Транзистора — Метка (original) (raw)
Патенты с меткой «транзистора»
Контакт для осуществления электрического соединения между выводами транзистора и измерительной схемой
Номер патента: 143171
Опубликовано: 01.01.1961
МПК: H01R 33/20
Метки: выводами, измерительной, контакт, между, соединения, схемой, транзистора, электрического
...выводами транзистора и электрической схемой, выполненные ввиде металлической втулки, имеющей диаметр больший, чем вставленный в него вывод и обжимающий последний за счет пружинящихсвойств.В отличие от известного предложен контакт, в котором, с цельюповышения надежности соединения, втулка выполнена изогнутой,На фиг. 1 изображена заготовка контакта (втулка); на фиг. 2 -предлагаемый контакт (изогнутая втулка),Контакт для осуществления электрического соединения между выводами 1 транзистора и измерительной схемой состоит . из металлической трубки 2 (втулки), имеющей отверстие диаметром 0,8 - 1,0 мм,что несколько превышает диаметр вывода транзистора, равный0,4 - 0,6 мл.Втулка изогнута так, как показано на фиг, 2. При вставке...
Стабилизатор тока коллектора и напряжения на коллекторно эмиттерном переходе транзистора
Номер патента: 170087
Опубликовано: 01.01.1965
МПК: G05F 1/00
Метки: коллектора, коллекторно, переходе, стабилизатор, транзистора, эмиттерном
...дает возможность повысить точность стабилизации положения рабочей точки транзистора и тем самым повысить точность измерения его параметров.1-1 а чертеже изображена блок-схема предложенного прибора. сигнал аналоговым п.-разрядцым преобразователем 5. Аналоговый сигнал усиливается усилителем б и подается гца базу испытуемого транзистора 7, включенного по схеме с 5 общей базой. Коллектор транзистора черезрелейцые элементы 8 и 9 подключен к исто;- ццку 10 стабилизированного напряжения, Если в цепи коллектора транзистора протекает ток меньше заданного, то релейный элемент о 10 открывает вентиль г и импульсы с генераторапоступают ца вход сложения реверсивного счетчика, что приводит к увеличению тока базы и возрастанию тока коллектора, Прц...
Стройство защиты от перегрузок проходного транзистора стабилизатора
Номер патента: 194917
Опубликовано: 01.01.1967
Авторы: Газовой, Нефт, Окт, Проектно, Щербина
МПК: G05F 1/571
Метки: защиты, перегрузок, проходного, стабилизатора, стройство, транзистора
...Т. С, пр му пер стаон- огично Пр тения ет и Устройство заго транзистораусилитель постотранзисторе, изистор, эмиттерторого включенходного транзис целью упрощебазовая цепь укра подключенапостоянного ток днощее и на ранпрочто, ости, исто- теля ависимое от авт, свидетельстваИзвестны устроиства защиты от перегрузок проходного транзистора стабилизатора, содержащие усилитель постоянного тока и маломощный защитный транзистор, эмиттерно-коллекторный переход которого включен между 5 эмиттером и базой проходного транзистора.Предложенное устройство отличается тем, что базовая цепь защитного транзистора подключена к базе транзистора усилителя постоянного тока, Это позволяет упростить конст рукцню устройства и повысить его надежность.На чертеже...
Устройство для моделирования полевого транзистора
Номер патента: 241119
Опубликовано: 01.01.1969
Авторы: Абб, Максимов, Шевалдин, Электроники
МПК: G06G 7/62
Метки: моделирования, полевого, транзистора
...полевого транзистора,В области высоких частот 10 о гц) насвойства и характеристики полевого транзистора большое влияние оказывает емкость20 между затвором и полупроводниковым каналом через которую осуществляется эффект поля - управление продольной проводимостью полупроводникового канала с помощью поперечного электрического поля.25 В области низких частот (10-ф+ 10 о гтрк) насвойства полевых транзисторов с изолированным затвором существенное влияние могутоказывать ловушки носителей заряда, появление которых обусловлено наличием поверх 30 ностных состояний дефектов в пленках и т. д.241119 Предмет изобретения Составитель И. А. Шелипова Техред Л. К. Малова Корректор В. Л. Шошеискаи Редактор Л. А. Утехина Заказ 1874,9 Тираж 480...
