B28d 5/06 — B28D 5/06 — МПК (original) (raw)
Санок для химической резки монокристаллов
Номер патента: 447288
Опубликовано: 25.10.1974
МПК: B28D 5/06
Метки: монокристаллов, резки, санок, химической
...переносят раствор в место реза на монокристалле. Сила, с которой монокристалл автоматио усилия 25 Станок относится к вспомогательному научному оборудованию и относится к устройствам, предназначенным для бездеформационной резки монокристаллов,Известен станок для химической резки, со держащий механизм подачи с рычажным механизмом, на одном плече которого укреплен поворотный стол со съемным кристаллодержателем, а на другом противовес, раму с режущими струнами и приводом возвратно-посту пательного движения, кювету с кислотой для смачивания режущих струн. Постоянный контакт монокристалла со струнами обеспечивается некоторым разбалансом рычага. Однако в известном станке затруднена настройка и 15 поддержание в процессе резки оптимального...
Состав для химико-термического удаления дефектного слоя в отверстиях заготовок точных технических камней
Номер патента: 477000
Опубликовано: 15.07.1975
Авторы: Байков, Вакс, Виноградов, Горшков, Заболотина
МПК: B28D 5/06
Метки: дефектного, заготовок, камней, отверстиях, слоя, состав, технических, точных, удаления, химико-термического
...заготовок точных технических камней после прошивки их лучом лазера затрачивается зна чительное время, Кроме того, из-за малой жидкотекучести расплавленного тетрабората натрия затруднена обработка отверстий малого диаметра, например менее 0,03 мм.Цель изобретения - повышение производи тельности процесса удаления дефектного слоя в отверстиях заготовок точных технических камней после прошивки их лучом лазера. Достигается это тем, что в состав в качестве катализатора введена кальцинированная сода и 20 следующем соотношении, вес. 7 о:Тетраборат натрия 30 - 40Кальцинированная сода 70 - 60 х получены отверстия зера, помещают в укавают до температуры в расплаве до 8 мин,комнатной температувкн промывают в кисло- и шлифуют. Заготовки, в...
Изделие с оптическим эффектом отражения
Номер патента: 481451
Опубликовано: 25.08.1975
Авторы: Васильев, Карантиров
МПК: B28D 5/06
Метки: изделие, оптическим, отражения, эффектом
...4, которыв свою очередь, являются деталями рисунка и вместе с контуром образуют на плоскости (100) определенный. рисунок. Вскрытые по контуру и в теле монокристалла грани точно совпадают с одной или несколькифми основными кристаллографическими плоскостямп и обладают зеркальным блеском,что обуславливает напбольппш эффект отражения света.В качестве ен саин извариантов исп по редлага емому изобретению, Исходный монокристаллв форме круглого слитка разрезают на рядплоских кристаллов, одна из поверхностейкоторых ориентирована любым известнымспособом по одной из основных кристаллографических плоскостей исходного монокристалла. Полученные таким образом плоскиекристаллы шлифуют механическим или химическим способами и полируют до 14 класса...
Устройство для химической резки монокристаллов
Номер патента: 605721
Опубликовано: 05.05.1978
Авторы: Завилинский, Засимчук, Поляченко
МПК: B28D 5/06
Метки: монокристаллов, резки, химической
...включает станицу, лтеханиэм подачп крттстапподержатепя 1 со следящимэлектроприбором, состоящий иэ стопа 2,штока 3, редуктора 4 и электродвигателяподачи 5. На станине расположены каретка6, иесутцая коромыспо 7 весовой системы т 5ц эпектродвигатепь 8, осуществляющий возвратно-поотупатепьцое перемещецие каретки,кривошипнс-шатунного механизма 9 и реечного дифференциала 10, На одцолл плече коромысла эакреппена режущая струна 11, а 20другое его плечо связано с датчиком перемещений 12, На коромысле имеется противовес 13, служащий дпя балансировки весовой системы, и груз 14 задания усилия нажатий режущей струны на моцокристалл. Нарежуцтие струны надеты втулки 15, соединенные эластичными трубками 16 с резервуарол. 17 рабочего...
