Контактированием с диффузионным материалом в жидком состоянии — C30B 31/04 — МПК (original) (raw)

Способ регулирования типа проводимости и электросопротивления антимоната алюминия

Номер патента: 126269

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Кокошкин, Миргаловская, Скуднова, Шэнь

МПК: C30B 29/40, C30B 31/04

Метки: алюминия, антимоната, проводимости, типа, электросопротивления

...Нелегироваттньтй антимонид алюминиэт обычно имеет р-тип проводимости. Добавка селена И тентлучра несколько увеличивает сопротивлентте антимонида алюминия.В описываемом способе предлагается регулировать сопротивление и тип проводимости антимонида алпомигтття, применяемого в качестве точечных диодов, путем легирования его серой, которую вводят в определенном количестве в качестве донорнотт примеси. Введение серы в большем количестве позволяет получать антимонид адтюмиттхтя жи-типа.Введением серы в антимонид алюминия тхтожно регулировать его сопротивление в интервале 1+1 О 4 ом. см. причем материал гт-ТиПа имеет высокое сопротивление в Широком интервале концентрации серы.На образцах, полученных из расплава с содержанием серы, 0,5...

Способ создания электронно-дырочных переходов в дендритах полупроводникового антимонида индия

Номер патента: 146049

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Дашевский, Лазарев, Миргаловская

МПК: C30B 29/40, C30B 31/04

Метки: антимонида, дендритах, индия, переходов, полупроводникового, создания, электронно-дырочных

...антимонида индия зашлифовки, полировки и травления лектронно-дырочный переход на опрефигурации,ма установки для осуществления спор - и переходов ведут следующим обр нь 1 помещают в печь 2 сопротивления температуру которой измеряют при поз иевого стерпня, обращенный к плоскост ом режим печи подбирают таким, чтоб от падения силами поверхностного натя) оя индия на поверхность дендрита 4 ст в сторону дендрита и, касаясь его пов азом.(с регу ОЩИ тЕР- и дендриы капля кения.ерпень 1 ерхности,ц лируе мопар та 4, индия мопе смачи Кдиевыи стержень 1 и печь 2 могут перемещаться в ости, что позволяет регулировать размеры поверхлоя индия. Как показано на схеме, тигель 5 с расертикости роцесс создачиндиевый стерпмым нагревом)ы 3, Конец...

Способ окрашивания ювелирно-поделочных минералов

Номер патента: 867946

Опубликовано: 30.09.1981

Авторы: Дунин-Барковский, Заднепровский, Лаптев, Лисицына, Самойлович

МПК: C30B 31/04

Метки: минералов, окрашивания, ювелирно-поделочных

...под действием градиента температуры проникают вдоль каналов или межкристаллитных границ в природный минерал, производя его окрашивание. Высокое давление ин тенсифицирует процесс, обеспечивая миграцйю ионовметалла на глубину, зависящую от температуры,и длительности процесса. Глубина проникновенияварьирует от десятых долей мил лиметра до значений порядка толщины образца. Окрашивание может быть разномерным по всей поверхности образца или неравномерным, что определяется расположением образца отно О сительно источника окраски.П р и м е р 1. Две плоско-параллельные пластины бесцветного халце дона толщиной 5 мм и диаметром 12.мм помещают в вакуумную печь типа З 5 СШВЛ,6, 2/16 М 01. Давление в вакуумной камере печи понижают до 10 10"мм...

Способ получения квазимонокристаллов соединения внедрения в графит

Номер патента: 1699176

Опубликовано: 30.01.1994

Авторы: Авдеев, Берколайко, Быстревский, Гулиш, Ионов, Корженевская, Рылик, Семененко

МПК: C01B 31/04, C30B 31/04, C30B 31/06 ...

Метки: внедрения, графит, квазимонокристаллов, соединения

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КВАЗИМОНОКРИСТАЛЛОВ СОЕДИНЕНИЯ ВНЕДРЕНИЯ В ГРАФИТ, включающий обработку пирографита интеркалятом-монохлоридом иода или бромом, в газовой фазе, отличающийся тем, что, с целью уменьшения дефектности квазимонокристаллов, увеличения их электропроводности и сокращения времени процесса, после обработки в газовой фазе проводят дополнительную обработку тем же интеркалятом в жидкой фазе.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что дополнительную обработку монохлоридом иода ведут при температуре на 10 - 30 К выше температуры его плавления.3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что дополнительную обработку бором ведут при температуре на 40 - 50 К выше температуры его плавления.