С использованием сегнетоэлектрических элементов — G11C 11/22 — МПК (original) (raw)
Пьезоэлектрический элемент памяти
Номер патента: 219636
Опубликовано: 01.01.1968
Авторы: Лавриненко, Некрасов, Плахотный
МПК: G11C 11/22
Метки: памяти, пьезоэлектрический, элемент
...и под тивлеццс кИзвестны пьезоэлектрические элементы памяти, выполненные в виде двух соприкасающихся сегнетоэлектрических пластин возбуждения и генсратора,Предложенный элемент отличается тем, что для увеличения напряжения на нагрузке и улучшения развязки источников в него введена сегнетоэлектрическая пластина управления, помещенная между пластинами возбуждения и генератора и подключенная через реактивное сопротивление к генератору управления.Элемент памяти изображен на чертеже.Элемент памяти представляет собой склеен. ные, покрытые электродами пьезоэлектрические пластины. Генсраторная секция 1 и секция 2 возбуждения жестко поляризованы.При подключении на вход генератора синусоидальных колебаний в образце устанавливаются упругие...
Запоминающее устройство
Номер патента: 314233
Опубликовано: 01.01.1971
МПК: G11C 11/22
Метки: запоминающее
...производится дешифратором адреса 1 и сигналом записи на шине 10 блока управления 9. Импульсы записи изменяют ступенчато значение поляризации ньезоматериала под основным электродом н коэффициент передачи пьезотрансформатора по этому электроду (см. фиг, 2,а). 31 гачение поляризации пьезоматериала и коэффициент передачи по вспомогательному электроду остаются неизменными.При воспроизведении информации ня вход формирователя 23 возбуждения поступает импульс из блока управления. Выходнон импульс напряжения формирователя 23 поступает на электрод возбуждения 21 выбршного пьезотрансформатора 19 через кл 1 О 1 2. Выбор элемента памяти производится дешифратором адреса 1, Импульс формирователя 28 возбуждает пьезотрансформатор 19 и на выходных...
Постоянное злполи нлюип-. е устропство
Номер патента: 328507
Опубликовано: 01.01.1972
МПК: G11C 11/22, G11C 17/00
Метки: злполи, нлюип, постоянное, устропство
...311 Р)О(5 ПО 3311;Она м )(.П(3(ГПЛ /( ПКЦИИ, ПРИЧСМ ЗгСКРОДЫ П0( 51 (5 ( ( ( Г 1 Л )3 ПДс/Я МС(ЬПСПП 51 СМКос 1 П.11 ансссннс с 00011( с Гороп 50 )оу,1(сл) д(5(.;приемникон ооссис(ИВ)3 сг р(1(. д(5)., ф (кций Одновременно,ЗВкопогг 011 сг 1 / Из 010;531 спы:5;(1;31 СРПЯЛЯ С ООЛЬП 10 й 1351:3 КОС" Ь 10, Пан(МС с 1 С(Т(.та, Обсе)(Сс 301 С О (О( Г)Оцс) (С; ЛЬ(;3.53(Кс). Ъ 13 слпс 1 СП(1 С 10/П 1 ГППЫ ДСГ(11 ф(.ра СЧ 55 МКОПОГЛОТП 1 СЛ Ь) П 0,515031 51 С Г(1 1111 Г Ь П 3КО О Р,"(.Н Я 1 НО 1 М а ТР 1 Ц 11, П 0 С ПЖ с СТ ГМ 15 С15 ПС Л Ь П 0(Ьсистемы. К тому 5 кс рс:5 ульту Гр 1.5 од ГгДСмпфИРОВЯППС ПГ 1 С 1 ППЫ-(50.50) Д 1 СГ 15.1 ) Я ф и Г .и О к (3 3 3(1 13 3 , 5) 1/ -.(С впик.С ОДНой С ГОрОПЫ П/3 Псе (10(Си ССЧ;3 Ь Салекроды, пмс 10 И 1 с...
