Полупроводниковый — Метка (original) (raw)
Патенты с меткой «полупроводниковый»
Магнитоэлектрический полупроводниковый выпрямитель
Номер патента: 73215
Опубликовано: 01.01.1948
Автор: Дружкин
МПК: H01L 29/82
Метки: выпрямитель, магнитоэлектрический, полупроводниковый
...м 3 Гиита) д, Г 10 дает напряжение и 3 жма)1 / 1 ерсз О 1 льтр, СОстОЯП,пи мапита из конденсатора 6 и дросселя д, К Зажим 1)1 7 подклни;1 стс 5 П 1 Грузк;1.Полмп )Оводниковьи ВВН 1 ря,итсл . - "Псдставл 51 ет СО)ОП .стаслиЕСКУЮ ПЛЕКУ ИЕРЗВИО 5 ЕРПОГО ПОИЕРСЧИОГО СС 1 ЕИИ 51, ИЗНСССНИУК) И 1 диэ;1 е 1(трик по ъетоду катохиОГО распыления. 1 уоСтрукии 1 с 0 показана иа фиг, 2 и 3.:Здесь 9 - -контактные шины, 10 - зажимы с провода си, ( - " рзбо 1 ЗЯ зсть 11 ОгупрОВОдиик 1 (пленки)1 -- диэлектрик, слу)кащий подложкой дл 51 пленки,Пере.Сины 1 ток, про(од 51 по Г 1 Г с и кс, П 2 (Од 51 цсис 51 В ма Гнити Омполе, в разные полупериоды оттесняется к более толстому или более топко. кр 2 10 плс 11, 1 (Ледовзтельио, и электрическое...
Полупроводниковый поджигатель для игнитронов
Номер патента: 87406
Опубликовано: 01.01.1950
Авторы: Блох, Корнак, Шерешевский
МПК: H01J 13/34
Метки: игнитронов, поджигатель, полупроводниковый
...о т л и ч а ющ и й с я тем, что, с целью уменьшения электрического сопротивления и повышения механической прочности поджигателя, в пего соосио запрессован металлический стержень., нижний конец которого находится вблизи уровня ртути. Основнымп недостатками известных конструкций полупроводниковых поджигателей для игиитропов, пмеюгцих обойму, в которую крепится полупроводник, являются высокое электрическое сопротивление в теле поджигателя и его малая механическая прочность.В предлагаемом поджигателе этот недостаток устранен тем. что в его тело запрессовывается металлический стержень.Нижний конец металлического стержня расположен под уровнем ртути, благодаря чему уменьшается сопротивление полупроводника между металлическим стержнем и...
Управляемый полупроводниковый выпрямитель
Номер патента: 106062
Опубликовано: 01.01.1957
Автор: Пумпер
МПК: H01L 29/74
Метки: выпрямитель, полупроводниковый, управляемый
...- полупроводниковый диод; Тр - силовой трансформатор.Такой прибор выпрямляет переменный ток и управляет как постоянным, так и выпрямленным то106062ком при постоянном и переменномнапряжениях.При триоде типа Р-П-Р диодследует включать в противоположномнаправлении, Общая точка системыв этом случае находится под отрицательным потенциалом,В предложенном выпрямителедиод можно заменить добавочнымпереходом П-Р, расположив его так,чтобы полупроводник имел структуру П-Р-П-Р или Р-П-Р-П (фиг. 2),В этом случае генератор импульсов, управляющий эмиссией триода,а следовательно, и мощностью, выделяющейся на полезной нагрузке,может быть заменен источникомпостоянного напряженияПри использовании структурыР-П-Р-П направление полюсов источника постоянного...
