Григулис — Автор (original) (raw)
Григулис
Способ контроля геометрических параметров пластин и устройство для его осуществления
Номер патента: 1770730
Опубликовано: 23.10.1992
Авторы: Авгуцевич, Григулис, Порис
МПК: G01B 5/28
Метки: геометрических, параметров, пластин
...в области опорных точек и вне их для контролируемой пластины судят о ее неплоскостности.Известно устройство, содержащее базовую поверхность с набором выступающих опорных элементов для полупроводниковых пластин, которые при наличии отсчетного узла и блока индикации служит для контроля параметров /3/.Недостатком известного устройства является то, что в нем не достигается необходимая точность из-за неопределенности расположения пластины на множестве опорных шариков.Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому устройству, реализующему способ, является устройство для контроля геометрических параметров пластин прототип /4/), содержащее базовую поверхность с тремя выступающими опорными элементами и отсчетный узел, выполненный в...
Способ определения параметров полупроводниковых материалов
Номер патента: 1746337
Опубликовано: 07.07.1992
Авторы: Григулис, Пориньш, Сидорин
МПК: G01R 31/28, H01L 21/66
Метки: параметров, полупроводниковых
...или полосковой линии передачи при открытой излучающей щели в ограничивающей их металлической поверхности, закрытой эталонным материалом и последовательно обеими сторонами контролируемой структуры, Значения толщин слоев и их удельных сопротивлений вычисляют по расчетным соотношениям или по номограммам, полученным с помощью эталонов. измерительнои характеристике - импедан су. Это обусловлено особенностью многопа- фь, раметровцх по своей сути измерений, (, заключающихся в необходимости априор-р ной информации о толщинах слоев при измерении их удельных сопротивлений и о удельных сопротивлениях при измерении толщин слоев, и не позволяющей вследствие этого осуществлять раздельное измерение как удельных сопротивлений, так и толщин каждого из...
Датчик для измерения холловской подвижности носителей заряда в полупроводнике
Номер патента: 1665290
Опубликовано: 23.07.1991
Авторы: Григулис, Пориньш, Сидорин
МПК: G01N 22/00
Метки: датчик, заряда, носителей, подвижности, полупроводнике, холловской
...полупров ите гд ле днике. Изобретение относится к средствам нераэрушающего радио волнового контроля и предназначено для измерения холловской подвижности носителей заряда в полупроводниках,Цель изобретения - повышение чувствительности.На чертеже приведена конструкция датчика для измерения холловской подвижности носителей заряда в полупроводниках,Датчик состоит из токонесущего проводника 1, расположенного в щели 2 между плоскими проводниками 3 и 4 на диэлектрической йодложке 5, одна сторона которой металлизирована с помощью проводящего покрытия 6 с генератором 7 электромагнит. ных колебаний, проводники 3 и 4 образуют щелевую линию, а токонесущий проводник 1 с проводящим покрытием 5, подключенные к измерителю 8, - микрополосковую...
Способ определения поверхностного сопротивления проводящей пленки
Номер патента: 1626191
Опубликовано: 07.02.1991
Авторы: Григулис, Порис, Силиньш
МПК: G01R 27/04
Метки: пленки, поверхностного, проводящей, сопротивления
...3 и 4, излучатель 5,образец 6 исследуемой проводящейпленки, регистратор 7, вход 8 двухзондовой измерительной линии 9.Способ реалиуют следующим образом. Измерения проводят в трехсантиметровом диапазоне электромагнитных40 волн. Эталонцыйл образец с наименьшим К из заданного диапазона размещаютбза излучателем 5 ца некотором расстоянии (2,0 + 0,5 мм), Зонды 3 и 4 перемещают вдоль линии 9 до получения 45 максимального уровня сигнала с первого зонда 3, т.е. Устанавливают зонд 3 в максимуме поля стоячей волны в измерительной линии 9, и минимального уровня сигнала свторого зонда,50 тев минимуме стоячей волны. В этом положении зонды 3 и 4 фиксируют. В измерительную линию 9 вводят отражатель - металлический штырь 2 диаметром 0,8+ 0,05 мм ца...
