Генералов — Автор (original) (raw)
Генералов
Способ легирования кремниевых пластин
Номер патента: 1531757
Опубликовано: 20.09.2001
Авторы: Авдеев, Верин, Гаськов, Генералов, Гласко, Губарь, Зимаков, Зыканова, Коршунов, Петровнин, Сарайкин, Соколов, Соловьев, Старикова, Тимашева, Шестериков, Щербина
МПК: H01L 21/268
Метки: кремниевых, легирования, пластин
Способ легирования кремниевых пластин, включающий имплантацию в них ионов бора с энергией 30 - 60 кэВ и электрическую активацию бора последующим нагревом облучением импульсами света, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности за счет получения поверхностной концентрации свободных носителей заряда, превышающей дозу имплантации, при одновременном снижении энергозатрат, нагрев осуществляют на воздухе импульсами света длительностью 2,5 10-3 - 10 с, при этом число импульсов и их энергетические параметры выбирают из условия обеспечения температуры T имплантированного слоя 900oC
Способ легирования кремниевых пластин
Номер патента: 1531756
Опубликовано: 20.09.2001
Авторы: Авдеев, Верин, Гаськов, Генералов, Гласко, Губарь, Зимаков, Зыканова, Коршунов, Петровнин, Сарайкин, Соколов, Соловьев, Старикова, Тимашева, Шестериков, Щербина
МПК: H01L 21/268
Метки: кремниевых, легирования, пластин
Способ легирования кремниевых пластин, включающий имплантацию в них ионов бора с энергиями 30 - 60 кэВ и дозами, меньшими 4 1016 см-2, и электрическую активацию бора последующим нагревом облучением импульсами света, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности за счет получения поверхностной концентрации свободных носителей заряда, превышающей дозу имплантации, нагрев осуществляют на воздухе импульсами света длительностью 25 10-3 - 10 с, при этом число импульсов и их энергетические параметры выбирают из условия...
Способ отжига ионно-имплантированных полупроводниковых материалов
Номер патента: 1170926
Опубликовано: 20.09.2001
Авторы: Генералов, Зимаков, Коршунов, Соловьев, Тихонова
МПК: H01L 21/268
Метки: ионно-имплантированных, отжига, полупроводниковых
1. Способ отжига ионно-имплантированных полупроводниковых материалов, включающий облучение полупроводника излучением CO2-лазера с длиной волны, лежащей вне полосы собственного поглощения полупроводника, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии при одновременном улучшении параметров и повышении производительности, облучение ведут в импульсно-периодическом режиме с длительностью импульса 1,5 10-6 - 1 10-4 с и количеством импульсов 5 - 900 при температуре облучаемой поверхности не меньше 0,55 т.пл., но меньше...
Способ получения инверсных полупроводниковых слоев
Номер патента: 1523001
Опубликовано: 20.09.2001
Авторы: Верин, Газуко, Генералов, Гласко, Губарь, Зимаков, Зыканова, Коршунов, Петровнин, Соловьев, Старикова, Щербина
МПК: H01L 21/268
Метки: инверсных, полупроводниковых, слоев
Способ получения инверсных полупроводниковых слоев в исходном легированном кремнии, включающий импульсных нагрев, отличающийся тем, что, с целью расширения области применения и исключения эрозии поверхности, в качестве исходного используют кремний n-типа, легированный фосфором до концентраций 1013 - 2 1016 см-3, а нагрев ведут на воздухе в интервале температур от 1200oC до температуры плавления кремния.
Способ обработки полупроводниковых материалов
Номер патента: 1523000
Опубликовано: 20.09.2001
Авторы: Верин, Газуко, Генералов, Гласко, Губарь, Зимаков, Зыканова, Коршунов, Петровнин, Соловьев, Старикова, Щербина
МПК: H01L 21/268
Метки: полупроводниковых
Способ обработки полупроводниковых материалов, включающий импульсный нагрев, отличающийся тем, что, с целью получения обедненных слоев в кремнии n-типа, в качестве исходного используют кремний, легированный фосфором до концентраций 1013 - 5 1015 см-3, а нагрев ведут на воздухе до температуры 1150oC < T < 1200oC.
