Тонкопленочного — Метка (original) (raw)

Патенты с меткой «тонкопленочного»

Керамическое основание для тонкопленочного электрического сопротивления

Номер патента: 112795

Опубликовано: 01.01.1958

Метки: керамическое, основание, сопротивления, тонкопленочного, электрического

...0 ;сОсЕ(. 6 ЬГГЬ НрсЛЛ)ЖСПО Пенс рсНП ри Вяечч:се 10,1/л/ рт. ГГ. Грс/с/- С 6 ИРПЯ П 6 ОРНОГО сн/ГПЛРИЛЯ В ГоОпюпсе///// 80 Вс/Г), 20" В О. Об)епг /,с 3 Г 05 При те/и/ср;гчрс с)00 1000=, //Ис 1)/с/сс 15 20 н//)т. Прп 6051 Яи/; ТСС П ГРсТ 1 Р с/.:, Р син 0 Е И Е 1 пр/3 Оогпп/ие Бьслс ржеях, мо)с /рои:опти чатп иное р/збс/В,н/1( СОСТИ 13 И(ЛОЧНО-ЗСЧСЛЯ НИО /ЯЛСГ/ОЯ Зс ГсГ иС.ЛОП/0/ .ТСЛОВ с 1 ТОП фДЗЫ СССРМ/ИЕе/ОГО ОСПОСси/СЯ, Всгслствие чего заппгпсые ГБОЙГТВя ндлслоя могут сн/гь су//ест/Сино ослаб,/с пы 1 Г 15 ,.1 ииси 15 ВЛ/япп 5 и ,1- Ноц С"Г ;0 д (,Н (1)д И, Исз ,1/ИИТ/11 свопсп// НН.,)П 10-:Гм(льн 10 па.с- С 051 )/ЕС 01 Ь Р/1 СПСН Гг/СЛЧ/0 - и,и/ //р//с. )60 и;жепп с 1(срсмпГСЕИ ОГПОИПП 51 П(.Р(., Н 1 ПСССН//Е:( Н) По 3( Р./С /Ос/ 1...

Способ подгонки тонкопленочного резистивногоделителя

Номер патента: 319962

Опубликовано: 01.01.1971

Автор: Шепрут

МПК: H01C 17/26

Метки: подгонки, резистивногоделителя, тонкопленочного

...резистивного слоя во внешнюю цепь могут быть включены дос присоединением заявк Изобретение относится к технологии атроизводства радиоаппаратуры и может быть исаользовано при изготовлении прецизионных тонкопленочных резистивных делителей,Известен способ подгонки тонкопленочного резистивного делителя, состоящего из гальванически связанных резисторов, посредством анодирования в жидком электролите.Однако по известному способу трудно локализовать площадь, занимаемую электролитом таким образом, чтобы электролит покрывал лишь тот резистор делителя, который подвергается подгонке.Цель изобретения - обеспечение возможности подгонки каждого отдельного резистора тонкопленочного резистивного делителя из вентильного материала.Для этого по...

Способ регулирования емкости тонкопленочного конденсатора

Номер патента: 357607

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Бузницкий, Львовский, Попов, Радиотехнических

МПК: H01G 4/255, H01G 4/33

Метки: емкости, конденсатора, тонкопленочного

...конденсаторов заключается втом, что на верхнюю обкладку изготовленногоконденсатора методом опыления или окисления наносят тонкую диэлектрическую пленку. На эту пленку накладывают внешний плоский электрод, соединенный с одним из выводов-ис- точника импульсного напряжения. Второй вывод упомянутого источника подключают к верхней обкладке регулируемого конденсатора.С помощью импульсного напряжения производят пробой конденсатора, нижней обклад кой которого служит верхняя обкладка регулируемого конденсатора, диэлектриком - напыленная или окисная пленка, нанесенная на эту обкладку, а верхней обкладкой, накладываемой на эту пленку, - дополнительный 10 плоский электрод. При этом происходит уменьшение площади верхней обкладки регулируемого...