Устройство для защиты мощного транзистора
Номер патента: 279783
Опубликовано: 01.01.1970
МПК: H02H 7/10
Метки: защиты, мощного, транзистора
...Выходы блоков 8и 4 через суммирующий блок 5, состоящий из 20суммирующих сопротивлений 6 и 7 и сопротивления 8, присоединены входным к дискриаинатору 9 уровня. Сопротивление 8 является входным для дискриминатора уровня. Выход последнего подклочен,на,вход исполнительного органа 10, с силовым входом кото.рого соединен выпрямитель 11, Выход исполнительного органа подсоединен ко входной.цепи защищаемого транзистора,Сигналы, пропорциональные току и напря женгпо, преобразуются олоками формирования таким образом, чтобы,их величины были равны при максимальном значении тока и напряжения транзистора 1. Когда суммарное напряжение сигналов на блоке 5 превышает порог срабатывания дискриминатора 9 уровня, выходным сигналом его отпирается...
Способ измерения тока закрытого коллекторного перехода транзистора
Номер патента: 283417
Опубликовано: 01.01.1970
МПК: G01R 31/26
Метки: закрытого, коллекторного, перехода, транзистора
...в) до нескольких единиц или десятков вольт (напряжение, близкое к пробою перехода) остается практически ценз. оны х.Для определения обратного тока коллекторцого перехода, зашунтировацного резистором, достаточно провести два замера суммарного тока при двух известных значения.; напряжения, например при 1/1 и УСпособ отличается тем, что подключают общий зажим измерительной батареи и регистрирующего прибора к корпусной шине или проводам питания схемы для устранения токов, протекающих через резисторы, шунтирующие участок коллектор - эмиттер проверяемого транзистора. Затем производят два отсчета показаний регистрирующего прибора при двух фиксированных значениях запирающсго напряжения, после чего расчетным или графическим путем определяют...
Устройство для измерения статического коэффициента передачи тока транзистора
Номер патента: 320789
Опубликовано: 01.01.1971
МПК: G01R 31/26
Метки: коэффициента, передачи, статического, транзистора
...2 и 9 закрыты напряжением с правых выходов триггеров 1 и 4 соответственно.Выходы формирователя 7 пускового импульса соединены с левым входом триггера 4, с входом счетчика 8 и с входом генератора 11 линейно изменяющегося базового тока. Выход генератора 11 соединен с базой испытуемогоказ827 Изд,1567 Тираж 473ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при СовМосква, Ж.35, Раушскаи набд. 4/5 ПодписноеМинистров СССР24 Главполиграфпрома, Москва, Г, ул, Маркса - Энгельса, 14 Твпографи 3полупроводникового пр 1 ибора, в коллекторной цепи которого включено пороговое устройство 8, имеющее порог срабатывания, равный току коллектора, при котором измеряется Встдля данного типа прибора,Выходы порогового устройства 8 и сумматора 5 соединены с...
Способ изготовления высокочастотного кремниевого планарного транзистора
Номер патента: 316135
Опубликовано: 01.01.1971
Авторы: Викин, Королев, Кравцова, Малькова
МПК: H01L 21/31
Метки: высокочастотного, кремниевого, планарного, транзистора
...производят в атмосфере сначала влажного, а затем сухого кислорода, причем время пропускапия влажного кислорода по предлагаемому способу увеличено. Пропускание сухого кислорода в конце процесса диффузии способствует уплотнению слоя стекла и уменьшению количества растворенной в нем воды, Таким образом, фосфорносиликатное стекло в предлагаемом способе не только не удаляют с поверхности окисла, но принимают ъ 1 еры для увеличе 1 гня толщины и повышения плотности его слоя, После образования слоя фосфорносиликатного стекла на поверхности окисла кремниевую пластину дважды помещают в кипящую азотную кислоту и держат ее там до полного ооесцвечивания кислоты. Затем пластину погружаот на 2 - 5 1 ин в кипящую серную кислоту. В известном спосоое...