Способ отжига ионолегированных полупроводниковых материалов
Номер патента: 1393232
Опубликовано: 20.09.2001
Авторы: Аверьянова, Астахов, Белотелов, Верин, Генералов, Зимаков, Зыканова, Камушкин, Коршунов, Петровнин, Прохоров, Соловьев, Старикова, Шестериков, Щербина
МПК: H01L 21/268
Метки: ионолегированных, отжига, полупроводниковых
Способ отжига ионолегированных полупроводниковых материалов, включающий нагрев пластин из полупроводниковых материалов излучением CO2-лазера в импульсно-периодическом режиме до температуры T, лежащей в диапазоне 0,55 Tпл T Tпл, где Tпл - температура плавления материала, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности отжига за счет снижения количества дефектов и дислокаций в пластинах, легированных дозами ионов примеси, не вызывающими аморфизацию имплантированного слоя, нагрев ведут импульсами миллисекундной...
Способ получения п-слоев в антимониде индия
Номер патента: 1149822
Опубликовано: 20.09.2001
Авторы: Генералов, Зимаков, Коршунов, Орликовский, Соловьев
МПК: H01L 21/268
Метки: антимониде, индия, п-слоев
Способ получения n-слоев в антимониде индия, включающий компенсацию исходного чистого антимонида индия акцепторной примесью, изготовление из него подложек p-типа и облучение их лазерным излучением, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности создания новых классов приборов за счет повышения подвижности электронов в слоях толщиной порядка 1 мкм, в качестве акцепторной примеси используют германий, а облучение ведут на длине волны 10,6 мкм в импульсно-периодическом режиме с длительностью импульса 3 (10-6 - 10-4) с, количеством импульсов 10 - 50, длительностью пакета импульсов не более 0,5 с,...
Способ обработки поверхности кремния
Номер патента: 1507126
Опубликовано: 20.09.2001
Авторы: Аверьянова, Верин, Генералов, Гласко, Губарь, Зимаков, Козлов, Коршунов, Павлов, Петровнин, Прохоров, Соловьев, Старикова, Тимашева, Шестериков, Щербина
МПК: H01L 21/26
Метки: кремния, поверхности
Способ обработки поверхности кремния, включающий имплантацию ионов бора и последующее облучение импульсами света, отличающийся тем, что, с целью повышения термостойкости имплантированного слоя, облучение ведут с длительностью импульсов не более десятков секунд при плотности мощности не менее 10 Вт/см2.
Способ легирования пластин кремния
Номер патента: 1507129
Опубликовано: 20.09.2001
Авторы: Авдеев, Верин, Гаськов, Генералов, Зимаков, Зыканова, Коршунов, Лисина, Петровнин, Сарайкин, Соколов, Соловьев, Старикова, Тимашева, Щербина
МПК: H01L 21/268
Метки: кремния, легирования, пластин
Способ легирования пластин кремния для изготовления диодов, включающий имплантацию в них ионов бора и электрическую активацию бора последующим нагревом импульсами света, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности труда путем получения поверхностной концентрации свободных носителей заряда выше дозы имплантации и одновременного повышения быстродействия диодов путем снижения времени жизни неосновных носителей заряда, имплантацию проводят при энергиях ионов бора от 30 до 60 кэВ со средней плотностью ионного тока, меньшей 3 мкА/см2, а нагрев ведут от появления следов расплава на пластине до пробега волны плавления по ее поверхности.
Способ получения включений гексаборида кремния
Номер патента: 1442004
Опубликовано: 20.09.2001
Авторы: Верин, Гаськов, Генералов, Гласко, Губарь, Зимаков, Коршунов, Петровнин, Сарайкин, Соловьев, Старикова, Тимашева, Щербина
МПК: H01L 21/265
Метки: включений, гексаборида, кремния
Способ получения включений гексаборида кремния, включающий облучение пластин кремния ионами бора, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности способа, облучение ведут при средней плотности ионного тока j, лежащей в интервале 2,0 < j < 3,0 мкА/см2, дозы от 6,25 1015 до 1,875 1016 см-2 и дополнительно проводят отжиг облученных пластин импульсами света при температуре от 375 до 1100oC.