Способ многоцветной окраски тонкопленочного металлического покрытия

Номер патента: 573511

Опубликовано: 25.09.1977

Авторы: Барсуков, Осипов, Трофимчик

МПК: C23F 7/12

Метки: металлического, многоцветной, окраски, покрытия, тонкопленочного

...или бром, или Яйод и пары кислот, а именно соляной или азотной, или серной.Поверхность изделия,подлежащая покрытию, подвергается анодному оксидированию, Затем на участки поверхности, которые в готовом виде должны выделяться и иметь более яркий блеск, наносится грунтовочный слой лака. Оставшиеся участки поверхности лаком не покрываются и сохраняют матовый оттенок, это способствует тому, что и в готовом виде эти участки имеют матовый оттенок. Далее на всю поверхность напыляют ввакууме слой бескислородной меди (маркаМБ), который затем покрывают защитнымслоем лака. После этого изделие нагревают в печи или термошкафу до 120-250 С,ов процессе нагрева покрытие пряобретаетрадужную многоцветную окраску с плавнымицветовыми переходами,Нагрев...

Способ подгонки сопротивления тонкопленочного резистора

Номер патента: 1020869

Опубликовано: 30.05.1983

Авторы: Голдованский, Готра

МПК: H01C 17/075

Метки: подгонки, резистора, сопротивления, тонкопленочного

...резистивной пленки импульсами лазера, передкаждьм импульсом лазера осуществляют предварительный нагрев реэистивнойпленки пропусканием через нее импульса электрического тока длительностью 50-100 мс.На чертеже схематически изображеноустройство для осуществления предлагаемого способа,Устройство состоит из импульсногооптического генератора 1, оптическойсистемы 2, блока 3 питания, координатного стола 4, подгоняемого резистора 5, омметра б, коммутатора 7,игольчатых щупов 8, контактных площадок 9, формирователя 10 импульсовтока и задающего генератора 11.Оптическая система 2 служит дляфокусировки лазерного излучения 12.Координатный стол 4 служит для перемещения подгоняемого резистора 5 впроцессе подгонки. Измерение сопротивления в процессе...

Способ изготовления тонкопленочного конденсатора

Номер патента: 1104595

Опубликовано: 23.07.1984

Авторы: Готра, Лозинский

МПК: H01G 4/08

Метки: конденсатора, тонкопленочного

...с верхнимэлектродом.Целесообразно аналитически оценитьвозможности предлагаемого способа сточки зрения обеспечения требуемойточности компенсации уменьшения емкости тонкопленочных конденсаторовпосле их тренировки.Для удобства представим тонкопленочный конденсатор (ТПК) в виде егоэлектрической модели - плоского конденсатора с площадью перекрытия обкладок 3 , толщиной диэлектрика Й диэлектрической постоянной Г(фиг. 2),В процессе электрической тренировки, как было сказано, происходит взрывообразное испарение части верхнегоэлектрода ТПК и диэлектрика, расположенного под ней ( д Б - общее уменьше"ние площади перекрытия).Если провести напыление защитногодиэлектрика и пленки металла, соединенной с верхним электродом ТПК, тоисходный...

Способ изготовления тонкопленочного конденсатора

Номер патента: 1121703

Опубликовано: 30.10.1984

Авторы: Волков, Дмитриев, Дубинин

МПК: H01G 4/12

Метки: конденсатора, тонкопленочного

...цель достигается тем, что согласно способу изготовления тонкопленочного конденсатора, включающему нанесение на подложку нижней обкладки с выводом и диэлектричесгде д С Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при конструировании и производстве гибридных интегральных микросхем с тонкопленочными конденсаторами повышенной точности,Тонкопленочный конденсатор (ТПК)повышенной точности .выполняют с дополнительными элементами подгонки,которые представляют собой конденсаторы с малой, площадью, подключенные параллельно к. основной (нерегулируемой) части.Известен способ изготовлениятонкопленочного конденсатора, включающий последовательное нанесЕние наподложку нижней обкладки и диэлектрического слоя, верхней...

Способ определения сопротивления контактного соединения проволоки и тонкопленочного проводника

Номер патента: 1492309

Опубликовано: 07.07.1989

Авторы: Дячок, Павлиш, Сенишин, Смеркло

МПК: G01R 27/00

Метки: контактного, проводника, проволоки, соединения, сопротивления, тонкопленочного

...представляется в К ) = Кщ + ,д +Хлщ +Кщ+Кл) (2) 40 где Кщ Ки) - сопротивление 1-гои 2-го щупов соотнетственно,переходные сопротцнления контактов щуптонкопленочный прощупам,Кя) - сопротивление участ ка тонкопленочного проводника,Далее последовательно измеряютсясопротивления К к, и К 4 участка цепипроволока 1 - контактное соединение 2 - тонкопленочный проводник 3,путем с)ответствующего подсоедине -ция 1 -го или )-го зажимов к проволо. ке 1 нд 1)дсс гояции 1- 1 о м.та2 контактного соединения 2 и со)тнетствующей устднон) и 1-гс или 2-го щупон ца пленочный проводк 3 цд1расстоянии 1 от местд ко)тактгг)2соединения 2. Проводится замер сопротивления измерительным прибором И РЕГИСтРИРУЕтСЯ ИзМЕРЕЦНЫй РРЗУЛЬтат.При этом результаты измерения...

