Полупроводнике — Метка (original) (raw)
Патенты с меткой «полупроводнике»
Передающая трубка с фото активным запирающим слоем на полупроводнике
Номер патента: 64192
Опубликовано: 01.01.1945
Автор: Брауде
МПК: H01J 31/28
Метки: активным, запирающим, передающая, полупроводнике, слоем, трубка, фото
...7. В цепь электрода 2 и коллектора 5 включено входное сопротивление К усилителя фототоков 10. Источником бегающего светового пятна может быть и не катодная трубка с флюоресцирующим экраном, а какое- нибудь механическое устройство с соответствующим осветителем, например, диск Нипкова и т, д. Вместо полупрозрачного зеркала, при котором неизбежны некоторые потери света, можно применять какую-нибудь другую более эффективную оптическую схему одновременного проектирования изображения объектива и светового пятна.Анализируя работу описанной передающей трубки, можно сделать следующие выводы. Изображенне передаваемого объекта, проектируясь на полупроводник, вырывает из глубины этого полупроводника электроны, которые, пройдя из его глубины через...
Способ измерения концентрации носителей тока в полупроводнике
Номер патента: 275235
Опубликовано: 01.01.1970
МПК: G01R 35/00
Метки: концентрации, носителей, полупроводнике
...волны в образце /р при данном значении индукции внешнего поля В.Исследуемый полупроводниковьш образец4 помещают в скрещенные катушки: возбуж дения б (вход датчика) и индикации 6 (выход датчика) гелпконной волны. Образец вырезан из полупроводникового монокристалла в виде пластинки толщиной д с параллельными плоскостями, Другие размеры должны быть 25 много больше с/, а их конфигурация значительной роли не играет. Катушки выполнены на твердых каркасах и расположены так, что плоскости их сечения перпендикулярны плоскости образца и между собой. Это позволяет 30 избежать передачи паразитного сигнала от. Г. Карпас Тскред А, А. Камышникова Корректор Т. А. Уманец дак аказ 2888 т 7Ы 1 ИИПИ Компте Тираж 480 о делам изобретений и открытий при...
Способ измерения эффективной температуры горячих носителей тока в полупроводнике
Номер патента: 335751
Опубликовано: 01.01.1972
МПК: G01R 31/26, H01L 21/00
Метки: горячих, носителей, полупроводнике, температуры, эффективной
...щают щую Изобретопие относится к области использования горячих,носителей тока в полупроводникахх.Приборы, работающие на основе разогрева носителей тока электрическим:полем, широко 5 применяются в технике (например, генераторы, основанные на эффекте Ганна) .Важнейшим параметром, определяющим степень разогрева носителей тока электрическим полем, является их эффективная темпе ратура.Известен способ измерения эффективной температуры горячих носителей тока путем определения их термо-э.д.с.Этот способ имеет существенный недоста ток. Термо-э.д.с. горячих носителей тока возникает только при градиенте концентрация носителей тока, который обы шо создают легированием полупроводника, что является технологически сложным и трудноконтроли руемым...
Способ отжига радиациопных дефектов в полупроводнике
Номер патента: 381300
Опубликовано: 01.01.1973
МПК: H01L 21/26
Метки: дефектов, отжига, полупроводнике, радиациопных
...(рабочееченский, Г, А. Качурин, . С, Смирновибирского отделения АН СССР ЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВОДНИКЕ го) подвергалась бомбардировке протонами (Е = 10 кэв,= 0,08 мка(см 2) в течение 132 миц. Контрольный образец защищался от воздействия протонов металлическим экраном.Методом ЭПР проводилось сравнение числа 1%-цетров, связанных с дефектами, вносимыми ионным внедрением (1 в контрольном и рабочем образцах. Оказалось, что контрольный образец содержал Ю-цетров в 10 раз больше, чем образец, облучсццый протоцамп.Электроцограммы дифракции электронов на отражение подтвердили существенное улучшение структуры слоя, аморфизированного предварительной бомбардировкой ионами аргона.П р и м е р 2. Аналогичный результат по низкотемпературцому восстановлен;по...
