Нагин — Автор (original) (raw)
Нагин
Способ уменьшения дефектности двухслойного диэлектрика в структуре проводник нитрид кремния окисел кремния полупроводник
Номер патента: 1108962
Опубликовано: 10.04.1995
Авторы: Мальцев, Милошевский, Нагин, Тюлькин, Чернышев
МПК: H01L 21/04
Метки: двухслойного, дефектности, диэлектрика, кремния, нитрид, окисел, проводник, структуре, уменьшения, —полупроводник
СПОСОБ УМЕНЬШЕНИЯ ДЕФЕКТНОСТИ ДВУХСЛОЙНОГО ДИЭЛЕКТРИКА В СТРУКТУРЕ ПРОВОДНИК НИТРИД КРЕМНИЯ ОКИСЕЛ КРЕМНИЯ ПОЛУПРОВОДНИК, заключающийся в проведении термообработки структуры нитрид кремния окисел кремния - полупроводник в атмосфере кислорода перед нанесением проводника, отличающийся тем, что, с целью увеличения времени хранения информации в структуре, термообработку проводят в атмосфере влажного кислорода при температуре 800 - 1150 oС в пределах одного часа, затем с поверхности нитрида кремния удаляют пленку оксида кремния, образовавшуюся в процессе термообработки, и перед нанесением проводника проводят отжиг в атмосфере водорода при 700 - 1000oС в течение 30 60 мин.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что отжиг...
Запоминающее устройство и способ управления им
Номер патента: 1110315
Опубликовано: 15.04.1994
Авторы: Власенко, Мальцев, Минаев, Нагин, Тюлькин, Чернышев
МПК: G11C 11/34
Метки: запоминающее
1. Запоминающее устройство, содержащее размещенные на полупроводниковой подложке схему управления и накопитель на элементах памяти с изолированным полевым электродом и двухслойным подзатворным диэлектриком, отличающееся тем, что, с целью его упрощения и обеспечения избирательного стирания, подложка выполнена однородной, а проводимости слоев подзатворного диэлектрика удовлетворяют соотношениям10 1 2 при E = 0 и
Элемент памяти
Номер патента: 1253350
Опубликовано: 15.04.1994
Авторы: Мальцев, Милошевский, Нагин, Тюлькин
МПК: G11C 11/40
ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ, содержащий первый запоминающий транзистор, первый и второй управляющие транзисторы, истоки которых подключены к шине нулевого потенциала, затворы являются соответственно информационным и управляющим входами элемента памяти, первый ограничительный элемент, отличающийся тем, что, с целью увеличения времени хранения информации, в него введены второй ограничительный элемент и второй запоминающий транзистор, у которого затвор и сток объединены и подключены к затвору первого запоминающего транзистора и через второй ограничительный элемент - к второму управляющему входу, стоки первого и второго управляющих транзисторов подключены к истоку второго запоминающего транзистора, исток первого запоминающего транзистора подключен к шине...
Матричный накопитель на мдп-транзисторах с изменяемым пороговым включением
Номер патента: 1378681
Опубликовано: 30.03.1994
Авторы: Мальцев, Милошевский, Нагин, Тюлькин, Чернышев
МПК: G11C 11/40
Метки: включением, изменяемым, матричный, мдп-транзисторах, накопитель, пороговым
1. МАТРИЧНЫЙ НАКОПИТЕЛЬ НА МДП-ТРАНЗИСТОРАХ С ИЗМЕНЯЕМЫМ ПОРОГОВЫМ ВКЛЮЧЕНИЕМ , содеpжащий ячейки памяти, каждая из котоpых состоит из гpуппы запоминающих тpанзистоpов, пpичем в каждой стpоке затвоpы гpупп тpанзистоpов подключены к соответствующей числовой шине, а истоки и стоки гpупп тpанзистоpов в каждом столбце соответственно объединены, отличающийся тем, что, с целью повышения быстpодействия матpичного накопителя, он содеpжит дополнительные числовые pазpядные и упpавляющие шины, а в каждую ячейку памяти введены упpавляющие МДП-тpанзистоpы, исток пеpвого упpавляющего МДП-тpанзистоpа подключен к истокам запоминающих тpанзистоpов данной ячейки памяти, к стокам котоpых подключен сток втоpого упpавляющего МДП-тpанзистоpа, пpичем в каждой...
