Гостило — Автор (original) (raw)

Гостило

Способ изготовления высокоомного тонкопленочного резистора

Номер патента: 1308076

Опубликовано: 15.11.1993

Метки: высокоомного, резистора, тонкопленочного

...пленку с дельным сопро 5 тивлением (0,3-0,6)10 Ом см, Иэполученной пленки на подложке вырубаютпри помощи фотолитограФии резистионыеэлементы, размеры которых выбирают в зависимости от требуемого номинала рези 10 стара. Та 2 длл резистора 1 ГОм размер3 .15 м 4,После этого проводят напыление подводящих контактов, состоящих из слоев хро.Ма, меди и никеля при температуре 200 С.Сразу после напыления температуру поднимают до 250 С и подвергают подложки изотермическому отжигу в течение 10 мин.После остыоанил подложек до комнатнойтемпературы производят изготовление подводящих контактов методом фотолитографии,. Затем проводят измерение параметроврезисторов: номинала сопротивления, зависимости активной саставляощей импеданса от частоты в...