Способ определения концентрации и подвижности носителей тока в полупроводниках
Номер патента: 1465750
Опубликовано: 15.03.1989
Авторы: Григулис, Пориньш, Сидорин
МПК: G01N 22/00
Метки: концентрации, носителей, подвижности, полупроводниках
...и концентарция ц,п из этого соотношения определяются как удельное сопротивление полу проводника;заряд электрона;Холл-фактор, равный 193 в слабых полях приБ (с 1) и 1 - в сильныхн дгполях при р В ) 1).мощность Рн, электромагнитны типа Н, измерять в прошед учении, то выражение концентподвижности носителей тока роводнике вычисляется по форТ - коэффициент прохождени электромагнитных волн ектрическому полупроводник.я (3) и (6) позволяют определить подвижность и ию носителей тока в полуПри этом не требуется гнитное поле.во работает следующим образом,Полупроводник накладывают на выходное отверстие радиоволнового преобразователя 6. Облучают его электро-.магнитной волной от СВЧ-генератора 1 и воздействуют магнитным полем от магнитной...
Устройство для измерения параметров материалов
Номер патента: 1370532
Опубликовано: 30.01.1988
Авторы: Григулис, Русманис, Силиньш
МПК: G01N 22/00
Метки: параметров
...емкостной штырь 13 фа -35зовращателем 6 - в максимуме стоячейволны. Определяется снимаемый от детектора 10 выходной сигнал,Далее емкостные штыри 13, 14 переводятся в верхнее положение - индицируется мощность в отрезок 3 волновода, нагруженный эталонным образцом 11, таким же как эталонный образец 12. Регулировками фазовращателей 6, 7 добиваются такого же разме 45щения штырей 13, 14, т,е. в минимумеи максимуме стоячей волны, а глубиной погружения штырей 13, 14 - тогоже самого выходного сигнала.На месте эталонного образца 12 по 50мещается исследуемый образец. Затемопределяется разница показаний припереключении штырей 13, 14 соответственно на отрезки 3, 4. На детекторе 1 О происходит синхронный вычет55 этих первичных сигналов, а по...
Измеритель электро-физических параметров слоистых материалов
Номер патента: 1355914
Опубликовано: 30.11.1987
Авторы: Авгуцевич, Григулис, Силиньш
МПК: G01N 22/00
Метки: измеритель, параметров, слоистых, электро-физических
...материала 6, индикатор 7 соединен с короткозамкнутым отрезком 3 посредством элемента связи, расположенногомежду входом излучателя и отверстиемсвязи,Измеритель электрофизических пара 50метров слоистых материалов работаетследующим образом,СВЧ-энергия от СВЧ-генератора 1распространяется по короткозамкнутомуотрезку 3 и возбуждает конец внут 55реннего проводника 4 отрезка 2 коаксиальной линии, Таким образом, поступая на выход излучателя и взаимодей 142ствуя с контролируемым образцом, часть СВЧ-энергии. проходит мимо конца внутреннего проводника 4 и отражается от короткозамкнутого конца 5, При нагружении выходы излучателя проводящим контролируемым материалом 6 без слоя диэлектрика при выполнении условий(0,2-0,24) Ъ 1 = (026-03)...
Способ определения параметров листовых материалов
Номер патента: 1264105
Опубликовано: 15.10.1986
Авторы: Гаврилин, Григулис, Порис
МПК: G01R 27/04
Метки: листовых, параметров
...их производства,Цель изобретения - повышение точности измерения листовых материалов 10 в процессе их производства.Способ осуществляют следующим образом.Снимают зависимость мощности, проходящей от излучателя к приемнику, 15 от расстояния между излучателем и приемником в отсутствии листовьго материала. Рабочий зазор между излучателем и приемником устанавливают таким образом, чтобы он соответство вал одному из минимумов снятой зависимости, которая имеет периодический характер, причем его величину устанавливают в пределах 53 4 110 Л, где Л - длина рабочей долны. цом из минимумов снятой периодической зависимости.В результате такой предварительной настройки достигается устранение влияния ца р .зультаты измерения поперечных перемепеций...