Однотактный полупроводниковый преобразователь постоянного тока
Номер патента: 119243
Опубликовано: 01.01.1959
МПК: H02M 3/338
Метки: однотактный, полупроводниковый, постоянного
...генератора на полупроводниковом триоде 1 с трансформаторной обратной связью и полупроводникового выпрямителя 2, питающего через фильтр 8 нагрузку 4.Трансформатор 5 выполнен с воздушным зазором и имеет входную обмотку б, выходную 7 и обмотку положительной обратной связи 8,Параллельно входу выпрямителя включен конденсатор 9, заряжающийся при открытом состоянии триода и разряжающийся на сопротивление нагрузки при закрытом состоянии этого триода. Время разряда указанного конденсатора зависит от сопротивления нагрузки, вследствие чего осуществляется автоматическая стабилизация напряжения на выходе преобразователя путем изменения соотношения времени открытого и за. крытого состояний триода при изменениях его нагрузки.При запертом состоянии...
Плоскостной полупроводниковый диод с тонкой базой
Номер патента: 119271
Опубликовано: 01.01.1959
Автор: Носов
МПК: H01L 29/861
Метки: базой, диод, плоскостной, полупроводниковый, тонкой
...с уменьшением У.Однако такому диоду свойственны два существенных недостатка. Уменьшение % приводит к росту обратного тока и не всегда удается получить омический контакт с Яр -х, в результате чего уменьшение толщины базы не будет приводить к падению Рр и 1,.Для устранения указанных недостатков прй сохранении остальных параметров, свойственных диодам с тонкой базой, предлагается заменить омический невыпрямляющий контакт 3 дополнительным р - и переходом. При этом новая конструкция диода с тонкой базой в разрезе будет выглядеть так, как показано на фиг. 3. Здесь омический контакт 3 заменен дополнительным р - и переходом б, расположенным от основного р - п перехода на расстоянии Р, меньшем, чем диффузионная длина 1,Б базового...
Полупроводниковый датчик концентрации (давления) паров
Номер патента: 122240
Опубликовано: 01.01.1959
Авторы: Тульчинский, Юрасов
МПК: H01L 23/14
Метки: давления, датчик, концентрации, паров, полупроводниковый
...хлорного олова, который содержит 8 вес. ч. спирта, 10 вес. ч. хлорного олова и 2,5 вес, ч. восстановителя (формалина). Возникающая при гидролизе двуокись олова частично восстанавливается до моноокиси, которая при температуре выше 400, диссоциируется на двуокись и металл. При быстром темпе охлаждения на поверхности фарфоровой пластинки создается пористая полупроводниковая пленка, состоящая в основном из двуокиси олова, в структуре которой присутствуют проводящие примеси.Надежный контакт между пленкой и электродами осуществляется путем создания на пленке тонкого металлического слоя серебра методом вжигания. При этом используется паста следующего состава;8 вес. ч. Ад 2 СОз+ 1 вес. ч. канифоли+4 вес. ч. скипидара.Приготовленный таким...
Полупроводниковый логический блок
Номер патента: 123593
Опубликовано: 01.01.1959
Автор: Шигин
МПК: G06F 7/00
Метки: блок, логический, полупроводниковый
...трансформаторов переменные напряжения сложной формы. При неравенстве нулю напряжений Убувеличение импульсов на выходе усили. телей-селекторов вызывает подавление импульсов, антифазных импульсам на выходе трансформаторов Трг, ТрТр 4 и Трв, что в свою очередь вызывает появление импульсов сложной формы с отрицательным хвостом.Со вторичных обмОтОк п 17, п 1 в, пгв, пг 1, пгз, пгб Выходных трансформаторов Трг, Тръ Тр 4, Трв, клеммы которых находятся на коммутационном поле Пг, импульсы напряжений подаются на клеммы сравнивающих элементов, находящихся на коммутационном поле Пз. Сравнивающче элементы составлены из триодов Тп, Ти, Тя и диодов Дбб, Дбб Дб 7. Наличие коммутационного поля Пз позволяет соединять сравнивающие элементы в нужном...
