Содержащие только полупроводниковые компоненты одного вида — H01L 27/08 — МПК (original) (raw)

Составной транзистор

Номер патента: 957690

Опубликовано: 15.03.1987

Авторы: Кабанец, Лапицкий, Семин, Тарасевич

МПК: H01L 27/08

Метки: составной, транзистор

...пластине 1, например, из кремния и -типа проводимости, сформирован опитаксиальный слой 2 коллектора, например, из кремния п-типа, в котором сформированы слои 3 базы, например, р-типа проводимости., В слоях 3 базы сформированы слои 4 эмиттера, например, п-типа проводимости. Поверхности слоя 2 коллектора, слоя 3 базы и слоя 4 эмиттера покрыты изолирующим слоем 5. Выходящие на поверхность р - п-переходы эмиттера и коллектора находятся под изолирующим слоем 5. Через окна в изолирующем слое 5 к полупроводнико вым слоям 3 и 4 присоединены токоподводящие контакты 6-8, выполненные, например, из алюминия.Планарный составной транзистор состоит из нескольких каскадов, нап ример двух, соединенных преимущественно по схеме Дарлингтона....