложностьюперестройки при наличии антимагнитного канала.Целью изобретения является расширение диапазона режимов работымикротрона. Поставленная цель достигается тем, что в микротроне, содержащем магнит и резонатор с общей медианной плоскостью и отверстием для инжекции в резонаторе, а также расположенный вне резонатора инжекторгруппирователь, ось инжектора-группирователя ориентирована перпендикулярно медианной плоскости микротрона, а микротрон снабжен парой отклоняющих электродов, расположенных в месте пересечения указанных оси и плоскости напротив отверстия для инжекции в резонаторе, при этом средняя плоскостьотклоняющих электродов совмещена со взаимно перпендикулярными осями инжектора-группирователя и отверстием для...
Микротрон
Номер патента: 999179
Опубликовано: 23.02.1983
Авторы: Алексеев, Вишневский, Голубев, Степанчук
МПК: H05H 7/08
Метки: микротрон
...3, например, клистронноИнжектор-гр ппирователь 3 формируетпромодулироваиный по плотности электронный поток 6, который под действием скрещенных электрических полей системы 4 отклоняющих электродов и веющего магнитного поля микротрона В дрейфует вдоль направления оси У резонатора 1 и бомбардирует пленку 5 вещества с коэффициентом вторичной эмиссии Ф о р м у л а и з о б р е т е н и я на прострел у 1, В результате происходит умножение электронного потока вЦ раз, т,е, во столько же раз увеличивается амплитуда тока инжектируемыхэлектронов.Поскольку процесс вторично-электрон- ЗОной эмиссии можно считать безынерционным по сравнению с периодом СВЧполя микротрона, зависимость тока инжектируемых электронов от времени приэтом будет повторять...
Микротрон
Номер патента: 1102480
Опубликовано: 30.06.1985
Автор: Гал
МПК: H05H 13/00
Метки: микротрон
...обреза-,ются пролетным отверстием 2 и влетают в ускоряющий зазор с меньшимиуглами, Если они находились в области фазовой устойчивости, то онибудут ускоряться и не потеряютсяна последующих орбитах за счет больших вертикальных колебаний. Такимобразом, создаются благоприятныеусловия для захвата в режим ускоре-ния тех электронов, которые лежатна границе вертикальной устойчивости (в прототипе они терялись) . Предлагаемое устройство может быть использовано при конструировании микротронов с любым типом инжекции.П р и м е р. Расчет предлагаемого устройства проводился для микротрона с внешней инжекцией, имеющего максимальный коэффициент захватадэ 6 Х. Этот микротрон выбран за базовый объект при сравнении техникоэкономических показателей....
Микротрон
Номер патента: 1022645
Опубликовано: 30.06.1985
Авторы: Гал, Шивыргалов
МПК: H05H 13/00
Метки: микротрон
...захвата,а только компенсируетискажение ор"бит, вносимых неоднородностями магнитного поля поворотного магнита.Это и обуславливает основной недостаток известного устройства, заключающийся в недостаточной величине ускоренного тока.Целью изобретения является увеличение ускоренного тока путем повышения коэффициента захвата,Цель достигается тем, что в микро- троне, содержащем расположенный в вакуумной камере ускоряющий резонатор с входным и выходным отверстиями, поворотный магнит,и две пары магнитных катушек, оси которых перпендикулярны медианной плоскости поворотных магнитов, а зазор каждой пары катушек расположен в области первой орбиты микротрона, первая пара катушек расположена у выходного пролетного отверстия, и ее зазор перекрывает...
Микротрон
Номер патента: 1163795
Опубликовано: 30.07.1987
Авторы: Воробьев, Гриднев, Суров
МПК: H05H 7/00
Метки: микротрон
...исполнения источника может управлять устройством перемещения вдоль катода луча света либо устройством перемещения самого источ" ника света). Ускоренные электроны выводятся посредством магнитного шунта 5, который неподвижно закреплен относительно стенки вакуумной камеры 6, Обратная связь между выведенным током и интенсивностью света, испускаемого источника 3, осуществляется посредством монитора 7 и устройст-: вом 8 согласования. Катод 1 представляет собой регулярную структуру нитевидных кристаллов, выполненную в виде ленты.1Под регулярной структурой нитевидных кристаллов понимается совокупность монокристаллов, отделенных друг от друга промежутками 20-40 мкм, диаметром у основания 1 мкм и высотой до 10 мкм. Такая структура...
Способ инжекции пучка заряженных частиц в разрезной микротрон
Номер патента: 1292555
Опубликовано: 30.10.1987
Автор: Туманьян
МПК: H05H 7/08
Метки: заряженных, инжекции, микротрон, пучка, разрезной, частиц
...сохранится. В этом приближении получаем траекторию у (ау./ ) (1) ( )Ч-(у, - (Я у. (")РЖ ) где Ч - полная скорость, у - у компонента начальной скорости, апредполагается не зависящим от у,= х/у. Угол поворота для частицы, влетающей в поле под углом 1/2 -дк экрану и вылетающей, описав петлю в рассеянном поле, если гд- . Посколь ку полный угол поворота вводимых час тиц обычно удобно брать Т/2, то угол д. между экраном и магнитом должен быть равен Х 1/4. Расстояние между точками влета и вылета на экране есть интеграл от (3)уу, , - -- -уу, 4)у,-(Я у /(Ф) Р Жгде- самая удаленная от экрана точка траектории и определяемая из уравнения 30Интеграл (4 ) не имеет строгого решения и поэтому его можно посчитатьтолько численно, то также его...