Устройство измерения статического коэффициента передачи тока транзистора
Номер патента: 356600
Опубликовано: 01.01.1972
Авторы: Боренко, Новиков, Сокол, Сушенц
МПК: G01R 31/26
Метки: коэффициента, передачи, статического, транзистора
...а к входу нуль.;органа, соединенного с синхронизатором, подключено суммарное сопротивление в цепи базы испытуемого транзистора. На чертеже приведена олок-схема предлагаемого устройства,Оно состоит из генератора 1 прямоугольных импульсов тока, задающего ток эмиттера испытуемого транзистора, управляющего синхронизатором 2 нуль-органа 3, к входу которого подключено суммарное сопротивление 4 в цепи базы и сопротивления 5 в цепи коллектора, счетчика б импульсов, управляющего ключами 7 ь 727 и источника коллекторного напряжения 8, Клеммы 9 - 11 служат для подключения соответственно эмиттера, коллектора и базы испытуемого транзистораа.Устройство работает следующим образом.Генератор 1 генерирует импульсы, которые поступают в эмиттер...
Стабилизатор тока коллектора и напряжения на коллекторно эмиттерном переходе транзистора
Номер патента: 356632
Опубликовано: 01.01.1972
Автор: Иванов
МПК: G05F 1/56
Метки: коллектора, коллекторно, переходе, стабилизатор, транзистора, эмиттерном
...опорного напряжения на стабилитронах б и б, сравнивающего транзистора 7, регулирующего тран зистора 8 и источника постоянного тока 9.Транзисторы 1, 2 и 8, балластный резистор4 и стабилитрон б образуют стабилизатор тока с элементом сравнения обратного включения (транзистор 8). Транзистор 1 в стабилизато ре тока выполняет функции регулирующегоэлемента. Ток коллектора транзистора 1 протекает через балластный резистор 4, вызывая на нем падение напряжения. Напряжение стабилитрона б сравнивается транзистором д 25 с падением напряжения на балластном резисторе 4 и через усилитель мощности на транзисторе 2 управляет величиной коллекторного тока транзистора 1, Увеличение тока коллектора транзистора 1 вызывает увеличение паде ния напряжения...
Источник тока смещения для транзистора
Номер патента: 484511
Опубликовано: 15.09.1975
Автор: Аллен
МПК: G05F 3/08
Метки: источник, смещения, транзистора
...транзи 2 протекал так, достаточный дляления полного прямого падения нана их соответствующих переходахэмиттер.Схема вырабатьение на резисторе ще484511 Предмет изобретения Составитель Л. СтрелкинТсхред Л. Казачкова Рсдактор Л, Тюрина Корректор О. Тюрина Заказ 98/11 Изд.1801 Тираж 869 Подписное ШИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений. и открытий Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Типография, пр. Сапунова, 2 3ияется падсцпо напряжеци 5 ТрянзРсторя 1. Из-за последовательного соединеня резисторов 7 и 8 и в результате того, что сопротивление резистора 8 выбрано таким, что большая часть тока, протекающего через резистор 7, идет через резистор 8, напряжение на эмиттерпом электроде транзистора 2 равно его напряжению...
