H01L 23/10 — отличающиеся материалом или расположением уплотнений между частями прибора, например между крышкой и основанием корпуса или между выводами и стенками корпуса (original) (raw)

Способ изготовления вентильных элементов

Номер патента: 253934

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Горохова, Думаневич, Ихтенгольц, Козлов, Ловцов, Лубнина, Пина, Рюмшин

МПК: H01L 23/10

...обнаруживается большое количество пор и лысин, умень шающих эффективную площадь спая, неравномерное распределение их приводит к локальной концентрации напряжений и растрескиванию кремния из-за того, что окисные пленки, имеющиеся на мягких припоях, не диссоции руют и не удаляются из паяного шва при температуре пайки.С целью получения качественных соединений выпрямительных структур с термокомпенсаторами, в верхнем и нижнем вольфраме 25 (%) сделаны отверстия, в которые закладывают навеску припоя (в виде таблетки), Размер отверстия зависит от плошади спая и устанавливается для каждого типа прибора экспериментально. 30 На чертеже показано выполнение соединеия. При такои конструкции паяного соединения после расплавления припоя окисная...

Полупроводниковый прибор

Номер патента: 277111

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Вители, Властимил, Евжен, Зденек, Йиржи, Пиврнец, Чехословацка

МПК: H01L 23/10

Метки: полупроводниковый, прибор

...соединения толщиной.В такой конструкции, повышается равномерность давления на прилегающиености электродов и полупроводниковстины, причем это давление создаетсямающим элементом, расположенным в бора,Уплотнительное кольцо, охватывающее полупроводниковуго пластину, предотвращает сжатие материала рамок. Концентрические пазы на кольце благодаря пластичности материала,позволяют уравнять используемые допуски.Обе рамки можно изготовить точным литьем как нсразъемное соединение, преимущестрамками имеется пространство, рого заполнена выступом 6 уплот. Фетодо едакт Заказ 3086(8ЦНИИПИ Комитета по Тираж 480 Подписное лам изобретений и открытий при Совете Министров СССР осква, Ж, Раушская наб., д. 4/5 ография, пр, Сапуно нительного кольца 7,...

Полупроводниковый прибор

Номер патента: 277113

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Властимил, Евжен, Зденек, Иностранное, Йиржи, Оборовы, Пиврнец, Чехословацка

МПК: H01L 23/10

Метки: полупроводниковый, прибор

...проходящими через наружные поверхности электродов, и плоскостямипроходящими через наружные поверхности электродов, и плоскостяхгй, проходящими через внутренние поверхности колец в местах их прилегания к промежуточным трубкам, получены зазоры, которые равны по крайней мере толщи. не стенки промежуточной трубки. Промежуточные трубки могут быть снабжены выдавками, расположенными в зазорах.На чертеже изображен полупроводниковыйприбор в разрезе.5 Полупроводниковая пластина 1, расположенная между, двумя электродами 2 и 3 в виде жестких пластинок так, что она может скользить между ними, окружена кольцом 4 из тетрафторэтилена.о На внешних сторонах электродов укреплены промежуточные металлические трубки б и б, а с их внешней стороны - кольца...

Корпус полупроводникового прибора

Номер патента: 284181

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Властимил, Евжен, Зденек, Изобретен, Иностранное, Йиржи, Оборовы, Пиврнец, Чехословацка

МПК: H01L 23/10

Метки: корпус, полупроводникового, прибора

...корпуса с мсталлпчсскп 284181ми трубочками согласно изобретению можно упростить конструкцию, Для этого одно из колец изготавливают из электроизоляционного материала, а другое из металла, причем тру. бочка металлического кольца образует с последним единое целое.Металлические кольца выполняют,преимущественно в вндссеченного конуса.На фиг, 1 изображено, сечение,полупроводникового прибора, у которого соединительные элюинты кори са Выполнены В виде металлических труоочек; на фиг. 2 предстаьлено сечение полчпроводликового прибора, 1 которого соединительные элементы выполнены из электроизоляционного матсриала и образуют с кольцом одно нераздельное целое; на фиг. 3 дано сечение полупроводникового прибора с упрощенлой конструкцией...

Корпус полупроводникового прибора

Номер патента: 329847

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Алпатов, Батыгин, Иванов

МПК: H01L 23/10

Метки: корпус, полупроводникового, прибора

...теплостойкости прибора, а также обеспечение полной разгрузки полупроводникового,элемента от механических нагрузок при эксплуатации вентиля, 30 1Изобретение относится к силоводниковым приборам.Известные полупроводниковые Сущность изобретения заключается в том, что хтеталлокеразтический корпус таблеточного вентиля выполняется с дополнительньвми керамичеокими и металличесоеими фигурнымтб кольцами.На чертеже показан предложенный корпус в разрезе.Фигурные металлические кольца 1 соединены с одной стороны с керамическим цилиндром корпуса 2, а с другой стороны в электродами Л и кохтпенсаторньвти колыцами 4. Кохтпенсаторные кольца изготовлены из керамики или материала, имеюгцего коэффициент термического расширения (КТР), близкий к КТР...

Корпус фототиристора

Номер патента: 434520

Опубликовано: 30.06.1974

Авторы: Думаневич, Курцин, Челноков

МПК: H01L 23/10

Метки: корпус, фототиристора

...на чертеже.К массивному металлическому основанию1, служащему одним из электродов прибора,припаян вентнльный элемент 2, содержащий5 многослойную полу 1 роводниковую структурусо светочувствительным участком. К основапию крепится крышка 3, внутри которой через изолирующее кольцо герметично укреплена металлическая втулка 4 в виде полого ци 10 линдра, служащая друтик электродом прибора. Канал втулки закрыт оптически прозрачным окном 5, которое может обладать фокуснрующими свойствами.Втулка 4 электрически соединена с вентиль 15 ным элементом 2 с помощью амортизационного элемента 6 ввиде, например, металлической мембраны с отверстием посредине. Навтулку 4 может надеваться съемная фокусирующая оптическая система,23 Выполнение внутреннего...

Гибридная интегральная схема

Номер патента: 1667571

Опубликовано: 27.11.1996

Авторы: Иовдальский, Темнов

МПК: H01L 23/10

Метки: гибридная, интегральная, схема

Гибридная интегральная схема, содержащая диэлектрическую плату с топологическим рисунком металлизации и выемками, в которых с помощью связывающего вещества закреплены полупроводниковые кристаллы, причем поверхность кристаллов с контактными площадками лежит в одной плоскости с поверхностью платы, а контактные площади кристаллов электрически соединены с топологическим рисунком металлизации, отличающаяся тем, что, с целью улучшения электрических характеристик и повышения плотности монтажа, выемки в диэлектрической плате выполнены в виде углублений, глубина которых выбрана превышающей на 10 30 мкм толщину кристаллов, закрепленных на дне углублений, а зазоры между стенками каждого углубления и кристаллом выбраны равными 20 - 100 мкм.