Толутис — Автор (original) (raw)
Толутис
Устройство для вибрационного старения металлических изделий
Номер патента: 1629327
Опубликовано: 23.02.1991
Авторы: Вилис, Габшявичюс, Толутис
МПК: C21D 1/04
Метки: вибрационного, металлических, старения
...позволяет компенсировать наведенную ЭДС в одмагничивающих обмотках, а тем самым обеспечивает возможность установки нейтрального положения якоря по отношенио к сердечникуи дает возможность выбирать наиболеевыгодный режим колебаний. Также притаком нагружении вала не так существенна мощность вибровоэбудителя, таккак режим вибрации в условиях резонанса обеспечивает возникновение в вале высоких амплитуд динамических напря 1 б 29327жений, что существенно влияет на перераспределение остаточных напряжений второго и третьего рода во всем объеме материала. Кроме того, для качест-,5 венной виброобработки требуются малые вибрационные нагрузки с коротким воздействием, поэтому можно использовать вибровозбудители с меньшей вынуждающей силой, выигрывая...
Оптико-акустический микротвердомер
Номер патента: 1612239
Опубликовано: 07.12.1990
Авторы: Вилис, Габшявичюс, Крягжде, Мицкис, Оксас, Романов, Толутис
МПК: G01N 3/42
Метки: микротвердомер, оптико-акустический
...установлены стержень13 направляющая шайба 18 с,выступом.Катушка 19 соленоида болтами 20 прикреплена к крышке 17. На верхнюючасть шайбы 14 установлены грузки 21,Корпус 8 акустического датчика при-, 50креплен к корпусу оптической системы22, которая перемещается на направляющих микротвердомера ПМТвместомикроскопа,Оптическая система состоит из 55прИзмы 23 полного внутреннего отражения с отверстием, длиннофокусногозеркально-линзового объектива 24 Норманского с отверстием, осветительного параболического зеркала 25 и окуляра 26, Магнитострикционный стержень1 проходит через отверстие в призме23, отверстие в объективе 24 и совпадает с его оптической осью. Вершинаиндентора постоянно находится в Фокусе оптической системы, но прямой механической...
Устройство для измерения твердости
Номер патента: 1597687
Опубликовано: 07.10.1990
Авторы: Вилис, Крегжде, Саяускас, Толутис
МПК: G01N 3/40
Метки: твердости
...катушки 5 возбуждения магнитострикционный стержень 1 изменяет свою длину(например, в случае никелевого стержня 1 длина увеличивается) пропорционально току через катушку 5 возбуждения. При этом, так как стержень 4 жестко связан боковой поверхностью с магнитострикционным стержнем 1 (фиг,1), последний изгибается (для никелевого стержня 1 в сторону второго стержня 4). Вследствие этого при некотором значении тока через катушку 5 возбуждения индентор 3 касается контролируемой внутренней поверхности испытуемой детали, что фиксируется по скачкообразному уменьшению напряжения на пьезопреобразователе 6, обусловленному снижением добротности акустической системы и регистрируемому индикатором 10, Затем увеличивают ток через катушку возбуждения на...
Устройство для определения параметров электромагнитных волн в твердом теле
Номер патента: 1244574
Опубликовано: 15.07.1986
Авторы: Толутис, Эберсонас
МПК: G01N 22/00
Метки: волн, параметров, твердом, теле, электромагнитных
...9.Устройство для определения параметров электромагнитных волн в твердом теле работает следующим образом. Зонды 1 и 2 размещены сооснои паралелльно противоположным плоскостям пластины 6 из полупроводника (1 пБЬ), Сигнал, от высокочастот ного генератора 3 поступает на возбуждающий волны зонд 1, а переданный волнами сигнал индуцируетсяФзондом 2 и через усилитель 9 и детектор 4 поступает на регистратор5, например, на вход двухкоординатно"го самописца. На детектор 4 черезаттенюатор 8 также поступает опорный сигнал фиксированной .фазы, К входу М. самописца подключен датчик7, выдающий постоянное напряжение,пропорционапьное сдвигу зондов 1 и2 относительно пластины 6 вдоль коор" динаты х. В процессе измерений взаимносоосные скользящие зонды 1...
