Полупроводники — C25D 7/12 — МПК (original) (raw)

Способ гальванического титанирования полупроводниковой пленки из двуокиси олова

Номер патента: 134090

Опубликовано: 01.01.1960

МПК: C25D 3/54, C25D 7/12

Метки: гальванического, двуокиси, олова, пленки, полупроводниковой, титанирования

...низкотемпер атур. ным коэффициентом сопротивления и хорошей износостойкостью,Титанирование полупроводниковой пленки производится в водном растворе любой из двойных солей титана: калий титан щавелевокислый, натрии титан виннокислый или натрий титан лимоннокислый. Концентрация соли титана в электролите выбирается в зависимости от толщины и омического сопротивления полупроводниковой пленки двуокиси олова, служащей катодом. Гальваническое осаждение титана проводится при плотностях тока порядка 4 - 8 ма/см и температуре раствора 18 - 25. рН раствора поддерживается в пределах 2,0 - 2,3 и корректируется серной кислотой. В качестве нерастворимых анодов применена платина. Процесс титанирования полупроводниковой пленки из двуокиси олова...

138788

Номер патента: 138788

Опубликовано: 01.01.1961

МПК: C25D 3/46, C25D 7/12

Метки: 138788

...к озволяет получ тому полупров ки кристалла, что его удельное с т возм тивление. вторызебретенианиитель; пособ серебрения карбида крем последующей термообра жность точно контролир Ййо: ьщр",Достигается ато тем, что контакт с карбидом кремнияполучают нанесением на его поверхность слоя серебрагальваническим путем.Для получения контакта поверхность пластины или кристалла карбида кремния шлифуют микропорошком карбида бора, затем промывают в течение 2 мин водным 48 Ф-ным раствором плавиковой кислоты, после чего на очищенную таким образом поверхность наносят слой серебра электролизом из ванны, содержащей (в г/л):ф,ЗОч зоЯдЯЙ 9 75/(д, 60.Электролиз ведут при температуре электролита 20 оС,2плотности тока 0,6 а/дм в течение 30 мин с применением...

138789

Номер патента: 138789

Опубликовано: 01.01.1961

МПК: C25D 3/50, C25D 7/12

Метки: 138789

...катодной плотности токе 1 а/Лм 2 в течение 20 мин при температуре электролита 50 . В качестве материала анодов применяетсяоплатина.При проведении процесса родирования необходимо обеспечить нанесение радия тмько на требуемую часть кристалла. Поатощу для предотвращения смачивания электролитом непогружеяной части кристалла применяют принудительное обдуваниекристалла воздухом, подаваемым через сопка, Описанный способ родирования карбида кремния может бытьприменен для получения невыпрямляющих контактов, необходимых как при проведении измерений злектрсфизических параметров материалов, так и при конструировании полупроводниковых приборов на основе карбида кремния.ПРЕДМЕТ ИЗОБРЕТЕНИЯщ радСпособ родирования карбида кремния й.-типа, например,для...

Способ золочения каршдлизобретение относится к тезшологии получения невыпряшшющюс (омическихконтактов на полупроводниковых материалах. известные способы получения таких контактов требовали после. щгющей термиче

Номер патента: 138790

Опубликовано: 01.01.1961

МПК: C25D 3/48, C25D 7/12

Метки: золочения, известные, каршдлизобретение, контактов, материалах, невыпряшшющюс, омическихконтактов, относится, полупроводниковых, после, способы, таких, тезшологии, термиче, требовали, щгющей

...его удельное сопротивление. Достигается это м ч бидом кремния получают путемхность слоя золота гальваничес онтак несения на его по ем,Отв. Харви, фил. орел. сотсвь Мак ,246 озобре 1 ениИ и открытиори Совете МинистровСССР ких контактовбработки, чтосамого кристалла.Для получения контакта поверхность пластины или кристалла карбида кремния шлифуют микропорошком карбида бора, затем продавают в течение 2 мин.водным 48 Ф-нцм раствором пластиковой кислоты, после чей Ба Очишенную таким образомповерхность наносят слой золота злектролизом из ванны, содержащей 2,65 г/лНЖ,Й; /г/л Я фу), 3/,0 и, ф к,СО,.Электролит ведут при температуре электролита 5 Ь 3 О плотности тока 0,1-0,2 а/лр в течение ЗО мин с примене 2 нием 30 лОтых анодовПолучаемое покрытие...

Способ палладирования карбида кремния

Номер патента: 139175

Опубликовано: 01.01.1961

Авторы: Ерусалимчик, Ефимов, Пономарева, Прилепина

МПК: C25D 3/50, C25D 7/12

Метки: карбида, кремния, палладирования

...от работыпри повышенных температурах.Описываемый способ палладпроьанпя может быть использован в производстве полупроводниковых приборов и прп измерениях пара метров образцов карбида кремния. Спосоо палладирования л.-типа, например, для пол ющих контактов к этому ванны, содержащей: Рт 1 С 2 2 Н. 16 г/л МН 4 С 30 г/л МН 40 Н до кислотности при комнатной температур 0,25 - 1 а/дмз в течение 3 -карбида кремния ения невыпрямляолупроводнику из раствора 9 - 10 рН,и плотности тока 10 лтин.Изобретение относится к технологии получения невыпрямляющих (омических) контактов на полупроводниковых материалах. Известные способы получения таких контактов требовали последующей термической обработки, что могло привести к изменению свойств самого...

Способ присоединения выводов к полупроводниковым приборам

Номер патента: 208134

Опубликовано: 01.01.1968

МПК: B21D 39/00, C25D 5/00, C25D 7/12, H01L 21/02 ...

Метки: выводов, полупроводниковым, приборам, присоединения

...присоединения вывода, безприменения нагрева,г) возможность присоединения вывода кр-тг-переходам сравнительно малой площ5 д) возможность нагрева места соединдо сравнительно высоких температур без ухудшения прочностных характеристик, благодарятому, что проводят гальванические осажденияслоя металла из электролита, содержащего10 соль этого металла, одновременно на металлизированную поверхность электрода полупроводникового прибора и на вывод, приведенный в электрический контакт (соприкосновение) с ним путем подачи на вывод отрицатель 15 ного потенциала относительно электролита.Способ, осуществляемый согласно данномуизобретению, состоит в следующем:На пленке 510 в над р-п-переходом, получают отверстие (площадью примерно 500 лкз),20 через...