Способ определения параметров магнитных материалов
Номер патента: 1249412
Опубликовано: 07.08.1986
Авторы: Григулис, Пориньш, Сидорин
МПК: G01N 22/00
Метки: магнитных, параметров
...пря моугольное, измеритель 10 моцРости)бпок 11 управления магнитной (ис.Омой,позволяоцей изменять наряженпост,магнитноо поля, г:ереключатель ),. НоР)лярнос:и тока, питающего соленоид)и:)эволяющий изменять при этом нап-.рзвленРе вектора напряженности внешН ГО МаГНИТНОГО ПОЛЯ еИзмерение параметров ман; тныхм зтерРалоз выполняется следующимо брас ол,Линейно-поляризованный сигнал отг"нератора 1 через ферри.говый развсзывающий прибор 2 поступает на полризатор 3, а затем на излучатепь5 1,;3,; Ита - ;, ;)с)5)5 НО.)од: а .: ";:; ",Р) Н.) ПОВОд)М , 0 (;За:-Г б. .,р)ПЗООсЯр -НСсй ПР РТ)П Пс КПс))с)с 1,щ.",у рсЗС,01 ОЖ ) с:Ь 5: ) 55 И. с ПО ПЗ МаГПРТЧР 10 Х; )с)ЗЬЬОЗ)53зп :,: у,.-:1 зит;1;с ОХ( 5 с Пит. 11; ",Рст, яапа, )ОС. ).ПО,Е. 5) тЕ)(С, .Ы,...
Способ измерения поверхностного сопротивления высокоомного покрытия на диэлектрической подложке
Номер патента: 1168871
Опубликовано: 23.07.1985
Авторы: Гаврилин, Григулис, Порис
МПК: G01R 27/00
Метки: высокоомного, диэлектрической, поверхностного, подложке, покрытия, сопротивления
...для контроля и измерения сопротивления квадрата поверхности тонких высокоомных полупроводниковых и других проводящих покрытий на диэлектрических подложках.Цель изобретения - повышение точности путем исключения влияния нарезультат измерений толщины диэлектри 10ческой. подложки.На чертеже приведена структурнаяэлектрическая схема устройства дляизмерения поверхностного сопротивления высакоомного покрытия на 15диэлектрической подложке, реализующего предлагаемый способ.Устройство содержит СВЧ-генератор1, вентиль 2, открытый резонатор 3,образованный подвижным 4 и непод рвижным 5 зеркалами, детектор 6,индикатор 7, диэлектрическую пластину 8, соединенную с виброустройствомЧ, вспомогательный образец 10, выполненный в виде высокоомного...
Измеритель электрофизических параметров полупроводниковых материалов
Номер патента: 1109612
Опубликовано: 23.08.1984
Авторы: Григулис, Пориньш, Силиньш
МПК: G01N 22/00
Метки: измеритель, параметров, полупроводниковых, электрофизических
...параметров по 33 уцро 33 опцико 3333 х мате -РИаЛОВ, СОДЕРжаЩЕМ ЩЕЛЕБОЙ ИЗЛУЧатсгПсоедцненг 3 ь 3 с СВЧ гецг ратором ц иг 3 ди-,Окатором, щелевой излучатець выполненв виде отрезка цссцм.3 г 3 т 3 цчцо 3 полос -КОБОЙ лиц 3 пгр 33 эСрац 3333 у 3 де 3 Пластинекоторой прореза 3 о це менее двух из -лучаю 3 ццх еле Ряс цело":ец.ь 3 Х друот друга на расстоянии Л /2, приэтом дл 3 гца каждой 33 злучающей щелиравна 3, а ширина (0,1-0,0)Л,Где 3 длина г 3 олцы 3 отрезке цесимметричной полоског 3 ой пицци.бНа Фиг. 1 приведена конструкцияизмерителя электрофизических параметро 3 полупроиодциковь 3 Х материалов, на Фиг.2 - разрез Л-Л ца Фиг.1;на Фцг.3 - разрез В-В ца Фиг.1.55ИзморТе 3 эпектрофизическцх параметров г 3 ог 3 прг 333 одццког 33 х...