Акустический способ измерения микротвердости
Номер патента: 1231430
Опубликовано: 15.05.1986
Авторы: Вилис, Квядарас, Крягжде, Лукштас, Толутис, Чюплис, Шумакарис
МПК: G01N 3/40
Метки: акустический, микротвердости
...1(Оь)Бки; о гта)Генподер)(иваюпая и 5 я 11)5)1 як)1; я сто;жень 12 нейлоновая Гайбя 7 с направляюг)м Выступо)1, ,Гтук) ",.,)ГсОиця болтаиО пр:)кр:-:.,.:)е:,я кР О НЯ д "рхнюю) Я" чь,),устанавливают; ) Грузики 2, Корн :.7 ЯКУСтИЧЕСКОГО ДЯТЧИКЯ ПРИКРСП 1 К ВЕРХЕМУ К 011 ГТЕЙГ( . 1;Х)3., НЯГРУ)ЕНЯ МБК)РОТ 3 ЕР)С);Р Я 1., 1 Я 1 и Ь Ч 0 С Ч )-" ;Ви(;, ) НЫ. ) .,1) ),)1):0.)ач,; ) Г ротив Ясовой сгрелки.;Сч;.: )Вкой ня верхнюю часть ьай1 зи.( 2.3;)а)е.п ем крепеж,;)1 . С с:;,:,:ОНЬМ СЧЕР)1(Н М 111,.че рг ) ".Озб 5)ч(.а)т резонянч,)ч (оР , Пь со,яндым цепи обрат"-"б")веной чьР)зопреО ) О "3)В ".:.;ем .) . уигитслем 2 ч моцУ О",ВОЗО)Г,;);ЕНИЯ, 6,М -темы, определяемое активной частью импеданса зоны контакта, значительно выше вследствии...
Невзаимное устройство
Номер патента: 949744
Опубликовано: 07.08.1982
Авторы: Пожела, Толутис
МПК: H01P 1/32
Метки: невзаимное
...кристалла, ось катушки 2 связи совпадает с направлением х, составляющим угол схс указанной осью анизотропного кристалла, а углы о р Ы,с удовлетворяют условию для компонейт 6 тензора электропроводности материала полупроводниковой пластины 1949744 Формула изобретения 6 / , Х 2( 2 Х) 2 УИ 3 х) Составитель А.Кузнецоваедактор М.Янович Техред М. Надь Корректор Г.Огар 65/44 ВНИИПИ Гос по делам 113.035, Мож 630 Подписноенного комитета СССРений и открытий35, Раушская наб д. 4/ каз Тир арств зобре ва, Ж елиал ППП "Патент", г.ужгород, ул.Проектна Невзаимное устройство работает следующим образом.При поступлении сигнала на катушку 2 связи в присутствии постоянного магнитного поля ВО, создаваемого магнитной системой 4 вдоль направления Е, в...
Способ изготовления фольг и микрошлифов и устройство для изготовления фольг и микрошлифов
Номер патента: 928188
Опубликовано: 15.05.1982
Авторы: Вилис, Толутис, Чюплис
МПК: G01N 1/32
Метки: микрошлифов, фольг
...поскопьку изделия, прижатые к шпифовапьной шкурке, вращаются вместе с ней.Еспи на втупку 12 начать навинчивать копьцо 23, то под воздействием пружины,24 начинают соприкасаться тормозные диски 25 и 26, вспедствие чего притормаживается вра-. . щение рамки 17. Издепияначинают.проскапьзывать относитепьнофшпифовапьной шкурки и под воздействием сип трения и разности вепйчины.окружнъж скоростей начинают вращаться вокруг осей держатепей 18. Скорость вращения рамки 17 при атом меньше скорости вращения рабочего диска 1. Еспи, прворачивая кронштейн 8 в сторону, сместить ось вращения рамки 14 относитепьно оси вращения рабочего диска 1, но,не притормаживать вращения рамки 17, то одновременно.с вращением издепия вокруг осей держатепей, они...
Способ бесконтактного определения зонной структуры полупроводников
Номер патента: 559197
Опубликовано: 25.05.1977
Авторы: Пожела, Толутис
МПК: G01R 31/265, H01L 21/66
Метки: бесконтактного, зонной, полупроводников, структуры
...максимальномузначению поперечной составляющей интегрального потока В 4 переменной магнитной индукции. По зависимости Н от угла Я между направлениями Н и одйим из кристал лографических направлений определяют особенности зонной структуры и компоненты тензора подвижности носителей заряда,По технической зависимости Н= (ф могут быть определены особенности зонной фо структуры и компоненты тензора подвижноо. ти электродов в отдельной изоэнергетической долине, электронного твердотельного -.плава 33 Ь (см. фиг. 2), Образец ыл вырезан в виде куба с плоскостями, перпендикулярными к бинарному, тригональному и биссекторному направлениям.Измеряемые значения Н как известно, обратно пропорциональны эффективным циклотролным подвижностям...
