Гектин — Автор (original) (raw)

Гектин

Способ изготовления цветоделенных фотоформ для полиграфического синтеза цветного изображения

Загрузка...

Номер патента: 2003155

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Гектин, Свешникова, Фарбер

МПК: G03F 3/00

Метки: изображения, полиграфического, синтеза, фотоформ, цветного, цветоделенных

...используется телевизионно-компьютерный способ получения условного псевдоцветнсгс изображения, в заявляемом изобретении - полиграфический способ цветного изображения с заданной точностью воспроизведения памятных цветов изобракения, причем цветоделенные фото- формы, изготавливаемые по предлагаемому способу на электронных цветокорректорах, имеют в контрольных участках изображения скрытые координаты цвета (относительные размеры растровых элементов), обеспечивающие получение памятных цветов в процессе печати полиграфических оттисков, Отличительными признаками предлагаемого способа является возможность получения с помощью скеннера и тиражирования полиграфическим способом цветного иэображения обьекта сьемки по сигналам видеоинформации с...

Способ определения пространственных характеристик мощных сфокусированных лазерных пучков

Загрузка...

Номер патента: 1200646

Опубликовано: 15.04.1993

Авторы: Гектин, Птицын, Розенберг

МПК: G01J 5/50

Метки: лазерных, мощных, пространственных, пучков, сфокусированных, характеристик

...и размерахпоперечного сечения пучка, а также о егоместоположении в данном способе не искажаются,Таким образом, способ применим длямощных лазеров практически любой мощности и любого размера поперечного сечения пучка излучения.Для данной мощности лазерного пучкавремя экспозиции, плотность островков иих размер в зависимости от вещества подбираются экспериментально. В частности,изменения плотности островков и их размера можно добиться, в первую очередь, варьированием толщины осаждаемого слояматериала, При этом для всех материаловнижний предел изменения толщины островковой пленки определяется размером островков, необходимым для отчетливогонаблюдения процесса коалесценции, а верхний предел определяется переходом от островковой пленки к...

Способ измерения относительного распределения плотности мощности оптического излучения

Загрузка...

Номер патента: 1462965

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Гектин, Ульянов, Ширан

МПК: G01J 5/18

Метки: излучения, мощности, оптического, относительного, плотности, распределения

...в пучке измеряют по степени локального просветления кристаллической пластины.Низкие потери мощности излучения в кристаллической пластине (менее 10 М от падающей мощности) позволяют пользоваться предлагаемам детекторъм и непосредственно в ходе технологи" ческих операций с использованием мощ" ных ИК-лазеров, Наличие совершенной 15 спайности и отсутствие требований к дополнительной обработке кристалла сокращает до мйнимума времяприготов.,ления пластин, а термическое раэру" шение центров окраски в ходе изотер мического отжига при температурах, гораздо меньших температуры плавления, позволяет использовать один и тот же детектор многократно, Использование пластин с низким значением 25 Способ измерения относительногораспределения плотности...

Способ обработки щелочногалоидных монокристаллов

Загрузка...

Номер патента: 949984

Опубликовано: 07.01.1993

Авторы: Гектин, Чаркина, Ширан

МПК: C30B 29/12, C30B 33/04

Метки: монокристаллов, щелочногалоидных

...По мереповышения температуры за сцет рекомбинации комплементарных центров ихсодержание в облученном кристалле стечением времени уменьшается. Обработка монокристаллов ХаС 1 и КС 1 путем их изотермического отжига притемпературах 150-200 С приводит кполному исчезновению электронных 10(Р, М, К, И) центров, выявляемых оптическими методами, Однако дырочныецентры (7) и дислокационные диполи,образующиеся под действием ионизирующего облучения, при этих температурах устойчивы. Йзотермический отжиг монокристаллов при температурахвыше 200-250 С снимает все наведенные облучением деФекты, Варьированиетемпературы и времени отжига кристалла изменяет спектр деФектов кристаллической решетки, возникших в процессе воздействия на монокристалл...

Сцинтилляционный материал

Загрузка...

Номер патента: 1544033

Опубликовано: 07.12.1992

Авторы: Буравлева, Гаврилов, Гектин, Чубенко, Ширан

МПК: G01T 1/203

Метки: материал, сцинтилляционный

...свечения заготовки проводились методом спектроскопии с временным разрешением, В качестве источника возбуждения использовался сильноточный ускоритель электронов ГИН - 600 со следующими параметрами пучка; энергия электронов 300 КэВ, плотность тока до 10 А/см, длительность импульса 5 нс. Регистрация временных параметров импульса свечения проводилась фотоэлектрическим методом с помощью фотоумнокителя 18 - ЭУ - ФМ через монохромэтор МДР - 3 на длине волны 300 нм. Спектральный состав свечения при электронном возбуждении в испытанном образце имел максимум в области 300 нм. Измеренное время высвечивания заготовки составило 0,05 мкс.Сцинтилляционные свойства полученной заготовки исследованы на установке, состоящей из многоканального...