Пьезотрансформаторный пол у постоянный запоминающий элемент
Номер патента: 333602
Опубликовано: 01.01.1972
Авторы: Киевский, Клочко, Лавриненко, Якименко
МПК: G11C 11/22
Метки: запоминающий, пол, постоянный, пьезотрансформаторный, элемент
...и 3, генератор считывания 4 с электродами 3 и 5 и генератор записи (сек 1 ции упра 1 вления) 6 с электродами 3 и 7 и подключенными на выходе выпрямителями- диодами 8 и 9. Возбудитель 1 и генератор записи 6 жесткополяризовацы, генератор, считывания можетпереполяризоваться в процессе работы. 1.1 аправление поляризации показано стрелками.При подаче ца вход элемента сигнала считывания с частотой, равной частоте ( продольного резонанса по,ширине в возможны дваслучая: 1) секция считывания поляризована,на выходе элемента появляется сигнал часто 10 ты 1, что соответсгвует 1 записанной информации в данном разряде; 2) секция считывания деполярцзоваца, тогда сигнал ца ее выходе будет отсутствовать, что соответствует Озаписа 1 шой инрормации.15...
Запоминающее устройство
Номер патента: 364962
Опубликовано: 01.01.1973
Авторы: Викторов, Вител, Мартынюк
МПК: G11C 11/22
Метки: запоминающее
...этого в выбранном разряде направление поляризации пьезокерамики под основным выходным электродом б изменяется на противоположное, а под дополнительным выходным электродом бУр остается прежним, так как напряжение не3 обеспечивает переполяризацию сегнетоэлектрической пластины. Если в данном разряде записывается О, то к шине 14 с выхода формирователя записи 15 прикладывается имерпульс напряжения, а к шине 18 - им 3 пульс напряжения Ур с выхода формирователя записи 19, и направление поляризации пьезокерамики в выбранном разряде изменяется только под дополнительным выходным электродом б. Ур Напряжения Ур и прикладываются к 3разрядным шинам 14 и 18 одновременно, и в выбранном адресе участки пьезокерамики генераторной пластины 4 под...
Всесоюзная
Номер патента: 368645
Опубликовано: 01.01.1973
Авторы: Вител, Мартынюк, Плахотный
МПК: G11C 11/22
Метки: всесоюзная
...разряде направление поляризации пьезокерамикипод .основным экранирующим электродом 2изменяется на противоположное, а под допол.нительным экранируюшим электродом 3 остаОрется прежним так как напряжение - - не3.обеспечивает переполяризацию сегнетоэлек - .трической пластины.Если в данном разряде записывается 0,то к шине 12 с выхода формирователя 14 приоркладывается импульс напряжения - , а к3шине 1 б - импульс напряжения Ур с выходаформирователя 17, и направление поляриза,.ции пьезокерамики в выбранном разряде из. меняется только под дополнительным электро.дом 3,Напряжения Ор и - прикладываются кУр3. шинам. 12 и 1 б одновременно, и в выбранномадресе участки пьезокерамики секции возбуждения под основными электродами 2 поляризуются в...
368648
Номер патента: 368648
Опубликовано: 01.01.1973
МПК: G11C 11/22, G11C 17/00
Метки: 368648
...содержащее пластины из сегнетоэлектрика с высокой пьезоактивностью, объединенные в акус тически монолитную конструкцию при помощи экранирующего электрода. На противоположные грани пластин нанесены полосковые разрядные электроды и электроды возбуждения, и полосковые адресные электроды. 1Так как смена информации в известном ЗУ производится путем переполяризации сегнетоэлектрика в области электродов возбуждения, то при эксплуатации устройства требуется специальный электромеханический или элек тронный пульт записи.Цель изобретения - исключить пзацию сегнетоэлектрика при смене зображено запоминающее устаказ 610/18 Изд.169 Тираж 576 Подпис НИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СС Москва, )К, Раушская...
Пьезотрансформаторный запоминающий элемент
Номер патента: 377880
Опубликовано: 01.01.1973
Авторы: Авторы, Клочко, Лавриненко, Якименко
МПК: G11C 11/22
Метки: запоминающий, пьезотрансформаторный, элемент
...образом.Запись информации осуществляется подачей на общий вход элемента 15 синусоидального сигнала с частотой Р, соответствующей частоте продольного резонанса по длине 1, которая представляет собой сумму длины пластины 4 и длины части 6 секции управления, а стирание - подачей на тот же вход синусоидального сигнала с частотой Р, соответствующей частоте продольного резонанса по длине 1, представляющей собой сумму длины пластины 4 и длины части 5 секции управления. Так как длины секций управления выбраны различными, то частоты Р и Р также различны между собой.При подаче на вход 15 элемента сигнала записи с частотой Р на выходе части б секции управления появляется переменное напряжение большой амплитуды, которое после выпрямления поступает...