Устройство наддува тонкопленочного рукава в экструзионной машине с вращающейся головкой

Номер патента: 1611827

Опубликовано: 07.12.1990

Авторы: Ермаков, Жуков, Остренко, Ямпольский

МПК: B65H 23/02, G05D 27/00

Метки: вращающейся, головкой, машине, наддува, рукава, тонкопленочного, экструзионной

...ширины пленки вьппе заданного значения закрывается левый (по чертеку) канал 12, в результате чего открываются клапаны 15 и 17. Вакуум, образуемый в эжекторе 16, способствует оттоку воздуха из рабочей камеры 1. При этом движение воздуха происходит в направлении к экектору 16 через штуцер 25, вентиль 26, кольцо 20, горловину 24 патрубка 23, клапан 17 эжектора и эжектор 16. Выкачивание воздуха иэ рабочей камеры 1 происходит до тех пор, пока ширина пленки не достигнет требуемого допускаемого максимального значения. При этом правый канал 12 перекрыт краем пленки 3.При уменьшении ширины пленки ниже допускаемого заданного значения открывается правый (по чертежу) струйный канал 12. Воздух питания через нормально открытый клапан 14 поступает в...

Способ формирования тонкопленочного люминофора из оксида кальция

Номер патента: 1650684

Опубликовано: 23.05.1991

Авторы: Семкина, Тюрин, Шигалугов

МПК: C09K 11/55

Метки: кальция, люминофора, оксида, тонкопленочного, формирования

...1 для люминесцентных пленок иэПрямая сублимация Т,К Выход лю- минесценциио Активация пленки Т,КМатериал подложки 10 10-3 10-3 10-3 10-3 10-3 10-3 10-3 1 02 102 0,1 0,1 1,0 0,3 0,3 1600 1650 17001750 1800 1600 1650 1700 1750 1800 1600 1650 1700 1750 1800 2500 2500 2500 2500 2500 2700 2700 2700 2700 2700 2600 2600 2600 2600 2600 600 600 600 600 600600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 473 473 473 473 473 473 473 473 473 473 523 523 523 523 523 8 8 10 9 9 9 9 10 11 11 18 18 20 18 18 Поликристаллические полированные пластины плавленогокварц,в оксида кальция, полученных при различныхрежимах формирования пленки на подложке из поликристаллических полированныхпластин плавленого кварца,В табл, 2 представлены такие же данные, как и в...

Способ получения термостабильного бескислородного тонкопленочного диэлектрика

Номер патента: 1742862

Опубликовано: 23.06.1992

Авторы: Андриянов, Магунов, Сухарев, Цацко

МПК: H01B 3/02

Метки: бескислородного, диэлектрика, термостабильного, тонкопленочного

...цель достигается тем, что в качестве термостабильного бес кислородного тонкопленочного диэлектрика применяют твердый раствор фторидов скандия и неодима, получаемый термическим испарением в вакууме,при следующем содержании компонентов, мас,; 40Фторид скандия 17,84-82,01Фторид неодима 17,99-82,16Пределы содержания компонентов в твердом растворе обусловлены тем, что при выходе содержания фторида неодима 15 за границы интервала не обеспечивается повышение величины удельного заряда.Сущность способа состоит в использовании термического испарения в вакууме композиции, содержащей фтори ды скандия и неодима, для получения термостабильного бескислородного тонко-. пленочного диэлектрика с высоким удельным зарядом,.55П р и м е р 1, Получение...

Способ изготовления высокотемпературного тонкопленочного тензорезистора

Номер патента: 1820416

Опубликовано: 07.06.1993

Авторы: Волохов, Зеленцов, Песков

МПК: H01C 17/00

Метки: высокотемпературного, тензорезистора, тонкопленочного

...К - 0,14 определяли п 1 0,2 поб, ДлЯ полУчениЯ заДанной величины .удельного поверхностного сопротивления рл число циклов. нанесения тонких резистивных слоев поб составляет 120. Отсюда число циклов нанесения резистивных слоевсовместно наносимых пленок двух материалов составляет п 1 4, 1820416При скорости вращения. карусели Ч = 60о /мин время совместного напыления резистивных пленок (3, 4) из материалов Х 20 Н 75 Ю и МР 47 ВП составило 24 с, После совместного напыления магнетронный ис точник с материалом Х 20 Н 75 Ю отключали и продолжали напыление верхнего слоя 3 из материала МР 47 ВП в течение 84 с, Затем вновь напыляли пленку 4 из материала Х 20 Н 75 Ю до получения заданной величины 10 р,реэистивного слоя, После завершения напыления...