Амплитудный модулятор
Номер патента: 540342
Опубликовано: 25.12.1976
Авторы: Паулавичюс, Пожела, Толутис
МПК: H03C 1/48
Метки: амплитудный, модулятор
...1 параллельна кристаллографической плоскости раствора, источник постоянного магнитного поля, представляющий собой постоянный магнезит 2, источник управляющего магнитного поля, выполненный в;виде двух гельмгольцевых катушек 3, входную и выходную цепи, образованные соответственно двумя окрещенными катушками индуктивности 4 и 5 с взаимно перпендикулярными осями, которые охватывают иластину 1.5 Постоянный магнит 2 создает в зазоре постоянное магнитное поле, перпендикулярное пластине 1. Модулируемые колебания поступают на катушку индуктивности 4 и возбуждают в пласлине 1 размерный резонанс цир кулярно поляризованных геликонных волн,которые индуцируются катушкой индуктивности 5 и поступают на выход амилитудного модулятора. Модуляция...
Способ определения скорости роста кристаллитов
Номер патента: 472682
Опубликовано: 05.06.1975
Авторы: Бертулис, Станкевичус, Толутис
МПК: B01J 17/00
Метки: кристаллитов, роста, скорости
...линии Л - Л (фиг. 1) производят кратковременный локальный нагрев выше температуры начала рекристаллизации (280 в 2 С), Луч создают пушкой электронов высоких энергий электронографа (типа ЭГЛ) при 0=80 кв. Диаметр луча 80 - 100 мкм.Приготовленную подложку с материалом одним концом крепят в специальном держателе - нагревателе, обеспечивающем жесткое крепление подложки по отношению к двум радиационным нагревателям, Приспособление для крепления одновременно используют для отвода тепла. Свободный конец подложки нагревают одним стержневым радиационным нагревателем, расположенным на высоте 10 - 12 мм от подложки параллельно полоскам материала. Другим радиационным нагревателем большой площади, расположенным параллельно подложке на высоте 12 -...
Способ определения параметра анизотропии в полупроводниках
Номер патента: 442441
Опубликовано: 05.09.1974
Авторы: Пожела, Толутис
МПК: G01R 31/00
Метки: анизотропии, параметра, полупроводниках
...способу, в плоскости образца возбуждают высокочастотное электромагнитное поле, пндуцируют возникающий в той же плоскости поток высокочастотной магнитной индукции в направлении, перпендикулярном возбуждаемому магнитному полю, по зависимости которого от угла между направлением индикации и кристаллографическим направлением в плоскости образца устанавливают соотношение минимального г 1)мнн и максимального Фмлнс потоков. Параметр анизотропии определяют по максимальному значению величины442441 Составитель Ю, Николаев Техред В. Рыбакова Корректор Н. Лебедева Редактор Т. Орловская Заказ 1963/5 Изд. Мо 462 Тираж 679 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, )К, Раушская наб.,...
Способ бесконтактного измерения коэффициента холла в полупроводниках и металлах
Номер патента: 438946
Опубликовано: 05.08.1974
Авторы: Пожела, Ряука, Толутис
МПК: G01R 31/265, H01L 21/66
Метки: бесконтактного, коэффициента, металлах, полупроводниках, холла
...в виде тонкой плоскопараллельной пластинки толщи ной д, примерно в 5 раз меньшей других размеров, Обычно пластинке придают форму квадрата, Если материал анизотропен или квазианизотропен, плоскости пластинки выполняют параллельными кристаллографичес ким плоскостям, в которых проводимость изотропна, т. е. компоненты теизара электропроводности Ьи Л, соответствующие любым перпендикулярным направлениям О, и Ов плоскости образца, равны (Я=Я). Напри мер, для л - бе это плоскости (100). Образецпомещают в постоянное магнитное поле Во, перпендикулярное плоскостям образца. Величину Во подбирают такой, чтобы выполнялось условие Во) р -(или просто увеличивают 25 до возникновения незатухающих колебаний).При Во) р- в образце могут распространяться...