Способ определения напряжения программирования ячейки памяти на основе пноп-структуры
Номер патента: 1582834
Опубликовано: 15.03.1994
Авторы: Мальцев, Милошевский, Нагин, Тюлькин
МПК: G01R 31/26
Метки: основе, памяти, пноп-структуры, программирования, ячейки
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ НАПРЯЖЕНИЯ ПРОГРАММИРОВАНИЯ ЯЧЕЙКИ ПАМЯТИ НА ОСНОВЕ ПНОП-СТРУКТУРЫ, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности способа, на ПНОП-структуру подают нарастающее напряжение и при этом контролируют величину сквозного тока через ПНОП-структуру, при достижении сквозным током заданного значения определяют соответствующую ему величину приложенного напряжения, которое является напряжением программирования.
Ячейка памяти
Номер патента: 1318096
Опубликовано: 15.03.1994
Авторы: Мальцев, Милошевский, Нагин, Тюлькин
МПК: G11C 11/40
ЯЧЕЙКА ПАМЯТИ, содержащая триггер, первый и второй элементы выборки, каждый из которых выполнен на транзисторе выборки, истоки транзисторов выборки соединены соответственно с первым и вторым информационными входами-выходами триггера, стоки являются соответственно первым и вторым числовыми входами-выходами ячейки памяти, а затворы - адресным входом ячейки памяти, энергонезависимый элемент памяти, состоящий из первого и второго запоминающих МНОП-транзисторов, первого и второго ключевых транзисторов, затворы которых являются входом стирания ячейки памяти, а стоки соединены с истоками запоминающих МНОП-транзисторов, затворы которых являются входом записи ячейки памяти, отличающаяся тем, что, с целью повышения надежности восстановления...
Ячейка памяти
Номер патента: 1308063
Опубликовано: 15.03.1994
Авторы: Мальцев, Милошевский, Нагин, Траилин, Тюлькин, Чернышев
МПК: G11C 11/40
1. ЯЧЕЙКА ПАМЯТИ по авт. св. N 1115106, отличающаяся тем, что, с целью повышения быстродействия восстановления информации в ячейке памяти, в нее введены два коммутирующих транзистора, затворы которых являются коммутирующим входом ячейки, а истоки запоминающих МНОП-транзисторов подключены к стокам соответствующих коммутирующих транзисторов, истоки которых подключены к выходам триггера.2. Ячейка памяти по п. 1, отличающаяся тем, что стоки запоминающих МНОП-транзисторов подключены к истокам соответствующих коммутирующих транзисторов, стоки которых подключены к выходам триггера.
Составной мдп-транзистор
Номер патента: 1501803
Опубликовано: 15.02.1994
Авторы: Мальцев, Милошевский, Нагин, Тюлькин
МПК: G11C 11/40
Метки: мдп-транзистор, составной
СОСТАВНОЙ МДП-ТРАНЗИСТОР, содержащий последовательно включенные однотипные МДП-транзисторы с обедненным каналом, причем исток и затвор первого однотипного МДП-транзистора является соответственно истоком и затвором составного МДП-транзистора, исток каждого последующего однотипного МДП-транзистора соединен со стоком предыдущего однотипного МДП-транзистора, сток последнего однотипного МДП-транзистора является стоком составного МДП-транзистора, отличающийся тем, что, с целью расширения области применения составного МДП-транзистора, затвор каждого последующего однотипного МДП-транзистора соединен с истоком предыдущего однотипного МДП-транзистора.
Способ восстановления информации в ячейке памяти
Номер патента: 1501801
Опубликовано: 15.02.1994
Авторы: Мальцев, Милошевский, Нагин, Тюлькин, Шукатко
МПК: G11C 11/40
Метки: восстановления, информации, памяти, ячейке
СПОСОБ ВОССТАНОВЛЕНИЯ ИНФОРМАЦИИ В ЯЧЕЙКЕ ПАМЯТИ, заключающийся в подаче напряжения на входы коммутации, программировании и стирании информации с последующим уменьшением напряжения на входе программирования, отличающийся тем, что, с целью увеличения срока службы ячейки памяти, перед подачей напряжения на вход программирования ячейки памяти, величину напряжения питания уменьшают до значения, меньшего номинального напряжения питания, но большего минимального напряжения хранения информации в ячейке памяти, а после снятия напряжения со входа программирования ячейки памяти напряжение питания восстанавливают до номинального значения.
