Диоды — H01L 29/861 — МПК (original) (raw)
Плоскостной полупроводниковый диод с тонкой базой
Номер патента: 119271
Опубликовано: 01.01.1959
Автор: Носов
МПК: H01L 29/861
Метки: базой, диод, плоскостной, полупроводниковый, тонкой
...с уменьшением У.Однако такому диоду свойственны два существенных недостатка. Уменьшение % приводит к росту обратного тока и не всегда удается получить омический контакт с Яр -х, в результате чего уменьшение толщины базы не будет приводить к падению Рр и 1,.Для устранения указанных недостатков прй сохранении остальных параметров, свойственных диодам с тонкой базой, предлагается заменить омический невыпрямляющий контакт 3 дополнительным р - и переходом. При этом новая конструкция диода с тонкой базой в разрезе будет выглядеть так, как показано на фиг. 3. Здесь омический контакт 3 заменен дополнительным р - и переходом б, расположенным от основного р - п перехода на расстоянии Р, меньшем, чем диффузионная длина 1,Б базового...
Гетерогенный пленочный р—л-переход
Номер патента: 166965
Опубликовано: 01.01.1964
Автор: Предпри
МПК: H01L 29/861
Метки: гетерогенный, пленочный, р—л-переход
...веществах путем последовательного термического испарения в вакууме,5Предложенный гетерогенный пленочный р - и-переход выполнен на основе сочетания пленок селенида кадмия - электронного полупроводника и теллура - дырочного полупроводника. 10Предлагаемый пленочный гетерогенный р - и-переход непосредственно или в сочетании с другими элементами пленочной электроники может образовывать пленочную схему.Получают гетерогенный пленочный р - и-пе реход в высоковакуумной установке (вакуум10-6 тор) путем последовательного нанесения на изоляционную подложку через специальные маски без нарушения вакуума слоев нижнего металла, электронного полупровод ника - селепида кадмия, дырочпого полупроводниметаллаКоэффперехода верхнего агаемого теллура и,...
Силовой диод
Номер патента: 705567
Опубликовано: 25.12.1979
Авторы: Абрамович, Либер, Сакович
МПК: H01L 29/861
...прибора, являются предпочтительныМи следующие геометрические размеры 35слоев и областей, выраженные в диффузорной длине неосновных носителей вматериале структуры ( Э = 1): слой3 р-типа на сохраненных участках областей 8 (2-го вида) - 2-4; слой 3р-типа в углублениях областей 7 (1-говида) - 0,1+0,8, слой 2 и - типа -2-4.Размеры областей 7 (1-го аида) и 8(2-го вида) - в поперечном сечении 2+8. Диэлектрическое покрытие 12 областей 8 перекрывает в поперечном сечении на 5-20% длины области 7.На фиг. 2 иллюстрируются процессыв структуре прибора при протекании зарядного тока. Внешнее напряжение прило 50жено к прибору с полярностью - "плюс"на электроде 5, "минус" на электроде 6.Переход 4 смещен в прямом направлении. Зарядный ток поступает от...
Резонансно-туннельный пролетный диод
Номер патента: 1558263
Опубликовано: 25.07.1995
Авторы: Голант, Снегирев, Тагер
МПК: H01L 29/861
Метки: диод, пролетный, резонансно-туннельный
РЕЗОНАНСНО-ТУННЕЛЬНЫЙ ПРОЛЕТНЫЙ ДИОД, содержащий между эмиттером и пролетным участком многослойную квантовую гетероструктуру, выполненную из полупроводниковых материалов с различными значениями ширины запрещенной зоны, так что слой более узкозонного полупроводника образует квантовую яму для носителей заряда, которая ограничена с обеих сторон потенциальными барьерами, образованными слоями более широкозонных материаллов, отличающийся тем, что, с целью повышения КПД и максимальной рабочей частоты диода, один из упомянутых потенциальных барьеров, ограничивающий потенциальную яму со стороны пролетного участка, выполнен по крайней мере из двух слоев полупроводниковых материалов, различающихся значениями скачка потенциала для основных носителей...
Силовой быстровосстанавливающийся диод
Номер патента: 1261528
Опубликовано: 20.06.2000
Авторы: Асина, Кузнецов, Сурма
МПК: H01L 29/861
Метки: быстровосстанавливающийся, диод, силовой
1. Силовой быстровосстанавливающийся диод, выполненный на основе полупроводниковой p-n-структуры, содержащей рекомбинационные центры, отличающийся тем, что, с целью снижения коммутационных перегрузок по напряжению, p-n-структура содержит два типа областей с различным содержанием рекомбинационных центров, соотношения площадей и концентраций в которых определены следующими соотношениями:где S1, S2 - суммарные площади областей каждого типа; - концентрация рекомбинационных центров в областях с различным содержанием...