Устройство для моделирования транзистора
Номер патента: 485470
Опубликовано: 25.09.1975
Авторы: Куделько, Погорелов, Разуваев
МПК: G06G 7/48
Метки: моделирования, транзистора
...потенциометром 10 наклон участка насыщения определяется величинами сопротивления рези-"сторов 11 и 12. Коэффициент усилениятранзистора по току в модели можно варьировать, изменяя передаточный коэффициент усилителя 3.Если модель транзистора работает в 4качестве составной части более сложной. - модели, то может оказаться, что в определенные интервалы времени .напряжения О Ц источников 1 и 2, пропорциональныеи О , соответственно, будут отрицательными.Диоды 8 и 9 служат длялФ" "фтого, чтобы ограничить выходное напряже-, ние каждого из усилителей 3 и 4 при отрицательной полярности напряжений 0 и ( . Так обеспечивается соответствие между раельным транзистором и его моделью. В реальном транзисторе при 1 С0 и ОО ток коллектораравен нулю...
Устройство для контроля граничной частоты передачи тока транзистора
Номер патента: 490049
Опубликовано: 30.10.1975
МПК: G01R 31/26
Метки: граничной, передачи, транзистора, частоты
...шунта и к второмувыходу через резистор шунта подключенаклемма эмиттера (Э) и через избирательныеусилители нижней и граничной частот - регистрирующее устройство.Схема устройства приведена на чертеже.Устройство работает следующим образом,Прц включении испытуемого транзистора всхему на его базу одновременно поступают сигналы с генераторов нижней 1 и грайичной 2 частот. Источники коллекторного ц опорно го напряжений, а также усилитель постоянцого тока 3 обеспсчцвают установление заданного режима испытуемого транзистора по постоянному току. Усиленный испытуемым транзистором суммарный переменный сигнал О выделяется на шунте 4 и поступает на входыизбирательных усилителей 5 и 6, с выходов которых усиленные сигналы нижней и граничной частот...
Устройство для измерения постоянной времени коллекторной цепи транзистора
Номер патента: 502344
Опубликовано: 05.02.1976
Автор: Григорьев
МПК: G01R 31/26
Метки: времени, коллекторной, постоянной, транзистора, цепи
...- коллектор испытуемого транзистора. В соответствии с этим на вход усилительного тракта попеременно подаются напряжения высокой частоты, эмиттсра (1, ц коллектора (,. Каждое цз этих напряжений попеременно проходит через усилитель высокой частоты 5, в детекторе из высокочастотного сигнала выделяется постоянная составляющая, которая проходит через усилитель постоянного тока. Постоянные напряжения С, и У,. подаются на отсчетный прибор 8, который регистрирует их отношение, представляющее сооой коэффициент обратной передачи напряжения от коллектора и эмиттеру испытуемого тоанзистора в режиме холостого хода эмиттсрцой цепи. Как известно, это отношение пропорционально постоянной времени коллекторцой цепи транзистора, т. е.Режим холостого хода...
Устройство для измерения статического коэффициента передачи тока транзистора
Номер патента: 504990
Опубликовано: 28.02.1976
МПК: G01R 31/26
Метки: коэффициента, передачи, статического, транзистора
...е. непосредственно пропорциональное величине Ье, что исключает ошибку в измерении за счет погрешности задания коллекторного (эмиттерного) тока, кроме того, дает возможность проводить измерения в любой точке заданного плавного диапазона тока коллектора (эмиттера) без смены базовых резисторов, а включение токовых ключей параллельно зарядным конденсаторам исключает ошибку в измерении за счет их внутренних сопротивлений при малых напряжениях и расширяет коэффициент перекрытия диапазона изменения тока коллектора (эмиттера),В описываемом устройстве выражение для напряжения на входе регистрирующего прибора будет иметь вид:Кс( приб --Ь 2 УеКг 1 е Кг при включении дополнительного усилителя вцепь коллектора испытуемого транзистора иК 1 Е К...