Полупроводниковый прибор
Номер патента: 124034
Опубликовано: 01.01.1959
МПК: H01L 23/18
Метки: полупроводниковый, прибор
...аю щ и й с я т электрического пробоя при помещен в вакуум-плотный д определенным давлением. азового разряда между элек. о напряжения данного прибоены дополнительные электро- между которыми размещена например прибора о жени ю, он газом по жигания г пробивног ть размещ сновными,Известные полупроводниковые приборы, например триоды, могут использоваться только тогда, когда обратное напряжение не превышает определенной для данного типа приборов величины. В случае ее превышения прибор выходит из строя.В описываемом изобретении полупроводниковый прибор предохранен от электрического пробоя при перегрузке по обратному напряжению. Для этого он помещается в вакуум-плотный корпус, заполненный инертным газом под давлением. Род газа, его давление, а...
Полупроводниковый термометр сопротивления
Номер патента: 124489
Опубликовано: 01.01.1959
Автор: Таиров
МПК: G01K 7/16
Метки: полупроводниковый, сопротивления, термометр
...соп 1)отиВ;сня, соде,)жнцие цилинд)исски 1 датчик и ПРИСОЕДИНЕИНЫС К НЕМУ ТОКОНЕСУЦ:С ВЫВОДЫ.Предлагаемый тормсметр более совсршс:сн по с;)азсиню с известными приборами, так как он позволяет измерять температуры свыше 2000, Это достигается тем, что В качс;тзс датчика;риме:ен цилиндр из двуокиси циркония с иридисвыми токонесущими выводами, которые служат арматурой датчика.На черте)ке изоб)ажсиа п 1)цн 1 цп;ал:ия схема предг 1 агас)10 ГО тс 1)- мометра, Он содержит датч;к 1, пред;тавляюшии;обои цилиндр из двуокиси циркония. 1 даттп 1(у 1 пррсосд;исны иридисвыс токэнсс щис ВЫВОДЫ 2, КОТОРЫС ОдиоврСМСННО СЛ)Кат арзат рОИ даттиКа 1. ТаИМ образом, при использовании этой конструкцш отпадет нсобходимость создаВать специальиуо армату;)у...
Полупроводниковый преобразователь постоянного тока в многофазный ток
Номер патента: 134321
Опубликовано: 01.01.1960
Авторы: Казанов, Константинов, Кочанов, Фокин, Шустер
МПК: H02M 7/537
Метки: многофазный, полупроводниковый, постоянного, ток
...начала оомоток пли концы, в предположении, что все начала или все концы первичных обмоток трансформаторов присоединены к выходным зажимам). На базы транзисторов Т, - Тнапряжение синхронизации подастся через диоды Д-, - Д, секции обмоток положительной обратной связи и согласно включенные с ними соответствующие обмотки междукаскадной связи трансформатора Тр,. При этом на базы транзисторов Т, - 76 (каскады 1, 2, 3) подается напряжение задающего генератора одной по лярности, а на базы транзисторов Т 7 - Т(каскады 4, 5, 6) - напряжение задающего генератора противоположной полярности. Поступающий на вход преобразователя импульс от задающего генератора производит переключение в одном из каскадов. При этом запирается тот открытый...
Полупроводниковый выпрямитель, выполненный по дифференциальной схеме
Номер патента: 125304
Опубликовано: 01.01.1960
Авторы: Гейман, Клейменов, Неплохов
Метки: выполненный, выпрямитель, дифференциальной, полупроводниковый, схеме
...энергии в обеих секциях вторичной обмотки трансформатора, з момент закрытия вентиля имеют на нагрузках Л нт и Рю встречное направление, При абсолютно симметричных параметрах обеих секций вторичной обмотки трансформатора эти токи полностью взаимно компенсируются и паразитные пульсации при этом автоматически подавляются.Предлагаемый выпрямитель предназначен преимущественно для работы на цепи, содержащие электронную лампу и активное сопротивление, в частности, в схеме управления электровакуумным прибором с наружным анодом и модулирующим устройством, включенным между корпусом и полюсом выпрямителя. В этом случае Рнс на чертеже представляет собой модулирующсе устройство. а Яда - электровакуумный прибор.125304 Двухполупериодные...
