Запоминающий — Метка (original) (raw)
Патенты с меткой «запоминающий»
Запоминающий каскад двойного действия
Номер патента: 120602
Опубликовано: 01.01.1959
МПК: G01R 19/00
Метки: двойного, действия, запоминающий, каскад
...с диодом Д в катодную цепь лампы Л. После прекращения действия входного импульса потенциал сетки лампы Л несколько изменится вследствие разряда конденсатора С 1 в результате чего конденсатор С, начинает разряжаться через диод лампы .7 и сопротивления Р и Я до величины катодного падения напряжения лампы Л, которое будет пропорционально аммплитуде входного сигнала. По мере разряда конденсатора С входное сопротивление катодного повторителя возрастает, вследствие чего потенциал конденсатора С, сохраняется неизменным и конденсатор С, успевает изменить свой заряд на величину, пропорциональную амплитуде входного счгнаЛЪ 120 б 02 ла. В дальнейшем конденсатор С заряжается до исходного потенциала током сетки лампы .7, потенциал же...
Запоминающий элемент
Номер патента: 131139
Опубликовано: 01.01.1960
МПК: G11C 13/02
Метки: запоминающий, элемент
...с твердой фазой, раствор сернокислого цинка с небольшой примесью закисной сернокислой ртути),Работа предлагаемого запоминающего элемента основана на исполь зовании явления изменения потенциала электрода, находящегося в растворе электролита, при подаче на него кратковременного электрического импульса.Запоминающий элемент имеет два устойчивых состояния: состояние 1 (если на вход был подан импульс напряжения) и состояние 0 (если импульса подано не было). Эти два состояния различаются по величине, возникасщсй на выходе э.д.с., и могут быть считаны. Для записи информации импульс напряжения подается плюсом на цинковый электрод 1, а минусом на рабочий электрод 2. На рабочем электроде начинает осаждаться цинк; в результате постоянно...
Запоминающий элемент-ионотрон
Номер патента: 148277
Опубликовано: 01.01.1962
Автор: Толутис
МПК: G11C 11/35
Метки: запоминающий, элемент-ионотрон
...поле, под действием которого протекает электродиффузия компенсирующих примесных центров. В зависимости от полярности приложенного напряжения соотношение концентрации собственных и компенсирующих примесных центров и запирающем слое или увеличивается илиуменьшается.При данной ьеличице внешнего напряженияна ионотроне через определенный промежу 5 ток времени (время релаксации) устанавливается определенное равновесное распределение прцмесцых центров в запирающем слое,т. е. возникает определенное стабильное состояние цонотрона. Подачей ца иоцотрон им 0 пульсов напряжения различной полярностидопустимо большой величины можно получитьдва различных устойчивых состояния иоцотрона, которые могут быть обозначены 1 и ОВеличина зависит от величины...
Сверхпроводящий запоминающий элемент
Номер патента: 151111
Опубликовано: 01.01.1962
Авторы: Расторгуев, Ченцов
МПК: G11C 11/44
Метки: запоминающий, сверхпроводящий, элемент
...пока магнитное поле в какой-либо точке его поверхности не достигнет критической величины, зависимой от природы сверхпроводника, ео размеров и температуры. В силу отсутствия сопротивления в свепхпроводнике, ток, однажды появившийся в каком-либо замкнутом сверхпроМ 151111водягцем контуре, не затухнет до тех пор, пока какая-нибудь часть этого контура не будет переведена в нормальное состояние.Во время работы элемента в перемычке 2 основной ячейки запоминается некоторый ток. Предположим, что значению кода 1 соответствует направление тока в перемычке по стрелке б, а кода 0 - по стрелке б Параллельно перемычке 2 расположена индикаторная И-образная перемычка 4, средняя часть которой изготовлена из мягкого сверхпроводника. Через перемычку 4...