Способ изменения концентрации примеси в полупроводнике
Номер патента: 445464
Опубликовано: 05.10.1974
МПК: B01J 17/34
Метки: изменения, концентрации, полупроводнике, примеси
...кремния (толщина 0,2 мм), легированного золотом, со следующими параметрами: р 40 ом см, и 10" см -р 820 в см - 2 сек- помещают в электролит - 32 н. раствор пла впковой кислоты марки 04 и выдерживают вцем в течение 100 час. Содержание золота в пластцце до проведения процесса 210" атом/см, после проведения - меньше,чем 10" атом/см, Электрофизические пара метры принимают следующие значения: р0,3 ом см, и 1,6 10" см в см сек .П р и м е р 2. Пластину монокристаллического арсенида галлия (толщина 0,2 мм) со 20 следующими параметрами: р 0,0005 ом см,п 10 сг смр 76 в см - сек -помещают в электролит - 30%-цый раствор едкого кали с добавкой 10 вг/л ионов меди. Затем через пластину в электролите пропускают в тече цие 24 час постоянный...
Способ измерения времени жизни неосновных носителей заряда в полупроводнике мдп-структуры
Номер патента: 452792
Опубликовано: 05.12.1974
Авторы: Гончаренко, Королев
МПК: G01R 31/26, H01L 21/66
Метки: времени, жизни, заряда, мдп-структуры, неосновных, носителей, полупроводнике
...как постоянным поддерживается объем обедненного слоя. Для поддержания постоянной емкости необходимо изменять напряжение, приложенное к МДП- структуре, пропорционально количеству накопленного вблизи границы раздела эврядв, генерированного во всем объеме обедненного слоя. Время жизни ( неосновных носителей заряда связано с изменением напряжения на МДП-структуре следующей формулой ческих свойст луп ерени особы из гх носите я времени ряда в лов подаче н егистрвции жизни неосновнлупроводниках,МДП-структурьизменения егоНедостаток ей звгиеся кпючаю напряже о времен и и,бо стоит в х спос значительном объе счетов и снижении математических раезупьтвте этого то эультатов,лью повышения т ост С це согласно МДП-ст путем и ности измерений,пособу,...
Способ микроволнового измерения эффективной массы носителей тока в легированном полупроводнике
Номер патента: 498576
Опубликовано: 05.01.1976
Автор: Браташевский
МПК: G01R 31/26, H01L 21/66
Метки: легированном, массы, микроволнового, носителей, полупроводнике, эффективной
...- упрощение и повышение точности измерения.Цель изобретения достигается благодаря тому, что исследуемый полупроводник помещают в электрическое циркулярно поляризованное микроволновое поле и направленное перпендикулярно плоскости поляризации постоянное магнитное поле, изменяют напряженцость постоянного магнитного поля до тех пор, пока включение и выключецце модуляции концентрации носителей тока не будет вызывать изменения действительной части диэлектрической постоянной полупроводника, и прц данной величине напряженности определяют эффективную массу.Заказ 229/698 Изд.201 Тираж 1029 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытийТип. Харьк. фпл. пред. сПатент После подстановки выражения...
Устройство для измерения концентрации носителей тока в полупроводнике
Номер патента: 731402
Опубликовано: 30.04.1980
Авторы: Виткус, Лауринавичус, Пожела
МПК: H01L 21/66
Метки: концентрации, носителей, полупроводнике
...магнитного поля.При известной величине резонансного магнитного поля концентрацию носителей токаопределяют по формулеа 1- С й1,игде с= 310" м/сек;е=1,6 10Жо = 885:10 Ф/м;1 ч - целое число, обозначающее порядок 30 геликонного резонанса;3- диэлектрическая постоянная решеткиматериала исследуемого образца 6;м - частота СВЧ сигнала;д - толщина исследуемого образца 6;В - напряженность магнитного поля, прикоторой наступает геликонный резонанс М-го порядка.Если порядок геликонного резонанса неизвестен, то концентрацию носителей тока опре О деляют по формуле 731402 2 и основной канал направленного ответвителя 3 к размещенному между полюсами электромагниту 4 отрезку 5 волновода, продольная ось которого ориентирована перпендикулярно плоскостям...