Полупроводниковый терморегулятор с кремниевым стабилитроном в качестве датчика температуры
Номер патента: 127485
Опубликовано: 01.01.1960
Автор: Додик
МПК: G05B 5/01, G05D 23/24
Метки: датчика, качестве, кремниевым, полупроводниковый, стабилитроном, температуры, терморегулятор
...триода из двух или нескольких триодов 3. В коллекторную цепь выходного каскада включено сопротивление подогревателя 4. Питание датчика температуры стабилизируется специальной схемой, собранной на сопротивлениях 5 и б, кремниевом стабилитроне 7 и германиевых или кремниевых плоскостных диодах 8, включенных в прямом направлении. Сопротивление 5 выполнено переменным и служит для установки заданной температуры,В камере термостата находится только стабилитрон 1 и подогреватель 4, величина тока в котором устанавливается сопротивлением 5. По мере нагрева камеры термостата напряжение на входе усилителя будет уменьшаться, что вызовет соответствующее уменьшение тока, проходящего через подогреватель. В результате этого процесса в камере термоде...
Полупроводниковый генератор напряжения прямоугольной формы
Номер патента: 128499
Опубликовано: 01.01.1960
МПК: H03K 4/00
Метки: генератор, полупроводниковый, прямоугольной, формы
...и в то же время значительно уменьшают к.п,д. генератора.Предлагаемый генератор не имеет указанных недостатков и позволяет устранить всплески напряжения, создаваемые собственными колебаниями в трансформаторе.Это достигается тем, что два ограничивающих диода включены навстречу один другому параллельно первичной обмотке трансформатора, а средняя точка соединения диодов через параллельную цепочку соединена с источником питания.На чертеже схематически изображен предлагаемый полупроводниковый генератор прямоугольной формы, состоящий из двух диодов Д, и Д, сопротивления Р и емкости С. Емкость С через диоды Д, и Д 2 заряжается поочередно до напряжения Уо = 2 Е В момент появления всплеска диод Д, или Д 2 открывается и емкость С шунтирует...
Полупроводниковый преобразователь постоянного тока в трехфазный ток
Номер патента: 133946
Опубликовано: 01.01.1960
Авторы: Константинов, Шустер
МПК: H02M 7/537
Метки: полупроводниковый, постоянного, ток, трехфазный
...посредством обмоток связи Г, и Ув соединены в пересчетное кольцо.Таким образом, преобразователь представляет собой трехкаскадную регенеративную систему, содержащую три взаимосвязанных генератора.Необходимое переключение шести транзисторов осуществляется в последовательности Т, - Т, - Тз - Т, - Т 5 - Т 4 - Т При этом создается симметричная система трех напряжений, поскольку базы трех транзисторов с объединенными эмиттерами соединены через секции обмоток обратной связи и диоды с началами обмоток связи между каскадами, а базы трех транзисторов с объединенными коллекторами соединены через аналогичные элементы с концами обмоток связи. На базы трех транзисторов с объединенными эмиттерами поступает синхронизирующее напряжение от...
Полупроводниковый преобразователь постоянного напряжения
Номер патента: 138661
Опубликовано: 01.01.1961
Автор: Марголин
МПК: H02M 7/48
Метки: полупроводниковый, постоянного
...3 включены транзисторы 4 и 5, а в плры 8 и 9. На транзисторах 4 и 5 выделяетсяшающее напряжения питания, а их рабочий тоОписываемый преобразователь позволяетприменяемых транзисторов и облегчить их подработу при высоком внутреннем "опротивлени ователи постоянтранзисторами, О го напряднако схе ения схемыпараллельно и повыше- источнику вателя. оянного паралле ечи б инапря к значи уменьш бор, ат и исто напряжения выльно источнику7 - конденсатожение, не превытельно увеличен. ить количество акже обеспечить чника питания. Предме зобретения ый преобр овой схеме упрощения схе ллельно источ азователь п с транзистор мы и повыше ику питания стоян ного напряжения, ми, отличающийся ия ее надежности, в два включены...