Способ отжига ионно-имплантированных слоев полупроводниковых пластин
Номер патента: 1436767
Опубликовано: 20.09.2001
Авторы: Аверьянова, Верин, Генералов, Зимаков, Зыканова, Коршунов, Прохоров, Сазонов, Соловьев, Старикова
МПК: H01L 21/268
Метки: ионно-имплантированных, отжига, пластин, полупроводниковых, слоев
Способ отжига ионно-имплантированных слоев полупроводниковых пластин, включающий формирование поглощающего лазерное излучение слоя и нагрев его лазерным излучением, отличающийся тем, что, с целью увеличения степени однородности свойств отожженного слоя, поглощающий лазерное излучение слой формируют внутри или на обратной стороне полупроводниковой пластины путем легирования, толщину и концентрацию примеси в указанном слое выбирают из условия выделения в поглощающем слое максимальной части энергии лазерного излучения, облучение проводят лазером на CO2 в импульсно-периодическом режиме с мощностью излучения, обеспечивающей температуру подложки от 0,55 Tпл до...
Способ переработки галоидсодержащих пылей свинцового производства
Номер патента: 754872
Опубликовано: 27.07.1999
Авторы: Гель, Генералов, Давыдов, Фирман, Харадуров, Ходов, Ярославцев
МПК: C22B 13/00, C22B 7/02
Метки: галоидсодержащих, переработки, производства, пылей, свинцового
Способ переработки галоидсодержащих пылей свинцового производства, включающий высокотемпературную переработку их в присутствии окислов щелочных металлов в стехиометрическом количестве по отношению к содержанию галоидов в пыли, отличающийся тем, что, с целью повышения извлечения свинца в компактный металл, высокотемпературную переработку пылей ведут на шлаковой ванне сначала при 900 - 1040oC с углеродсодержащим восстановителем и окислами щелочных металлов, а затем температуру расплава доводят до 1250oC и обрабатывают его смесью твердого углеродсодержащего восстановителя и металла с большим средством к сере, чем цинк и свинец.
Способ получения эластичных и негорючих пенополиимидов
Номер патента: 1824886
Опубликовано: 27.08.1996
Авторы: Артемьева, Вельц, Генералов, Захаров, Кудрявцев, Кукаркин, Кукаркина, Малков, Строганова, Чупанс
МПК: C08J 9/00
Метки: негорючих, пенополиимидов, эластичных
...примере 1 - 4,4-диаминодифенилсульфона, в примере 7 - 4,4-диаминодифенилметана.В примерах 8-10 в раствор вводят 0,1 0,54 и 2,04 ПАВ ЧАСсоответственно и поэтому перед вспениванием порошок нагревают при 80 С 10 мин,В примерах 11 и 12 используют 10, и 20 ПАВ ЧАСсоответственно.Примеры 16, 17 (базовый аначог) выполнены с использованием 0,5 и 2 мас. ЧАС; примеры 18, 19 (базовый аналог) выполнены с использованием 4 и 10 мас., ЧАС.Структура полученных пенополиимидов подтверждена с помощью ИК-спектроскопии ( - 1780 и 725 см, имидный цикл).Элементный аначиз образцов пенополиимидов показал соответствие полученных экспериментачьных данных теории.Физико-механические характеристики пенополиимидов (кажущуюся плотность, прочность при 25 и 65;, сжатия,...
Способ получения эластичных и негорючих пенополиимидов
Номер патента: 1824885
Опубликовано: 27.08.1996
Авторы: Артемьева, Вельц, Генералов, Захаров, Кудрявцев, Кукаркин, Кукаркина, Малков, Строганова, Чупанс
МПК: C08J 9/00
Метки: негорючих, пенополиимидов, эластичных
...вспениванием порошок прогревают при 80 С 1 О мин.П р и м е р 16. 3,2224 г (О 01 моля) диангидрида 3,3, 4,4-бензофенонтетракарбоновой кислоты при перемешивании и кипячении в течение 4 ч растворяют в 4,5 мл метанола, содержащего 10 об.воды. После охлаждения до комнатной температуры в раствор порциями добавляют 1,5840 г (0,008 моля) 4,4-диаминодифенилметана и после полного растворения добавляют 0,4000 г (0,002 моля) 4,4-диаминодифенилоксида до полного растворения, Эта операция занимает 40-50 мин. В полученный раствор добавляют 0,2080 г (4 мас.,/ ) ЧАСи продолжают перемешивание 15 мин, После сушки в вакууме при комнатной температуре выход продукта 5,2500 г (98 от теорет.).Твердый остаток измельчают, помешают в форму и вспенивают при...
