Диффузия из твердой фазы в газовую или из газовой фазы в твердую — H01L 21/223 — МПК (original) (raw)
232390
Номер патента: 232390
Опубликовано: 01.01.1969
Авторы: Берников, Никонов, Носиков, Пресс, Ржанов
МПК: H01L 21/223
Метки: 232390
...исходной полупроводниковой пластины создается известными методами базовый слой, Затем на поверхности его создается пассивирующий слой, например окисла. Методами фотолитографии в пассивирующем слое открываются окна для выделения активной области. Затем выделяется область активной базы, и методами фотолитографии открываются эмиттерные окна.Эти операции сами по себе новизны не представляют, так как являются обычными, широко используемыми в диффузионнойтехнологии и применяемыми в той ке последовательности (меза-планарная технология). Далее идет операция одновременной диффузии примеси в эмиттер и обнаженные участки меза-столика базы, В результате такой диффузии получается планарная структура, так как на боковой поверхности меза-столика...
Способ диффузии при изготовлении полупроводникового тензочувствительного элемента
Номер патента: 1105078
Опубликовано: 10.01.1996
МПК: H01L 21/223
Метки: диффузии, изготовлении, полупроводникового, тензочувствительного, элемента
СПОСОБ ДИФФУЗИИ ПРИ ИЗГОТОВЛЕНИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ТЕНЗОЧУВСТВИТЕЛЬНОГО ЭЛЕМЕНТА, включающий размещение в лодочке партии полупроводниковых пластин и твердых источников диффузанта, окружающих пластины и расположенных рядом с ними, введение лодочки в реактор, нагревание полупроводниковых пластин и твердых источников диффузанта до температуры диффузии, отличающийся тем, что, с целью повышения точности изготовления элемента путем уменьшения разброса поверхностного сопротивления диффузионных слоев в пределах партии пластин и повышения воспроизводимости сопротивлений слоев, предварительно в лодочке вдоль ее продольной оси между твердыми источниками диффузанта располагают вспомогательные полупроводниковые пластины, при этом в начале лодочки...
Устройство для диффузии и окисления подложек
Номер патента: 646705
Опубликовано: 10.02.1996
Авторы: Жидков, Лизин, Романова
МПК: H01L 21/223
Метки: диффузии, окисления, подложек
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ДИФФУЗИИ И ОКИСЛЕНИЯ ПОДЛОЖЕК, содержащее реактор с нагревателями, соединенный с системой ввода газа-реагента и инертного газа, отличающееся тем, что, с целью повышения равномерности глубины диффузии по подложке, реактор выполнен в виде двух коаксиальных труб, входы которых соединены соответственно с системами подачи инертного газа и газа-реагента, а выходные отверстия соединены между собой, причем на цилиндрической образующей внутренней трубы выполнены отверстия для подвода газа-реагента.
Способ получения омического контакта
Номер патента: 1533567
Опубликовано: 10.03.1997
Авторы: Маркин, Никулов, Рябов, Снегирев
МПК: H01L 21/223
Метки: контакта, омического
Способ получения омического контакта к полупроводниковой структуре, включающий эпитаксиальное наращивание приконтактного слоя из газовой фазы при пониженном давлении сильнолегированного бором слоя кремния и нанесения системы металлов, отличающийся тем, что, с целью повышения качества контакта путем снижения переходного сопротивления контакта, приконтактный слой формируют из газовой смеси, содержащей водород, диборан и кремнийсодержащий компонент при следующем соотношении реагентов, об.Кремнийсодержащий компонент (в пересчете на кремний) 0,05 1,0Диборан 0,0005 0,001Водород Остальноенаращивание проводят при 950 970oС, отключают нагрев и повышают давление водорода в реакторе до атмосферного не более, чем...
Реактор для проведения диффузии в производстве полупроводниковых приборов
Номер патента: 1634050
Опубликовано: 27.10.1999
Авторы: Волков, Кондрашов, Мурзин
МПК: H01L 21/223
Метки: диффузии, полупроводниковых, приборов, проведения, производстве, реактор
Реактор для проведения диффузии в производстве полупроводниковых приборов, включающий кварцевую трубу диаметром D с отверстием для ввода газов на одном конце и отверстием для загрузки и выгрузки полупроводниковых пластин на другом, съемную кварцевую крышку с отверстием для вывода газов, цилиндрическая часть которой коаксиально входит в отверстие трубы для загрузки и выгрузки полупроводниковых пластин, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных полупроводниковых приборов и продления срока службы реактора, цилиндрическая часть съемной крышки установлена с постоянным зазором величиной g = 0,05D по отношению к стенке трубы, а со стороны отверстия для вывода газов в...
Способ пассивации электрически активных центров в кремнии и арсениде галлия
Номер патента: 1435068
Опубликовано: 20.02.2000
Авторы: Копецкий, Мессерер, Омельяновский, Пахомов, Поляков, Шаповал
МПК: H01L 21/223
Метки: активных, арсениде, галлия, кремнии, пассивации, центров, электрически
1. Способ пассивации электрически активных центров в кремнии и арсениде галлия, включающий проведение диффузии атомарного водорода ил тлеющего разряда в кремний или арсенид галлия, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и воспроизводимости пассивации по глубине полупроводника, диффузию атомарного водорода проводят путем выдержки кремния или арсенида галлия при температуре 500 - 670oС соответственно в течение времени, определяемого из формулыгде Nx - концентрация водорода в полупроводнике на глубине x, ат ...