Замкнутый запоминающий элемент
Номер патента: 167679
Опубликовано: 01.01.1965
Автор: Абакумова
МПК: G11C 11/14
Метки: замкнутый, запоминающий, элемент
...При этом увеличиваются амплитуда выходного сигнала, скорость чтения и облегчается отбраковка элементов.На чертеже изображен описываемый элемент. На наружную поверхность цилиндрнческои диэлектрической подложки 1, например, из текла, нанесена тонкая магнитная пленка 2. Ось 3 легкого намагничивания направлена од углом а к средней магнитной линии 4 лемента. Направление оси легкого намагничивания зависит от величины действующих при нанесении тонкой магнитной пленки двух магнитных полей; поля по окружности цилиндра подложки и поля по длине этого 5 цилиндра. Для перемагничпвания элементимеет осевую токовую обмотку Б. Выходной сигнал снимается с выходной обмотки 6,Предмет изобретенияЗамкнутый запоминающий элемент, выполненный в виде...
Запоминающий элемент
Номер патента: 170747
Опубликовано: 01.01.1965
Автор: Сулханов
МПК: G11C 11/06
Метки: запоминающий, элемент
...элемент содержит сердечники 1 и 2. Через сердечники пропущены обмотка 3 считывания, обмотка 4 записи, выходная обмотка 5 и обмотка б предварительной записи. Обмотки 3 и 4 проходят через сердечники 1 и 2 одинаково, обмотки 5 и 6 пронизывают сердечник 2 в направлении, противоположном направлению обмотки считывания.При подаче импульса тока У считывания в обмотку д на выходной обмотке 5 появится сиг. нал, амплитуда которого пропорциональна разности импульсных магнитных проницаемостеисердечников 1 и 2, Фаза выходного сигнала оп.ределяется сердечником, имеющим большуюимпульсную магнитную проницаемость.5 Запись информации производят следующимобразом. В обмотку б предварительной записиподается импульс тока У, насыщающий обасердечника в...
Запоминающий элемент
Номер патента: 177161
Опубликовано: 01.01.1965
Автор: Буль
МПК: G11C 11/38
Метки: запоминающий, элемент
...конденсатор 3. В цепь конденсатора последовательно включены источник постоянного смещения 4 и генератор тактового смещения 5. Сопротивления б и 7 позволяют установить режим диода. К средней точке индуктивности подключены через разделительные емкости 8 и 9 шины выборки.Если радиоимпульс по числовой шине выборки совпадает с положительной полуволной генератора тактовых импульсов, то элемент устанавливается в положение О и генерация прекращается.Если с отрицательной полуволной генератора тактовых импульсов совпадают радиоимпульсы по обеим шинам выборки, то в элементе возникает генерация, т. е. записывается 1,Для чтения информации можно в числовуюшину выборки 10 подать радиоимпульс с частотой, несколько отличающейся от частоты, генерируемой...
Замкнутый тонкопленочиый магнитный запоминающий элемент
Номер патента: 190414
Опубликовано: 01.01.1967
Авторы: Росницкий, Торотенков
МПК: G11C 11/14, G11C 5/04
Метки: замкнутый, запоминающий, магнитный, тонкопленочиый, элемент
...магнитный запоминающий элемент тороидальной формы.Он состоит из цилиндрического проводника1 (подложки), изогнутого в виде тора и покрытого ТМП, тонкого слоя 2 ферромагнитного материала (кипера) для замыкания маг нитного потока по зазору (этот слой кипераможет быть сведен к минимуму и совсем прп малом зазоре отсутствовать), многопроводпой обмотки 3 возбуждения.Замыкание магнитного потока по воздуху в 5 небольшом зазоре при отсутствии кипера приводит к тому, что зтагнитное поле формы сосредоточено в основном в этом зазоре и практически не действует на ТМП запоминаюгцего элемента.20 Ось легкого намагничивания (ОЛН) анизотропной ТМП у элементов первого типа совпадает с окружностями сечений, плоскости которых содержат ось вращения тора,...
Феррйтовый запоминающий элемент
Номер патента: 192861
Опубликовано: 01.01.1967
МПК: G11C 11/08
Метки: запоминающий, феррйтовый, элемент
...отверстий записи, имеет максимум в томслучае, когда ток опроса достигает такой величины, что поток записи разрушается наполовину и поток распределяется после взаимодействия тока опроса при первом считывании 15 с остаточным магнитным потоком записи какпоказано на фиг. 3. При этом перемычки 4 между отверстием опроса и отверстием записи намагничены до насыщения и магнитные потоки делятся пополам, охватывая отверстия 20 попарно, При увеличении тока опроса магнитный поток, охватывающий отверстия опроса увеличивается, вследствие чего в режиме не- разрушающего считывания обратимое изменение потока, сцепленного с выходноц обмот кой, уменьшается, что приводит к уменьшеншосигнала па выходной обмотке. При обратном ходе, т. е. уменьшении...