Способ переработки сульфидных медьсодержащих полидисперсных материалов
Номер патента: 1471439
Опубликовано: 20.08.1996
Авторы: Аранович, Арзуманян, Генералов, Капитонов, Кошелев, Маслов, Мечев, Окунев, Парецкий, Равданис, Селиванов, Тарасов, Трифонов, Чахотин, Шахназарян
МПК: C22B 15/02
Метки: медьсодержащих, переработки, полидисперсных, сульфидных
Использование: изобретение относится к области цветной металлургии и может быть использовано для переработки медного сульфидного сырья. Сущность способа заключается в том, что для окислительной плавки с получением сульфидно-металлического сплава с содержанием меди более 70% подачу сырья осуществляют одновременно двумя раздельными потоками, один из которых плавят в факеле, а плавку второго осуществляют в расплаве, при этом в факеле ведут бесфлюсовую плавку сырья крупностью менее 1 мм на штейн при температуре 1550-1620oС, которую регулируют подачей кислорода в факел в пределах 36-52% от суммы массы серы и железа материала, подаваемого в факел, а остальную часть сырья крупностью...
Способ переработки сульфидных медьсодержащих полидисперсных материалов
Номер патента: 1741439
Опубликовано: 20.08.1996
Авторы: Аранович, Арзуманян, Генералов, Капитонов, Кошелев, Маслов, Мечев, Окунев, Парецкий, Равданис, Селиванов, Тарасов, Трифонов, Чахотин, Шахназарян
МПК: C22B 15/02
Метки: медьсодержащих, переработки, полидисперсных, сульфидных
Изобретение относится к цветной металлургии и может быть использовано для переработки медного сульфидного сырья.Известен способ кислородно-факельной плавки медной сульфидной шихты на штейн с перемешиванием ванны расплава газообразным агентом, при котором содержание меди в шлаке достигает 0,94% при содержании меди в штейне до 70%Основным недостатком этого способа является резкое возрастание потерь меди со шлаками при получении штейнов, содержащих более 70% меди.Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому способу является способ переработки сульфидных медьсодержащих полидисперсных материалов, включающий окислительную плавку с получением сульфидно-металлического...
Тиристор
Номер патента: 908198
Опубликовано: 10.04.1996
Авторы: Генералов, Граужинис, Думаневич, Ковров, Кузьмин, Рухамкин
МПК: H01L 29/74
Метки: тиристор
1. ТИРИСТОР, содержащий вспомогательный n-эмиттер, расположенный в центре структуры вокруг управляющего электрода, снабженный выступами, приближенными по радиусу к управляющему электроду, основной эмиттер, охватывающий вспомогательный эмиттер и отделенный от него p- базовым слоем, отличающийся тем, что с целью повышения допустимой величины скорости нарастания анодного тока и повышения рабочей частоты, между выступами вспомогательного эмиттера расположены дополнительные изолированные эмиттерные области, при этом расстояние от управляющего электрода до дополнительных эмиттерных областей по крайней мере в два раза больше расстояния от управляющего электрода до выступов.2. Тиристор по п.1, отличающийся тем, что с целью улучшения...
Способ переработки сульфидных материалов
Номер патента: 1811705
Опубликовано: 10.02.1996
Авторы: Генералов, Капитонов, Птицын, Серебренников
МПК: C22B 15/00
Метки: переработки, сульфидных
СПОСОБ ПЕРЕРАБОТКИ СУЛЬФИДНЫХ МАТЕРИАЛОВ, включающий загрузку шихты на ванну расплава и комбинированную подачу кислородсодержащего дутья через боковые погружные и верхние фурмы, отличающийся тем, что, с целью снижения капитальных и эксплуатационных расходов, дутье через боковые погружные фурмы подают в количестве, обеспечивающем соотношение кислорода в дутье к сумме железа и серы в загружаемой шихте, равное - количество кислорода в боковом дутье, кг/ч;MFe - количество железа в шихте, кг/ч;Ms - количество серы в шихте, кг/ч;причем верхнее дутье...
