Охлаждением раствора — C30B 7/08 — МПК (original) (raw)
Способ выращивания монокристаллов бифталата калия
Номер патента: 421355
Опубликовано: 30.03.1974
Авторы: Артамонова, Гликин, Николаева
МПК: C30B 29/22, C30B 7/08
Метки: бифталата, выращивания, калия, монокристаллов
...способов, гсмпературы задают пепосле чего ведут кривке. При выращивании снижения температуры а кристалла постепенно Изобретение относится к области выращивания монокристаллов бифталата калия.Известсн способ выращивания монокристаллов бифталата калия методом осаждения вещества, например, снижением температуры из водного раствора с добавками.Известньш способ не позволяет кристаллизовать бифталат калия из его стехиометрического водного раствора при температурах ниже 25 С, так как при этих температурах стехиометрические составы располагаются в пределах поля устойчивости соли КС 8 Н 404 ( М 4 С 8 Н 604 Х 4 НеО.Зто обстоятельство слов при их выращиватем пер атуры.Цель изобретения - расширение температурного диапазона процесса...
Способ выращивания монокристаллов гидрофталата калия
Номер патента: 1684357
Опубликовано: 15.10.1991
Авторы: Барсукова, Зайцева, Кожоева, Кузнецов, Охрименко, Федоров
МПК: C30B 29/54, C30B 7/08
Метки: выращивания, гидрофталата, калия, монокристаллов
...размеров кристаллов при сохранении их однородности, перемешивание раствора ведут путем вращения платформы с затравкой с частотой 40- 60 об/мин. Составитель Е, ЛебедеваРедактор М. Недолуженко Техред М,Моргентал Корректор О, Ципле Заказ 3486 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва,:К. Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул.Гагарина, 101 травке при скорости вращения платформы 60 об/мин,Подготовка эксперимента аналогична примеру 1, Перемешивание раствора вращающейся платформой ведется со скоростью 60 об/мин, График снижения температуры: 3 сут - 0,16 С/сут; 1 - 15 С;1 - 0,3 С,1 - 0,8 С;1 - 1,7 С,3 - 4,2 С/сут. В результате...
Способ получения кристаллов z so 6ос (nh ) н о
Номер патента: 1808887
Опубликовано: 15.04.1993
Авторы: Барсукова, Кузнецов, Набахтиани, Реснянский, Сулайманкулов
МПК: C30B 29/54, C30B 7/08
Метки: 6ос, кристаллов
...кристалла, Выращивание кристалла методом сниже . ния температуры позволяет более точно регулировать процесс роста. Регулирование температуры осуществляется контактным термометром. Средняя скоровть снижения температуры 0,2 С/сут. 30Выращивание кристалла нэ точечной затравке, укрепленной на вращающейся платформе, создает благоприятные гидро- динамические условия для роста. Вести и роцесс выращивания при скорости вращения 35 платформы меньше чем 40 об/мин нецелесообразно, так как уменьшаются скорости роста кристалла, Увеличение скорости вра. щения платформы выше 60 об/мин ведет к образованию воронки в растворе, распле скиванию раствора, вследствие чего образуются паразитические кристаллы.П р и м е р 1. Для получения Ч=165 мл раствора взято...
Способ выращивания монокристаллов сегнетоэлектриков из раствора
Номер патента: 1813816
Опубликовано: 07.05.1993
Авторы: Кашевич, Михневич, Цыбин, Шуть
МПК: C30B 29/54, C30B 7/08
Метки: выращивания, монокристаллов, раствора, сегнетоэлектриков
...в пределах впемени раста даменай кристалла,Заявляемым способам можно также выращивать кристаллы с необходимыми параметрами чз кристаллизуемой жидкости с прилес,о, концентрация которой ниже, чем концеТрация примеси в известном способе, так как ее неоднородное распределение создает такую же униполярнасть о кристалле, как о случае однородного распределения, но с большей концентрацией примеси. Ниже приоедены кОРкратные примерыОсуществления заявляемого спОсаба. 10 15 20 25 П р и м е р 1. Проводилось выращивание кристаллов триглицинсульфата (ТГС) из раствора с примесьО 1: а-аланина в качестве добавки для стабилизации спонтанной направленной поляризации данного кристалла. Готовили насыщенный раствор ТГС с примесьо 1=а-алаР 1 ина,...