Способ измерения толщины проводящего слоя изделия
Номер патента: 1044962
Опубликовано: 30.09.1983
Авторы: Гаврилин, Григулис
МПК: G01B 7/06
Метки: изделия, проводящего, слоя, толщины
...изделийдо значения реактивной составляющейего полного сопротивления к равнойх:о,о 5 сдр е д,а частоту питания преобразователя вы.бирают так, чтобы глубина П проникновения электромагнитного поля виэделие не превышала1 са(ю и Ьс о д,где я - круговая частота питания;- магнитная проницаемость вакуума;60а - количество витков преобразователя;а - радиус преобраэователя 1А - минимальная толщина измеряемого проводящего слоя. 65 На чертеже представлена блок-схема устройства, реализукщего способизмерения толщины проводящего слояизделия.Устройство содержит генератор 1качающейся частоты, измерительныймост 2 с контурами, блок 3 сравнениявеличины продетектиронанного по высокой частоте с эталонным напряжением, блок 4 эталонного...
Способ измерения толщины тонких проводящих покрытий
Номер патента: 901938
Опубликовано: 30.01.1982
Авторы: Гаврилин, Григулис, Дагилис
МПК: G01R 27/00
Метки: покрытий, проводящих, толщины, тонких
...активной и реактивной составляющих сопротивлений, частоту питания преобразователя устанавливают такой, чтобы разность между реактивными составляющими сопротивления ненагруженного преобразователя и преобразователя с об" разцом максимальной толщины составляла 3-М от реактивной составляющей ненагруженного образца, а о толщине покрытия судят по активной. составляющей вносимого в преобразователь сопротивления, измеренного на выбранной частоте.Для очень тонких проводящих покрытий (для которых толщина намного меньше глубины проникновения электро 40 магнитного поля в материалах покрытия) оказывается возможным подобрать такую частоту питания вихревого накладного преобразователя, на которой можно без необходимости сравнения с известными...
Волноводный измерительный преобразователь
Номер патента: 873061
Опубликовано: 15.10.1981
Авторы: Григулис, Дагилис, Пориньш, Русманис
МПК: G01N 22/00
Метки: волноводный, измерительный
...тракта,на конце которого установлена отражающая поверхность 3, на наружнойстороне которой симметрично относительно оси отрезка 2 волноводноготракта выполнен кольцевой паз 4и отверстия 5, соединяющие кольцевойпаз 4, например, через трубочки 6с вакуумной камерой 7, при этом диаметр отверстий 5 не превышает ширинукольцевого паза 4.Волноводный измерительный преобразователь работает следующим образом.Исследуемая плоская полупроводниковая структура 8 накладывается наотражающую поверхность 3 волноводного измерительного преобразователя,8306 Составитель А. Куздактор И, Каоарда Техред Т.Маточка вКорректор М. Демчик аказ 9019 66 Тираж 910ВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва Ж, Раушская наб., д...
Способ измерения сопротивления тонких проводящих покрытий и устройство для его реализации
Номер патента: 862063
Опубликовано: 07.09.1981
Авторы: Гаврилин, Григулис
МПК: G01N 27/90
Метки: покрытий, проводящих, реализации, сопротивления, тонких
...7. Общие точки конденсаторов 6,8 и 11,12 являются диагональю питания и соединены с выходом генератора 1. Общие точки конденсатора 11, преобразователя 7 и конденсатора 12, преобразователя 9 являются измерительной диагональю и соединены с входом детектора 3.Радиус катушки преобразователя 7 в четыре раза больше радиуса преобразователя 9.Устройство работаег следующим образом. Сигнал генератора 1 поступает на диагональ питания моста 2. Напряжение раз баланса моста 2 с измерительной диагональю поступает на вход детектора 3, где детектируется и подается на усилитель 4. Индикатор 5, соединенный с выходом усилителя 4, регистрирует значение выходного напряжения. Первичное значение частоты генератора 1 устанавливают, исход иэ резонансных...
Устройство для бесконтактного измерения сопротивления проводящих пленок
Номер патента: 575934
Опубликовано: 05.09.1978
Авторы: Гаврилин, Григулис
МПК: G01R 31/303, H01L 21/66
Метки: бесконтактного, пленок, проводящих, сопротивления
...преобразователя и корпусом, а другой - между другим электродом преобразователя и измерительным блоком..На чертеже представлена схема предлагаемого устройства. Устройство содержит генератор 1 измерительный блок 2, например мост, измерительный емкостный преобразователь 3, опервый 4 и второй 5 измерительные электроды, третий электрод 6, индикатор 7,подложку 8, металлический нагреватель9, подстроечный конденсатор 10 и индуктивность 1 1 резонансного контура первого электрода 4, подстроечный конденсатор 12 и индуктивность 13 резонансногоконтура второго электрода 5, емкости 14и 15 зазоров,Устройство работает следующим образом,Устанавливая контур 11, 10 и 14 врезонанс по минимуму индикатора 7, добиваются минимального потенциала на пленке 8...
