Чипенко — Автор (original) (raw)
Чипенко
Способ синтеза монокристаллов алмаза на затравке
Номер патента: 1788700
Опубликовано: 20.02.1996
Авторы: Белоусов, Будяк, Ивахненко, Чипенко
МПК: C01B 31/06
Метки: алмаза, затравке, монокристаллов, синтеза
...способа синтеза с помощью варьирования охлаждения АВД желательно проводить при наличии дополнительного источника тепла 5 или 6.Например, пусть система нагрева состоит из трубчатого нагревателя 4 и дополнительного источника тепла 5.В начальный момент синтеза мощность дополнительного источника тепла 5 равна нулю, а по полым пальцам 13 и 14 протекает вода обычной температуры 20 С.В процессе роста алмаза, когда перепад температуры между источником углерода 1 и поверхностью растущего монокристалла 15 уменьшается, увеличивают мощность нагрева дополнительного источника тепла 5, что ведет к увеличению температуры у источника углерода 1, и одновременно увеличивают интенсивность теплоотвода от реакционной ячейки со стороны растущего...
Шихта для изготовления деталей контейнера камеры высокого давления
Номер патента: 1591411
Опубликовано: 27.10.1995
Авторы: Белоусов, Виноградов, Ивахненко, Чипенко, Шульженко
МПК: C04B 35/00
Метки: высокого, давления, камеры, контейнера, шихта
ШИХТА ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДЕТАЛЕЙ КОНТЕЙНЕРА КАМЕРЫ ВЫСОКОГО ДАВЛЕНИЯ, включающая галогенид щелочного металла и оксид, отличающаяся тем, что, с целью повышения стабильности давления в реакционной ячейке контейнера и снижения потребляемой мощности нагрева, она в качестве оксида содержит стабилизированный диоксид циркония при следующем соотношении компонентов, об.Галогенид щелочного металла 30-95Стабилизированный диоксид циркония 5-70
Способ синтеза монокристаллов алмаза
Номер патента: 1655080
Опубликовано: 10.09.1995
Авторы: Белоусов, Витюк, Заневский, Ивахненко, Чипенко
МПК: C01B 31/06
Метки: алмаза, монокристаллов, синтеза
1. СПОСОБ СИНТЕЗА МОНОКРИСТАЛЛОВ АЛМАЗА путем воздействия высокого давления и температуры на источник углерода на основе алмазных зерен, растворитель углерода и затравочные кристаллы алмаза, отличающийся тем, что, с целью повышения теплопроводности и термостойкости монокристаллов алмаза, в качестве источника углерода используют алмазные зерна размером не менее 100 мкм, предварительно пропитанные металлом или сплавом, растворяющимся в растворителе углерода в условиях синтеза.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что металл берут из группы, включающей медь, олово, цинк, никель, а сплав из группы, включающей железо-никель, железо-алюминий, медь-олово.3. Способ по пп.1 и 2, отличающийся тем, что в качестве растворителя углерода...
Способ синтеза монокристаллов алмаза на затравке
Номер патента: 1570223
Опубликовано: 25.07.1995
Авторы: Белоусов, Будяк, Ивахненко, Чипенко
МПК: C01B 31/06
Метки: алмаза, затравке, монокристаллов, синтеза
1. СПОСОБ СИНТЕЗА МОНОКРИСТАЛЛОВ АЛМАЗА НА ЗАТРАВКЕ, включающий размещение послойно источника углерода, металлического катализатора-растворителя и кристаллов алмаза-затравок, воздействие на данную послойную реакционную систему высокого давления и температуру с положительным градиентом ее в сторону источника углерода, отличающийся тем, что, с целью уменьшения количества макропримесей на границе кристаллов алмаза-затравок и выращиваемого алмаза, в зоне кристаллов алмаза-затравок дополнительно размещают кристаллы алмаза-поглотители примесей при температуре на 5 - 15oС ниже температуры кристаллов-затравок.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что разность температур обеспечивают путем расположения кристаллов алмаза-затравок...
Устройство для измерения температуры резания
Номер патента: 1431897
Опубликовано: 23.10.1988
Авторы: Девин, Новиков, Подорога, Торишний, Чипенко
МПК: B23B 25/06
Метки: резания, температуры
...надежности измерения температуры резания при использовании сменных режущих пластин за счет более высокой чувствительности термоэлемента.На чертеже представлено устройство для измерения температуры резания, обший вид,Устройство состоит из корпуса 1, в котором размещена режущая сменная пластина 2, прижимаемая прихватом 3, Термочувствительный элемент из высокоомного полупроводникового алмаза 4 прижимается к опорной поверхности пластины 2 винтом 5. Для подключения термочувствительного элемента к генератору 6 тока и передачи сигнала от элемента к регистрирующему прибору 7 в корпусе выполнен паз, в который уложены электрические провода 8. Устройство работает следующим образом.После установки сменной режущей пластины 2 в гнездо корпуса 1...
Шихта для электронагревателя
Номер патента: 599375
Опубликовано: 25.03.1978
Авторы: Гетман, Петренко, Рындюга, Чипенко, Шишкин, Шульженко
МПК: H05B 3/14
Метки: шихта, электронагревателя
...Э/46 Подписное Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 удовлетворяет указанным требованиям (низкаяэлектро. и теплопроводность), Такой материал имеет удовлетворительную прессуемость при содержа.нии графита более 30 вес,% и пригоден для изготовления нагревателей простого профиля,бДальнейшее уменьшение содержания графитазначительно ухудшает прессуемость шихты. Нагре.ватели крошатся, расслаиваются, появляется значи..тельный разброс параметров изготовленных нагре.вателей.1 ОЦелью изобретений является повышение надежности шихты в работе и стабилизации электри.ческих параметров,Для этого предложенная шихта дополнительносодержит жидкое стекло при следующем соотношекии компонентов, вес,%: Теплопроводкость при1200 - 1400 С, вт/м 0,24 -...
Вентилируемый закром для сыпучих материалов
Номер патента: 243502
Опубликовано: 01.01.1969
Авторы: Болотин, Босин, Чипенко
МПК: F26B 9/06
Метки: вентилируемый, закром, сыпучих
...осуществить интенсивное вентплирование материала в конической выпускной камере за счет открытого контакта вентилируе мого материала с агентом сушки под расширенной частью внутреннего цилиндра и прохода агента сушки через кольцевую щель к перфорированной стенке наружного цилиндра.Кроме того, материал под расширенной частью ЗО внутреннего цилиндра (горловнной) распола(3гается более равномерным слоем, регулируе. мым в зависимости от свойств материала, что позволяет установить оптимальные условия вентилирования.На чертеже схематически изображен венти лируемый закром (вертикальный разрез по плоскости, проходящий через оси кольцевой камеры и канала подвода агента сушки),Закром состоит из перфорированных наружного 1 и внутреннего...