Стабилизатор тока коллектора и напряжения коллектор-эмиттер транзистора
Номер патента: 524145
Опубликовано: 05.08.1976
Автор: Виснап
МПК: G01R 31/26
Метки: коллектор-эмиттер, коллектора, стабилизатор, транзистора
...для стаб1 зации параметров транзисторов, содеимпульсный стабилизатор тока эмиттера,стаби.изатор напряжения коллектора, состоящий из омического делителя и источникаопорного напряжения, который через усипигепь постоянного гока соединен с регулирующим элементом источника коппекгорного напряжения, перехпючагепь пределовизмерения, базовые резисторы, усилитель,переходе транзистора 121, содерстабилизированный источник питания, 2 токозадающий резистор, вкпюченнь источником, питания и клеммой дп оплекгора транзистора, прич Известные стабилизаторы не обеспечивают гысокой степени стабилизации нацряжения коппекторно-эмиттерного переходаизмеряемого, транзистора, а значит, и токаколлектора.Белью изобретения явпяется повытоъности...
Устройство защиты силового транзистора
Номер патента: 546870
Опубликовано: 15.02.1977
Авторы: Грабовщинер, Недошивин
МПК: G05F 1/58
Метки: защиты, силового, транзистора
...8, превышает по абсолютной величине сумму СИГНаЛОВ У+Си, ПРИЛОЖЕННУЮ К ИНВЕРТПРУ- ющему входу. В этом случае усилитель находится в состоянии отсечки и его выход не оказывает шунтирующего действия прохождению на базу силового транзистора 1 сигнала с клеммы 14 основной схемы управления, Если же коллекторный ток или напряжение, либо то и другое одновременно возрастают на столько, что пороговое напряжение еп оказывается меньше суммы У,+(7 и, то вознпкшсе разностное напряжение=Еп (С 1+Ьи)выводит усилитель 8 из состояния отсечки, и будучи усиленным, воздействует на базу транзистора 1 так, чтобы уменьшить протекающий через него ток до значения, при котором вновь устанавливается балансЕп= У.+ сиТаким образом, устройство защиты осуществляет...
Устройство для защиты регулирующего транзистора стабилизатора от перегрузок и коротких замыканий в цепи его нагрузки
Номер патента: 556424
Опубликовано: 30.04.1977
Авторы: Гапоненко, Пчеленко, Соколенко
МПК: G05F 1/58
Метки: замыканий, защиты, коротких, нагрузки, перегрузок, регулирующего, стабилизатора, транзистора, цепи
...цепи его нагрузки, содержащие соединенный выходом с управляющим входом регулирующего транзистора пороговый эле мент с термодатчиком, один из элементов которого имеет тепловую связь с греющим элементом, являющимся датчиком изменения сопротивления цепи нагрузки 11.Цель изобретения - повысить надежность 15 известных устройств.Это достигается за счет того, что в качестве греющего элемента использован резистор, включенный параллельно коллектор-эмиттерному переходу регулирующего транзистора. 20На чертеже приведена принципиальная электрическая схема предлагаемого устройства защиты.Устройство содержит термодатчик 1, выполненный на транзисторе 2, диоде 3, рези сторах 4 и 5. Транзистор 2 одновременно является пороговым элементом. Развязывающий...
Устройство для моделирования транзистора
Номер патента: 574729
Опубликовано: 30.09.1977
МПК: G06G 7/48
Метки: моделирования, транзистора
...а катодом - к суммирующеусилителя. Сумматор 4 выполнен ца25 ционном усилителе и имеет двд входатель 5 напряжения п разделительныйвыполненный, например, на полупроввом диоде, образуют трехполюсныйэлемент, который включен во додц30 сумматора 4.)Ра)к 8 Типографи пуиова,Устройство работает следу)ощим образом, При подаче па вход сумматора 4 от источника 2 папрякения О положительной полярности, пропорционального коллекторному току 1) транзистора, на выходе сумматора 4 вырабатывается напряжение У пропорциональ- ПОЕ НЯПРЯЖЕППО Ь,)п МЕЖДУ ЭМИТТЕРОМ И КОЛ- лектором, по с обратным знаком. Значение напря)кения С/в зависит от величины управляющего напряжения Е/1, пропорционального току базы 1 п транзистора, которое подается па вход...