Способ перепрограммирования ячейки памяти на мноп транзисторе
Номер патента: 1437918
Опубликовано: 15.11.1988
Авторы: Мальцев, Милошевский, Нагин, Тюлькин, Чернышев
МПК: G11C 11/40
Метки: мноп, памяти, перепрограммирования, транзисторе, ячейки
...подаваяна затвор запоминающего МНОП-транзистора импульс напряжения стирания самплитудой не меньшей амплитуды импульса напряжения записи, напримерравной ей и составляющей 25 В, и длительностью 5 мс (фиг. 1); В результате воздействия этого импульса пороговое напряжение запоминающего транзистора увеличивается и станет равным, например, 4,0 В, причем это произойдет на фоне некоторого общегосдвига межпороговой зоны этого транзистора. Затем пороговое напряжение50уменьшают до значения, соответствующего стертому состоянию, подавая на затвор запокнающего транзистора, например, импульс напряжения той же полярности,но с амплитудой, например, 20 В, В результате этого пороговое напряжение запоминающего транзистора уменьшается на 1,5-2,0 В, что...
Способ записи и считывания информации в мноп-элементе памяти и матричный накопитель для запоминающего устройства
Номер патента: 1405089
Опубликовано: 23.06.1988
Авторы: Голтвянский, Дубчак, Костюк, Нагин
МПК: G11C 11/40, G11C 11/4063
Метки: записи, запоминающего, информации, матричный, мноп-элементе, накопитель, памяти, считывания, устройства
...записи горячих электронов насток 5, соединенный с затвором 12, подаетсяимпульс (/л длительностью 10с, истокири этом заземлен. Принцип разогреваи инжекции электронов здесь аналогичентому, который используется в приборахс плавающим затвором, с той лишь разницейчто в данном случае захваченные электроныне растекаются вдоль канала, а сосредотачиваются на ловушках в нитриде кремниявблизи стока.В зависимости от режима записи длинаобласти вдоль канала со встроенными в диэлектрик зарядом колеблется вблизи значениямкм. При измерении эффективногопорогового напряжения такого транзисторас записанным зарядом сток инвертируетсяс истоком, т. е. подается напряжение Ь==(=l о до появления тока в канале величиной 1 мкЛ.Экспериментальные зависимости...
Способ записи и считывания информации в мноп-элементе памяти, мноп-элемент памяти и матричный накопитель для запоминающего устройства
Номер патента: 1405088
Опубликовано: 23.06.1988
Авторы: Голтвянский, Дубчак, Костюк, Нагин
МПК: G11C 11/40, G11C 11/4063
Метки: записи, запоминающего, информации, матричный, мноп-элемент, мноп-элементе, накопитель, памяти, считывания, устройства
...с записанным зарядом сток инвертируется с истоком, т. е. подается напряжение= 6 = .,3, до появления тока в канале величицой 1 мкА.Экспериментальные зависимости (фиг. 1) резЯсняют принцип считывания информации, если ее записывать как со стороны стока, так и со стороны истока. Пусть к затвору элемента приложено некоторое напряжение Ц = -1-5 В, находящееся внутри межпороговой зоны МНОП-элемента., = 2 В, ) = 9 В). Если элемент находится ц исходном состоянии, то его выход. цая характеристика имеет виднезависичо от того, какой электрод является стоком, т. е. ток в канале идет при любом напряжении ца стоке (1, . Если произведена запись со стороны стока, то эта характеристика примет вид 2. При этом напряжение ( соответствует напряжению...
Пневмогидравлический трансформатор
Номер патента: 1399518
Опубликовано: 30.05.1988
Авторы: Галушкин, Нагин
МПК: F15B 3/00
Метки: пневмогидравлический, трансформатор
...цилиндр 19 жестко связан с корпусом 1, дополнительный шток 21 - с рабочим поршнем 3,Активная площадь дополнительной полости 22 высокого давления равна 40площади поперечного сечения основного штока 4.Трансформатор работает следующимобразом.При подключении трансформатора к 45источнику 1 сжатого воздуха, черезпневмораспределитель 9 воздух поступает в полость бПоршень 2 совместно с поршнями 3 и 20 перемещаютсявверх, При этом в полость 7 поступает рабочая жидкость, а из полости8 вытесняется к потребителю 18 ичастично через дроссель 25 в поршне3 - в полость 7.При подходе поршня 2 к крайнему 55верхнему положению при помощи тяги10 переключается пневмораспредели-,ВНИИПИ Заказ 2656 Д 7 ТиПроизв.-полигр. пр-тие, г. тель 9. Воздух поступает в...