413528
Номер патента: 413528
Опубликовано: 30.01.1974
МПК: G11C 11/22
Метки: 413528
...внаправлении, перпендикулярном к электродам входного преобразователя, В силу этого основной поток энергии пучка поверхностных волн проходит мимо выходных преобразовате лей 3 и 4, зеркально-симметрично расположенных относительно нормали к электродам входного преобразователя. Появляющийся при этом на электродах выходных преобразователей весьма незначительный отклик обус ловлен рассеянием пучка поверхностныхволн.При подаче управляющего деполяризующего импульса (импульса записи) на дугообразные электроды 5 и 7, либо 6 и 8 или на обе 30 пары сразу на пути распространения поверхТираж 591овета Министров СССоткрытийаб., д, 4/5 Г одппс Заказ 12061 ОЦНИИП пография, пр. Сапунова,постной волны под электродами 5, 7 и;и /и б, 8 создаются...
360002
Номер патента: 360002
Опубликовано: 15.04.1974
Авторы: Груц, Заика, Киевский, Манжело, Самофалов
МПК: G11C 11/22
Метки: 360002
...не показан). Объем сегнетоэлектрика между ними и электродами 2 жестко поляризован в одном направлении 15 при изготовлении устройства и не изменяетсяв процессе эксплуатации.Приложение скачка напряжения междуэлектродами 2 возбуждения н экранирующими электродами 4 приводит к возникновению 20 пьезоэлектрической деформации объема поляризованного сегнетоэлектрика, заключенного между этими электродами, что, в свою очередь, вызывает изменение механического напряжения в окружающей области пластины 1.25 Максимальное механическое напряжение возникает в объеме сегнетоэлектрика, ограниченном соседними электродами 2. Так как указанный объем значительно меньше объема материала пластины 1, невозбужденного при ЗО опросе данного адреса, сегнетоэлектрик в...
Матрица запоминающего устройства
Номер патента: 427378
Опубликовано: 05.05.1974
Авторы: Груц, Киевский, Марты, Самофалов
МПК: G11C 11/22
Метки: запоминающего, матрица, устройства
...с малой диэлектрической проницаемостью. Ячейки памяти представляют собой многослойную конструкцию, в которую объединены пьезокерамические пластины 2. Эти пластины объединены в акустически монолитную конструкцию по экранирующему электроду 3. На одной поверхности ячейки памяти расположены разрядные электроды 4, а на противоположной поверхности ий электрод б, Экранирующий и общи ктроды соединены по торцам с дополнптельными электродами б и 7, которые расположены в той же плоскости, что и разрядные электроды. К электродам б и 7 присоединены выводы 8 и 9. Разрядные электроды ячеек памяти соответствующих разрядов соединены между собой проводящими разрядными шинами 10,В предложенной конструкции промежутки между пьезотрансформаторн ячейками...
Запоминающий элемент
Номер патента: 439847
Опубликовано: 15.08.1974
Автор: Петров
МПК: G11C 11/22
Метки: запоминающий, элемент
...в объеме сегнетоэлектрической пластины 1 между электродом 2 и пленкой 3, образующими конденсатор 7, На одной сегнето, электрической пластине монтируется ряд запоминающих элементов.Запись информации на запоминающем 2 О элементе осуществляется подачей на электрод2 импульса положительной (запись 1) или отрицательной (запись О) полярности амплитудоц, большей коэрцитивного напряжения сегнетоэлектрика. По цепи записи электроды 4 н 5 н пленка 3 имеют малое сопротив:1 ен 11 с 111 1 сорпус 8 (земло) ) и В пластине 1 происходит поляризация сегнетоэлектрика.После прекращения действия импульса в сегнетоэлектрике длительное время сохраняется ЗО остаточная поляризация Р, направление ко439847 1 Ц Фиг Фиг. Составитель В. РудаковТекред Г, Дворина 1...
Запоминающее устройство
Номер патента: 442514
Опубликовано: 05.09.1974
Авторы: Завадский, Манжело, Самофалов
МПК: G11C 11/22
Метки: запоминающее
...сульфида кадмия и-типа). Шины записи 13 и 14 охватывают пленки 12 и отделены от шины 10 пленкой 15 из электро- изоляционного материала.20Шины для считывания на противоположных гранях пластины 1 расположены таким образом, что нормальные проекции элементов 2, 3, 4, 7 и 8 на противоположную грань совпадают соответственно с элементами 9, 12, 10, 25 11 и 15; а нормальные проекции шин 5 и 6 на противоположную грань пластины 1 накладываются на все шины 13 и 14 на этой прани, Шины 2 подключены к дешифратору адреса 16, а соответствующие им шины 9 - к шине 30 нулевого потенциала (заземлены). Шины 4 и 10 соединены и подключены к усилителю считывания 17 и через резисторы 18 к источнику напряжения смещения 19. Шины 5 и 6 соединены с формирователями...