Кольцевой феррозонд

Загрузка...

Номер патента: 943615

Опубликовано: 15.07.1982

Автор: Гектин

МПК: G01R 33/02

Метки: кольцевой, феррозонд

...основании с центральным цилиндрическим отверстием 10 и двумя Г-образными выступами 11, расположенными ди" аметрально противоположно, На конической поверхности и Г-образныхвыступах катушки 3 имеется прямоугольный паз 12 для размещения наружной сигнальной обмотки 9. Наверхней плоскости катушки, перпендикулярно пазу 12, имеется второй паз13, через который проходит сигнальная обмотка 7 неподвижной катушки 2.Оирина пазов 8 и 13 больше, чем ширина пазов 6 и 12, и находятся онина разном расстоянии от центра феррозонда, поэтому располагающиесяв пазах 6 и 12 и пересекающиеся подпрямым углом сигнальные обмотки 7 и9 не касаются друг друга и не мешают повороту катушки 3 на небольшойугол (10"15 ) при регулировке феророзонда,На катушках...

Индукционный компас

Загрузка...

Номер патента: 551505

Опубликовано: 25.03.1977

Авторы: Гектин, Фомкин, Фролова

МПК: G01C 17/18

Метки: индукционный, компас

...не нарушает балансировки карданного подвеса, а оси феррозондов 1 и5 остаются в параллельных плоскостях. 1 бДля балансировки (приведения магнитныхосей феррозондов в плоскость горизонта)служат балансировочные винты 4 и 7, осикоторых параллельны магнитными осямферрозондов 1 и 5, чем обеспечивается р 1раздельная балансировка.Узел стакана 2 имеет в поддерживающейжидкости нулевую плавучесть. Этим обеспечивается отсутствие контактного давления в подшипниках внутренней оси кардан бного подвеса и незначительное контактноедавление в подшипниках наружной оси карданного подвеса, Разгрузка осей позволяетприменить приборные шарикоподшипники смалыми внутренними и наружными диаметрами, а значит, с малыми моментами собственного трения, Отсутствие...

Компас

Загрузка...

Номер патента: 468087

Опубликовано: 25.04.1975

Авторы: Гектин, Глазьев, Фомкин, Шорохов

МПК: G01C 17/00

Метки: компас

...и крыш-25ка 2 соединяются между собой с помощьюрезьбы, а между ними расположена уплотнительная прокладка 5. Корпус крепится кгрузу 6 так же с помощью резьбы, Крышка 7 с отверстием ограничивает перемещения киртушкц 8 в вертикальном направленииц не позволяет керну 9 выйти цэ конусаподлятнцка 10. На картушке 8 и корпусе 1расположены токосъемные контакты (начергеже це показаны). Картушка 8 состоитцз поплавка 11 и основания 12, на котором закреплен керн 9 и магниты 13. Компас. закрепляется/в кардановом подвесе, агруз 6 стабилизирует датчик относительновертикали места,Во внутреннем кольце карданового под-.несл 14 компас крепится с помощью осей15, а упор 16, входящий в паз груза 6,ог раничивает угол наклона компаса в карда.нсяивс подвесе.Весь...

Распределительное устройство повышенногонапряжения

Загрузка...

Номер патента: 246663

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Бал, Гектин, Ханин

МПК: H02B 1/22, H02B 1/24, H02B 11/06 ...

Метки: повышенногонапряжения, распределительное

...установка двух идентичных совмещенных выключателей, которые взаимозаменяемы при использовании их в качестве шиносоединительных и являются обходными для цепей, присоединяемых к разным системам сборных шин.Кроме того, при секционированип основных шин в месте секционирования устанавливается дополнительный шиносоединительно-обходной выключатель, что в ремонтном режиме при замене выключателя любого присоединения обходным обеспечивает незначительное количество операций без нарушения фиксированного присоединения цепей к секциям сборных шин,На фиг, 1 показано распределительное устройство с двумя совмещенными шиносоединительно-обходными выключателями 1 и 2, ко торые при помощи разъединителей 3 - б могуг подключаться к первой 7 и второй 8...