Полупроводниковый двухэлектродный туннельный прибор
Номер патента: 139015
Опубликовано: 01.01.1961
МПК: H01L 29/88
Метки: двухэлектродный, полупроводниковый, прибор, туннельный
...своей вольтамперной характеристики.На фиг. 1 изображена характеристика описываемого прибора; нафиг 2 в его структурная схема,Кривая характеристики описываемого прибора (фиг. 1сплошной линией и для сравнения там же пунктиром изобрвая язве:тных туннельных диодов.Прибор обладает участком с высоким дифференциальным сопротивлением. Этот участок, образующийся при небольших (порядка долей иединиц вольт) положительных смещениях, обусловлен вторым обычным1 т. е, не обладающим туннельным эффектом) р - и переходом, работающим в области обратной ветви при указанных смещениях на всем приборе. После наступления лавинного или зиннеровского пробоя обычногоР - и перехода начинает работать туннельный р - и переход, обусловливая появление на вольтамперной...
Четырехканальный полупроводниковый коммутатор
Номер патента: 140899
Опубликовано: 01.01.1961
Авторы: Видманов, Михелькевич
МПК: H03K 17/30
Метки: коммутатор, полупроводниковый, четырехканальный
...коммутатора упрощает схему и повышает надежность его работы.На чертеже представлена принципиальная электрическая схема предлагаемого четырехканального полупроводникового коммутатора.Симметричный двухполупериодный генератор 1 прямоугольных импульсов с положительной обратной трансформаторной связью. частота которого может выбираться как выше, так и ниже частоты исследуемых напряжений, управляет с помошью соответствующих коммутирующих напряжений четырьмя, подсоединенными к соответствующим входам, ключами ПП 1-ПП 2, ППЗ-ПП 4, ПП 5-ППб и ПП 7-ПП 8. Коммутирующие напряжения на ключи ПП 1-ПП 2 и ППЗ-ПП 4 и, соответственно, на ключи ПП 5-ППб и ПП 7-ПП 8 подаются в противофазе.140899От генератора питается также фазосдвигающее устройство...
Полупроводниковый преобразователь постоянного напряжения
Номер патента: 143114
Опубликовано: 01.01.1961
Автор: Силаев
МПК: H02M 3/337
Метки: полупроводниковый, постоянного
...от появления, при переключениях линии, пульсаций, а для защиты транзисторов от пробоя при случайной смене полярности на входе преобразователя включен диод 20,Пред м ет изобретения1 Полупроводниковый преобразователь постоянного напряжения, выполненный по двухтактной схеме с источником питания, имеющим среднюю точку, созданную емкостным делителем напряжения, отл ич а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения предельно допустимого значения напряжения питания, в каждом плече схемы последовательно включены несколько ячеек, присоединенных к отдельным ступеням Р-С делителя в цепи питания и содержащих транзистор, коллекторную и базовую обмотку общего для всего преобразователя трансформатора.2. Преобразователь по п. 1, о т л и ч а ю щ и й с я...
Полупроводниковый широтно-импульсный модулятор
Номер патента: 143868
Опубликовано: 01.01.1962
Автор: Максимов
МПК: G05B 11/28, H03K 5/156
Метки: модулятор, полупроводниковый, широтно-импульсный
...на вход триода Т, с делителя Л. Л, ( о, напр 51 жснис 1 кет достичь СВОСГО к,"эитическОГО значсния Ь 1,р, п 1 эезы 1 П 21 ошсга ПЯНРЯжение обРатной свлзи на эмиттеРном сопРОТВлени 11 ь и схема триггера перейдет во второе устойчивое состояние, при котором триод Тз будет открыт, а триод Т 4 будет закрыт. Схема может перейти В псэвас состояние только прн понижении отрицательного напряжения на входе триода Т, до величины, меньшей Ь. Отрицательное гяп 1 э 5 женис, снмае.Ое с д(литсля Лв, Л 9, Яо и подяВяеъОс пя Вход триода ТЯ, изменяется при изменении напряжения в сети или при перемещении ползунка сопротивления Р 9.Таким образом, при управляющем напряжении, подаваемом с измерительного устройства на вход триода Т 5, но не превыша 1...