Запоминающее устройство
Номер патента: 447757
Опубликовано: 25.10.1974
Авторы: Мартынюк, Самофалов, Шпак
МПК: G11C 11/22
Метки: запоминающее
...Запись информации производится после перевода всех запоминающих элементов данного адреса в состояние О, т. е, стирания информации.При стирании информации в выбранном адресе, на соответствующую числовую шину 11 с адресного формирователя записи 12 подается напряжение поляризации Ур, а разрядные формирователи записи 17 подключают все разрядные шины 14 и 15 к общей точке устройства (подается нулевой потенциал), Вследствие этого пластины 4 элементов выбранного адреса поляризуются в направлении, соответствующем записи О.В режиме записи на выбранную шину 11 с выхода адресного формирователя записи 12 подается напряжение - //р/2, а с разрядных формирователей записи 17 тех разрядов, где записывается 1, подается +Бр/2, а где записывается О,...
Запоминающее устройство
Номер патента: 469139
Опубликовано: 30.04.1975
Авторы: Завадский, Манжело, Самофалов
МПК: G11C 11/22
Метки: запоминающее
...производится путем поляризации сегнетоэлектрического материала его входных преобразователей в направлении, ортогональном плоскости электродов и определяемом принятой системой кодирования двоичных цифр. Запись осуществляется в два такта.В первом такте (стирание ранее записаннойинформации) производится запись, например, нуля во все разряды выбранного адреса. При 5 этом формирователь 16 в течение заданноговремени удерживает на электродах 11 и 12 потенциал +с Выбор знака потенциалов условный, определяющим является соотношение знаков. Разрядные формирователи 19 и 20 О также возбуждены и удерживают на электродах 8 управления потенциал - ,.Формирователь 18 возбуждается одновременно с формирователями 16, 19, 20 и на своем выходе создает...
Запоминающее устройство
Номер патента: 488257
Опубликовано: 15.10.1975
МПК: G11C 11/22
Метки: запоминающее
...причем поляризация этих участков может иметь то или иное направление, которое задается при записи информации. Пластина 1 на участках между запоминающими элементами, между разрядными электродами соседних элементов механически жестко соединена с подложкой 9, На фиг. 1 эти участки отмечены штрих-пунктирными линиями 10 и механически не связаны с подложкой на участках расположения запоминающих элементов.Последнее достигается тем, что в подложке 9 параллельно разрядным шинам 7 выполнены пазы 11. При этом сечение участков 12 пластины 1 между запоминающими элементами больше сечения пластины в местах 13 расположения запоминающих элементов.Устройство работает следующим образом.Запись информации в устройстве осуществляется путем...
Запоминающий блок
Номер патента: 556497
Опубликовано: 30.04.1977
Авторы: Завадский, Иващенко, Манжело, Самофалов, Швыдкий
МПК: G11C 11/22
Метки: блок, запоминающий
...1 из сегнетоэлектоическото материала, обладающего пьезоэлектрическими свойствами в поляризованном состоянии. В середине каждой из сторон пластины 1 расположены один против другого электроды возбуждения 2, 3, На одной стороне пластины 1, например верхней, по краям ее параллельно первому электроду возбуждения 2 нанесены электроды записи 4 информацни. На другой стороне пластины 1 перпендикулярно к второму электроду возбуждения З,нанесены фотарезистивные пленки 5, на которых расположены выходные электроды 6, выполненные из оптически прозрачного электропроводящего материала (например, окиси олова и т, п.). Поляризация между электродами возбуидения 2 и 3 создается приложением электрического поля к этим электродам и в процессе эксплуатации не...