Волноводный измерительный преобразователь
Номер патента: 589571
Опубликовано: 25.01.1978
Авторы: Григулис, Дагилис, Пориньш, Русманис
МПК: G01N 23/24
Метки: волноводный, измерительный
...полупроводниковых структур содержит переходный фланец 1, отрезок волноводного тракта 2, на конце которого установлена отражающая поверхность 3При наложении на отражающую повер ность 3 испытуемого образца возникае поперечное распространение сверхвысо кочастотной мощности в высокоомном поверхностномслое 4 вследствие мнс- гократного отражения потока междуо тражающей поверхнос гью 3 и низкоомной структурой 5.Кривые (см. фиг.2) характеризуют ,возможность достижения значительного прироста чувствительности измерений на примере контроля толщины Д диэлектрических слоев, нанесенных на ниэкоомных полупроводниковых пластинках сЯ0,001, 0,03, 0,1 и 0,5 Ом см по показан(ям разности тока измерительного устройства, например по разнице оказаний тока...
Высокочастотный емкостный способ контроля параметров полупроводниковых пластин
Номер патента: 314159
Опубликовано: 01.01.1971
Авторы: Алена, Григулис
МПК: H01L 21/66
Метки: высокочастотный, емкостный, параметров, пластин, полупроводниковых
...указывает удельное сопротивление полупроводника, а перемещениеэлектродов - толпину пластины,На чертеже, представлена схема измерения,1 - полупроводниковая пластина, 2 - сто з3 - электроды, 4 - емкостный датчик,- конденсатор настройки, б - вольтметр,7 - высокочастотный генератор, С - емкостьизмерительного элемента, 1. - индуктивностьизмерительного контура. ЗО Толщина и удельное сопротивление полупроводниковой пластины 1, поставленной на столик 2, измеряются полем электродов 8 емкостного датчика 4 по показателям перемещения датчика и напряжения на электродах в случае установления перемещением датчика резонанса в контур С 1,. При этом на точность измерения не будет влиять зазор и изменение диэлектрической ,проницаемости...
Высокочастотный электромагнитный способ
Номер патента: 313179
Опубликовано: 01.01.1971
Авторы: Алена, Григулис
МПК: H01L 21/66
Метки: высокочастотный, электромагнитный
...выходное напряжение, характеризующее изменение полного сопротивления (импеданса) измерительного элемента от толщины покрытия. дмет изобретен тй способ пленок нас целью покрытий странения икповения Высоизмеренеметаизмерена полвлияни Изобретение относится к области пленочной микроэлектронной техники, в частности, к области контроля и измерения толщины тонких металлических пленок, нанесенных на полупроводниковые или диэлектрические структу ры.Известен высокочастотный электромагнитный способ контроля, когда поле создается электроиндуктивным датчиком. Недостатком этого способа измерения является значитель ная погрешность измерения как толщины пленок, нанесенных на полупроводниковые структуры с диффузионными слоями, так и средней толщины...
Способ эталонирования приборов для контроля толщины покрытия
Номер патента: 313071
Опубликовано: 01.01.1971
Авторы: Григулис, Дзилюмс, Эриньш
МПК: G01B 7/06
Метки: покрытия, приборов, толщины, эталонирования
...приборов для контолщины покрытия, заключающийся в то токовихревой датчик прибора распот над основой и производят соответстие регулировки электрических режимов ях прибора, отличающийся тем, что, с повышения точности эталонирования, арительно до регулировки на основу намаксимальную толщину покрытия. О троля том, ч лагаю вующ в цеп целью предв носят рисоединением заявки, К, Григулис, Э. П, Эринып зико-энергетическии институ Изобретение относится к контрольно-измерительной технике.Известен способ эталонирования приборов для контроля толщины покрытия на металлической основе, заключающийся в том, что токовихревой датчик прибора располагают над основой и производят соответствующие регулировки электрических режимов в цепях прибора....
