Чужко — Автор (original) (raw)
Чужко
Термоэлектронный эмиттер
Номер патента: 1385895
Опубликовано: 10.06.2000
Авторы: Логинов, Наумкин, Репников, Цыба, Чужко, Шумилин
МПК: H01J 1/14
Метки: термоэлектронный, эмиттер
Термоэлектронный эмиттер, содержащий керн из графита или материала на его основе, например пироуглерода, и эмиссионное покрытие из гексаборида лантана, отличающийся тем, что, с целью увеличения срока службы, снижения мощности накала и повышения механической прочности, между керном и покрытием из гексаборида лантана расположены два слоя, при этом слой, непосредственно контактирующий с керном, выполнен из карбида переходного металла IV-V групп периодической системы элементов толщиной 100-200 мкм, а слой, расположенный между карбидом и эмиссионным покрытием, выполнен из диборида того же металла толщиной 25 - 50 мкм.
Способ получения изделий из карбидов ниобия и тантала
Номер патента: 807665
Опубликовано: 20.05.1999
Авторы: Еремеев, Репников, Хусаинов, Чужко, Чуманов
МПК: C23C 16/32, C23C 16/56
Метки: карбидов, ниобия, тантала
Способ получения изделий из карбидов ниобия и тантала, включающий газофазное осаждение металлов из их галогенидов, например пентахлорида ниобия или тантала, на нагретую углеродную подложку, отделение образовавшегося слоя карбидов металлов от подожки, термическую обработку слоя, отличающийся тем, что, с целью повышения однородности химического состава по толщине слоя, осаждение галогенида проводят в присутствии инертного газа при мольном их соотношении 1 : 10 - 1 : 20 при температуре подложки 2100 - 2500oC в течение 30 - 500 мин, а термическую обработку осуществляют также в среде галогенида с инертным газом при мольном соотношении 1 : 15 - 1 : 30 и температуре осаждения в течение...
Электрод для газоразрядной лампы
Номер патента: 1663643
Опубликовано: 15.07.1991
Авторы: Калязин, Репников, Тимофеев, Чикин, Чужко
МПК: H01J 61/073
Метки: газоразрядной, лампы, электрод
...0,002-0,006 диаметра корпуса. 1 ил,испарения вольфрама при рабочих температурах анода порядка 2000"С значительно выше, чем у молибдена. Это позволяет использовать преимущества молибдена в качестве электродного материала с сочетанием положительных свойств вольфрама с минимальным использованием последнего.Наличие слоя вольфрама в месте запрессовки вольфрамового стержня позволяет обеспечить надежный тепловой контакт стержня и корпуса при работе лампы за счет наличия в месте контакта материала (вольф- рэма) с одинаковым коэффициентом температурного расширения. Наличие хорошего теплового контакта стержня и корпуса позволяет обеспечить необходимый температурный режим рабочего торца стержня и, тем самым, повысить надежность и срок службы...
Катод отпаянного газового лазера и способ его изготовления”(варианты)
Номер патента: 1051611
Опубликовано: 30.10.1983
Авторы: Демичев, Мачулка, Репников, Соболева, Фенин, Цыба, Чужко
Метки: газового, изготовления"(варианты, катод, лазера, отпаянного
...устойчивость в газовой среде и т,д.) и егомеханической прочности как конструктивного элемента лазера.Как установлено экспериментально,требуемые эксплуатационные свойствакатода обеспечиваются составом монокарбида МеСО,4 цч, поэтому составвнешних Карбидных слоев не долженвыходить из указанных пределов,Необходимую механическую прочность 1 Окатода обеспечивает внутренний слойготовой структуры из монокарбида тантала или ниобия соответствующего состава в пределах МеС О д. о з 8 припервом варианте способа его изготовления или из полукарбида тантала илиниобия МеСд (при составе внешних1слоев МеСО 8 д), имеющего большуювязкость, чем монокарбиды, при втором варианте способа его изготовления.Соотношения толщин слоев от1:1:1 до 1:0,5:1 в...
Кювета атомизатора для анализа высокотемпературных материалов
Номер патента: 890168
Опубликовано: 15.12.1981
Авторы: Гавриш, Гузеев, Репников, Цыба, Чужко, Шах
МПК: G01N 21/31
Метки: анализа, атомизатора, высокотемпературных, кювета
...поэтому, нациная с определенной толщины, длязамедления диффузии углерода из графитовой основы в защитное покрытие,а затем и в анализируемую среду на"ружное покрытие иэ карбида танталадолжно обладать пониженным содержанием углерода (ТаСо 0 о-ТаСо.), чтодостигается повышением температурыпроцесса и увеличением хлорида всмеси,35Экспериментальные исследованияпроведенные по подбору марки графита в качестве основы кюветы, показали, что наилучшим комплексом свойствв сочетании с двухспойным покрытием40из карбида ниобия и карбида танталаобладает кювета на основе графита скоэффициентом линейного термическогорасширения. 6,6 10 , Электросопротивление кюветы, изготовленной изтакого графита с двухслойным защитЯ.ным покрытием,составляет 10,5 оммм...
Способ нанесения хромкарбидного покрытия
Номер патента: 638634
Опубликовано: 25.12.1978
Авторы: Артемов, Васильев, Додонов, Лузин, Поликарпов, Чичеткин, Чужко
МПК: C23C 11/00
Метки: нанесения, покрытия, хромкарбидного
...10-15 мин) ипи постепенно допустимо в течение всего процесса) повышают до 500-600 С,при которой происходит рост образовавшихся на начальной стадии зародышей сформированием гладкого рав- . Ю номерного кромка рбидного покрытия.П р и м е р 1. Предварительно обезжиренную органическими растворителями (эфиром, спиртом и т.п.) стальную трубу с внутренним диаметром В мм, на ружным диаметром 20 мм н длиной 200 мм помещают в камеру нагрева, к которой подсоединяют с одной стороны испаритепь бис-атипбенэопхрома, с другой - ловушку продуктов распада и вакуумный насос. Откачивают систему до давпения 1,33 Па. С помощью печей сонротивпения нагревают покрываемую трубу до 350 С, а исо паритепь - до 220 С дпя обеспечения скорости подачи ЯОС 1 30 мп 8 ч, Я...
Э.и. евко. а. п. захаров, р.и. наздзгдвд-и 3. г. ленделеева институт физической химии ан ссср
Номер патента: 289147
Опубликовано: 01.01.1971
Авторы: Голованов, Кириллов, Луки, Петров, Чужко
МПК: C23C 16/08
Метки: евко, захаров, институт, ленделеева, наздзгдвд-и, р.и, ссср, физической, химии, э.и
...предварительно очи. щают от окислов путем их восстдиовлсиия в потоке чистого водорода, скорость которого 15 с,цсек, при температуре 800 в 12 С 1 течение 30 дган. Лля полсипя моиокристдллически.( покрытий исобходимо предотвратить гомогенное протекдиис реакции. Это достигается поддержанием определенного соотиошеиия между водородом и гсксдфторидом водьфрама, а имсгшо 3 - 6. 11 ачдльиос парцидльиос давлсиие гсксафторида вольфрама поддери(ивдкг 1 0,03 ат,ц, д водорода 0,09, Сииж 1 ют парилы 10 с Д 2 влсиис либО разбаВлеиием редкциоииой смеси инертным газом - аргоиом, гелием, либо разрежением. Скорость потока компонентов от 15 до 100 с,ц,.сек, время пребывдиия в реакционной камере 0,1 - -1 сск. Гсксдфторид вольфрама предвари.тельно...