Элемент памяти
Номер патента: 557417
Опубликовано: 05.05.1977
Авторы: Завадский, Завалин, Иващенко, Максимов, Потыкевич
МПК: G11C 11/22
...тем, что элементпамяти, содержащий последовательно распоножен.ные электрод поляризации и пластину из сегнето.электрического материала, и слой полуроводиикас нанесенным на него электродом управления, под.ключенньтм ко входу элемента, содержит слойметалла, расположенный между слоем полупроводника н пластиной нз сегнетозлектрнческого материала,На чертеже изображен элемент памяти, содержащий пластнну 1 из сегнетоэлектрического мам.риала, На одной стороне пластины 1 расположенэлектрод поляризации 2. На ррутой стороне расположен слой полупроводника 3, отделенный от плас.тины 1 слоем металла 4, Слой полупроводника 3снабжен электродом управления 5, подключаемымко входу элемента,Запись инф однкием к электрода ка на557417 Составитель 1 О....
Способ возбуждения многовходового пьезотрансформаторного запоминающего элемента
Номер патента: 575698
Опубликовано: 05.10.1977
Авторы: Мартынюк, Самофалов, Харламов
МПК: G11C 11/22
Метки: возбуждения, запоминающего, многовходового, пьезотрансформаторного, элемента
...секции возбуждения 5 запоминающегоэлемента относительно акранирующегоэлектрода 6, который через алемент связи7 например ключевой элемент, подсоединенк шине 8 нулевого потенциала, одновременно прикладываются противофазные импульсы напряжения одновременно прикладываются противофаэные импульсы напряжения,т.е. к электроду 3 прикладывается импульснапряжения положительной полярности 13 ((фиг, 2, ), а к алектроду 4 - импульснапряжения отрицательной полярности Гу(фиг. 2, ). На основании явления обратного пьезоэлектрического эффекта под возьдействием этих импульсов напряжения сегнетоалектрическая пьезокерамика секции5 испытывает импульсную деформацию.Направление и степень деформации участков пьеэокеремики секции возбуждения 5,расположенных...
Запоминающее устройство
Номер патента: 597006
Опубликовано: 05.03.1978
Авторы: Мартынюк, Самофалов, Харламов
МПК: G11C 11/22
Метки: запоминающее
...Э. ЕКТГ)ИЕСКОГО ПОЛЯ, СОЗД 2)НОГО между экраццруюц,ц;,; электродом 8 и каждым цз ва)хо.51 ых эл;Родов 1 О выбРанной Ячейки памяти 3. )кды й 3 эдеме)1 тов памяти ПЛаСТИЦЫ," 1:О)151 РИЗУЕТСЯ В СООТВЕТСТВУЮЩЕМ направлении. Прц этом ложная запись или разрушение "рацц:;ой ип)ормации в цевыбранных ячейках памяти 5 накопителя 1 не происходит. Посл Нерезанно) информации съемный модуль зо 15 2 б 75 ЗО Зб 40 4 5 О 55 60 накопителя 1 возвращают в запоминающее устройство.В режиме хранения информации накопитель принципиально це потребляет электрическую энергию и сохрацность записанной в цем информацц ЦЕ ЗаВИСИГ ОТ ВРЕМЕНИ И ВЫКЛЮЧЕНИЯ питания. В режиме считывания информации устройство допускает выборку хранимой информации с произвольным доступом...
Запоминающее устройство
Номер патента: 608197
Опубликовано: 25.05.1978
Авторы: Бородин, Бушманов, Кадышев, Линченко, Мартынюк, Самофалов, Твердов, Фаттахов
МПК: G11C 11/22
Метки: запоминающее
...входы которых соединены с разрядными шинами 20 группы 12 блоков 13. Количество усилителей 22 считывания для группы 12 блоков 13 определяется разрядностью хранимого в накопителе числа, Выходы усилителей 22 считывания через эле менты И 23, одни из входов которых подключены к выходам дешифратора 6, и элементы ИЛИ 24, на которых производится объединениеодноименных разрядов считанной информации из различных групп 12 блоков 13, соединены с регистром числа 25,Ключ питания 10 выполнен на транзисторе 26 (см. фиг. 2). Коллектор транзистора подключен к источнику питания (не показан), база соединена через управляющий вход 27 с блоком 11 управления. Эмиттер транзистора 26 через токозадающие резисторы 28 ссгдинен с управляющими входами 29...