Устройство для бесконтактного определения параметров полупроводников и полуметаллов
Номер патента: 425140
Опубликовано: 25.04.1974
Авторы: Ордена, Пожела, Толутис
МПК: G01R 31/26, H01L 21/66
Метки: бесконтактного, параметров, полуметаллов, полупроводников
...+ (фмин(фмакс) тактная колодка 2 б, штеккерная часть 27, контактный разъем 28, коаксиальные кабели 29 и 30.При работе с устройством включается электромагнит, между полюсами которого возбуждается постоянное магнитное поле В. От генератора 1 электрический сигнал высокой частоты через коаксиальные кабели подается в катушку возбуждения 9, Возникающее внутри катушки 9 переменное магнитное поле В в присутствии постоянного магнитного поля В возбуждает в образце магниточлазменные волны круговой поляризации ,волновой вектор К//В). Магнитные составляющие магнитоплазменных волн возбуждают в индикационной катушке 7 э.д.с. высокой частоты, которая подается через коаксиальные кабели 30 в детектирующий блок 3, Относительная величина э.д.с....
Ионотрон
Номер патента: 376806
Опубликовано: 01.01.1973
Авторы: Толутис, Чеснис
МПК: G11C 11/35
Метки: ионотрон
...изобретения ставитель ЕТехред Т,ваневв рилко Утехи ректор А Степанов едак Заказ 1553/14 Изд.410 Тираж 576 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открьпий при Совете Министров СССРМосква, Ж, Раушская наб., д. 4/5 пография, пр. Сапунова, 2 Ионотрон, содержащий невыпрямляющий контакт, выпрямляющий контакт и р аспол оженные между ними слой селена, нелегированного серебром, и слой легированного селена, отгичающийся тем, что, с целью повышения стабильности его работы и увеличения срока службы, невыпрямляющий контакт через дополнительно введенные слой кадмия и слой селена, легированного серебром, соединен со слоем,нелегированного селена, а слой селена, 5 легированного серебром, через дополнительновведенный слой кадмия соединен с...
Всесоюзная
Номер патента: 375162
Опубликовано: 01.01.1973
Авторы: Вилис, Лукштас, Толутис
МПК: B24B 21/04, B24B 37/04
Метки: всесоюзная
...может колебаться вокруг оси 20. Хомутик 19 имеет упоры 21, в которые входит рычаг 22 муфты 13, и съемный упор 23, который входит в специальный продольный паз верхней колодками. Последняя через подшипник 24 плоской пружиной прижата к обрабатываемой детали 25, установленной на нижней плите 2 б.Крепление детали можно производить различными способами в завиоимости от того, какие образцы будут обрабатываться. При обработке четалей толщиной 0,1 - 0,08 атлт на нижней члите приклеивается кусок наждачной бумаги с более крупным абразивным зерном чем рабочая абразивная лента. Во время373162 Составитель В. ВоробьевТ. Ларина РедактоТехредорректор Курилко Стел ьма Заказ 1793/3 Тираж 826ЦНИИПИ Ком изобретений иСовете Мини Москва, Ж.35, Ра...
§сооюзндgt; amp; 1
Номер патента: 368646
Опубликовано: 01.01.1973
Авторы: Алексеюнас, Толутис, Чеснис
МПК: G11C 11/35
Метки: §сооюзндgt
...в селеннд серебра, изменяя темсамым форму вольтамперцой характеристики цоцотроца, Под воздействием отрицательного (минус - ца э,гсктроде, имеющем контакт с селецом) формирующего напряжения ионо трон переходит в крайнее состояние, в котором оц имеет наибольшее сопротивление и наибольшую асимметрию проводимости (А.ца фцг. 2). Под воздействием импульса положительггого напряжения (на вышеуказанном 25 электроде подан плгос), имеющего определенные (критические) амплитуду и длительность, цоцотрон из состояния с наибольшим сопротивлением переходит в другое крайнее состояние, где оц игпсет вгецьшее сопротивление и 30 меньшую асимметрию проводимости (Б, наТехред Т. Миронова Редактор Л. Утехина Заказ 610 г 7 Изд.169 Тираж 576 ПодписноеЦНИИПИ...