Способ образования профилированных отверстий в образцах монокристаллов
Номер патента: 618291
Опубликовано: 05.08.1978
Авторы: Катрич, Сидельникова
МПК: B28D 5/06
Метки: монокристаллов, образования, образцах, отверстий, профилированных
...осуществляют следующим образом.Рабочую поверхность исходного образца покрывают формообразователем, представляющим собой пластинку из тугоплавкого металла (вольфрама, молибдена и т. и.) с профилированными отверстиями требуемой формы. С целью исключения взаимодействия углерода с материалом формообразователя в процессе высокотемпературного образования отверстий в подложке формообразователь подвергают предварительной карбидизации, что повышает эффективность протекания реакции взаимодействия между окислом металла и углеродом. Карбидизацию проводят путем нагревания его в контакте с графитом в вакууме или инертной среде до температуры, соответствующей наибольшей скорости образования карбидов данного металла. В профилированные...
Способ обработки природных поделочных камней
Номер патента: 657993
Опубликовано: 25.04.1979
Авторы: Анопова, Попугаева, Пушкина, Сычева
МПК: B28D 5/06
Метки: камней, поделочных, природных
...пластин в зависимости от твердости и вязкости камня и желаемого оттепка может быть для таких, как орлец В и лазурит 11 - 6 мм, змеевик 1 - 10 мм, амазонит - 3 - О мм и т. д.После резки камня пластины пропитывают в масле или парафине путем погружения пластин в нагретое до температуры плавлео ния масло или натиркой нагретым до температуры плавления парафином.Для амазонита пропитку предпочтительнее вести в минеральном масле для швейных машин, без подогрева масла, а для таких657993 формула изобретения Составитель Т. Кугель Редактор А. Морозова Техред О. Луговая Корректор А. Гриценко Заказ 1957113 Тнраж 657 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, )К.35, Раушская наб., д. 4/5 Ъилнал ППП...
Состав для химической полировки изделий из монокристаллов тугоплавких окислов
Номер патента: 712249
Опубликовано: 30.01.1980
Авторы: Добровинская, Звягинцева, Литвинов, Пищик
МПК: B28D 5/06
Метки: монокристаллов, окислов, полировки, состав, тугоплавких, химической
...Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Типография, пр, Сапунова, 2 скую решетку и образованием в пределах поверхностных слоев промежуточных соединений, например А 1 Рз для А 120 з.Применение предлагаемого состава обеспечивает сокращение времени, необходи мого для промывки отполированного изделия в 50%-ном растворе кипящей соляной кислоты. П р и м ер 1, Берут порошок буры и сме шивают его с 2% фтористого лития. Моно- кристаллы окиси алюминия полируют этим составом следующим образом,Смесь буры с фтористым литием засыпают в платиновый тигель, помещают впечь, 15 нагретую до 900 - 950 С. В случае необходимости увеличения уровня расплава в тигель досыпают порошок той же концентрации.После расплавления буры с добавкой 20 фтористого лития образцы...
Станок для резки изделий
Номер патента: 841996
Опубликовано: 30.06.1981
Авторы: Примак, Соломко, Таланцев, Троян
МПК: B28D 5/06
...при одностороннем контакте в известных станках, и увеличивает эффективность демпфирования в зоне резания, что позволяет уменьшить величину сколов и увеличить качество обрабатываемой поверхностей отрезаемых пластин, т.е. повысить выход годных пластин, значительно снизить потери дефицитных и дорогих полупроводниковых материалов, обеспечить равномерную нагрузку на режущую кромку алмазной пилы и синхронизировать величину рабочей подачи всех слитков, а следовательно, увеличить размерную стойкость полотна пилы в 1,2-1;5 раза. Станок для резки изделий, преиму- . щественно полупроводников, включающий кольцевую пилу с внутренней режущей кромкой, шпиндель с устройст-, вом натяжения полотна пилы, механизмподачи изделий в направлении,...
Устройство для химической резки кристаллов
Номер патента: 889439
Опубликовано: 15.12.1981
Авторы: Балан, Евпрев, Засимчук, Козицын, Коробка, Овсиенко, Фомин
МПК: B28D 5/06
Метки: кристаллов, резки, химической
...струны 13, стола4 и кристаллодержателя 2 обеспечивается воэможностью поворота стола 4в подшипниковых узлах 16 и 17, установленных на станине 1.Возможны также н другие вариантыосуществления корректировки взаимного положения струны 13 и кристаллодержателя 2. В частности тот же эффект можно получить, если Узел 17с вертикальной осью закрепить накрнсталлодержателе 2,Таким образом, при условии высокой чистоты поверхности контактнойвертикальной плиты, поверхности направляющих гребенок, точности устаковки зазора в гребенках и правильности заполнения ванн травильнымраствором, достигается повышениечистоты поверхности реза, так какпреддагаемое устройство значительноуменьшает относительные смецениямонокристалла и струны в...