Электрический ввод
Номер патента: 1354255
Опубликовано: 23.11.1987
Авторы: Кузовков, Нагин
МПК: H01B 17/26
Метки: ввод, электрический
...электрод размещен на месте одного из проводников и выполняет его функции.Возможности использования электроввода могут быть расширены в сторону увеличения его рабочего диайазона частот. В отверстии размещенодин только электрод 3, расположенный коаксиально. Он служит одновременно проводником высокочастотногосигнала.Демонтаж электроввода осуществля -ют следующим образом.К электроду подключают источник5 тока. При нагреве нихромового электрода до температуры, которая не меонее чем на 200 С превышает температуру термическог о разрушения эпоксидной композиции, происходит ее выгорание. После этого производят удалениепроводников, электрода и остатковгерметизирующего материала из отверстия известным механическим способом.Исходя из условий...
Зажимное устройство
Номер патента: 1155414
Опубликовано: 15.05.1985
Авторы: Галушкин, Нагин
МПК: B23Q 3/06
Метки: зажимное
...не Обеспечивается требуе 1:жи 11 ое усилие,,",более близким к предлагаемому явзажимное устройство, на шейке цент.ируч 1 с, и О;т ржня корпуса которого распо- ,- .1.1 б. трос емная шайба с установленсй: ее наружной резьбовой поверхности , айх й 121.-;.,1,остатком известного устройства яв;изкая надежность работы из-за от;01 гго о паза, выполненного в шайбе.1;сл изобретения повышение надежребогы устройства.1:,сг 11 вле 1111 ая цель достигается тем, чтозажик ном устройстве, на шейке центри,"О 1 го ГтЕРжНЯ КОРПУСа КОТОРОГО РаСПО";же;10 сь; - ,ссъемная шайба с установлений н е; за,жной резьбовой поверхности ":й й 1:1 заходной части центрирующегоЗ ПгО 1.ЕНЫ дВЕ ПараЛЛЕЛЬНЫЕ ЛЫС 1,1, изин 1 енные для взаимодействия с .1 ЕС,Чг;",л:11 ЛЕРХНОС ГЯМИ...
Ячейка памяти (ее варианты)
Номер патента: 1115106
Опубликовано: 23.09.1984
Авторы: Куварзин, Мальцев, Милошевский, Нагин, Однолько, Соломоненко, Тюлькин, Чернышев
МПК: G11C 11/40
Метки: варианты, ее, памяти, ячейка
...на шину 1 2 , а запись логического0 подаче низкого потенциыа на шину 1 1 и высокого на шину 1 2 . При этом на шину 1 7 подается положит ель ный потенциал ( + 5 Ч) . В р ез ул ьтате этого при записанной логич ес кой " 1 " триггер устанавливаетс я в состояние, когда потенциал на выходе 9 высокий , а на выход е 1 О низкий . Эт о состояние сохраняется после понижения потенциала на шич е 1 7 .Для считывания состояния ячейки необходимо подать положительный пот енциал на шину 1 7, контролируя при этом потенциал на шинах 1 1 и 1 2 . Высокий потенциал на шине 1 1 и низкий на шине 1 2 свидетельствует о т ом ,чт о в ячейке хранится логическая " 1 " . 11151 Ячейка памяти по второму варианту 55(фиг.2) отличается от первого лишьтем, что транзисторы...
Способ стирания информации в элементе памяти
Номер патента: 999108
Опубликовано: 23.02.1983
Авторы: Власенко, Мальцев, Масловский, Милошевский, Нагин, Тюлькин
МПК: G11C 11/40
Метки: информации, памяти, стирания, элементе
...велика, т.е.примерно равна Од, то. такой импульсприведет к сравнительно быстромууменьшению порогового напряжения отего исходного значения От ( 0 ) донекоторого значения О. (Ос), определяемого амплитудой импульса стирания Оср, но величина этого уменьшения Ь = О ("0") - О. мала (посравнению с ЬО. при меньших О) ине изменяется при дальнейшем увеличении времени стирания (фиг. 1, кривая.с О = О),Наличие же в предлагаемой формеимпульса стирания составляющих. самплитудой О (Ос обеспечивает больший сдвиг порогового напряжения Ы 3чем пРи О = Одскб(фиг. 1 кРивые сО , О , ОО ),Напротив, если амплитуда прямоугольного импульса стирания сравнительно мала, т.е, ОО щи, то вплотьдо определенного времени вообще непроизойдет изменения порогового...