Магнитный запоминающий элемент с неразрушающим считыванием информации
Номер патента: 193782
Опубликовано: 01.01.1967
Авторы: Ашман, Вычислительной, Крупский
МПК: G11C 11/10
Метки: запоминающий, информации, магнитный, неразрушающим, считыванием, элемент
...считывании 1 (фиг. 1, а) и0 (фиг, 1, б) .Векторы магнитных потоков в перемычках8 (фиг. 2, а; 2, в) и 9 (фиг. 2, б, 2, г) между Хранение 1 соответствует намагничиванию магнптопровода вокруг отверстия 3 до состояния остаточной индукции Вг (поток Ф и на фиг. 1, а). Хранение 0 соответствует размагниченному магнитопроводу вокруг отверстия 3 (Ф.ч - 0) .При подаче гока опроса 10 в шину б вокруг отверстия 2 создается опросный поток Ф 0. Если элемент хранит 1, суммарный вектор потока Ф, в перемычке поворачивается, и вектор потока Фуменыпается (фиг. 2, а). Прп взаимодействии потоков Фи Фр в перемычке 9 вектор потока Фр увеличивается на величину АФр 1 (фиг, 2, б), и в обмотке 7 индуктпруется сигнал 1,. По окончании тока 7 п процесс повторяется в...
Запоминающий элемент
Номер патента: 194884
Опубликовано: 01.01.1967
Автор: Ашман
МПК: G11C 11/14
Метки: запоминающий, элемент
...ема выполнена в виде замкнуитных пленок, соединенных с роны и нанесенных на три изоводника, один из которых слуиси (чтения), а два других обзапрета (опроса). редмет из етения аемыи эле- поперечное иг. 1 изображен предлбщий вид; на фиг, 2 - е На ф тент, о ечени Три рытыизолированных проводник ферромагнитными пленка 1,2 идпои 4, 5 и б. Известн ляцией ма которых и сования и воды таки ной, а упр величину. 2Пленки соединены с внутренней стороны и образуют единую магнитную систему. Проводник 1 служит шиной записи (чтения), а проводники 2 и 8 являются ветвями обмотки опроса (запрета). Шина записи (чтения) изогнута таким образом, чтобы была возможность соединения числовых линеек в матрицу.Проводники могут иметь не только круглое, но и,...
Магнитный запоминающий элемент
Номер патента: 201769
Опубликовано: 01.01.1967
МПК: G11C 11/08
Метки: запоминающий, магнитный, элемент
...Магнитный запоминающий элемент с неразрушаемым считыванием информации, содержа Известен магнитный запоминающий элемент с неразрушаемым считыванием информации, содержащий обмотки записи, опроса и выходную обмотку и выполненный на сердечнике с тремя отверстиями, причем ось одного из крайних отверстий перпендикулярна осям остальных отверстий. Описываемый элемент отличается тем, что для уменьшения помехи па выходной обмотке при записи, а также для получения фазового различия сигналов единицы и нуля выходная обмотка пропущена через указанное крайнее отверстие, обмотка опроса - через другое крайнее отверстие, а обмотка записи пронизывает среднее отверстие сердечника. На чертеже изооражен предлагаемый элемент.Сердечник 1 предлагаемого...
Запоминающий элемент
Номер патента: 204372
Опубликовано: 01.01.1967
МПК: G11C 11/06
Метки: запоминающий, элемент
...проходит ток неразрушающего считывания 1 Р.Запись, например, единичной информации осуществляется пропусканием только тока 1, представляющего собой затухающие колебания. При этом индукция и поток в тороидальном контуре уменьшаются до значения, близкого к нулю. Пластина 1 размагничивается, Отсутствие внешнего поля, воздействующего на материал, приводит к тому, что его электрическое сопротивление уменьшается до значения ж Д.Если теперь пропустить ток 1 то с сопротивления Р будет снят полезный выходной сигнал Оси, тЗапись нулевой информации осуществляется одновременным пропусканием тока 1 г и 1 х. В этом случае в тороидальном контуре устанавливается определенный поток Ф. Его воздействие на материал 3 приводит к значительному увеличению...