Устройство для моделирования транзистора
Номер патента: 583456
Опубликовано: 05.12.1977
Автор: Чахмахсазян
МПК: G06G 7/48
Метки: моделирования, транзистора
...носителей в области базы,примыкающей соответственно к амиттерному или коллекторному переходу, рекомбинацию носителей в самом переходе, обратныйток через данный переход, рекомбинацию25носителей, генерируемых под действием излучений в р -и-переходе и соседнем с нимучастках базы эмиттера или коллектора.Генераторы тока 13 в амиттерно-базовой и квази-нейтральной моделях, а такжегенератор тока 12 в коллекторно-базовоймодели отражают рекомбин цню неосновныхносителей в соответствующих участках базыКонденсатор 10 в амиттерно-базовой модели 1 и 11 в коллекторно-базовой модели35отражают накопление заряда в участках базы, граничащих с у - т 1-переходом, барьерную емкость эмиттерного или коллекторногоперехода. Кроме етого, конденсатор 11...
Схема смещения перехода база-эмиттер транзистора
Номер патента: 586858
Опубликовано: 30.12.1977
Автор: Адель
МПК: H03F 3/34
Метки: база-эмиттер, перехода, смещения, схема, транзистора
...полюсу источника 4 тока, аффективная плошадь каждого полупроводникового перехода Я -ряда в И раз больше, чем аффективная площадь каждого полупроводникового перехода М-ряда где Л - положительное число;в20Схемв смещения перехода база - эмиттер транзистора работает следующйм образом.Падение напряжения У на транзисторе 1, включенном как диод,будет равно разности потенциалов между его базой и эмиттером .При достаточно слабых токах, когда омическое сопротивление контактов и сопротивление массы амиттерв значитель но меньшесолротивления пограничного слоя 0 действие транзистора в диодном включении аналогично действию обычного р - 11 пере. хода. Падение напряжения Ч связано с плотностью тока в нем соотйошениемКТ 1 е ЗЗЧве ц8где 3 -...
Способ обнаружения пробоя подзатворного диэлектрика транзистора в мдп интегральных схемах
Номер патента: 601639
Опубликовано: 05.04.1978
Авторы: Казанцев, Фролов, Ширшов
МПК: G01R 31/27, G01R 31/28
Метки: диэлектрика, интегральных, мдп, обнаружения, подзатворного, пробоя, схемах, транзистора
...гальзанпческой связи между исследуемыми электрола:ш затвора; стока (истока) не является препятствием для ;рцмененпя данного способа, так как Определяется це абсолютная величина тока че)ез индикатор, а только его изменение. Отсутствие контактирования с затвором исключает поВреждение подзатворного диэлектрика прц контактировании и ооеопечивает неразрушаощий контроль.На чертеже показаны элементы интеральной схемы с подключенными источчиками питания и индикатором тока, поясняощие использование способа обнаружения пробоя подзатворного диэлектрика транзистора в МДП ИС согласно данному изобретению.МР)кду Выводасми легрова нцсй Ооластп стока (истока) 1 и тОдлоикп 2 исслелуемого МДП транзистора включен,пе;)вь:й цсточцитс питания 3, Затвор 4...
Способ измерения емкости коллекторного перехода транзистора
Номер патента: 611163
Опубликовано: 15.06.1978
Авторы: Григорьев, Рамзайцев, Шварцбург
МПК: G01R 31/26
Метки: емкости, коллекторного, перехода, транзистора
...1, 2,высокочастотных сигналов, формирующих сигналыс частотой Ф, и 11 соответственно, измеритель.ные каналы 3, 4 и 5, электронную вычислительную машину (ЭВМ) 6 и индикатор 7,Измеритель работает следующим образом.С выходов генер 1 и 2 высокочастот.ные сигналы поступаю клемму К в коллектор испытуемого транзистора. С базы и эмитера испытуемого транзистора (с клемм Б исоответственно) сигналы поступают через буфер.611163 составляюответстобратной та обра частотах съемногоого трап мула изобретения внима. ллекторног Способ измерения емкости ко перехода транзистора путем подачи мый прибор двух различных по ча частотных сигналов и измерения к о бра пой передачи транзистора, о ш и й с я тем, что, с целью пов сти измерения, на одной из двух...