Полупроводниковый магнитно-транзисторный реверсивный импульсный усилитель
Номер патента: 145255
Опубликовано: 01.01.1962
Автор: Киселев
МПК: H03F 9/02
Метки: импульсный, магнитно-транзисторный, полупроводниковый, реверсивный, усилитель
...обмоткой 7 трансформатора. Триоды 1 и 2 совместно с обмотками 8 и 9 трансформатора тока образуют схему автогенератора. Триоды 3 и 4 служат для переменного подключения плюса источника питания к нагрузке усилителя. Подключение осуществляется через сопротивления 10 и 11 обратной связи,При включении напряжения питания схема начинает генерировать прямоугольные импульсы. Если, например, первым откроется триод 1 и автоматически триод 3, то ток по сопротивлению б нагрузки течет справа налево. При насыщении трансформатора э.д.с, на обмотках 8 и 9 обратной связи сначала станет равной нулю, а затем поменяет полярность. Триоды 1 и 3 закроются, а триоды 2 и 4 откроются, Ток в нагрузке изменит свое направление. Продолжительность импульса...
Статический полупроводниковый преобразователь
Номер патента: 145276
Опубликовано: 01.01.1962
Автор: Уан-Зо
МПК: H02M 7/48
Метки: полупроводниковый, статический
...коллекторных обмоток Ки й 7,з приложено напряжение источника питания (к обмотке В - через транзис 1 ор Тв и к обмотке Юк - через транзисторы Т, и Т;, диод Оз и дроссель т).Ло 145276На вторичных обмотках Г и Кд трансформаторов Три Трнаводятся э. д. с., направленные согласно по отношению к нагрузке.После того, как транзистор Т, закроется, транзистор Т, открывается и напряжение оказывается приложенным к левым половинам обмоток Р,и ЮПри этом на выходе статического преобразователя получается напряжение прямоугольной формы, величина которого равна сумме напряжений на вторичных обмотках трансформаторов Три Тр.При индуктивной нагрузке в течение части периода реактивная мощность отдается в сеть (т. е. ток протекает к плюсу источника).Для того,...
Полупроводниковый преобразователь
Номер патента: 146388
Опубликовано: 01.01.1962
Автор: Захаров
МПК: H02M 7/48, H03B 5/12, H03F 3/20 ...
Метки: полупроводниковый
...колебаний служит цепочка, составленная из полупроводникового диода Р, конденсатора С и сопротивления Р,. Нагрузкой генератора являются входные цепи полупроводниковых триодов Тз и Т 4 усилителя мощности. В цепи баз триодов Т, и Т 4 включены сопротивления Р 2 и Лз, зашунтированные конденсаторами большой емкости Сз и С 4, вследствие чего создается отсечка тока базы триодов Тз и Т Подбором соответствующих величин сопротивления и емкости конденсаторов можно получить такую постоянную времени этой цепочки, при которой, длительность импульса базового, а следовательно, и кол146388лекторного тока триодов Тз и Т 4 будет составлять около четверти периода колебаний задающего генератора Т т. е. будет выполнено условие равенства 11=1, где 1 -...
