Ширан — Автор (original) (raw)

Ширан

Способ измерения относительного распределения плотности мощности оптического излучения

Номер патента: 1462965

Опубликовано: 07.03.1993

Метки: излучения, мощности, оптического, относительного, плотности, распределения

...в пучке измеряют по степени локального просветления кристаллической пластины.Низкие потери мощности излучения в кристаллической пластине (менее 10 М от падающей мощности) позволяют пользоваться предлагаемам детекторъм и непосредственно в ходе технологи" ческих операций с использованием мощ" ных ИК-лазеров, Наличие совершенной 15 спайности и отсутствие требований к дополнительной обработке кристалла сокращает до мйнимума времяприготов.,ления пластин, а термическое раэру" шение центров окраски в ходе изотер мического отжига при температурах, гораздо меньших температуры плавления, позволяет использовать один и тот же детектор многократно, Использование пластин с низким значением 25 Способ измерения относительногораспределения плотности...

Способ обработки щелочногалоидных монокристаллов

Номер патента: 949984

Опубликовано: 07.01.1993

Авторы: Гектин, Чаркина, Ширан

МПК: C30B 29/12, C30B 33/04

Метки: монокристаллов, щелочногалоидных

...По мереповышения температуры за сцет рекомбинации комплементарных центров ихсодержание в облученном кристалле стечением времени уменьшается. Обработка монокристаллов ХаС 1 и КС 1 путем их изотермического отжига притемпературах 150-200 С приводит кполному исчезновению электронных 10(Р, М, К, И) центров, выявляемых оптическими методами, Однако дырочныецентры (7) и дислокационные диполи,образующиеся под действием ионизирующего облучения, при этих температурах устойчивы. Йзотермический отжиг монокристаллов при температурахвыше 200-250 С снимает все наведенные облучением деФекты, Варьированиетемпературы и времени отжига кристалла изменяет спектр деФектов кристаллической решетки, возникших в процессе воздействия на монокристалл...

Сцинтилляционный материал

Номер патента: 1544033

Опубликовано: 07.12.1992

Авторы: Буравлева, Гаврилов, Гектин, Чубенко, Ширан

МПК: G01T 1/203

Метки: материал, сцинтилляционный

...свечения заготовки проводились методом спектроскопии с временным разрешением, В качестве источника возбуждения использовался сильноточный ускоритель электронов ГИН - 600 со следующими параметрами пучка; энергия электронов 300 КэВ, плотность тока до 10 А/см, длительность импульса 5 нс. Регистрация временных параметров импульса свечения проводилась фотоэлектрическим методом с помощью фотоумнокителя 18 - ЭУ - ФМ через монохромэтор МДР - 3 на длине волны 300 нм. Спектральный состав свечения при электронном возбуждении в испытанном образце имел максимум в области 300 нм. Измеренное время высвечивания заготовки составило 0,05 мкс.Сцинтилляционные свойства полученной заготовки исследованы на установке, состоящей из многоканального...

Сцинтиллятор на основе иодистого цезия

Номер патента: 196187

Опубликовано: 07.12.1983

Авторы: Захарин, Ковалько, Панова, Шахова, Ширан

МПК: H01J 63/06

Метки: иодистого, основе, сцинтиллятор, цезия

...и ч ащ и й с я тем, что, с цельючения интенсивных кратковремесцинтилляций в синей областиспектра, в состав шихты при вырвании монокристалла вводят О,2,0 иодистого натрия.19618.7 Редактор Л. Утехина Техред И,метелева КорректорИ. ЭрдейиЗаказ 10786/5 Тираж 703 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Иосква, Ж, Раушская наб., д. 4/5 филиал ППП Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Известны сцннтилляторы,представ ляющие собой монокристаллы иодистого цезия, активированного таллием. Однако в таком сцинтилляторе спектр сцинтилляций находится в области низкой чувствительности применяемых в сцинтилляционной технике фотоумножителей длительное время затухания сцинтилляций, низкий выход сцинтилляций. В...