Способ изготовления высокоомного тонкопленочного резистора

Номер патента: 1308076

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Белогуров, Гостило, Лаце, Юров

МПК: H01C 17/00

Метки: высокоомного, резистора, тонкопленочного

...пленку с дельным сопро 5 тивлением (0,3-0,6)10 Ом см, Иэполученной пленки на подложке вырубаютпри помощи фотолитограФии резистионыеэлементы, размеры которых выбирают в зависимости от требуемого номинала рези 10 стара. Та 2 длл резистора 1 ГОм размер3 .15 м 4,После этого проводят напыление подводящих контактов, состоящих из слоев хро.Ма, меди и никеля при температуре 200 С.Сразу после напыления температуру поднимают до 250 С и подвергают подложки изотермическому отжигу в течение 10 мин.После остыоанил подложек до комнатнойтемпературы производят изготовление подводящих контактов методом фотолитографии,. Затем проводят измерение параметроврезисторов: номинала сопротивления, зависимости активной саставляощей импеданса от частоты в...

Декоративное изделие, композиция для тонкопленочного художественного изображения декоративного изделия и способ его изготовления

Номер патента: 2003477

Опубликовано: 30.11.1993

Авторы: Кадченко, Файнштейн

МПК: B44C 5/00

Метки: декоративного, декоративное, изделие, изделия, изображения, композиция, тонкопленочного, художественного

...приповерхностный слой тонкопленочного изображения иподложки по поверхности их соприкосновения, Величину адгезии определяют, в част-,ности, путем отрыва тонкопленочного 45изображения от подложки, к которой приклеивают штифты или липкую ленту. Толщину Ь вдгезионного слоя определяют потолщине остатков тонкопленочного изображения на подложке, увеличенной на высоту 50поверхностных микронеровностей подложки, которые определяют степень проникновения тонкопленочной композиции вобласть подложки,Отношение толщины йз тонкопленочного изображения к толщине Ь 1 выбрано впределах2 10- ,0,5.п 1 Угол а между касательной к поверхности тонкопленочной композиции в наружной точке соприкосновения с подложкой и плоскостью подложки 1 выбран в пределах...

Способ изготовления магниточувствительного полоскового элемента на основе тонкопленочного композитного магниторезистивного материала

Номер патента: 1764423

Опубликовано: 30.05.1994

Авторы: Абрамзон, Полякова, Равлик, Рощенко, Самофалов, Шипкова, Яковлев

МПК: G01R 33/05

Метки: композитного, магниторезистивного, магниточувствительного, основе, полоскового, тонкопленочного, элемента

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МАГНИТОЧУВСТВИТЕЛЬНОГО ПОЛОСКОВОГО ЭЛЕМЕНТА НА ОСНОВЕ ТОНКОПЛЕНОЧНОГО КОМПОЗИТНОГО МАГНИТОРЕЗИСТИВНОГО МАТЕРИАЛА, включающий нанесение на подложку, размещенную в ориентирующем магнитном поле, направленном вдоль плоскости подложки, ферромагнитных магниторезистивных слоев и немагнитных прослоек между ними, а также формирование полоскового элемента, отличающийся тем, что, с целью улучщения метрологических возможностей элемента, нечетные слои наносят на подложку при любом заданном направлении ориентирующего магнитного поля относительно сторон подложки, перед нанесением каждого четного слоя направление ориентирующего поля изменяют на угол в пределах...

Способ изготовления тонкопленочного электролюминесцентного индикатора

Номер патента: 1829874

Опубликовано: 27.03.1995

Авторы: Достанко, Левчук, Панков, Ширипов

МПК: H05B 33/10

Метки: индикатора, тонкопленочного, электролюминесцентного

...Для Осаждения диэлектрических и электролюминесцентного слоев подложка переводится в положение относительно падающего потока,Сущность заявляемого изобретения заключается в следующем, Отношение скоростей роста слоя, осажденного на нормальную (по отношению к конденсируемому потоку) и наклонную поверхность, равотносительно нормали к подложке. 45 50 55 но отношению косинусов углов между нормалями к соответствующим поверхностям и направлению конденсируемого потока. Следовательно,. уравнивая угол падения конденсйруемого потока для обеих поверхностей, можно уравнять и скорости роста слоев на нормальной и наклонной поверхности. Однако реально вследствие наличия у электрода двух наклонных поверхностей необходимо вращать подложку в своей...