Полупроводниковый бесконтактный емкостной датчик
Номер патента: 147230
Опубликовано: 01.01.1962
МПК: G01D 5/241
Метки: бесконтактный, датчик, емкостной, полупроводниковый
...Составитель описания Г. А, Емельянов Редактор Н. Л. Корченко Техред А. А. Кудрявнцкая Корректор В. АндрианоПоди. к печ, 17 ХгЗак. 5051ЦБТИ Комитета по Формат бум 70;С 08/,Тираж 800делам изобретений и открытий при Москва, Центр М. Черкасский пер.,Объем 0,18 пзд, лЦена 4 копСовете Министров СССРд. 2/6. Типография ЦБТИ, Москва, Петровка, 4. 1, Полупроводниковый бесконтактный емкостной датчик, содержащий нелинейный РС-генератор, переменную емкость, усилитель, в коллекторной цепи которого включено исполнительное реле, отл и ч ающ и й с я тем, что, с целью повышения чувствительности устройства и уменьшения габаритов переменной емкости, последняя включается между выходом генератора и входом усилителя, причем роторная пластина,...
Канальный полупроводниковый тетрод
Номер патента: 147687
Опубликовано: 01.01.1962
Автор: Зубрицкий
МПК: H01L 29/78
Метки: канальный, полупроводниковый, тетрод
...достигнуто тем, что в нем применен дополнительный электрод-ловушка неоснованных носителей тока.На чертеже изображена конструкция предлагаемого тетрода,Тетрод снабжен кольцеобразным наружным затвором 1, выполненным в виде р - п перехода и снабженным выводом 2, истоком 3 с выводом 4 и стоком (коллектором) б электронов с выводом б. Канал 7 тетрода выполнен в виде трубки из полупроводника типа и. Внутри трубчатого канала расположен стержневой дополнительный электрод - ловушка 8, выполненный из полупроводника типа р, снабженный выводами 9,который при подаче на него смещения управляет шириной канала 7.Вследствие того, что электрод-ловушка имеет большую площадь р - иперехода и расположен в области канала и стока (коллектора), он является...
Статический полупроводниковый преобразователь
Номер патента: 148131
Опубликовано: 01.01.1962
Автор: Уан-Зо
МПК: H02M 7/48
Метки: полупроводниковый, статический
...трансформатор Трс обмотками У,1 и Г и включенный навстречу трансформатор Трс обмотками й 2 и Г.з бустер-преобразователя. Встречное включение обеспечивается тем, что первичная обмотка Т, трансформатора Трпри помощи диодов В, и Вз подключена через фильтр -С к источнику питания таким образом, что энергия может идти только в источник питанияПереключающиеся транзисторы Т, и Т, коммутируются через трансформатор Трзадающим мультивибратором на транзисторах Т. и Т148131Напряжение регулируется при помощи проходного транзистора Т;, включенного параллельно источнику, При закрытом транзисторе Т 5 эд,с, источника через фильтр Е-С и трансформатор Троказывается включенной навстречу э.д.с основного выходного трансформатора Три, следовательно, на...
Полупроводниковый регулятор скорости вращения двигателей постоянного тока параллельного и независимого возбуждения
Номер патента: 149142
Опубликовано: 01.01.1962
Автор: Веденеев
МПК: H02P 5/16
Метки: возбуждения, вращения, двигателей, независимого, параллельного, полупроводниковый, постоянного, регулятор, скорости
...конденсатору С, Напряжение на конденсаторе С 1 подается в качестве источника питания на двухтактцый преобразователь, на вь 1 ходе которого 1 обмотка П) получается прях 1 оугольное напряжение Г 1 с амплитудой, пропорциональной 11 апрЯжен 51 ю на конденсатопс С и, следовательно, величине Е противо-э д.с. С конденсатора С, получается продиффсрспп- рованное напряике 1:ис г.1,; величина спада вершины импульсов зависиг От параметров 11 епп ,4 С. После ВыпрЯмлениЯ Выпр 51 мителем тл папрЯ- жения Е/, получается 1 гсстоянное напряжение Ьа с пилообразной переменной составляющей, Полученное напряжение подается на вход транзистора Тя, На каскаде транзистора Та строится измерительный орган напряжения с одновременным преобразованием в...
