Быкадорова — Автор (original) (raw)

Быкадорова

Состав для диффузионного хромирования стальных изделий

Номер патента: 1650774

Опубликовано: 23.05.1991

Авторы: Быкадорова, Косс, Рыбалова, Сункина, Шевченко, Ямроз

Метки: диффузионного, состав, стальных, хромирования

...или СцКр по методу шпифа.Испытания на жаростойкость включают нагрев образцов с азотохромированным покрытием в пламене газовой горелки, вьдержку 900 С в течение З 0 5 с и охлаждение в проточной воде. Жаростойкость оценивают по количест-, ву циклов нагрев - .охлаждение до поГявления трещин, видимых невооружен- , ным глазом. Характеристики покрытий, образующихся при диффузионном хромировании,представлены в табл.2.При хромировании на поверхностиизделия формируется белая нетравящаяся в обычном травителе зона, содержащая нитрид хрома, легированный лантаном. Микротвердость наружной зонысоставляет НЧ " 22000-25000 МПа.Жаростойкость в условиях термоциклирования увеличивается в 1,5 - 1,9 раза. Состав сохраняет насыщающую способность при снижении...

Способ химико-термической обработки стальных изделий

Номер патента: 1634726

Опубликовано: 15.03.1991

Авторы: Быкадорова, Косс, Рыбалова, Слободянюк, Сункина, Шевченко, Ямроз

МПК: C23C 12/02

Метки: стальных, химико-термической

...я тем, что, с цельюувеличения жаростойкости иэделий вусловиях термоциклирования, хромиро"ванне ведут в составе, дополнительносодержащем алюминий-иттриевую лигатуру, а в качестве наполиителя - оксидалюминия ипи хрома при следунщем соотношении компонентов, мас.7::Алюминий-иттриеваялигатура 4-6Оксид алюминия илихромаХлористый аммонийПорошок хромаТаблица 1 Содержание компонентов, мас. I 46-48 1-2 ОстальноеСостав Ьпюминийиттриевая . игатура Хлори стыйаммоний Порошок хрома4 5 6 3 7 46 47 48 45 48 4946,5445.542 1,520,532 3 4 5 Хлористый аммоннй применен в качестве активатора.Окснд алюминия или оксид хрома(3776-76) инертные разбавители, предотвращающие спекание насыщающей смеси. Кроме того, использование оксидахрома способствует...

Способ моделирования герпетической инфекции центральной нервной системы

Номер патента: 1437903

Опубликовано: 15.11.1988

Авторы: Аксенов, Быкадорова, Коган, Коновалов, Чудаков

МПК: G09B 23/28

Метки: герпетической, инфекции, моделирования, нервной, системы, центральной

...д. 4/5Производственно-полиграфическое предприятие, г, Ужгород, ул. Проектная, 4 Изобретение относится к медицине,в частности к экспериментальной вирусологии.Цель изобретения - повышение вос 5производимости модели герпетическойинфекции,Способ моделирования герпетическойинфекции центральной нервной системыосуществляется следующим образом.Производят разрез кожных покровови подлежащих тканей длиной 0,5-1,0 смпо нижнему краю нижней челюсти кролика. Операция выполняется под внутривенным наркозом, Обнажается нервный 15ствол ментальной ветви тройничногонерва, и вирусосодержащий материал вколичестве 0,01-0,02 мл с активностьювируса герпеса - 4-5 х 10 ТЦПД /мловводят непосредственно в периневрий 20111-й ветви тройничного нерва,Кролик У 42, вес...

Устройство для измерения постоянной времени фотоприемников

Номер патента: 924656

Опубликовано: 30.04.1982

Авторы: Быкадорова, Зюков, Кожелянко, Маковей, Паламарчук

МПК: G04F 10/00

Метки: времени, постоянной, фотоприемников

...с целью приведения выходного сигнала усилителя кодному уровню для уменьшения погрешности запоминания и сравнения и выбирается в зависимости от типа фотоприемника. Неизбежный дрейф выходного напряжения усилителя 3 за счеттемпературной погрешности и от дрейфа нуля не оказывает существенноговлияния на точность работы устройства, так как от него требуется только кратковременная стабильность параметров на время цикла измерения,составляющего 8 с. Выход усилителя3 нагружается нв блок 7, на выходекоторого формируются опорные уровнинапряжения с помощью делителей 8 и9. Процесс запоминания составляет2 с, что практически исключает погрешность переходного процесса.формирователь 12 дает командуна переход от запоминания к измерению, При этом...

Управляемый резистивный элемент

Номер патента: 796959

Опубликовано: 15.01.1981

Авторы: Быкадорова, Панчишин

МПК: H01L 29/72

Метки: резистивный, управляемый, элемент

...электродом б,Эмиттер и коллектор транзистора 1 подключены к источнику питания. 2 ОПри отсутствии напряжения на базе О полупроводниковый переход транзистора 1 заперт, ток не проходит, и температура его перехода Т равна начальному значению ТО, а сопротивление терморезистора равно исходному значению.В момент подачи напряжения на базу транзистор открывается, через р-д переход течек ток, температура его . перехода т пропорционально возраста- ЗО ет, и идет теплоотдача в термосопротивление,.Вследствие этого сопротивление ерморезистора изменяется в соответствии с выбором коэффициента. тепло- З 5 передачи, но только в интервале своего рабочего диапазона, который всегда больше нуля и меньше "бесконечнос" ти", Для получения величины...