Гаськов — Автор (original) (raw)
Гаськов
Способ легирования кремниевых пластин
Номер патента: 1531757
Опубликовано: 20.09.2001
Авторы: Авдеев, Верин, Гаськов, Генералов, Гласко, Губарь, Зимаков, Зыканова, Коршунов, Петровнин, Сарайкин, Соколов, Соловьев, Старикова, Тимашева, Шестериков, Щербина
МПК: H01L 21/268
Метки: кремниевых, легирования, пластин
Способ легирования кремниевых пластин, включающий имплантацию в них ионов бора с энергией 30 - 60 кэВ и электрическую активацию бора последующим нагревом облучением импульсами света, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности за счет получения поверхностной концентрации свободных носителей заряда, превышающей дозу имплантации, при одновременном снижении энергозатрат, нагрев осуществляют на воздухе импульсами света длительностью 2,5 10-3 - 10 с, при этом число импульсов и их энергетические параметры выбирают из условия обеспечения температуры T имплантированного слоя 900oC
Способ легирования кремниевых пластин
Номер патента: 1531756
Опубликовано: 20.09.2001
Авторы: Авдеев, Верин, Гаськов, Генералов, Гласко, Губарь, Зимаков, Зыканова, Коршунов, Петровнин, Сарайкин, Соколов, Соловьев, Старикова, Тимашева, Шестериков, Щербина
МПК: H01L 21/268
Метки: кремниевых, легирования, пластин
Способ легирования кремниевых пластин, включающий имплантацию в них ионов бора с энергиями 30 - 60 кэВ и дозами, меньшими 4 1016 см-2, и электрическую активацию бора последующим нагревом облучением импульсами света, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности за счет получения поверхностной концентрации свободных носителей заряда, превышающей дозу имплантации, нагрев осуществляют на воздухе импульсами света длительностью 25 10-3 - 10 с, при этом число импульсов и их энергетические параметры выбирают из условия...
Способ легирования пластин кремния
Номер патента: 1507129
Опубликовано: 20.09.2001
Авторы: Авдеев, Верин, Гаськов, Генералов, Зимаков, Зыканова, Коршунов, Лисина, Петровнин, Сарайкин, Соколов, Соловьев, Старикова, Тимашева, Щербина
МПК: H01L 21/268
Метки: кремния, легирования, пластин
Способ легирования пластин кремния для изготовления диодов, включающий имплантацию в них ионов бора и электрическую активацию бора последующим нагревом импульсами света, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности труда путем получения поверхностной концентрации свободных носителей заряда выше дозы имплантации и одновременного повышения быстродействия диодов путем снижения времени жизни неосновных носителей заряда, имплантацию проводят при энергиях ионов бора от 30 до 60 кэВ со средней плотностью ионного тока, меньшей 3 мкА/см2, а нагрев ведут от появления следов расплава на пластине до пробега волны плавления по ее поверхности.
Способ получения включений гексаборида кремния
Номер патента: 1442004
Опубликовано: 20.09.2001
Авторы: Верин, Гаськов, Генералов, Гласко, Губарь, Зимаков, Коршунов, Петровнин, Сарайкин, Соловьев, Старикова, Тимашева, Щербина
МПК: H01L 21/265
Метки: включений, гексаборида, кремния
Способ получения включений гексаборида кремния, включающий облучение пластин кремния ионами бора, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности способа, облучение ведут при средней плотности ионного тока j, лежащей в интервале 2,0 < j < 3,0 мкА/см2, дозы от 6,25 1015 до 1,875 1016 см-2 и дополнительно проводят отжиг облученных пластин импульсами света при температуре от 375 до 1100oC.
Стробируемый компаратор
Номер патента: 1839278
Опубликовано: 30.12.1993
Автор: Гаськов
Метки: компаратор, стробируемый
...через транэистор 17. Процесс происходит до тех пор,пока токи через транзисторы 17 и 18 несравняются,Если сигнал на базе транзистора 2 становится больше, чем на базе транзистора 3, ток через этот транзистор становится больше, что ведет к увеличению падения напряжения на резисторе 21 и уменьшению падения напряжения на резисторе 22, Следовательно, ток через транзистор 18 увеличивается, а ток через транзистор 17 уменьшается. Это ведет к уменьшению падения напряжения на резисторе 21 и увеличению падения напряжения на резисторе.50 22, т.е. происходит стабилизация напряжений на резисторах нагрузки.Приращение напряжения на резисторе 21 определяется по формулеОй 1Й 12 17) (1) где й - сопротивление резистора 21;12 - приращение тока транзистора 2;...