Магнитный запоминающий элемент
Номер патента: 206641
Опубликовано: 01.01.1968
МПК: G11C 11/10
Метки: запоминающий, магнитный, элемент
...из методов выборочной записи). Хранение О может быть, в частности, осущест влено таким состоянием информационногрмагнитопровода, при котором его нижняя половина (ниже отверстий 4 и 5) намагничивается против часовой стрелки, а верхняя часть (выше отверстий 4 и 5) - по часовой 10 стрелке. При этом суммарный информационный поток = О. Для записи такого состояния О могут быть использованы одна или несколько дополнительных обмоток 7.Перед включением элемента в схему его 15 рабочий магнитопровод, замыкающийся вокруг остверстия 3, намагничивается до насыщения, и рабочий поток сохраняется в течение всего времени эксплуатации элемента.При неразрушающем считывании 1 ток 20 опроса меняет (модулирует) магнитное сопротивление участков, прилегающих...
Магнитный запоминающий элемент
Номер патента: 206642
Опубликовано: 01.01.1968
МПК: G11C 11/08
Метки: запоминающий, магнитный, элемент
...отверстие 5 и дополнительный магнитопровод б, соединенный с информационным магнитопроводом (средняя перемычка на фиг. 1). Принцип действия элемента основан на перераспределении информационного потока между двумя параллельными ветвями. После записи информации поток Фзамы кается главным образом через модулируемыймагнитопровод (левая перемычка), При этом длина магнитопровода б вьбирается такой, чтобы при записи информации он существенно не на магничивался.20 При считывании информации магнитное сопротивление модулируемого магнитопровода под действием тока опроса возрастает, и в информационном магнитопроводе возбуждается размагничивающее поле Но, Однако вели чина этого поля мала, так как возрастаниесопротивления контура, по котому...
Магнитный запоминающий элемент
Номер патента: 213922
Опубликовано: 01.01.1968
МПК: G11C 11/10
Метки: запоминающий, магнитный, элемент
...элемент обеспечивает повышенную экономичность опроса и компенсацию помехи от записи.Это достигается тем, что сердечник имеет два средних взаимно параллельных отверстия и два крайних взаимно параллельных отверстия, оси которых перпендикулярны осям средних, При этом обмотка записи пропущена через два средних отверстия в противоположных направлениях, выходная обмотка пропущена через два средних отверстия в одинаково/м павия предлагаемого элемента распределении информацион213922 Предмет изобретения Составитель А. А. Соколов Редактор И. Корченко Тскред Т. П. Курилко Корректоры: 3, И, Тарасова и И. Л. КирилловаЗаказ 1391/7 Тираж 530 Подписное1 Ц 1 ИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Центр, пр....
Магнитный запоминающий и логический элемент
Номер патента: 220313
Опубликовано: 01.01.1968
Автор: Титов
МПК: G11C 11/08
Метки: запоминающий, логический, магнитный, элемент
...импульсов возбуждения и восстановления (разумеется, с амплитудами, достаточными для персмагничивания по всей длине стержня), состояния, приведенные на фиг, 2 и 4, будут сменять друг друга, не вызывая сигнала на выходной обмотке 9, намотанной так, как это показано на фиг, 3 и 4.Однако, если одновременно с действием импульса возбуждения по входной обмотке 10 подать управляющий ток указанного на фиг. 5 направления, то для переключения магнитного потока по верхнему рабочему стержню будут созданы более благоприятные условия, в результате чего большая часть потока, перекл 1 очсиная источником потока, замкнегся именно через этот стержень (см. фиг. 5). В этот момент на выходной обмотке 9 будет иметь место сигнал, определяемый разностью...
