Гаевскис — Автор (original) (raw)

Гаевскис

Резистивный материал

Номер патента: 1125662

Опубликовано: 23.11.1984

Авторы: Гаевскис, Калване, Фреймане, Шебанов

...является то, что относительная плотностькерамики в процентах от теоретичес.кой - рентгенографической плотности при оптимальном режиме синтезадостигает не более 90, 40Цель изобретения - уменьшение тем.пературного коэффициента сопротивления и повышение относительнойплотности.Поставленная цель достигается 45тем, что.резистивный материал, включающий оксиды свинца и бария, дополнительно содержит оксид ниобия при.следующем количественном соотношении компонентов,мас.Ъ: 50Оксид бария 39,60-42,51Оксид ниобия 1,12-11,06Оксид свинца Остальное Резистнвный материал приготовляют следующим образом.Смешивание и измельчение исходных компонентов шихты производят в шаровых агатовых мельницах в среде этилового спирта до размера частиц 0,5 мкм в...

Керамический материал

Номер патента: 1086463

Опубликовано: 15.04.1984

Авторы: Биркс, Гаевскис, Калване, Калнберга, Ласмане

МПК: H01B 3/12

Метки: керамический, материал

...и цинка 21.Недостатком известных материаловявляется низкий коэффициент нелинейности.Наиболее близким по техническойсущности к предлагаемому являетсякерамический материал 1.3 1, содержащийоксиды, вес. Х:РЬО 68,50-68,26ФО . 3,92-3,49ЯО б,38-1,14НЬ 2 05 27,20-27, 1 ОНедостатком известного материалаявляется то, что коэффициент нелинейности не превышает 5,5 1 ОВ "и,при этом максимум нелинейности смещен в сторону низких температур(по отношению к комнатной).Цель изобретения - повышение коэффициента нелинейности материалаПоставленная цель достигаетсятем, что керамический материал, содержаший оксиды свинца, магния ниобия, никеля, дополнительно содержитоксиды титана и стронция при следующем соотношении компонентов, мас.Ж:РЬО 65,89-67,58МяО...

Шихта для изготовления сегнетоэлектрического материала

Номер патента: 555074

Опубликовано: 25.04.1977

Авторы: Брант, Бранте, Гаевска, Гаевскис, Гринвальд

МПК: C04B 35/01, C04B 35/497, H01G 4/12 ...

Метки: сегнетоэлектрического, шихта

...мельницах с агатовыми барабанами и шарами в среде этилового спирта в течение 8-10 час (до полного прохождения через сито Х 0056), После высушивания при 120 СС шихту прессуют в брикеты и подвергают первому обжигу при 900 С с выдержкой при этой температуре в течение 2 час, Затем брикеты измельчают и размалывают повторно. После помола из просушенной массы при удельном давлении 900-1000 кг, см прессуют заготовки конденсаторов в виде дисков и "чашек", Второй обжиг проводят при 1150 С с выдержкой при этой температуре до 1 час. Обжиг проводят в защитной атмосфере, предотвращающей потери РЬО,Примерный состав предлагаемой шихты может содержать следующие компоненты, вес, %:555074 66,85 26,75 2,71 1,87 1,82 РЬОГчЬз ОзИОЕпО 66,50 - 67,02 26,52...

Шихта для изготовления сегнетоэлектрического материала

Номер патента: 504737

Опубликовано: 28.02.1976

Авторы: Брант, Гаевска, Гаевскис, Гринвальд, Фрицберг

МПК: C04B 35/497

Метки: сегнетоэлектрического, шихта

...взятые в следующем соотношении, вес,%:РЬОйВ,ОзМдо ЛпО 5,22 - 2,2510 0,41 - 1,64Для изготовления керамического материала шихту размалывают до прохождения через5 сито0056, После высушивания при 120 -150 С прессуют брикеты и подвергают их обжигу при 900 С с выдержкой в течение 2 часа, Затем брикеты измельчают и массу размалывают повторно до полного прохождения чеО рез сито0056. Из полученной массы приудельном давлении прессуют заготовки конденсаторов. Окончательный обжиг проводятпри 1110 - 1200 С в атмосфере РЬО с выдержкой до 1 час. После шлифовки на изделия на 5 носят электроды методом вжигания серебряной пасты при 800 С. В итоге получают материал следующего состава:Х РЬ (Мрто МЬгтз) Оз - УРЬ (Итт, 3 ХЬ зтз) Оз -- 2 РЬ...