Привод регулирующего органа ядерного реактора
Номер патента: 1693998
Опубликовано: 30.04.1994
Авторы: Аникин, Баев, Генералов, Ларионов, Масленок, Николаев
МПК: G21C 7/12
Метки: органа, привод, реактора, регулирующего, ядерного
ПРИВОД РЕГУЛИРУЮЩЕГО ОРГАНА ЯДЕРНОГО РЕАКТОРА, содержащий исполнительный орган соединенный посредством захвата с регулирующим органом реактора, и расположенный параллельно исполнительному органу шток, управляющий захватом и связанный с датчиком положения, включающим элементы индикации и инициирования, отличающийся тем, что, с целью обеспечения контроля сцепления исполнительного и регулирующего органов на всей длине, инициирующий элемент выполнен из двух частей, одна из которых соединена с исполнительным органом, а другая - со штоком, при этом в расцепленном состоянии инициирующие элементы установлены друг относительно друга с зазором, величина которого определяется чувствительностью элемента индикации.
Привод регулирующего органа ядерного реактора
Номер патента: 1748544
Опубликовано: 28.02.1994
Авторы: Баев, Богданов, Генералов
МПК: G21C 7/12
Метки: органа, привод, реактора, регулирующего, ядерного
1. ПРИВОД РЕГУЛИРУЮЩЕГО ОРГАНА ЯДЕРНОГО РЕАКТОРА, содержащий двигатель, кинематически связанный через редуктор и обгонную муфту с исполнительным органом, расположенные в корпусе, с которым соединена обойма обгонной муфты посредством упругого элемента, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности и стабильности характеристик обгонной муфты, упругий элемент выполнен в виде упругой муфты, одна из полумуфт которой закреплена на обойме, а другая на корпусе, причем на обеих полумуфтах установлены взаимодействующие друг с другом элементы, имеющие возможность перемещения друг относительно друга в окружном и осевом направлениях, а элементы одной из полумуфт подпружинены в осевом направлении, при этом в муфте выполнены упоры, ограничивающие...
Привод регулирующего органа ядерного реактора
Номер патента: 1290931
Опубликовано: 28.02.1994
Авторы: Баев, Генералов
МПК: G21C 7/14
Метки: органа, привод, реактора, регулирующего, ядерного
ПРИВОД РЕГУЛИРУЮЩЕГО ОРГАНА ЯДЕРНОГО РЕАКТОРА, содержащий электродвигатель, ротор которого соединен через полый вал с преобразователем вращательного движения ротора в поступательное перемещение исполнительного органа, соединенного с регулирующим органом, и датчик положения, включающий индуктивные обмотки, расположенные вокруг выполненной на полом валу винтовой нарезки, с которой взаимодействует шунт, зафиксированный от вращения, отличающийся тем, что, с целью снижения потребляемой мощности электродвигателя направление винтовой нарезки выбрано таким, что исполнительный орган и шунт имеют возможность перемещения во взаимообратных направлениях.
Регулятор скорости аварийного сброса механизма управления ядерного реактора
Номер патента: 1515949
Опубликовано: 28.02.1994
Авторы: Баев, Генералов, Масленок
МПК: G21C 7/20
Метки: аварийного, механизма, реактора, регулятор, сброса, скорости, ядерного
РЕГУЛЯТОР СКОРОСТИ АВАРИЙНОГО СБРОСА МЕХАНИЗМА УПРАВЛЕНИЯ ЯДЕРНОГО РЕАКТОРА, содержащий взаимодействующие с тормозной втулкой тормозные колодки, каждая из которых шарнирно установлена на двух осях, параллельных оси приводного вала, при этом одна ось неподвижно закреплена на валу, а другая ось установлена с возможностью перемещения и соединена с неподвижной осью смежной колодки подпружиненными тягой и резьбовым элементом, обеспечивающим регулировку усилия пружины, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона регулирования скорости аварийного сброса, увеличения запаса хода пружины при обеспечении надежной фиксации, в подвижной оси перпендикулярно ей выполнено сквозное резьбовое отверстие, через которое пропущена подпружиненная тяга,...