Запоминающий элемент
Номер патента: 237933
Опубликовано: 01.01.1969
Авторы: Млин, Проскурин, Сулханоб
МПК: G11C 11/08
Метки: запоминающий, элемент
...по разрядной шине 4 подается такой же по амплитуде ток подмагничивания, равный току 1, /2 ого или иного напряжения. Таким ооразомпо шинеподается сумма, двух токов:11 -- ,и +зп 2д по шине 4 -ток 72=:,2 . Если направления токов 11 и/2 совпадают с указанными на фиг. 2 (при загиси 1), то первый тор окажется полностью рязмагничснным убывя;огцим синусоидальным полем, поскольку по отношечию к этому тору постоянныс составл 11 ющие токови 12 комгенсируют друг друга. Второи тор, по опношению к которому постоянные составляющие токов 11 и 12 сммируются, окажется в насыщенном состоянии.По ооняиц действ;1 я токов записи индмкция первого тора будет равна 0, индукция вторсго - +Бр. Под действием тока считывания сигнал с первого тора будет больше, чем...
Запоминающий элемент
Номер патента: 239386
Опубликовано: 01.01.1969
Автор: Цветков
МПК: G11C 11/14
Метки: запоминающий, элемент
...в протцвофазном состоянии.Толщина диэлектрического слоя а отделяющего шину считывания 5 от подложки 1 с пленкой считывания 2, существенно меньше суммарной толщины аа диэлектрических слоев, отделяющих эту же шину от подложки 3 с пленкой 4,В момент подачи в шину 5 импульса тока считывания 1, (фиг, 2, а) в обеих подложках 1 1 3 возникнут противоположно направленные токи возврата 1, и 12. расположенные зеркально относительно шины 5. Так как шина 5 гальванцчески связана подложками 1 ц 3 с помощью согласующего резистора, то возникшие в указанных подложках вихревые токи не будут растекаться по нцм, затухая со временем, а образуют замкнутый контур с шиной 5. Ток 1, будет больше тока 12 и будет увеличиваться с уменьшением велечцны а 1, В...
Запоминающий элемент
Номер патента: 242975
Опубликовано: 01.01.1969
Авторы: Волчков, Иноземцев, Рахматулин, Сосульников
МПК: G11C 11/50
Метки: запоминающий, элемент
...на контакты второго сегмента. На чертеже показан описываемый элемент.На внутренних поверхностях колбы, состоящей из двух полусфер 1, нанесены профильные разомкнутые контакты 2, например, (в виде парных Архимедовых спиралей, уложенных друг в друга и не имеющих электрического контакта). На одной из пар нанесена методом вакуумного осаждения тончайшая пленка 3 более легкоплавкого металла (в колбе поддерживается высокий ва закорачивающая контакты.При подаче электрического импульса достаточной длительности и интенсивности при соблюдении некоторых соотношений между толщиной спиралей, расстояниями между ними толщиной пленочного покрытия происходит полное вакуумное испарение и осаждение последнего на противоположную пару контак тов, В...
Запоминающий элемент
Номер патента: 244405
Опубликовано: 01.01.1969
Авторы: Афанасьев, Ицкович, Левицкий, Шахмейстер
МПК: G11C 11/06
Метки: запоминающий, элемент
...идеализированными характеристииками ферромагнитных сердечникон с ППГ (фиг. 2).Так, в начальный момент магнитное состояние сердечников будет соответствовать рабочим точкам (помечены крестиками). При отсутствии сигнала Е(Е=О) с выхода ПУС на обмотки сердечников Сг и Сп подается напряжение. Для определенности положим, что лолярность этого напряжения таиова, что рабочие точки сердечников будут перемещаться вверх,по характеристике. Очев 1 идноперовым войдет в насыщение (+Вцик, ) сердечник Сг при этом сработает ПУС и;поменяет полярность напряжения И, С этого момента сердечники С т и С и будут перемагничиваться в другую сторону, рабочие точки будут перемещаться;вниз, и первым войдет в насыщение ( - Вкзс ) сердечник Сп. При этом ПУС (вновь...
