Транзисторе — Метка (original) (raw)
Патенты с меткой «транзисторе»
Видеодетектор на транзисторе
Номер патента: 240765
Опубликовано: 01.01.1969
Автор: Акулиничев
МПК: H03D 1/18
Метки: видеодетектор, транзисторе
...транзистора 1 получает отпирающее напряжение. Видеосигнал снимается с коллектора транзистора через корректирующий дроссель 3. Резистор 1, включенный последовательно с коректирующим дросселем Б, выполняет роль активной нагрузки видеодетектора. Частотно-зависимая блоиировка видеодетектора осуществляется последовательным колебательным контуром, образованным конденсатором б и катушкой индуктцвностц / и настроенным на промежуточную частоту сигнала (преобразованную несущую частоту принятого сигнала). Зтот контур подавляет несущую частоту в цепи коллектора 5 транзистора 1 и нейтрализует действие проходной емкости транзистора. Входной контур видеодетектора, образованный катушкой ццдуктивности 8 ц конденсаторами 9 ц 10, включен между оазой ц...
Блокинг-генератор на транзисторе
Номер патента: 242227
Опубликовано: 01.01.1969
Автор: Песин
МПК: H03K 3/30
Метки: блокинг-генератор, транзисторе
...15 тока заряда емкости 8. Когда это экспоненциально уменьшающееся напряжение становится равным опорному напряжению стабилитрона б, транзистор лавинообразно отпирается и возникает импульс, в течение которого емкость 3 20 разряжается на сопротивление 7. При этом напряжение на сопротивлении 4 вырастает до величины опорногэ напряжения стабилитрона 5 и затем до конца импульса остается неизменным. В начале паузы транзистор заперт этим 25 напряжением и весь процесс повторяется.Длительность и крутизна фронта импульсаопределяется параметрами транзистора 1 и трансформатора 2, Стабильность частоты практически зависит только от стабильности Зо паузы, которая в этой схеме определяется про+ 11 Составитель Л, Рубннчик Техред Л. К, Малова Корректор В....
Усилитель на составном транзисторе
Номер патента: 253150
Опубликовано: 01.01.1969
Автор: Кукушкин
МПК: H03F 3/343
Метки: составном, транзисторе, усилитель
...6. Запирающее напряжение на транзистор 4 подается от того же источника 1 через сопротивление 2. Сопротивления 2 и 3 выбираются такой величины (огранцчение сверху), чтобы протекание через них обратных токов транзисторов 4 и 5 соответственно не приводило к прямому смещению эмиттерных переходов этик транзисторов. При подаче управляющего тока достаточной величины в базу транзистора 4 эмиттерные переходы транзисторов 4 ц 5 смещаются в прямом направлении. Необходимая величина управляющего тока может быть представлена в виде суммы токов; тока нагрузки составного транзистора, пересчитанного через его коэффициентт усиления по току, и тока, компенсирующего ток от источника запирающего напряженя, протекающий через сопротивление 2; последняя...
Логическая схема «не» на транзисторе
Номер патента: 260681
Опубликовано: 01.01.1970
МПК: H03K 19/20
Метки: логическая, не, схема, транзисторе
...экономичность и коэффициент использования напряжения коллекторного источника питания.Схема устройства изображена на чертеже.Оно содержит транзистор 1, резисторы 2 и нелинейный двухполюсник 3,При подаче на вход схемы 11 Е положительного импульса с предыдущей схемы транзистор переходит в режим насыщения и почти все напряжение источника коллекторного пи. тания прикладывается к зажимам двухполюсника, Сопротивление двухполюсника возрастает, что приводит к уменьшению коллекторного тока насыщения транзистора. Ток базы при этом определяется сопротивлением базы и небольшим сопротивлением двухполюсника предыдущей схемы, транзистор которой находится в режиме отсечки, В результате степень насыщения транзистора увеличивается и возрастает...
Переключатель на транзисторе
Номер патента: 311394
Опубликовано: 01.01.1971
Автор: Позин
МПК: H03K 4/83
Метки: переключатель, транзисторе
...раоотает следующим образом.В течение времени нахождения транзистора в открытом состоянии (время т), величину сопротизления г элемента, через который по дают запирающее напряжение на базу транзистора, увеличивают (участок кривой 1) до такой величины, чтооы потери мощности на этом элементе от источника входного сигнала были незначительными. В течение, времени нахождения трацз:стора в закрытом состоянии. ЛЪ 1095писное по делал ете Мини аушская Заказ 388/1368 И ираж 47 По ЦИИИПИ Комитет и открытий при С Москва, Ж, изобретенистров СССР наб., 4/5 фив(время т 2) величину сопротивления г этого элемента уменьшают (участок кривой 2) до такой величины, чтооы падение напряхкения на нем за счет обратных токов коллекторного и эмиттерного...