Механизм управления ядерного реактора
Номер патента: 1514160
Опубликовано: 28.02.1994
Авторы: Аникин, Баев, Генералов, Ларионов, Масленок, Николаев
МПК: G21C 7/12
Метки: механизм, реактора, ядерного
МЕХАНИЗМ УПРАВЛЕНИЯ ЯДЕРНОГО РЕАКТОРА, содержащий двигатель, исполнительный орган, соединенный с регулирующим органом посредством элемента захвата, выполненного из материала, обладающего обратимым эффектом памяти формы, и выполненных на элементе захвата и регулирующем органе, взаимодействующих диаметральных выступов, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности активной зоны за счет снижения динамических нагрузок на элементы конструкции активной зоны при аварийном сбросе регулирующего органа, исполнительный орган в крайнем нижнем положении установлен на упор, элемент из материала с эффектом памяти формы выполнен изменяющим длину при температурном мартенситном превращении, при этом длина элемента при температуре ниже температуры...
Гидрораспределитель системы управления и смазки гидроподжимных фрикционов
Номер патента: 1827460
Опубликовано: 15.07.1993
Авторы: Генералов, Константинов, Новиков
МПК: F16D 25/10
Метки: гидроподжимных, гидрораспределитель, системы, смазки, фрикционов
...и охлаждения, поэтому из отводящей полости 5 по каналу 17 масло направляется в полость.12, От давления масла на правый торец клапана плавности 10 последний перемещается влево, сжимая расслабленные пружины 7 и сообщая через паз 20 отверстия 22 в переходной втулке 21 и полость 12, из которой осуществляется дополнительная интенсивная смазка управляемого фрикциона 23. Причем этого давления еще недостаточно для нача- "5 ла включения фрикциона 23, Сопротивление отверстий 22 в переходной втулке 21 обеспечивает в полости 12 давление, значительно меньшее номинального давления в полости 5, но достаточное для удержания 20 клапана плавности 10 в крайнем левом положении. В это же время через канал 18 и дроссель 19 происходит наполнение полости 13 и...
Привод регулирующего стержня ядерного реактора
Номер патента: 1364099
Опубликовано: 23.06.1993
Авторы: Баев, Генералов, Ларионов
МПК: G21C 7/14
Метки: привод, реактора, регулирующего, стержня, ядерного
...8, на наружных зубьях 9 втулки 8 установлена шестерня 10, взаимодействующая с шестерней 1 ре-.дуктора 12. Выходной элемент редуктора - реечная шестерня 13 взаимодействует с рейкой 4, соединенной с регулирующим стержнем.Втулка 9 отжата пружиной 15 от упора 16, выполненного в нижней части вала 3 и зафиксирована кольцом 17.В нижней части гайки 5 выполнена расточка 18, диаметр которой больше диаметра кольца 17, а глубина больше ширины втулки 9, Привод снабжен также демпфер ной пружиной, ня которую опускается рейка при аварийном сбросе,Работает привод следующим образом.Вращение ротора 2 электродвигателя 1 через вал 3, цилиндрическую пару шестерен 1 О, 11, редуктор 12, реечную шестерню 13 преобразуется в переменение рейки14, соединенной с...
Привод регулирующего органа ядерного реактора
Номер патента: 1498274
Опубликовано: 23.06.1993
Авторы: Баев, Генералов, Ларионов
МПК: G21C 7/14
Метки: органа, привод, реактора, регулирующего, ядерного
...К, в зацеплении.При работе привода вращения ротора 2 и шестерни 3 преобразуются в линейное переиещение рейки 4. При этои независимо от того, происходит перемещение вверх или вниз, взаимодействуют иежду собой только профи" ли 6 и 8, твк как усилие отвеса регулирующего органа Р , направлено всегда вниз, При этом вэаимодейст" вне профилей 6 и 8 происходит по закономерностям обычного эвольвеитного зацепления,В случае возникновения азартной ситуации, когда на рейку и регулирующий орган начинает действовать выталкивающая сила Р , (при разуплотнении крышки реактора нли чехла, сейсмическом воздействии, взрыве), рейка поднимается вверх и ее зубья 7 профилями 10 начинают взаимодействовать с профилями 1 зубьев 9. Вели бы зубья были выполнены...