Устройство для измерения термоэдс горячих носителей заряда в полупроводнике
Номер патента: 763810
Опубликовано: 15.09.1980
МПК: G01N 22/00
Метки: горячих, заряда, носителей, полупроводнике, термоэдс
...в м(- роких стенках отрезка 2 прямоугольНОГО ВОлнОВОДа и снабх(еы контактными злементами 5 б, пОдключеннымик одному из входов индикатора 1, аконец стержня 4 выведен через от7688 О ГПОТОТИП Раж 10 1 1 одписно ВНИИПИ Заказ 6274/3 илиал ППП Патент верстие в узкой стенке отрезка 2прямоугольного волновода и снабженконтактным элементом 7, ттодклюеннттмк другому входу индикатора 1.Устройство работает следуюшимобразом,1:ат( как по отрезку 2 прямоугольного волновода распространяется воя - на типа Н , то стержень 3 между контактными элементами 5,6 нахо - дится в сильном электрическом СВЧ поле. В стержне 4 поле ЯвляетсЯ сла - бым из-за большой диэлектрической проницаемости полупрОВОдникау а В контактных элементах 5,8 поле слабое из-за...
Способ определения эффективной температуры горячих носителей тока в полупроводнике
Номер патента: 550882
Опубликовано: 23.06.1983
Авторы: Версоцкас, Кальвенас, Юзкевичене
МПК: G01R 31/26, H01L 21/00
Метки: горячих, носителей, полупроводнике, температуры, эффективной
...горячихносителей тока в полупроводнике обычно определяют по величине термоэдс, 5обусловленной градиентом концентрации носителей тока, который создаютпосредством лвгирования полупроводника, что является технологически слож, ным и трудно контролируемым процес Осом. В процессе измерения наряду сполезным сигналом обычно появляютсяи нежелательные ЭДС. Все это приводит к снижению точности измерений.В известном способе определения 15эффективной температуры горячих носителей тока в полупроводнике 1в части однородного образца с контактами, создаютэлектрическое поле,причем контакты находятся вне области электрического поля, освещают образец светом, в результате чего создается необходимый градиент концентрации носителей тока, приводящий...
Способ определения квантомеханического фактора вырождения глубоких центров в полупроводнике
Номер патента: 1098466
Опубликовано: 30.09.1985
МПК: H01L 21/66
Метки: вырождения, глубоких, квантомеханического, полупроводнике, фактора, центров
...разделаполупроводник в диэлектр с учетомтемпературного размытия, функции Ферми и по взаимному сдвигу полученныхспектров определяют квантомеханичес- З 5кий фактор вырождения глубоких центров,Способ осуществляют следующим образом.На поверхности исследуемого полупроводника, содержащего мелкую легирующую примесь, формируют слой туннельно непрозрачного диэлектрика,т,е. слой с толщиной, превышающейо100 А. При формировании этого слоя 45создают условия, обеспечивающие получение пассивированной границы разделаполупроводник-диэлектрик, в случаеиспользования в качестве исследуемогополупроводника кремния слой диэлектрика формируют окислением поверхности кремния в сухом кислороде с последующим отжигом в азоте, что дает плотность поверхностных...
Способ определения оптической энергии ионизации и типа симметрии глубокого примесного центра в полупроводнике
Номер патента: 1114262
Опубликовано: 15.11.1985
МПК: H01L 21/66
Метки: глубокого, ионизации, оптической, полупроводнике, примесного, симметрии, типа, центра, энергии
...носителей тока, создаваемых светом из рассматриваемой области энергии фотона (дырка, электрон). Эти сведения могут быть 0 Далее по формулам (4-8), приведенным ниже, строятся расчетные кривые спектральной зависимости сечений фотоионизации б , учитывающие зону проводимости / д /, зону тяже лых дырок /И 1, /, зону легких дырок/ Ве /, зону спин-орбитального расщепления / б 6 / для каждого типа симметрии /Г 6, Г, Гз /. Сечение фо тока определяют зарядовое состояние исследуемого центра после фотоионизации, экспериментальные зависимости фотопроводимости или коэффициента поглощения сопоставляют с расчетными кривыми, величину оптической энергии иойизации глубокого примесного центра с и тип его симметрии определяют по значениям параметров...