Матрица для запоминающего устройства
Номер патента: 674099
Опубликовано: 15.07.1979
Авторы: Божко, Мартынюк, Самофалов, Твердов, Фаттахов, Шпак
МПК: G11C 11/22
Метки: запоминающего, матрица, устройства
...Для этой цели хорошимиэлектрическими свойствами характеризуется пьезокерамика типа ЦТС, на основе которой были изготовлены экспериментальные образцы,Запись информации в предложенной матрице осуществляется путем приложенияразности напряжения к участкам пластинымежду электродами 4 и 3,преМ 1 шаюшейнапряжение переполяриэации пластины, одной или другой полярности, в зависимостиот записываемой информации ф 1" или "О".Под действием напряжения участки пластины поляризуются до насыщения. Приложенйе соответствующих разностей напряжения к выбранным участкам пластин (эапоминаюшим эйементам матрицы) выполняется подачей необходимых напряженийна числовые 10 и общие разрядные 9 шиПри считывании информации матрицадопускает два включения по...
Запоминающее устройство
Номер патента: 690564
Опубликовано: 05.10.1979
Авторы: Мартынюк, Самофалов, Харламов
МПК: G11C 11/22
Метки: запоминающее
...входом каждого из формирователей 19 сиг валов считывания. Другие входы формирователей 19 подключены к соответствующимвыходам дешифратора 20 адресавходы ко.торого подсоединены к регистру адреса (на фиг. 1 не показан). Дешифратор 20 адреса (см. фиг, 2) содержит два линейных дешифратора 21 и 22, у которых выходные каскады выполнены на транзисторах типа п-р. - и соответственнЬ 23 и 24, эмиттеры которых объединены между собой и подключены к шине 10 нулевого потенциапа. Каждый из формирователей 19 построен на транзисторе 25 типа и - р - и, коллектор которого является выходом формирователя и через резистор 26 подключен к источнику напряжения 0 (ши на 27). Базы и эмиттеры транзисторов 25объединены между собой таким образом, чтотранзисторы 25...
Запоимнающее устройство
Номер патента: 746725
Опубликовано: 05.07.1980
Авторы: Завадский, Заика, Самофалов
МПК: G11C 11/22
Метки: запоимнающее
...Й электродов 4 записии такое же количество вспомогательныхэлектродов 5.Запись информации в устройство производится следующим образом.Для записи дискретного информационного сигнала уровня К с К формирователей 8 сигналов записи подается напряжение записи на К электродов 4 записи, подклю 45ченные к этим формирователям, создающее поляризацию сегнетозлектрического мат риала пластины 1, находящегося в зоне перекрытия электродов 4 записи и выходного электрода 3 (подключенного через входные цепи усилителя считывания 7 к обшей точке), равную по величине и направлению поляризации сегнетоэлектрического материала пластины 1 в зоне перекрытия вспомогательных электродов 5 и выходного электрода 3, С остальных (И-К) формирователей 8 сигналов записи нв...
Накопитель для запоминающего устройства
Номер патента: 752474
Опубликовано: 30.07.1980
Авторы: Завадский, Заика, Самофалов
МПК: G11C 11/22
Метки: запоминающего, накопитель, устройства
...пропорциональна величине преобразуемого цифрового кода.На чертеже изображена конструкция накопителя для ЗУ, выполненного согласно изобретению.Предложенный накопитель для ЗУ содержит пластину 1 из сегнетоэлектрического752474 оставитель Ю. РозентальТехред А. Камышникова екторы: Л, Слепая и О. Иоанесян Редактор 3, Ходакова Заказ 1454/9 Изд.393 Тираж 673 Подписное НПО Поиск Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5ипография, пр. Сапунова 2 материала, обладающего пьезоэлектрическими свойствами в поляризованном состоянии. На одну из сторон пластины 1 нанесен электрод возбуждения 2, выполненный в виде отдельных секций, имеющих одинаковую ширину, а их длины пропорциональны весам...
Запоминающая матрица
Номер патента: 752475
Опубликовано: 30.07.1980
Авторы: Гермаш, Кудренко, Мартынюк, Самофалов, Сидоренко, Шпак
МПК: G11C 11/22
Метки: запоминающая, матрица
...управляющими электродами 6 и 8 заполяризовапа постоянно, а под управляющими электродами 7 и 9 поляризация пластины может изменяться в зависимости от записываемой информации.Запись информации осуществляется подачей импульсного напряжения поляризации соотвстствующей полярности и длительности на управляющие шины, например шину 19. Шина 17 подключается к общей точке матрицы, На все остальные шины в режиме записи подаются напряжения, исключающие ложную запись в невыбранных элементах.При считывании информации напряжение считывания поступает в управляющую шину 16, одновременно с ним в компенсирующую шину 20 подается такое же по форме, но противоположное по знаку напряжение, Шины 17 и 21 подключены к общей точке устройства, В результате...