Ферритовый запоминающий элемент
Номер патента: 259963
Опубликовано: 01.01.1970
Авторы: Вахмистров, Живулин
МПК: G11C 5/08
Метки: запоминающий, ферритовый, элемент
...конструкция ферритового запоминающего элемента; на фиг. 2 изо бралкена числовая линейка на основе предлагаемой конструкции магнитного элемента.Запоминающий элемент выполнен на плоской многоотверстной ферритовой пластине 1. Через отверстие 2 пропущены обмотка 3 запи- зп си и выходная оомотка 4. Через одну пару отверстий 5 и другую пару отверстий б, расположенную симметрично первой паре отверстий относительно отверстия 2, пропущена обмотка 7 опроса. Обмотка опроса пронизывает отверстия каждой пары 5 и б в противоположных направлениях.Как видно по фиг. 1, поток опроса ро взаимодействует с информационным потоком практически по всему объему последнего (заштрихованная область на фпг, 1), что приводит к наиболее эффективному воздействию...
Запоминающий элемент
Номер патента: 262965
Опубликовано: 01.01.1970
МПК: G11C 11/06
Метки: запоминающий, элемент
...3. Так как шина 2 проходит через сердечник 4 в направлении, противоположном направлению прохождения ее через сердечник 3, то под действием тока 1 сердечник 4 перемагничивается из состояния 1 (если была ранее записана 1) в состояние О, и в выходной обмотке, наводится считанный выход ной сигнал 1.При записи 1 в разрядную обмотку записи подают импульс тока записи 1 т,который в сумме,с током 1, в шине 2 перемагничивает коммутирующий сердечник 3 в состояние 1.При этом шина 7 и виток связи 5, б прошиты через сердечник 4 таким образом, что ток 1 и ток 1;наведенный в витке связи при перемагничивании сердечника 3, воздействует на сердечник 4 в сторону считывания, и запо минающий сердечник 4 не перемагничивается,так как он уже перемагничен в...
Ассоциативный запоминающий элемент
Номер патента: 265953
Опубликовано: 01.01.1970
МПК: G11C 15/02
Метки: ассоциативный, запоминающий, элемент
...В = - В, . Первоначальное состояние обеспечивается тем, что одновременно с подачей в 1-ю шину записи импульса тока записи в следующую по порядку 2-ю шину записи подается импульс тока стирания 1 который переводит все сердечники на 2-й шине записи в первоначальное состояние В,. Токи записи и стирания подаются через кольцевой распределитель, который после каждой операции подачи импульсов 1, и 1, последовательно сдвигается на один шаг (т, е. подключает на запись 2-ю шину записи и на стирание 3-ю и т. д,), Таким образом, после одного полного оборота кольцевого распределителя (и - 1)-я пара сердечников будет переведена в необходимые состояния намагниченности, а и-я пара получит только импульс стирания, и далее при необходимости непрерывной...
Запоминающий элемеит
Номер патента: 267119
Опубликовано: 01.01.1970
Авторы: Горанский, Звездин, Твитно
МПК: G11C 11/42
Метки: запоминающий, элемеит
...магнитооптических запоминающих устройствах,Известно выполнение запоминающего элемента (ЗЭ) магнитооптического запоминающего устройства (ЗУ) в виде прозрачной подложки и нанесенной на нее прозрачной пленки, изготовленной из ферромагнитного материала, обладающего температурой компенсации (Т,).Для работы магнитооптического ЗУ на указанных элементах необходимо, чтобы их Т были близки друг другу (допускаемый разброс от элемента к элементу меньше 0,5).Это предъявляет жесткие требования к технологии изготовления магнитной пленки запоминающих элементов, так как небольшие изменения состава материала и наличие дефектов и неоднородностей .приводят к изменению Т При работе такого ЗУ необходимо поддерживать температуру подложки при Т, с...
Магнитный запоминающий элелен1
Номер патента: 273283
Опубликовано: 01.01.1970
Автор: Цогоев
МПК: G11C 11/08
Метки: запоминающий, магнитный, элелен1
...через 2крайние отверстия 2 и 4, Адресный про.водник б проходит через все три отверстия,причем через крайние отверстия 2 и 4 - водном направлении, а через среднее отверстие3 в в обратном.Запись информации в элемент производцтся следующим образом (фиг. 2). По адресному проводнику б пропуска 1 от два импульсатока адресной записи 1, имеющие противоположные полярности,Одновременно с ними по разрядному проводнику 5 пропускают импульс разрядноготока гр, полярность которого определяет загшсываемый в элемент код информации (1илп 0).Информация в элементе хранится в видеостаточной намаггшчеиности материала пластины вокруг крайних отверстий 2 и 4.Неразрушающсе считывание информацииосуществляется при пропускании по проводнику б импульсов тока...