Ферромагнитный полупроводниковый материал
Номер патента: 149159
Опубликовано: 01.01.1962
Авторы: Бей, Веселов, Любимов, Пучик, Фордеева
МПК: B22F 3/00
Метки: материал, полупроводниковый, ферромагнитный
...отжиге полученные брикеты помещают в муфельные печи, в которых выдерживают при температуре 1000 и после этого охлаждают вместе с печью.При последующей о щи пресса или стальной ступы.Раздробленную массу пропускают дважды через центробежн мельницу и просеивают через сито.ЛЪ 149159 При прессовании деталей эластичную форму помещают в металлическую обойму, имеющую конфигурацию заданной детали. Эластичная оболочка должна соответствовать размерам металлической обоймы, ко. торая изготовляется с учетом потерь ферромагнитного материала при механической обработке и усадки при спекании.Материал засыпается в приготовленную форму небольшими порциями и уплотняется при помощи пестика.Заполненную форму герметизируют и помещают в камеру установки для...
Полупроводниковый бесконтактный коммутатор
Номер патента: 150146
Опубликовано: 01.01.1962
Автор: Коссов
МПК: H03K 17/08
Метки: бесконтактный, коммутатор, полупроводниковый
...питания нагрузки.На фиг. 1 показана электрическая схема полупроводникового коммутатора, выполненного согласно изобретению; на фиг 2 в вариа схемы с питанием диодов от отдельного источника.В схеме на фиг. 1 нагрузка Увключена в диагональ моста, выполненного на двух транзисторах Т, и Т, и двух диодах Д, и Д,. Импульсный сигнал, снимаемый с вторичной обмотки трансформатора Тр,включает транзисторы Т Т, (путь тока в нагрузке показан сплошнойлинией), после чего транзисторы запираются и напряжение на Уреверсируется, так как ток, быстро уменьшаясь, протекает через диодыД Д 2 навстречу напряжению:источника питания (/л. за счет э.д.с. самоиндукции (на схеме показано пунктиром),В варианте, показанном на фиг. 2, с целью дальнейшего ускоре...
Полупроводниковый силовой выключатель
Номер патента: 150159
Опубликовано: 01.01.1962
Авторы: Вильчинский, Матус
МПК: H03K 17/60
Метки: выключатель, полупроводниковый, силовой
...транзисторов Т 4, Т,.При этом база силового транзистора Т оказывается автоматически присоединенной через диод Д или Д 2 к электроду, который в данной фазе рабочего тока является коллектором (у симметричного транзистора крайние электроды в равной мере оба могут служить как эмиттером, так и коллектором).Транзистор Т в обоих направлениях полностью открыт (находится в режиме насыщения), так как при подключении базы транзистора к коллектору через достаточно малое сопротивление он полностью открывается.Падение напряжения на открытом транзисторе Т не может быть меньше падения напряжения на участке база - коллектор, то есть в данном случае меньше падения напряжения на диодах Д Д и на управляющем транзисторе Т 3Поэтому для уменьшения...
Высоковольтный полупроводниковый стабилизатор напряжения
Номер патента: 150884
Опубликовано: 01.01.1962
Автор: Дусавицкий
МПК: G05F 1/569
Метки: высоковольтный, полупроводниковый, стабилизатор
...напряжениекоторой не превышает предельно-допустимого напряжения транзистора.Сущность изобретения поясняется чертежом, на котором показанапринципиальная электрическая схема предпагаемого стабилизатора.На входе стабилизатора включены две секции нестабилизированного источника питания, напряжение которых соответственно равноЦ и Уг,При различных режимах работы стабилизатора напряжение на проходном транзисторе 1 никогда не будет превышать величины напряжения У, секции источника питания.Это объясняется тем, что транзистор 1, диод 2 и секция источникапитания с напряжением О, образуют замкнутый контур, внутри которого э.д.с. не превышает Ь,.Диод 2 при нормальной работе стабилизатора всегда заперт, таккак потенциал эмиттера транзистора 1...