Способ записи и считывания информации в сегнетопьезоэлектрическом односекционном запоминающем элементе
Номер патента: 780040
Опубликовано: 15.11.1980
Авторы: Гаврилюк, Мартынюк, Самофалов, Сапожников, Шпак
МПК: G11C 11/22
Метки: записи, запоминающем, информации, односекционном, сегнетопьезоэлектрическом, считывания, элементе
...2,3 прикладываютсерию импульсов, прлярность которыхйро"гйвоположна полярности напряженияпри поляризации (записи "1"), норавных ему по амплитуде (см.фиг.2 б),Длительность импульсов напряжения деполяризации выбирают на два "=,"йбРщка-"меньше длйтельности им пульса напряжения поляризации.Приприложении серии импульсов в пределах от 10 до 50 для пьезокерамики типа ЦТС, остаточная поляризация, заданная при записи "1",значительно уменьшается, болеечем в 20 раэ.Способ считывания информации из" бдносекционного сегнетопьезоэлектри= " веского запоминающего элемента сос" тоит в том, что к электродам 2,3" запоминающего элемента приклады- -вают импульсы напряжения (см,фиг.За)и хранимую информацию ("1" или "0")ойределяют по пьезотоку, протекающему...
Накопитель для запоминающего устройства
Номер патента: 830574
Опубликовано: 15.05.1981
Авторы: Завадский, Заика, Самофалов
МПК: G11C 11/22
Метки: запоминающего, накопитель, устройства
...нанесен четвертый электрод 9 возбуждения и параллельно ему дополнительные к групп 60 (на чертехе =2) разрядных электродов 10, Разрядные электроды 10 в пределах каждой группы подключены к соответствующим дополнительным выходным. электродам 11. Длина разряд- у ных электродов 3 и 10 значительно превышает их ширину. Поляризация сегнетоэлектрического материала между электродами возбуждения 2,5 и 7,9 образуется приложением электрического напри;кения к указанным электоодам и в процессе эксплуатации не изменяется,Информация в накопитель может заноситься как при изготовлении, так и при эксплуатации. для этого достаточно приложить электрическое напряжение между соответствующим выходным электродом и электродом записи (например, между одним из...
Запоминающее устройство
Номер патента: 842961
Опубликовано: 30.06.1981
Авторы: Лавриненко, Манжело, Некрасов, Плахотный, Самофалов
МПК: G11C 11/22
Метки: запоминающее
...запоминающихпьезотрансформаторов, через диоды 16 и 17(фиг. 3) блоков запоминающих трансформаторов 1 и разрядных усилителей 5 поступаютна регистр 8 числа. Причем на установкутриггеров регистра 8 числа ве поступаютлишь импульсы, полярность которых совпадает с направлением включения вентилей(диодов 16 и 17, фиг. 3) т.е. импульсы 1.Импульсы О (противоположной полярности) значительно ослабляются диодами итриггерами регистра 8 не воспринимаются,Кроме того, импульсы 1, распространяющиеся по разрядной шине, удерживают вентили (диоды 16, фиг. 3) невыбранных трансформаторов в запертом состоянии, исключаяпаразитную перегрузку возбужденного (выбранного) запоминающего пьезотрансформатора параллельно включенными выхоДамиостальных трансформаторов. При...
Запоминающая матрица
Номер патента: 855731
Опубликовано: 15.08.1981
Авторы: Верба, Гермаш, Кит, Кудренко, Мартынюк, Мурзаханов, Самофалов, Сидоренко, Шпак
МПК: G11C 11/22
Метки: запоминающая, матрица
...пластин, соединенных экранирующими электродами 3. На пластиныпервой группы 1 нанесены разрядныеэлектроды 4, пластины второй группы2 - общие электроды 5. Разрядныеэлектроды 4 расположены на одной изсторон пластин 1 перпендикулярноэкранирующим электродам 3. Такая конструкция позволяет акустически развязать как входные, так и выходныецепи.Если необходимо развязать тольксвходные или только выходные цепи,то предпочтительными являются варианты конструкции, запоминающей матрицы, изображенные соответственнона фиг. 2 и 3,Матрица работает следующим образом.Магнитопьезоэлектрические пластины 2 между общим 5 и экранирующими3 электродами жестко заполяризованы при изготовлении матрицы. За-пись информации осуществляется в сегнетопьезокерамических...