Влокинг-генератор на р-п-р транзисторе с хронирующим эмиттерным конденсатором
Номер патента: 345599
Опубликовано: 01.01.1972
Авторы: Дик, Карась, Моги, Райнин
МПК: H03K 3/30
Метки: влокинг-генератор, конденсатором, р-п-р, транзисторе, хронирующим, эмиттерным
...предлагаемого устройсгва подключен к общей точке соедицешя конденсатора и полупроводникового диода посредством дополнительного полупроводникового диода в прямом включении,На чертеже представлена принципиальная схема блокинг-генератора.Блокинг-генератор выполнен ца транзисторе 1 и трансформаторе 2. Хронирующий конденсатор 3 включен между эмиттером траци средней точкой крсмцисвыдиод включенныпараллельно резистопь опорного стабилитрона 7. Диоды включены согласно и в прямом цаправлеши относительно стабилитрона,Если напряжение коллекторцого 1 ита 1 и 1нике напряжения стабилизации стабилитро.5 на, диоды 4 и 5 ооесточецы, и вследствие вЫсокого дицаъ 1 ического сопротивления (ремцисвыдиодов ца начальном участке прямой ветви вольта...
Генератор импульсов на однопереходном транзисторе
Номер патента: 488325
Опубликовано: 15.10.1975
МПК: H03K 3/335
Метки: генератор, импульсов, однопереходном, транзисторе
...2 выделяется весьма малое напряжение, создаваемое током, текущим по межбазовой цепи транзистора 1, и недостаточное для включения биполярного транзистора 3. При этом величина резистора 2 предполагается малой. Выключенный транзистор 3 практически не шунтирует зарядную цепь генератора.Конденсатор 4 начинает заряжаться от источника питания 7 через резистор 6 и открытый диод 5. Когда напряжение на конденсаторе, а следовательно, и на эмиттере транзистора 1 достигнет величины напряжения включения, транзистор 1 лавинно включается. Конденсатор 4 начинает разряжаться через его эмиттерную цепь.При разряде конденсатора на резисторе 2 образуется положительный импульс, который488325 Формула изобретения Составитель И. Белякова Редактор Т....
Блокинг-генератор на транзисторе
Номер патента: 570990
Опубликовано: 30.08.1977
Автор: Мамедов
МПК: H03K 3/30
Метки: блокинг-генератор, транзисторе
...тиристоры 5 всех каналов закрыты, а через эмиттерно-базовый переход транзистора 1 протекает ток прямого смещения, который определяется величиной резистора 10.При подаче запускающего сигнала на вход тиристора 5 первого канала тиристор в,лючается, и транзистор 1 лавинообразно переходит в режим насыщения за счет положительной обратной связи, осуществляемой трансформатором 2. С этото момента происходит формирование выходного импульса на нагрузке 6 первого канала, а также заряд конденсатора 9 через резистор 8 от импульсного напряжения обратной связи на вторичной обмотке 7 трансформатора 2. Во время формирования импульса коллекторный ток транзистора 1, определяемый полным сопротивлением нагрузки 6, проходит преимущественно через стаоплитрон...
Генератор импульсов на однопереходном транзисторе
Номер патента: 601807
Опубликовано: 05.04.1978
МПК: H03K 3/335
Метки: генератор, импульсов, однопереходном, транзисторе
...13 ниже верхней пороговой и выше нижней пороговой однопереходный транзистор 1 закрыт и имггупьсы навыходе 14,устройства отсутствуют, На резисторе 9 выделяется малое напряжение,создаваемое током, текущим по межбазовойцепи транзистора 1 и недостаточное для вкпю 1-чения биполярного транзистора 2, Выключенный транзистор 2 практически не шунтирует зарядную цепь устройства. По цепивход 13, резистор 10, параллельно включенные резистор 8 и стабилитрон 3, диод 4, 20разделительный диод 5 и резистор 11течет ток. Резистор 11 выбран, таким,чтобы йадение напряжения на нем быловыше напряжения на зажиме 12 ЕДиод6 закрыт. Конденсатор 7 заряжен до нап Бряжения, большего чем Е При увеличении контроцируемого напрякения Ох, потенциалы второй базы...
