Пролетный — Метка (original) (raw)

Патенты с меткой «пролетный»

Пролетный клистрон

Загрузка...

Номер патента: 116439

Опубликовано: 01.01.1958

Автор: Зусмановский

МПК: H01J 23/20

Метки: клистрон, пролетный

...с отверстие диаметру пролетной трубы в, Через это отвер поток. Шайба б располагается по эквипотенц кочастотного поля и присоединяется к корпус На фиг. 2 кривая 1 показывает распреде вора при отсутствии шайбы, а кривая 2 -вдоль зазора при наличии шайбы с отверстие На фиг. 2 обозначено: Ув - потенциал 1 вх тенцпал выходной трубы в фазе наибольшегоотноному ча, с ение одного резонатора клистрора к диаметру пролетных явлением сильного простно расширить полосу часо действия на прежнем ещена металлическая шайо оси прибора и соединенной или нескольких точках резонато клистрона, а на ерпендикулярноим по диаметру кдит электронныи оверхности высо скости, м, близки стие прох иальной п у клистро ление пот распредел на. нцыала ение п оль за нциала...

Пролетный свч-прибор

Загрузка...

Номер патента: 195556

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Зусмановский, Радионовский, Рубашкина

МПК: H01J 23/16, H01J 25/00

Метки: пролетный, свч-прибор

...для основного вида колебаний, приводит к неустойчивой работе на основном виде колебаний и, в частности, к их срыву.На чертеже показан один из элементов предложенного прибора (тороидальный резонатор с пролетными трубами). Пролетные трубы 1 впаяны в цилиндрическую оболочку 2 и вместе с ней образуют резонатор 3, На одном из концов пролетных труб сделаны разрезы 4. Паразитные колеба нич образуются у концов пролетных труб 1.Добротность системы, колеблющейся на паразитном виде колебаний этого типа, согласно измерениям, равна нескольким тысячам. Для борьбы с паразитным видом колебаний этого О типа внутреннюю поверхность цилиндра иконцов пролетных труб покрывают поглощающим высокочастотные колебания покрытием.Это покрытие может быть...

Пролетный многорезонаторный клистрон

Загрузка...

Номер патента: 275239

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Павлов, Пасманник

МПК: H01J 25/10

Метки: клистрон, многорезонаторный, пролетный

...входящих в состав выходно 20 го многорезоцаторцого резонатора, дополнительных подгруцпцровывающцх резонаторов 7,8 и коллектора 9.Электронный луч, формируемый пушкой 1,проходит через резонаторы 2, 3, где формиру 25 ются сгустки. Эти сгустки попадают в первыцзазор выходного резонатора 4, отдавая частьэнергии выходной системе. Пройдя резонатор4, сгустки несколько разгруппцровываются, ноимеют достаточное содержание тока первой30 гармоники. В резонаторе 7 эти токи наводят275239 Предмет изобретения Составитель Л. ф, фролова Редактор Т. 3. Орловская Текред А. А. Камышникова Корректор О. Б, Тюринаказ 2888/10 Тираж 480НИИПИ Комитета по делам изобретений и открытийМосква, Ж, Раушская наб.,Подписи Министров СССпри С ипография, пр, Сапунова...

Пролетный клистрон

Загрузка...

Номер патента: 286791

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Габыиа, Заруднев

МПК: H01J 23/20

Метки: клистрон, пролетный

...расстройки резонаторов.Уменьшение тепловых расстроек достигает ся за счет либо уменьшения токооседацця, например, за счет уменьшения диаметра луча путем увеличения магнитного поля в областц зазоров с большими амплитудами в.ч. напряжений, увеличения диаметра пролетной трубы 20 за в. ч. зазором, либо улучшения теплоотвода за счет повышения эффективности системы охлаждения резонатора и выбора оптимальной формы резонаторов.25 от формы выступающего кон убы п конструкции сцстемь286791 а-Ь Типография, и р. Сапунова, 2 охлаждения форма паза может оыть различной (см. фиг. 2).Ширина паза зависит от размеров пролетной трубы и должна быть минимально возможной с точки зрения удобства изготовления,Паз, выполняющий роль теплоизолятора,...

Пролетный клистрон

Загрузка...

