Карантиров — Автор (original) (raw)
Карантиров
Способ изготовления электрического соединителя и способ изготовления концентратов магнитного поля полюсов магнита для изготовления электрического соединителя
Номер патента: 1718279
Опубликовано: 07.03.1992
Авторы: Карантиров, Мокеров, Пережогин, Репин
МПК: H01B 5/16, H01R 11/01, H05K 1/18 ...
Метки: концентратов, магнита, магнитного, полюсов, поля, соединителя, электрического
...соединителя, включающем формирование кернов из магнитопроводящего материала, разделение их магнитонечувствительным диэлектрическим материалом и закрепление на полюсах магнита, магнитопроводящий материал наносят на комплект полимерных пленок с одной стороны и формируют магнитопроводящие параллельные дорожки, например, посредством фотолитографии, после этого пленки скрепляют в пакет разноименными сторонами одна к другой с сохранением параллельного расположения магнитопроводящих дорожек, разрезают пакет на части перпендикулярно магнитопроводящим дорожкам перед закреплением их на полюсах магнита.На фиг. 1 показан электрический соединитель в момент формирования его проводников и отверждения полимера в магнитном поле концентраторов...
Анизотропный травитель
Номер патента: 557434
Опубликовано: 05.05.1977
Авторы: Карантиров, Клюбина, Михайлов, Носков, Петров
МПК: H01L 21/465
Метки: анизотропный, травитель
...Т, Орловская Техред Г. Родак Корректор Н. Ковалева Заказ 866/62 Тираж 976 Подписное 11 НИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5филиал ППП "Патент, г, Ужгород, уд. Проектная, 4 2,5%-ного водного раствора гидроокиси калия, приливают 3,5 мл 30%-ного раствора перекиси водорода.Смесь нагревают в стакане, закрытом жщоохдаждаемой крышкой, до температуры б 8 ОС. Затем в нагретую смесь помещаютопаастины кремния КДБ,5 с ориентацией ,поверхности в плоскости (100) и с защитной маской из двуокиси кремния толщиной 0,8 мкм. Элементы защитной маски выпод иены в виде оконф прямоугодьной формы с размерами сторон 160 х 80 мкм, В течение 30 мин травления образуется...
Фотошаблон
Номер патента: 516210
Опубликовано: 30.05.1976
Авторы: Васильев, Волков, Карантиров, Рюмшина, Хоперия, Шараев
МПК: H05K 3/06
Метки: фотошаблон
...Фотошаблон без каких-либо изменений выдерживает около 500 контактов, Сама же конструкция обеспечивает возможность изготовления на поверхности окнсленных пластинок кремния копий рисунка с пробельными участками шириной 2,5 мкм, с шириной штриха 2,5 мкм при неровности краев не свыше +0,3 мкм,На поверхность плоскопараллельной заготовки наносят термическим напылением пленку кремния. После этого последовательно обрабатывают металлизированную заготовку в растворе хромпика - 5 мин, дистиллированной воде - 5 мин, дистиллированной проточной воде - 10 мин и сушат с целью удаления следов азотной кислоты при 120 в 1 С в течение 15 мин.После подготовки подложка подвергается сенсибилизации, например, в растворе хлористого олова 40 г/л и НС 1 40 мл в...
Изделие с оптическим эффектом отражения
Номер патента: 481451
Опубликовано: 25.08.1975
Авторы: Васильев, Карантиров
МПК: B28D 5/06
Метки: изделие, оптическим, отражения, эффектом
...4, которыв свою очередь, являются деталями рисунка и вместе с контуром образуют на плоскости (100) определенный. рисунок. Вскрытые по контуру и в теле монокристалла грани точно совпадают с одной или несколькифми основными кристаллографическими плоскостямп и обладают зеркальным блеском,что обуславливает напбольппш эффект отражения света.В качестве ен саин извариантов исп по редлага емому изобретению, Исходный монокристаллв форме круглого слитка разрезают на рядплоских кристаллов, одна из поверхностейкоторых ориентирована любым известнымспособом по одной из основных кристаллографических плоскостей исходного монокристалла. Полученные таким образом плоскиекристаллы шлифуют механическим или химическим способами и полируют до 14 класса...
Слособ удаления фоторезиста
Номер патента: 399089
Опубликовано: 01.01.1973
Авторы: Васильев, Карантиров
МПК: H05K 3/06
Метки: слособ, удаления, фоторезиста
...10 щелочных металлов, например калия, натрия и лития, и разрушение некоторых элементов микросхем, например алюминиевых контактов и проводников, в результате высокой концентрации ионов гидроксила щелочи. 15С целью устранения разрушения и загрязнения. элементов микросхемы по предлагаемому способу растворение фоторезиста осуществляют в водном растворе гидрата гидразина. 0об ос мости от материала подложки дубленности фоторезиста) . Рас дубленного слоя фоторезиста течение 2 - 5 яин, после чего извлекают, промывают деионизо и высушивают. Разбавление ги зина водой (регулируется водо затель раствора) производят н но перед удалением задубленно резиста. Выбор предлагаемого состава для удаления задубленного слоя фоторезиста обусловлен тем, что...
302856
Номер патента: 302856
Опубликовано: 01.01.1971
Авторы: Григорьев, Зайцева, Карантиров, Невский
Метки: 302856
...в виде прозрачной стеклянной подложки с нанесенным на ее поверхность маскирующим непрозрачным слоем по заданному рисунку схемы.Цель изобретения - увеличение срока службы фотошаблонов.Для этого в качестве материала кирующего слоя,использована пленка бор металла, например циркония с равномер распределенными по толщине слоя микро нулами циркония и бора,11 рименение борида металла определяет высокую адгезию максирующего слоя к подложке, а гранулы чистого металла и бора служатак бы армирующим звеном, снимающим внутренние напряжения и предотвращающим сноявление микротрещин при тепловых ударах.Сущ ра ы граность фмикроэлэлементние моънул вещным. сооенно важно в азмеры отдельных аилучшее разрешепри размерах гратзких к молекуляротоша ектрон...