Устройство для измерения времени жизни неосновных носителей заряда в полупроводнике
Номер патента: 1227999
Опубликовано: 30.04.1986
Авторы: Ахманаев, Медведев, Сафронов
МПК: G01N 22/00
Метки: времени, жизни, заряда, неосновных, носителей, полупроводнике
...полупроводник 10 прикладывается к наружной поверхноститорцевой стенки квазистатическогорезонатора 2 над кольцевым измерительным отверстием. ТранзисторныйСВЧ-генератор 1 работает в режимезатягивания частоты квазистатическим резонатором 2, что обеспечиваетавтоматическую подстройку датчика врезонанс при наложении исследуемогополупроводника 10 на квазистатический резонатор 2, На нагрузке 11 детектора 3 выделяется постоянное напряжение 0 , пропорциональное прошедшей через квазистатический резонатор 2 мощности СВЧ, которая, всвою очередь, определяется удельнымсопротивлением исследуемого полупроводника 10,Генератор 9 вырабатывает последовательность импульсов напряженияпрямоугольной Формы, преобразуемыеуправляемым...
Способ определения дрейфовой скорости носителей заряда в полупроводнике
Номер патента: 1250923
Опубликовано: 15.08.1986
МПК: G01N 22/00
Метки: дрейфовой, заряда, носителей, полупроводнике, скорости
...ударную ионизацию путем подключения источника,развивающую в исследуемом полупроводнике 2 импульсное СВЧ электромагнитное поле Е, и, отключив входдифференциального усилителя осциллографа 5 от сопротивления 8, поосциллограмме нарастания напряженияна исследуемом полУпроводнике 2,определяют время жизни носителейзаряда. Подключают вход дифференциального усилителя осциллографа 5противление ИПП 2 К. ЦСННЗ, усредненная за период колебанич СВЧ определяется по формулеЧ:.= (., ) Йп (К /К.) 1 (К- К, ) 7 Кгде 1. - длина полупроводника. 1 ил. к сопротивлению 8. За время короче0,1 после окончания импульса импульсного СВЧ электромагнитного поля, т.е. пока концентрация избыточных носителей заряда не успела заметно измениться измеряют сопротивление...
Способ определения емкости области пространственного заряда в полупроводнике и диэлектрика полупроводниковых структур
Номер патента: 1402201
Опубликовано: 23.10.1989
Авторы: Ермакова, Перов, Поляков
МПК: H01L 21/66
Метки: диэлектрика, емкости, заряда, области, полупроводнике, полупроводниковых, пространственного, структур
...где Е, - диэлектрическая проницаемостьМатериала, Я - диэлектрическая пров ицаемость вакуума, Б, - концентрая нескомпенсированных примесей волупроводнике, с 1 - заряд электрона); М, - сопротивление утечки материала б большей шириной запрещенной зоны; Ц - емкость материала с меньшей шииной запрещенной зоны, К, - сопротивение объемных квазинейтральных обастей полупроводников; Бф - фотоЭДС, оявляющаяся при освещении образца;емкостная нагрузка; 7- фотонаряжение (фотоотклик); на фиг,. 4 ременная зависимость фотоотклика 1 (Т) при освещении образца светом,Кривая 1 - при С=С и кривая 2 - 25 4 ри С=С Н, С н (С и, . Чф - значение фотоотклика в точке излома на зависиМости 7 при С=С и, 7 ф - при С= =С 1 где С и С- первое и второе значения...
Бесконтактный способ определения эффективного времени жизни неравновесных носителей заряда в полупроводнике
Номер патента: 1384117
Опубликовано: 23.08.1990
МПК: H01L 21/66
Метки: бесконтактный, времени, жизни, заряда, неравновесных, носителей, полупроводнике, эффективного
...излучения, ш - эффективная45масса электрона.Для, детектирования излучения использовался фоторезистор иэСЙИ 808 Те при 77 К, который имеетграницу чувствительности при =11 мкм.Таким образом, практически диапазондлин волн 1-11 мкм, Иаксимальный коэффициент поглощения в этом диапазоне .равен для максимальной концентра 18 в.цин электронов 10 см .К = 200 см,.Следовательно толщина д образцадолжна быть впределах 0,52 ,й4 50 мкм, например 10 мкм. Для длины волны0,8 мкм.поглощение определяетсямежзонными переходами. Коэффициент поглощения длятаких переходов зависит от энергиикванта и не зависит от концентрацииносителей заряда, Таким образом,временная зависимость плотности излучения на длине волны 0,8 мкм не будет пропорциональна концентрации...