Запоминающий элемент
Номер патента: 274161
Опубликовано: 01.01.1970
Авторы: Киевский, Манжело, Мартынюк, Плахотный, Самофалов
МПК: G11C 13/00
Метки: запоминающий, элемент
...1 показан общий вид запоминающего элемента; на фиг. 2 - схема включения; на фиг. 3 - зона поляризации генераторной секции элемента при записи сигнала определенного уровня,Запоминающий элемент состоит из сегнетокерамической секции возбуждения 1 и секции генератора 2 с нанесенными на них металлическими электродами 8 - б. Секции выполнены переменнои толщины н соединены так, что общая толщина Н (см. фиг. 3) элемента постоянна. В такой конструкции электрод 8 расположен в монолите элемента наклонно. На 5 противоположные грани элемента нанесеныэлектрод возбуждения 4 и выходной электрод б. Со всеми электродами соединены проводники-выводы б, Секция возбуждения 1 жестко поляризована прн изготовлении элемента, 10 Секция 1, подключенная к генератору...
Запоминающий элемент на моп-транзисторах
Номер патента: 277856
Опубликовано: 01.01.1970
Автор: Карахан
МПК: G11C 11/40
Метки: запоминающий, моп-транзисторах, элемент
...транзистора 4 и стоковой области транзистора 2. Запоминающий эле мент имеет вход 9 для подачи восстанавливающего сигнала. Описываемый элемент не требует постоянного источника питания,Открытое состояние одного из транзисторов 1 или 2 и закрытое состояние другого поддерживаются за счет наличия или отсутствия заряда на паразитных конденсаторах 7 и 8 благодаря подаче на вход 9 восстанавливающих сигналов медленно нарастающего и медленно спадающего напряжения (цепи записи информации в запоминающий элемент и цепи считывания на чертеже не показаны).Предположим, что транзистор 1 открыт, а транзистор 2 закрыт. Такое состояние запоминающего элемента может сохраняться, если паразитный конденсатор 7 заряжен, а паразитный конденсатор 8 разряжен. Если...
Запоминающий элемент
Номер патента: 283307
Опубликовано: 01.01.1970
Авторы: Гусаков, Ильчинский, Орлов
МПК: G11C 11/40
Метки: запоминающий, элемент
...элемента является низкое быстродействие и высокие гребования к разбросу параметров транзисторов.С целью повышения быстродействия и сникения требований к разбросу параметров транзисторов, в предложенном запоминающем элементе дополнительно установлен транзистор, исток которого подключен к одному выходу триггера и к стоку транзистора записи, затвор - ко второму выходу триггера, а сток - к шине считывания.На чертеже представлена схема запоминающего элемента, который состоит из триггера, выполненного на транзисторах 1 - 4, транзистора записи б и дополнительного транзистора б, исток которого подключен к выходу 7 триггера и стоку транзистора 5, затвор - к выходу 8 триггера, а сток - к шине считывания 9.Элемент работает следующим...
Запоминающий элемент
Номер патента: 284043
Опубликовано: 01.01.1970
Автор: Алексеев
МПК: G11C 11/38
Метки: запоминающий, элемент
...12,Иметь такой высокий уровень пока записи, как указано на фнг. 2, с одной стороны, желательно, так как это гарантирует запись 1 в любой выбранный элемент, а с другой стороны, это недопустимо, потому что может произойти,пробой пе 1 рехода пуйнелыного диода 1.Данная схема юбеспечивает высю 1 кий уровень така зап 1 иси и о 1 дно 1 времеоно исключает возъюиность пробоя туннелыного дирда 1, так как транзиотор 3, закрьиваетоя, как тюлыко диод 1 .переключится в сОетаяаие низк 1 ой проводи мости.Если оаин из двух токов выборки отсутетвует,например, ток выбории числа), то через транзистор 3, а следовательно, и черсз тчннельный диод 1, ток,помейн протекать не будет, так как переход база-эмнтте 1 р транзистора 3 закрыт, т, е. при вы(бюрке...