Устройство для измерения крутизны полевого транзистора
Номер патента: 615431
Опубликовано: 15.07.1978
МПК: G01R 31/26
Метки: крутизны, полевого, транзистора
...От нзмер 55 теля, возникает дополнительная погрешность измерения переменного сигнала вследствие появления паразитной емкости в коммутационной цепи.Цель изобретения состоит в повыщенни 2 В Точйости при дистанционных измерениях.3Цель достигается тем, .что предлагаемоеустройство дополнительно содержит инвертирующий и реверснвный усилители, а операционный усилитель выполнен с разъемнойобратной . связью, причем дополнительныеусилФФТЕЛН включены последовательно между,фильтром цепи обратной связи и затвором испытуемого прибора,На чертеже изображена принципизль.иая злектрическая схема описываемого устройствз, которое состФэит из источника ре.жимного напряжения 1, вынолиеииого по схеме иивертирующеГО ОперациОНИОГО усилиГеля, операционного...
Устройство защиты ключевого транзистора
Номер патента: 625286
Опубликовано: 25.09.1978
Автор: Инешин
МПК: H02H 7/20
Метки: защиты, ключевого, транзистора
...транзистора 3 фиксируется также отпиранием управляющего перехода база-эмиттер защищающего транзистора 2. При этом избыток отпирающего базового тока, создаваемого в выходной цепи формирователя 1, ответвляется через защищающий транзистор 2 в коллекторную цепь ключевого транзистора 3, тем самым ограничивая степень его глубокого насыщения и уменьшая потери ключевого транзистора 3. Одновременно отпирание защищающего транзистора 2 по открывающейся цепи его коллекторного перехода приводит к замыканию фиксирующей цепи гальванической обратной связи по дополнительному входу формирователя 1, закрепляя ее открытое состояние, созданное первоначально поданным отпирающим импульсом, В таком включенном состоянии формирователь 1 и открытый ключевой...
Модель полевого (мдп) транзистора
Номер патента: 673941
Опубликовано: 15.07.1979
Авторы: Валитов, Ландэ, Осинцев, Пестрякова
МПК: G01R 31/26
Метки: мдп, модель, полевого, транзистора
...широких пределах пороговым напряжением и крутизной, причем имитируемый транзистор может работать по любой из известных схем включения.На чертеже представлена блок-схема модели МДП-транзистора.Описываемое устройство содержит входной МДП-транзистор 1, усилитель постоянного тока 2, блок зашиты выходного транзис. тора 3, выходной МДП-транзистор 4, блок индикации перегрузки 5, блок обратной связи 6, блок сдвига уровня 7, клемму затвора модели 8, клемму сброса защиты 9, клемму стока модели 1 О, клемму истока модели 11, клемму регулирования порогового напряжения 12, клемму регулирования крутизны 13.Устройство работает следующим образом.При нулевом напряжении на клемме затвора модели 8 выходное напряжение уси 15 20 25 З 0 зз лителя постоянного...
Устройство для защиты переключающего транзистора с нагрузкой в цепи коллектора
Номер патента: 675525
Опубликовано: 25.07.1979
Авторы: Анисимов, Сергеев, Тимошенко, Тихомиров
МПК: H02H 7/10
Метки: защиты, коллектора, нагрузкой, переключающего, транзистора, цепи
...значения падение напряжения на резисторе 2 достаточно для отпирания транзистора 3, шунтирующего вход переключающего транзистора, что обеспечивает защиту по току.Повышение напряжения на коллекторе транзистора 1 при закорачивании нагрузки открывает транзистор 3 через делитель 5, 6, 2, шунтируя вход транзистора 1. При этом напряжение на базе транзистора 3 - это сумма падений напряжения от тока делителя на резисторах 6, 2 и падения напряжения на резисторе 2 от тока транзистора 1.Резисторы 5, 6 делителя (резис= тор 2 в делителе практически не работает из-эа малого его сопротивления, определяемого при расчете защиты по току) выбирают так, чтобы напряжение делителя, снимаемое на базе транзистора 3 было достаточным для его отпирания только...