Датчик для измерения холловской подвижности носителей заряда в полупроводнике
Номер патента: 1665290
Опубликовано: 23.07.1991
Авторы: Григулис, Пориньш, Сидорин
МПК: G01N 22/00
Метки: датчик, заряда, носителей, подвижности, полупроводнике, холловской
...полупров ите гд ле днике. Изобретение относится к средствам нераэрушающего радио волнового контроля и предназначено для измерения холловской подвижности носителей заряда в полупроводниках,Цель изобретения - повышение чувствительности.На чертеже приведена конструкция датчика для измерения холловской подвижности носителей заряда в полупроводниках,Датчик состоит из токонесущего проводника 1, расположенного в щели 2 между плоскими проводниками 3 и 4 на диэлектрической йодложке 5, одна сторона которой металлизирована с помощью проводящего покрытия 6 с генератором 7 электромагнит. ных колебаний, проводники 3 и 4 образуют щелевую линию, а токонесущий проводник 1 с проводящим покрытием 5, подключенные к измерителю 8, - микрополосковую...
Способ определения длины диффузии электронов в многокомпонентном полупроводнике
Номер патента: 1823032
Опубликовано: 23.06.1993
Авторы: Андрущенко, Климин, Стучинский, Щемелев
МПК: H01L 21/66
Метки: диффузии, длины, многокомпонентном, полупроводнике, электронов
...фотоэффекта на одном изкраев рентгеновского поглощения одногоиз элементов, входящих в состав полупроводника и получить значение длины диффузии электронов иэ решения уравнения:Бг =- А(Ек + г)/А(Ек - г),где Ь - величина скачка рентгеновского фотоэффекта, измеренная на крае поглощенияодного из элементов, входящих в состав полупроводника, Е( - энергия края поглощения данного элемента, г - малая величинаэнергии, равная ширине энергетическогоуровнн, соответствующего данному краюпоглощения, Функция А(Е) определяетсявыражением (1).Теоретическое исследование связискачков рентгеновского фотоэффекта с длиной диффузии электронов в полупроводнике проведено авторами впервые и влитературе не описано,Способ реализуют следующим...
Способ определения длины диффузии электронов в многокомпонентном полупроводнике
Номер патента: 1823033
Опубликовано: 23.06.1993
Авторы: Андрущенко, Климин, Стучинский, Щемелев
МПК: H01L 21/66
Метки: диффузии, длины, многокомпонентном, полупроводнике, электронов
...Й. - число возможных рентгеновских радиационных переходов в атоме 1-того элемента. Во-вторых из рентгеновских фото- и Оже-электронов, возникающих в слое 02 при поглощении в нем флуоресцентного рентгеновского излучения, возбуждаемого по всему объему полупроводника падающим рентгеновским пучком. Полная энергия этой группы электронов Ю/2(2),1823033 Приведенное выражение есть уравнение относительно величины . - длины диф.фузии электронов в полупроводнике.Следовательно, для определения длины 5 диффузии электронов в полупроводнике достаточно измерить угол падения рентгеновского пучка на поверхность полупроводника, при котором отсутствует скачек рентгеновского фотоэффекта д, на 10 одном из краев рентгеновского поглощенияодного иэ...
Способ определения параметров примеси в полупроводнике
Номер патента: 1584666
Опубликовано: 20.06.1999
Авторы: Веденеев, Ждан, Рыльков, Шафран
МПК: H01L 21/66
Метки: параметров, полупроводнике, примеси
Способ определения параметров примеси в полупроводнике, включающий измерение в криостате ЭДС Холла в образце Uн и эталоне Uн, и соответствующих токов I и I1, в условиях фоновой подсветки при температуре Tв из области вымораживания примесей, отличающийся тем, что, с целью повышения точности способа и обеспечения возможности определения концентрации основной легирующей примеси, в криостат дополнительно помещают второй этап с другим уровнем легирования и измеряют ЭДС Холла и ток I2 при тех же условиях, устанавливают температуру Tи из области истощения основной...