Номер патента: 482828

Опубликовано: 30.08.1975

Авторы: Кармазин, Хаби

МПК: H01J 1/88

Метки: клистрон, пролетный

...в свою очередь приведет к уменьшению веса и потребляемой энергии фокусирующей системы, коаксиальная лилия связи расположена внутри объема промежуточных и выходного резонаторов и выведена на верхнюю крышку выходного резонатора. На чертеже показан пр 1 Йстрон.Клистрон состоит из резонаторного узла 1,коллектора 2, катодной ножки 3, ввода 4 и 5 вывода 5 энергии. Петля ввода энергии 6 находится на верхней торцовой крышке 7 входного резонатора 8. К петле подсоединена коаксиальная линия 9, которая проходит через объемы резонаторов 10 и 11, соответственно 1 О промежуточных и выходного. В местах пересечения линии с крышками резонаторов обеспечивается надежный контакт внешнего проводника линии с крышками.Благодаря тому, что линия ввода энергии...

Пролетный канал сильноточного импульсного ускорителя электронов

Загрузка...

Номер патента: 735144

Опубликовано: 30.03.1984

Авторы: Громов, Сливков, Соковнин

МПК: H05H 7/00

Метки: импульсного, канал, пролетный, сильноточного, ускорителя, электронов

...А.Тяско Заказ 2406/3 Тираж 783 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул, Проектная, 4 МгдеФ - магнитный поток, вызванный третьим видом движения электронов, чеРез контур, охватывающий все 16поперечное сечение пучка в районеступеньки.Соотношение (3) справедливо,если поток ф измеряется на достаточном удаленйи от границ ступень" 15ки, т.е, в ее середине, При выбранной длине ступенъки влиянием краевых эффектов на границе ступенькиможно пренебречь,Из соотношений (1) и (3) следует, 20что по измеренным в сечении ступеньки и вне ее суммарным магнитным потокам Ф и ф вызванным совокупнос-(тью второго и третьего вида движения...

Мощный пролетный многорезонаторный клистрон с повышенным кпд

Загрузка...

Номер патента: 1075860

Опубликовано: 15.10.1993

Авторы: Иванов, Кацман, Лебединский, Мовнин, Павлов

МПК: H01J 25/10

Метки: клистрон, кпд, многорезонаторный, мощный, повышенным, пролетный

...электронного потока СВЧ-напряжения синусоидальной формы.К наиболее близкому техническому решению относится мощный пролетный многорезонаторный клистрон с повышеннымКПД, содержащий резонаторы, настроенные на кратные частоты,Недостатком конструкции является то,. что энергия СВЧ колебаний вводится в резонатор с помощью внешнего источника,что является экономически невыгодным исложным конструктивно.Целью изобретения является упрощение конструкции клистрона в эксйлуатации. 25Укаэанная цель достигается тем, что вмощном пролетном многореэонаторномклистронв с повышенным КПД, использующим резонаторы, настроенные на. кратныечастоты, установлен изолированный от 30внешних источников колебаний дополнительный промежуточный резонатор,...

Пролетный клистрон

Загрузка...

Номер патента: 2002332

Опубликовано: 30.10.1993

Авторы: Кукляев, Федотов

МПК: H01J 25/00

Метки: клистрон, пролетный

...фиг.1 схематически показан клистронный усилитель с устройствами регулирования связи на входе и выходе; на фиг,2 -устройство связи с диафрагмой и подвижными пластинами; на фиг.З - устройстворегулирования связи, содержащее две подвижные пластины, приводимые в движение от индивидуальных механизмов, нафиг,4 - устройство регулирования связи содой подвижной пластной,Клистронный усилитель состоит из катодной ножки 1, коллектора 2, фокусирующей системы 3, резонаторного блока 4 свходным 5 и выходным б резонаторами, соединенными с волноводами 7 через стенки,состоящие из трех слоев; неподвижных 8 и9 являющихся стенками волноводов 7 и 10 -пластин, перекрывающих диафрагмы 11 онеподвижных стенках 8 и 9. Диафрагмы 11могут иметь...

Резонансно-туннельный пролетный диод

Номер патента: 1558263

Опубликовано: 25.07.1995

Авторы: Голант, Снегирев, Тагер

МПК: H01L 29/861

Метки: диод, пролетный, резонансно-туннельный

РЕЗОНАНСНО-ТУННЕЛЬНЫЙ ПРОЛЕТНЫЙ ДИОД, содержащий между эмиттером и пролетным участком многослойную квантовую гетероструктуру, выполненную из полупроводниковых материалов с различными значениями ширины запрещенной зоны, так что слой более узкозонного полупроводника образует квантовую яму для носителей заряда, которая ограничена с обеих сторон потенциальными барьерами, образованными слоями более широкозонных материаллов, отличающийся тем, что, с целью повышения КПД и максимальной рабочей частоты диода, один из упомянутых потенциальных барьеров, ограничивающий потенциальную яму со стороны пролетного участка, выполнен по крайней мере из двух слоев полупроводниковых материалов, различающихся значениями скачка потенциала для основных носителей...