Программируемое постоянное за-поминающее устройство
Номер патента: 809378
Опубликовано: 28.02.1981
Авторы: Глушков, Кульбашный, Мальцев, Милошевский, Нагин, Яковлев
МПК: G11C 17/00
Метки: за-поминающее, постоянное, программируемое
...управляющие транзисторы 9, при которой происходит инверсия информации, а именно: запись логического нуля в управляющий транзистор 9 происходит лишь при единичном состоянии запоминающего транзистора, а логическйй нульв управляющем транзисторе 9 преобразуется в логическую единицу в запоминающем транзисторе 4.Стирание информации в выбранном слове или во всех управляющих транэисто рах 9 происходит при подаче высокого уровня на шину 17 и низкого уровня на выбранную словарную шину 5 или на шину 14 избирательного стирания, а на остальные шины 5 подается высокий уровень, что переводит выбранные транзисторы 4 или 9 в открытое состояние (логическая единица).Запись информации в транзисторы 4 или 9 производится при подаче высокого уровня на...
Складная решетчатая опора
Номер патента: 734378
Опубликовано: 15.05.1980
Авторы: Блинков, Болтивец, Варенцов, Дворников, Коробов, Кошкин, Нагин, Рошаль, Сысоев, Шофлер
МПК: E04H 12/00
Метки: опора, решетчатая, складная
...площадки 10 и площадки 11 для обслуживания технологического оборудования.Опорная плита 1 опоры состоит из рамы 12с фланцами 8 и шарнирами 2 и откидныхаутригеров 13. На концах аутригеров смонтированы винтовые домкраты 14 с упорнымиплитами 15. К аутригерам крепятся основныепротивовесы 16 со скосами 17, которыесоединены между собой дополнительными противовесами 18.В транспортном положении промежуточнаясекция 4 служит в качестве основной плиты,укладываемой на транспортную платформу 19прицепа. Нижняя 3 и верхняя 5 секции притранспортировке сложены путем поворота ихвокруг шарниров 6, расположенных с двухторцов промежуточной секции 4 в пределахсмежных боковых граней, на которые опираются соответствующие грани секций 3 и 5....
Запоминающее устройство
Номер патента: 720509
Опубликовано: 05.03.1980
Авторы: Мальцев, Нагин, Чернышев
МПК: G11C 11/00
Метки: запоминающее
...за два цикла. В первом цикле все транзисторы 12 с изменяемым порогом включения переводятся в одно состояние (стирание), во втором производится избирательный перевод в другое состояцие (запись). Стирание осуществляется подачей управляющего импульса Ь, на шину 13 матричного накопителя 1. При этом все числовые шины 14, 15 и все остальные выводы подключены к шине нулевого потенциала 28,В режиме записи шина запись-считывание 23 подключена к источнику напряжения Е, причем 1,)у - Е ( валор), где 11 дфр - пороговое напряжение управления (при К) у 1( па транзистор с изменяемым порогом включения состояния не изменяет). Выходная шина 18 и шина 13 подключены к шине нулевого потенциала 28. Шина 38 подключена к источнику напряжения питания. На...
Интегральное запоминающее устройство
Номер патента: 523455
Опубликовано: 30.07.1976
Авторы: Мальцев, Нагин, Чернышев
МПК: G11C 11/40
Метки: запоминающее, интегральное
...дополнительную управляющую шину 12, управляющую шину 13 и выходную шину 14.3Запись информации в запоминающее устройство проводится за два цикла. В первом цикле осуществляется стирание информации, хранимой в ячейках 5 памяти. Для этого на шину 11 питания, дополнительную управляющую шину 12 и выходную шину 14 подается нулевой потенциал, а на управляющую шину 13 - высокий потенциал.В результате пороги всех МДП-транзисторов 6 с изменяемым порогом включения становятся высокими.Во втором цикле напряжение подается на шину 11 питания и дополнительную управляощую шину 12, а на выходную шину 14 поступает нулевой потенциал, При этом дополнительные вентильные МДП-транзисторы открываются и емкостные элементы 9 заряжаются до уровня напряжения на...
“матричный накопитель для запоминающего устройств
Номер патента: 517937
Опубликовано: 15.06.1976
Авторы: Мальцев, Нагин, Поспелов
МПК: G11C 11/40
Метки: запоминающего, матричный, накопитель, устройств
...числовые шины столбцов соответственно.Информация записывается в матрицу за два цикла: в первом цикле происходит запись состояния 1 во все транзисторы матрицы, а во втором - избирательная запись состояния О. Запись 1 осуществляется подачей на все числовые шины импульса напряжения определенной полярности, при котором пороговые напряжения всех транзисторов становятся одинаковыми. При этом подложка 17 заземлена. Избирательная запись О осуществляется подачей импульса противоположной полярности на выбранную числовую шину, например первую числовую шину 23 первого столба. При этом вывод подложки 17, невыбранные числовые шины 22, а также разряд, Тюрина Техред Е. Подурушина Корректор Т, Добровольская Рсдакт 723министров СССЙд. 4/5 Изд. М 1430...