Устройство для защиты от перегрузки выходного транзистора импульсного усилителя
Номер патента: 675584
Опубликовано: 25.07.1979
МПК: H03F 9/00
Метки: выходного, защиты, импульсного, перегрузки, транзистора, усилителя
...резистор 4, а базой - к коллекторной нагрузке 5 выходного транзистора через резистор 6. Резисторы 7, 8 определяют ток базы выходного транзистора, а их соотта ношение определяет величину критическогозначения коллекторного напряжения,При отсутствии входного сигнала транзисторы 2, 3 закрыты, а конденсатор 1 разряжен.При подаче управляющего сигнала транзистор 2 открывается током конденсатора 1, Напряжение на коллекторе транзистора 2 падает, что приводит к открыванию транзистора 3. Открытый транзистор 3 пропускает базовый ток транзистора 2 и обеспеео чивает разряд конденсатора 1. Если приподаче управляющегб сигнала коллекторное напряжение превышает критическое значение, транзистор 3 не открывается и пос, с675584 формула изобретения...
Устройство для моделирования транзистора
Номер патента: 708366
Опубликовано: 05.01.1980
Автор: Погорелов
МПК: G06G 7/48
Метки: моделирования, транзистора
...обратной связи. Наклон первого начального участка, равный коэффициенту передачиусилителя 7 по первому входу (иливторому входу) определяется отношением сопротивлений резисторов 13и 9 (10) и равен(3Как только сумма напряженийЧдостигнет значения, соответствующего точке перегиба а 4изображающая точка переходит йавторой участок - в работу включаетсядиодный элемент, выполненный на базе делителя напряжения 15 и диода17, подключенный к входу усилителя7 через резистор 19, Диодный элемент настроен на некоторое значение напряжения отпирания диода 17,определяемое максимальньм рабочимзначением тока коллектора моделируемого транзистора, Это значение устанавлив ается путем установки движкаделителя 15 в определенное Фиксированное положение, При...
Устройство для измерения постоянной времени коллекторной цепи транзистора
Номер патента: 744382
Опубликовано: 30.06.1980
МПК: G01R 31/26
Метки: времени, коллекторной, постоянной, транзистора, цепи
...Пс 13 ХОДЫ УС 11 ЛПС.151 С РС- гулируемым коэффициентом уаЛспя 3 и переключателя 7. (,Пгпа. с 31 ХО) усплпТЕЛ 51 С РСГУГ ПР)СМ ЫМ И)с: ЦС ПО.СПЛЕШЯ 3 ПОСтУПЯСт ЧСРЗ с)Си 0; Р 1 ДРУГОЙ ВХОД ПЕРСКГПОЧсПСГЯ 3 И И; (, ПЗ 13 Х,ОБ ПР СЕЛЮ 121 С 15,), Пс),РЕО 10 РОО ПОС)ПЯСТ Иси 1 Р 5 ЖСПП(. С) С с)МП) тера испытуемого ризпстор 2.ОсрсдстБОМ ПЕрЕКЛОЧятеля 5, упрси)ЛяСМОГС КЫХодпым сигналом измерителя гнш ппп 12, осуществляется поперсмсппяя пода я пяпряжепий высокой частоты эмпттсря Ь )СИЛЕППОГО КО;,Е 1"10 РПОГО ПЯ 1 Ц)51 ЯПП 51 С); па вход усигппеля высокой частоты 8.,1 алее каждое 1 з этик папр 51)ксппй, попсремсппо усилешюе Б усилителе 8, детектируется детектором 10 и через псрсключ пель , )ПРЯБЛ 51 СМЬ 1 й 12)КЕ 15 ЫХОЛП 11 Х СПГПЛО:)1 и;3-...