Датчик для бесконтактного измерения концентрации носителей тока в полупроводниках
Номер патента: 397858
Опубликовано: 01.01.1973
МПК: G01R 31/26, H01L 21/66
Метки: бесконтактного, датчик, концентрации, носителей, полупроводниках
...концентрации,носителей тока по объему часто не бываст равномерным, поэтому цзмсрснцые величины дают картину интегральной концентрации.В случае малых исследуемых образцов измеренные значения более близки к локальной концентрации. Смена образцов в датчике осуществляется легко и быстро, благодаря налцчцю в одцои из полосковых линии сдвигасмоц части.На чертеже схематично показан предложенный датчик.Исследуемый образец 1 помещается в отверстие в центре металлического корпуса 2. Всхняя посеребренная полоска - входное устройство 3, к которой присоединен цснтральцыц провод входного кабеля 4, прпклссца к диэлектрической пластинке 5. Подвижная деталь 6 входного устройства, к которой приклеена посеребренная полоска 7, отодвигается в сторону....
Устройство для электролитической обработки образцов
Номер патента: 392146
Опубликовано: 01.01.1973
Авторы: Вилис, Лукштас, Толутис
МПК: C25D 7/06
Метки: образцов, электролитической
...на фотоэлемент 20. При этом подается сигнал в усилитель 21, срабатывает контактор 15, переключая ток с точечных электродов 14 ла плоские 13, зажигается сигнальная лампочка 22. При продолжении электрополировки плоскими электродами 13 наиболее интенсивному утонению будет подвергаться участок образца 2, описанный канавкой. Конец утоления чем в один из патрубков (19) вмонтирован фотоэлемент 20, соединенный с усилителем 21, сигнальной лампочкой 22 и контактором 1 б, а в другой патрубок (18) вмонтированы оптическая система 23 и осветитель 24, соединенный с автотрансформатором 25.Ремень 10 выполнен в виде гибкого изолированного пррвода, служащего для подвода электрического тока к образцу.Устройство работает следующим образом.Образец 2...
Запоминающий элемент
Номер патента: 386445
Опубликовано: 01.01.1973
Авторы: Вител, Толутис
МПК: G11C 11/35
Метки: запоминающий, элемент
...металл - селвн выполнен в виде релаксирующего контакта, например кадмий - селен, с электрическими характеристиками, близкими к характеристикам основного релаксирующего .контакта,Такое выполнение запоминающего элемента позволяет повысить стабильность его работы и увеличить срок службы.На чертеже дана схема описываемого запоминающего элемента.Запоминающий элемент состоит из слояпелена, легированного серебром, основного ре. лаксирующего контакта 2 между селеном и слоем 3 металла, например кадмия, тылового релаксирующего контакта 4 между кадмием и селеном и токовых электродов 5.5 При переводе одного из релаксирующихконтактов запоминающего элемента в крайнее состояние, в котором он обладает, например, наибольшим сопротивлением, другой...
292193
Номер патента: 292193
Опубликовано: 01.01.1971
Авторы: Алексеюнас, Толутис, Чеснис
МПК: G11C 11/35
Метки: 292193
...и выпрямляющегоконтакта 4,15 Эффект, получаемый за счет создания вионотроне дополнительного слоя селена, в котором отсутствует примесь серебра, заключается в следующем. Электропроводность поликристаллических слоев селена, легирован 20 ного серебром, более в чем в 5 10 раз меньше электропроводности слоев нелегированного селена. Благодаря тому, что в ионотронесоздан дополнительный слой нелегированногоселена, имеется возможность уменьшить в25 нем толщину слоя селена, легированного серебром, и, следовательно, уменьшить балластое сопротивление прибора. Так как областьлоя полупроводника у выпрямляющего конакта в предлагаемом ионотроне имеет пониенную проводимость, электрическое поле3формирования сосредоточивается в этой области в случае...
Способ измерения концентрации носителей тока в полупроводнике
Номер патента: 275235
Опубликовано: 01.01.1970
Авторы: Пожала, Толутис
МПК: G01R 35/00
Метки: концентрации, носителей, полупроводнике
...волны в образце /р при данном значении индукции внешнего поля В.Исследуемый полупроводниковьш образец4 помещают в скрещенные катушки: возбуж дения б (вход датчика) и индикации 6 (выход датчика) гелпконной волны. Образец вырезан из полупроводникового монокристалла в виде пластинки толщиной д с параллельными плоскостями, Другие размеры должны быть 25 много больше с/, а их конфигурация значительной роли не играет. Катушки выполнены на твердых каркасах и расположены так, что плоскости их сечения перпендикулярны плоскости образца и между собой. Это позволяет 30 избежать передачи паразитного сигнала от. Г. Карпас Тскред А, А. Камышникова Корректор Т. А. Уманец дак аказ 2888 т 7Ы 1 ИИПИ Компте Тираж 480 о делам изобретений и открытий при...