Усилитель на транзисторе
Номер патента: 731554
Опубликовано: 30.04.1980
МПК: H03F 1/32
Метки: транзисторе, усилитель
...увеличении скачком мощности, рассеиваемой в транзисторе 1, на выходе дат чика 6 и на выходе вычцтателя 4 появитсяположительный скачок напряжения, который интегрируется инерционной цепью 3, последняя регулируется так, чтобы ее постоянная времени была равной постоянной 20 времени процесса нагревания кристаллаполупроводника в транзисторе 1. Поэтому на выходе инерционной цепи 3 появится напряжение, изменяющееся с той же постоянной времени, что ц температура крцстал ла в транзисторе 1, то есть синхронно сией.Это напряжение подается в течение всего переходного процесса прогрева кристалла как дополнительное смещение на базу транзистора 1. Прп этом регулируется его вели чина и полярность. Таким образом, измене731554 3 Составитель Е,...
Стабилизатор тока на высоковольтном транзисторе
Номер патента: 752277
Опубликовано: 30.07.1980
Авторы: Довгалевский, Цымбал
МПК: G05F 1/56
Метки: высоковольтном, стабилизатор, транзисторе
...2 вызывает изменение тока через сопротивление утечки коллекторцого перехода. Этот ток выходит из базы транзистора 2 и протекает через измерительный резистор 5, изменяя падение напряжения на нем. При этом на входе схемы сравнения 1 выделяется сигнал ошибки. Усиленный сигнал ошибки подается на вход транзистора 2, который регулирует ток до первоначального значения.Схемы, приведенные на чертежах, не исчерпывают всех возможных вариантов построения стабилизатора, каждый из которых может иметь свои преимущества в конкретном случае.Например, когда нужно стабилизировать ток одной определенной величины в качестве отдельного источника питания схемы сравнения целесообразно использовать нелинейный элемент со свойствами стабилизатора...
Способ определения степени локализации тока в транзисторе
Номер патента: 1114991
Опубликовано: 23.09.1984
Автор: Бузыкин
МПК: G01R 31/26
Метки: локализации, степени, транзисторе
...эмиттер -база, увеличение коллекторного напряжения до значения, при котором.определяют степень локализации тока,повторное измерение установившегосязначения напряжения эмиттер - базапосле окончания импульса греющеготока, дополнительно измеряют пиковоезначение напряжения эмиттер - базав момент окончания первого импульсагреющего тока, фиксируют величинуразности между измеренными пиковымии установившимся значениями, изменяякрутизну заданного фронта импульсовгреющего тока, измеряют пиковое значение напряжения в момент окончаниявторого импульса греющего тока, опре3 1114 деляют величину разности значений, измеренных после воздействия второго импульса греющего тока, по превышению которой фиксированного значения судят о степени локализации...
Способ перепрограммирования ячейки памяти на мноп транзисторе
Номер патента: 1437918
Опубликовано: 15.11.1988
Авторы: Мальцев, Милошевский, Нагин, Тюлькин, Чернышев
МПК: G11C 11/40
Метки: мноп, памяти, перепрограммирования, транзисторе, ячейки
...подаваяна затвор запоминающего МНОП-транзистора импульс напряжения стирания самплитудой не меньшей амплитуды импульса напряжения записи, напримерравной ей и составляющей 25 В, и длительностью 5 мс (фиг. 1); В результате воздействия этого импульса пороговое напряжение запоминающего транзистора увеличивается и станет равным, например, 4,0 В, причем это произойдет на фоне некоторого общегосдвига межпороговой зоны этого транзистора. Затем пороговое напряжение50уменьшают до значения, соответствующего стертому состоянию, подавая на затвор запокнающего транзистора, например, импульс напряжения той же полярности,но с амплитудой, например, 20 В, В результате этого пороговое напряжение запоминающего транзистора уменьшается на 1,5-2,0 В, что...
Устройство для управления ключом на мощном полевом транзисторе
Номер патента: 1580499
Опубликовано: 23.07.1990
Авторы: Воронин, Калиниченко, Переверзев, Семенов, Турышев
МПК: H02M 1/08
Метки: ключом, мощном, полевом, транзисторе
...силового полевого транзистора 1 с р-п-переходом, переводя ега в полностью открытое состояние, С момента размыкания управляемого ключевого элемента б и Открытия силового полевого транзистора 1 с р-и-переходом накопительный конденсатор 5 заряжается через открытый силовой полевой транзистор 1 с р-и-переходом и заряднцй диод 4 да напряжения питания, полярностью, показанной на чертеже, В момент замыкания ключевого элемента 6 напряжение накопительного конденсатора 5 создает отрицательное напряжение исток - затвор силового палевого 10 Ч Г ч 20 30 40 45 50 транэисторас р-п-переходом, перехватывая на себя и ток его затвора, Силовой полевой транзистор 1 с р-и-переходам запирается, к зарядному диоду 4 также прикладывается запирающее напряжение...