Устройство для функционального контроля больших интегральных схем
Номер патента: 1838796
Опубликовано: 30.08.1993
Авторы: Гаськов, Гирлин
МПК: G01R 31/28, G01R 31/318
Метки: больших, интегральных, схем, функционального
...происходит сравнение выходного сигнала с микросхемы с логическими уровнями "1" и "О". задаваемыми источниками 21, 22 опорных напряжений, Сравнение сигнала проверяемой микросхемы с опорным уровнем осуществляется в момент прихода сигнала стробирования компаратора с управляющих входов 24 (фиг, 2, в) или 25 (фиг. 2, г),Пусть п-й импульс синхронизации установил счетный триггер 18 в состояние, когда на прямом выходе счетного триггера 18 устанавливается нуль, а на инверсном - единица (фиг, 2, д, е). При этом и-й импульс синхронизации, проходя через элемент И 19, формирует импульсы сброса элементов памяти 10, 12, устанавливая на их выходе состояние "ГОДЕН" (логическая "1" на выходе элемента памяти) (фиг, 2, з), Задержанный элементом...
Способ получения защитного покрытия на поверхности кремниевых оптических элементов
Номер патента: 1732312
Опубликовано: 07.05.1992
Авторы: Воронина, Гаськов, Книпович, Конюшкина
МПК: G02B 5/28
Метки: защитного, кремниевых, оптических, поверхности, покрытия, элементов
...из кремния помещается через шлиф 4 на кварцевую платформу 5. Азотная смесь вводится в реактор через кран 7, пройдя систему очистки, Скорость газового потока измеряется ротаметром 8, регулировка скорости проводится краном 7. Датчики 9 измерения давления располагаются на входе и выходе из реактора. Проточный режим работы реактора обеспечивается форвакуумным насосом НВЗ. Для предварительного обезгаживания стенок реактора используется магниторазрядный насос "НОРД". Электрическое питание разряда осуществляется от блока питания БПи разрядного блока (не показаны). Суммарная емкость конденсаторной батареи 4,17 мкф, напрякение на электродах 1200 - 1300 В, длительность импульса 20 мкс, частота 20 Гц.Способ осуществляют следующим...
Формирователь стабильного тока
Номер патента: 1698801
Опубликовано: 15.12.1991
Автор: Гаськов
МПК: G01R 19/00
Метки: стабильного, формирователь
...выходных тоководин из резистбров 8 подключен к общейшине 11, на инвертирующий вход операционного усилителя 1 подается управляющеевходное напряжение поскольку операционный усилитель 1 охвачен обратнойсвязью,замыкающейся через полевые транзисторы2 и 3. При этом напряжение на истоке транзистора 3 также равно входному, а ток внагрузке будет обратно пропорционаленсопротивлению параллельно соединенныхрезистора 12 и одного из группы резисторов8. Поскольку этот ток нигде не ответвляется(эа исключением пренебрежимо малого тока через затворы полевых транзисторов 2 и3), то этот же ток будет являться выходнымтоком формирователя, протекающим черезнагрузку 6. У транзистора 4 обратный токколлектора может достигать большой величины, однако минимальный...
Аналоговое запоминающее устройство
Номер патента: 1427423
Опубликовано: 30.09.1988
Автор: Гаськов
МПК: G11C 27/00
Метки: аналоговое, запоминающее
...схема устройства,Устройство содержит блок 1 сравне"ния, усилитель 2, первый 3 и второй4 ключевые элементы, нелинейный эле-,мент 5, интегратор 6, шину .7 нулевого потенциала, элементы 8 и 9 задержки, первый 10 и второй 11 зарядныеэлементыЭлементы 8 и 9 могут быть выполнены в виде интегрирующих ВС-цепочек.Вкачестве элементов 10 м 11 могутбыть использованы диоды.Устройство работает следующим образом.При переходе в режим хранения управляющий сигнал проходит на управляющий вход элемента 3 через элемент8, а на вход элемента 4 - через эле"мент 11. Следовательно, элемент 3закроется после того, как откроетсяэлемент 4 и проходная емкость элемента 4 переэарядится через малое сопротивление открытого элемента 3. Послетого, как откроется...