Интегральное запоминающее устройство
Номер патента: 479153
Опубликовано: 30.07.1975
Авторы: Мальцев, Нагин, Поспелов, Чернышев
МПК: G11C 11/40
Метки: запоминающее, интегральное
...матрицы переходйт в логическое состояние 1, Выборочную запись, например, в транзистор 1 матрицы осуществляют следующим образом. Выводы 32, 48, 53 шин и подложки заземляют, на выходы 18 и 50 и шины 37, 47 и 31 подают положительное напряжение /. Кна шину 42 - отрицательное напряжение, обеспечивающее отпирание транзисторов 38 - 41. На входы Уь У У 2, У 2 и Хь Х 2, Х 2, Х дешифраторов подают код адреса МДП-транзистора 1, так что в дешифраторе столбцов (в дешифраторе строк - аналогично) транзисторы 23 и 24 закрыты, а хотя бы один в каждой из пар транзисторов 25 - 26, 27 - 28, 29 - 30 открыт. Таким образом выбранный столбец матрицы, т. е. его истоковая и стоковая шины, оказываются изолированным от заземленного вывода шины 32, а...
Интегральное запоминающее устройство на мдп транзисторах
Номер патента: 458036
Опубликовано: 25.01.1975
Авторы: Мальцев, Нагин, Поспелов
МПК: G11C 11/40
Метки: запоминающее, интегральное, мдп, транзисторах
...1, дешифратора строк 2, дешифратора столбцов 3, ячейки матрицы накопителя 4, запоми нающего МДП-транзпстора с изменяемым пороговым напряжением 5, нагрузочного МДП-транзистора 6, активного МДП-транАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВОСТОРАХ зистора 7, шины питания 8, управляющих шин 9, МДП-транзистора 10, выходной шины ЗУ 11, выходной шины дешифратора строк 12 и выходной шины дешифратора столбцов 13.Для записи необходимого массива информации все запоминающие МДП-транзисторы 5 с изменяемым пороговым напряжением предварительно переводят в одно состояние (стирание). Для этого на шину 9 подают напряжение стирания, а шины 8 и 11 заземляют. Затем избирательно МДП-транзисторы 5 переводят в другое состояние. Для этого на шину 9 подают напряжение записи Еэ,...
383215
Номер патента: 383215
Опубликовано: 01.01.1973
Авторы: Авторы, Колобаев, Куликов, Нагин
МПК: H03K 5/26
Метки: 383215
...не проходит на выход. Импульс опорной последовательности проходит иа выход только в том случае, если в промежутке между предыдущим импульсом опорной последовательности и данным не было поступления импульса другой последовательности.В случае совпадения импульсов двух последовательностей в процессе выделения разностной частоты на выходе схемы И 4 выраба 5 1 О 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65 тывается сигнал совпадения фиг, 2, д), который подается на входы расширителя импульсов совпадения 8 и накопительной схемы с запоминающей ЯС цепочкой, Указанный сигнал совпадения расширяется с помощью расширителя и с его выхода (фиг. 2, е) подается на вход установки триггера в нулевое состояние.Сигналы совпадения, подаваемые на вход...
Устройство для исследования пригара
Номер патента: 280041
Опубликовано: 01.01.1970
Авторы: Бауман, Михайлов, Нагин, Орлов
МПК: G01N 13/00
Метки: исследования, пригара
...на нижнем конце которого укреплена кассета 13. В отверстия кассеты вставлены кварцевые трубки 4, в нижние концы которых набиваются .ч образцы формовочных материалов 15. В кассете закреплена также термопара 1 б, защищенная кварцевым наконечником 17. Верхние концы кварцевых трубок 14 соединены с бюретками для отбора газов через шток 18 1 п и штуцер 19. Через штуцер 20 во внутреннюю полость установки подается азот или другой газ, Манометр 21 измеряет давление поступающего газа. Для безопасности работы печь защищена асбоцементным кожухом 22.15 После расплавления металла и очистки егоот шлака на плите 2 укрепляют корпус 3 с вмонтированными в нем механизмом передвижения образцов и устройством для их крепления. Вращением маховика 11 и гайки 10...