Способ выращивания монокристаллов группы дигидрофосфата калия (кдр)
Номер патента: 1819921
Опубликовано: 07.06.1993
Авторы: Васев, Пополитов, Соболенко, Спицына, Толочко
МПК: C30B 29/14, C30B 7/08
Метки: выращивания, группы, дигидрофосфата, калия, кдр, монокристаллов
...кристаллов ДКДР, а такжедля частей призм кристаллов КДР и ДКДР35 (см, фиг,2),Отклонения вектора колебаний затравки от ее оси Е больше 2 вызывало запара- .эичивание кристаллов КДР и ДКДР, врезультате чего большой объем таких кри 40 сталлов непригоден для изготовления оптических элементов. Поэтому колебаниядержателя с затравкой направляют по оси 2затравки.Таким образом, использование данного45 способа по сравнению со способом-прототипом 2 позволяет снизить коэффициентпоглощения в Уф-области кристаллов КДРи ДКДР на 5-24 фД и снизить дефектную область в призатравочной области кристаллов50 до 50% ее объема, получаемого по способупрототипу, что позволяет увеличить выходоптических элементов из этих кристаллов на5-10. ями затравки (кривая 4) с...
Способ получения монокристаллов мочевины
Номер патента: 1823537
Опубликовано: 27.08.1996
Автор: Трейвус
МПК: C30B 29/54, C30B 7/08
Метки: монокристаллов, мочевины
...кристачлизатор ставят в термостат, который имеет температуру ниже температуры насыщения раствора. После снижения температуры раствора ниже температуры насыщения ндчиндется рост кристалла,3. Периодически или непрерывно (с помошью автоматического устройства) снижают температуру термостата.Примеры осуществления способа, 1, Для приготовления раствора использова 1 и однократно перекристаллизованную мочевину марки "да", истертую в ступке и просушенную в течение двух месяцев при 50 С, и стандартный Я-метилформамид.2, Взяли навеску мочевины, приготовленной описанным в п.1 способом, в количестве 47 г, что соответству ет концентрации насыщения раствора в 100 мл Х-метилформамида при 28 С и растворили в указанном количестве Х-метилформамида при 30...
Способ получения монокристаллов пентабората калия
Номер патента: 1508611
Опубликовано: 27.03.2000
Авторы: Богомолов, Исаенко, Позднякова, Пыльнева
МПК: C30B 29/22, C30B 7/08
Метки: калия, монокристаллов, пентабората
Способ получения монокристаллов пентабората калия, включающий приготовление насыщенного водного раствора пентабората калия растворением борной кислоты и калийсодержащего соединения в воде и выращивание монокристаллов на ориентированную затравку при снижении температуры раствора, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности процесса, увеличения полезного объема кристаллов и их прозрачности, перед растворением борную кислоту прокаливают, в качестве затравки берут изометричные кристаллы с неповрежденными швами двойникования и выращивание ведут при рН раствора 7,4-7,8.
Способ выращивания затравочных кристаллов пентабората калия
Номер патента: 1579088
Опубликовано: 27.03.2000
Авторы: Богомолов, Дульцев, Исаенко, Позднякова, Пыльнева
МПК: C30B 29/22, C30B 7/08
Метки: выращивания, затравочных, калия, кристаллов, пентабората
Способ выращивания затравочных кристаллов пентабората калия, включающий нагрев насыщенного водного раствора и кристаллизацию путем снижения температуры при спонтанном зарождении на кристаллоносце, отличающийся тем, что, с целью получения кристаллов изометричной формы с развитой поверхностью (001), в качестве кристаллоносца используют вертикальную поверхность, которую помещают в раствор после его нагрева, и выращивание ведут при рН раствора, равном 6-7.
Способ выращивания монокристаллов 3-метил-4-нитропиридин-1 оксида (ром)
Номер патента: 1764285
Опубликовано: 10.04.2000
Авторы: Белов, Исаенко, Мазур, Овечко, Петренко
МПК: C30B 29/54, C30B 7/08
Метки: 3-метил-4-нитропиридин-1, выращивания, монокристаллов, оксида, ром
Способ выращивания монокристаллов 3-метил-4-нитропиридин-1-оксида (РОМ) из его раствора в органическом растворителе путем снижения температуры, отличающийся тем, что, с целью повышения оптического качества и стойкости к лазерному излучению, в качестве растворителя используют ацетон с добавкой воды в количестве 3 - 15 об.%.