Привод регулирующего органа ядерного реактора (его варианты)
Номер патента: 1135357
Опубликовано: 23.06.1993
Авторы: Баев, Генералов
МПК: G21C 7/14
Метки: варианты, его, органа, привод, реактора, регулирующего, ядерного
...17 пружины 6.Шаг витков пружины 6 может быть выполненным переменным по высоте, причем величина шага убывает сверху вниз (в ту сторону, где расположен регулируощий орган 16 (5132)Сборка зубчатой рейки 14 с полым ва лом 5 осуществляется в нижнем положении рейки, при этом нижняя часть пружины 6 сжимается рейкой на некоторуо величину.Число витков пружины 6, сжимаемых зубчатой рейкой 14, в этом случае мало. При З 5 перемещении рейки вверх в случае постоянства величины сжатия число витков под зубчатой рейкой 14 увеличивается, следовательно, сила, с которой рейка сжимает пружину, будет уменьшаться, Поскольку 40 предполагается, что пружина 6 при монтаже предварительно поджата, то усилие растяжения пружины 6, действующее в ее верхней части,...
Заборное устройство винтового конвейера
Номер патента: 1808797
Опубликовано: 15.04.1993
Авторы: Генералов, Серилко, Татьянин, Хижняков
МПК: B65G 33/24
Метки: винтового, заборное, конвейера
...состоит из бесконечной ленты 1 с установленными на ней подгребающими лопастями 2, Лента огибает вал винта 3 и натяжной барабан 4. Ось барабана 4 установлена с возможностью свободного вращения в опорах кронштейнов 5 и б, жестко связанных с кожухом 7 винтового конвейера.С целью предотвращения проскальзывания ленты относительно вала 3 его поверхность выполнена рифленой в месте соприкоСновения с лентой 1, Угол наклона и шаг транспортирующей лопасти 2 равен углу наклона и шагу винтовой поверхности 8 винтового конвейера.Устройство работает следующим образом. При вращении вала 3 приходит в движение лента 1 с лопастями 2, погруженными в транспортируемый сыпучий материал, который заполняет пространство между лопастями 2 под действием...
Устройство для определения оптимального периода технического обслуживания изделий
Номер патента: 1803924
Опубликовано: 23.03.1993
Авторы: Арефьев, Генералов, Кондратьев, Лысенков
МПК: G07C 3/08
Метки: обслуживания, оптимального, периода, технического
...блоков: Ь - в блок 23; а - в блоки 21 и 24; А 2 - в блоки 19 и 20;0 - в блоки 17 и 19, Й - в блоки 17 и 18,В блоке 17 умножения происходит вычисление произведения Ь 6. результат поступает в блок 23 умножения, В блоке 19 умножения происходит вычисление произведения А О, результат поступает в сумматор 21, где вычисляется сума 120+ а, Результат из сумматора 21 поступает на первый вход 22 деления, на второй вход которого из блока 23 умножения поступает произведения Л 1 9 Ь, В блоке 22 деления происходит вычисление частного л 10 Ь/(Ж О+а), которое поступает в блок 25, где производится вычисления квадратного корня от частного, т,е, 1803924сигнала происходит подготовка ключей 27 и 28 для выдачи кодов операндов Т 1 и Т 2 на выходы...
Печь для непрерывной плавки металлургического сырья
Номер патента: 1801196
Опубликовано: 07.03.1993
Авторы: Генералов, Капитонов, Коган, Птицын, Равданис, Серебренников
МПК: F27B 17/00
Метки: металлургического, непрерывной, печь, плавки, сырья
...к печам для непрерывной плавки металлургического сырья в жидкой ванне (процесс Ванюкова) для производства тяжелых цветных металлов. Печь включает шахту, кессонированный пояс с фурмами, свод, подину, газоход, , шлаковый и штейновый сифоны, Сопряжение свода с газоходом печи выполнено по радиусу, составляющему 0,05-0,15 эквивалентного диаметра газохода печи, 2 ил,гидравлического диаметра газохода4 Р(О= - , где Р - площадь сечения; Р - иРметр внутренней поверхности),Процесс плавки в печи осуществляетсяследующим образом.Расплав, заполняющий шахту 1 печи,продувается через фурмы 3, Газы, образующиеся в результате химических реакцийпроцесса, и инертная часть дутья после барботажа расплава эвакуируются в газоход 5,Газовый поток содержит до...