Способ изготовления тонкопленочного вакуумного микроприбора

Номер патента: 1729243

Опубликовано: 10.11.1995

Автор: Татаренко

МПК: H01J 21/10

Метки: вакуумного, микроприбора, тонкопленочного

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНОГО ВАКУУМНОГО МИКРОПРИБОРА, включающий нанесение на подложку проводникового металлического слоя, формирование диэлектрического слоя с ячеистой матрицей сквозных отверстий путем анодного окисления, и формирование анода и многоэмиттерного острийного катода с расположением отдельных острийных эмиттеров в пределах каждой ячейки, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных микроприборов за счет улучшения их электрических параметров, на подложку наносят двухслойную проводниковую структуру, состоящую из подслоя вентильного тугоплавкого металла и слоя алюминия а после анодирования алюминия на поверхности образованного пористого анодного оксила алюминия формируют защитную маску в области топологии анода и...

Способ изготовления тонкопленочного конденсатора

Номер патента: 1581097

Опубликовано: 20.07.1996

Авторы: Селезнев, Смолкин, Ткал

МПК: H01G 4/10

Метки: конденсатора, тонкопленочного

Способ изготовления тонкопленочного конденсатора, включающий формирование нижней обкладки путем нанесения пленки алюминия на диэлетрическую подложку, формирования слоя оксида алюминия анодированием нижней обкладки и нанесение верхней обкладки, отличающийся тем, что, с целью повышения напряжения пробоя и повышения влагостойкости, после анодирования проводят совместную обработку сформированного слоя оксида алюминия, пленки алюминия и диэлектрической подложки со стороны оксида алюминия излучением лазера с длиной волны 1,06 мкм в режиме свободной генерации с плотностью энергии (1,5-3,5) 104Дж/м2.

Способ получения тонкопленочного титансодержащего сорбента

Номер патента: 1358141

Опубликовано: 27.08.1999

Авторы: Абакумов, Желтоножко, Ремез, Шубин

МПК: B01J 20/22

Метки: сорбента, титансодержащего, тонкопленочного

1. Способ получения тонкопленочного титансодержащего сорбента, включающий обработку гранулированной активированной целлюлозы насыщенным раствором сульфата титана, а затем концентрированным раствором щелочи с последующей промывкой и сушкой готового продукта, отличающийся тем, что, с целью повышения катионообменной емкости, перед обработкой целлюлозы в раствор сульфата титана вводят раствор перекиси водорода.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что раствор перекиси водорода вводят в количестве 2,5 - 5,0 г перекиси в пересчете на 30%-ную на 1 г титана.

Способ изготовления тонкопленочного резистора

Номер патента: 1290941

Опубликовано: 10.10.1999

Авторы: Кузнецов, Лазарев, Осипов

МПК: H01C 17/00

Метки: резистора, тонкопленочного

1. Способ изготовления тонкопленочного резистора, включающий формирование на диэлектрической подложке двух резистивных слоев с противоположным по знаку относительным изменением во времени и соединение их между собой последовательно или параллельно, отличающийся тем, что, с целью повышения временной стабильности сопротивления резистора, после формирования резистивных слоев с противоположным по знаку относительным изменением сопротивления во времени, определяют величину относительно изменения сопротивления каждого резистивного слоя по истечении 250 ч, после чего определяют величину сопротивления каждого слоя по выражению (1) в случае последовательного соединения резистивных слоев и по...

Способ изготовления тонкопленочного конденсатора

Номер патента: 699949

Опубликовано: 20.07.2000

Авторы: Алесковский, Васильев, Ежовский, Елисеев, Кольцов

МПК: H01G 4/06

Метки: конденсатора, тонкопленочного

Способ изготовления тонкопленочного конденсатора, включающий нанесение слоя оксида тантала или ниобия и слоя оксида кремния, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрических характеристик, слой оксида кремния наносят многократной попеременной обработкой слоя оксида тантала или ниобия при температуре 100 - 180oC в вакууме парами четыреххлористого кремния и воды, причем толщина слоя оксида кремния составляет 10 - 100