Устройство для измерения свойств полупроводниковых слоев
Номер патента: 239449
Опубликовано: 01.01.1969
Авторы: Аболтинь, Берзин, Григулис
МПК: H01L 21/66
Метки: полупроводниковых, свойств, слоев
...тарировочного графика, построенного по эгалонным образцам5 или по аналитическим зависимостям, определяются удельное сопротивление и толщина полупроводннкового слоя.11 а фиг, 1 показана блок-схема устройства;на фпг. 2 - кинематичсская схема измерительО кого блока,От генератора сигналов 1 СВЧволна черезаттсн 1 оатор 2 и щелсвой излучатель т падает1 а образец 4. Параметры стоячей волны в волноводном тракте фиксируются прн помощи5 зонда 5. детектора 6, индикатора-микроампсрмстра 7 н передаточного механизма 8, связанного с,подвижной шкалой 9.Фаза коэффициента от 1 раження в градусахфиксируется подвижной шкалой 9, модуль коО эффнцнента отражения - индикатором и откладывается на подвижной шкале. Под поДаижНОй Н 1 наЛОй ПОМЕшаЮтСЯ...
Измеритель физических свойств материалов на сеч
Номер патента: 166763
Опубликовано: 01.01.1964
Авторы: Аболтиньш, Григулис
МПК: H01L 21/66
Метки: измеритель, свойств, сеч, физических
...Изме на СВ водную часоии кально секции которы подписная групсса142 Для контроля физических свойств полупроводников и диэлектриков чрезвычайно важно измерение этих свойств на небольшой поверхности тела бссконтактным методом при одностороннем доступе к изделгпо. Для измере ния используют резонаторы со щелями, через которые вводят исследуемьш образец, два волновода и мостовые схемы. Форма тела и его размеры должны быть строго определенны. 10Предложенное устройство отличается от известных тем, что в нем применен щелевой излучатель с плавным переходом, обеспечивающцм согласование волновода со щелью. Использование щелевого излучателя позво ропзводпть обмер изделия на малои ности прп одностороннем доступе к струкцпя щелевого излучателя...
Устройство для контроля толщины и диэлектрических постоянных неметаллических пластин
Номер патента: 139081
Опубликовано: 01.01.1961
Авторы: Григулис, Матисс
МПК: G01B 7/06, G01N 27/90, G01R 27/26 ...
Метки: диэлектрических, неметаллических, пластин, постоянных, толщины
...устройства; на фиг, 2 - электромагнитный датчик.Устройство для контроля толщины и диэлектрических постоянных неметаллических пласгин состоит из электромагнитного датчика 1 и вы. сокочастотногс генератора 2, смонтированных в одном блоке 3, усилителя 4 постоянного тока и блока 5 питания.Электромагнитный датчик, питаемый генератором, создает резкэ неоднородный электромагнитный поток. При этом одна спираль датчика используется как емкость, а другая как индуктивность. Измерениеотерь, возникающих при прохождении высокочастотного потока через неметаллическую пластину, производится с помощью индикатора, пред. варительно протарированного на пластинах, толщина и диэлектрические свойства которых известны.Описываемое устройство позволяет...
Способ определения глубины проникновения электромагнитного поля в металл
Номер патента: 121857
Опубликовано: 01.01.1959
Автор: Григулис
МПК: G01R 33/02
Метки: глубины, металл, поля, проникновения, электромагнитного
...из различных материалов.Определение глубины проникновения неравномерного электромагнитного поля (специальной формы) производится не по измерению величины проникшего поля, а по прекращению изменения электрических свойств излучателя при увеличении толщины изучаемого слоя или. фольги: толщина слоя меняется от толщин меньших глубины проникновения до толщин больших ее.Для производства измерений глубины проникновения поля датчика создается система (например, Т-образный мостик), определяющая его свойства, и снимаются кривые зависимости комплексных свойств датчика от толщины фольг из различных материалов (например, Сц, А 1, Хп, латуни и Яп). Из кривых (фиг. 1) видно, что при достижении некоторой толщины фольги, полное сопротивление Х...