Высокочастотный трансформатор
Номер патента: 254601
Опубликовано: 01.01.1969
Авторы: Пожела, Толутис
МПК: H01F 19/04
Метки: высокочастотный, трансформатор
...отличающийся тем, что, с целью придания вентильных свойств, сердечник выполнен в виде квадратной полупроводниковой пластинки из монокристалла Хп% п-типа, установленной между полюсами постоянного магнита, а входная и выходная обмотки расположены под углом, близким к прямому, причем их начальные выводы соединены одни с другими через сопротивление, а конечные - накоротко,Изобретение относится к высокочастотнои технике передачи сигналов, в частности к устройствам высокочастотных трансформаторов.Известны высокочастотные трансформаторы, содержащие сердечник, входную и выходную обмотки.С целью придания вентильных свойств в предлагаемом высокочастотном трансформаторе сердечник выполнен в виде квадратной полупроводниковой пластинки из...
Запоминающий элемент-ионотрон
Номер патента: 148277
Опубликовано: 01.01.1962
Автор: Толутис
МПК: G11C 11/35
Метки: запоминающий, элемент-ионотрон
...поле, под действием которого протекает электродиффузия компенсирующих примесных центров. В зависимости от полярности приложенного напряжения соотношение концентрации собственных и компенсирующих примесных центров и запирающем слое или увеличивается илиуменьшается.При данной ьеличице внешнего напряженияна ионотроне через определенный промежу 5 ток времени (время релаксации) устанавливается определенное равновесное распределение прцмесцых центров в запирающем слое,т. е. возникает определенное стабильное состояние цонотрона. Подачей ца иоцотрон им 0 пульсов напряжения различной полярностидопустимо большой величины можно получитьдва различных устойчивых состояния иоцотрона, которые могут быть обозначены 1 и ОВеличина зависит от величины...
Малогабаритная переносная гидравлическая машина для растяжения плоских образцов
Номер патента: 144628
Опубликовано: 01.01.1962
Автор: Толутис
МПК: G01N 3/10
Метки: гидравлическая, малогабаритная, образцов, переносная, плоских, растяжения
...в цилиндры 1. Масло может закачиваться также с помощью насоса, не показанного на чертеже.Под давлением масла поршни 2 с призмой 3 перемещаются влево. Призма давит на тарированную рессору 4, заставляя ее передвигаться с ползуном 5. Так как одна головка образца 14 закреплена в выемке ползуна, а вторая - в выемке неподвижного корпуса 15 машины, то образец будет растягиваться. В ползуне вмонтирован индикаторный механизм 7, с помощью которого можно определять силу растяжения и записывать ес диаграмму, При перемещении ползуна рессора про144 б 28 гибается, передвигая рейку б. При этом поворачивается стрелка механизма, показывая усилие растяжения. Одновременно с этим поворачивается барабан 8, к которому через ролики 9 закреплен тросик 16,...
Способ изготовления матриц из пленочных диодов
Номер патента: 123351
Опубликовано: 01.01.1959
Авторы: Пожела, Толутис
МПК: G11C 11/14, G11C 11/36, G11C 5/02 ...
Метки: диодов, матриц, пленочных
...алюминий. Выпрямляющая же ячейка-диод составляется нз двух тонких мсталлнческих электро дов, разделенных тонким слоем кристаллического селена. Материалом для контактного электрода может служить золото или платина, а для выпрямляющего электрода - алюминий илн магний. Нанесение электродов и 15 селена производится в вакууме порядка10 - 4 - 10-з лтм рт. ст, через соответствующие трафареты. В случае нанесения первыми элек тродных полосок 2 из золота или платины (фиг.2) полоски 8 селена наносятся вдоль по лосок 2. Когда первыми наносятся электродные полоски 4 из алюминия, селен наносится поперечными полосками 3 (фнг. 3).Во время напыления селена температураподложки поддерживается в пределах 60 - 25 70-"С. После напыления селена...