Транзистор — Метка (original) (raw)
Патенты с меткой «транзистор»
Реверсивный составной транзистор
Номер патента: 177990
Опубликовано: 01.01.1966
Автор: Фесенко
МПК: H01L 29/00
Метки: реверсивный, составной, транзистор
...малымфициентом использования и не позволяю лучить симметричную схему составного р зистора.В предлагаемом транзисторе повышение коэффициента использовашя достигается шунтированием переходов силового транзистора управляющими транзисторами, эмиттеры кото рых подключены к базовому электроду силового транзистора, а эмиттерные переходы зашунтированы сопротивлениями или диодами. Возможность же получешя симметричной схемы составного транзистора достигается ис пользованием второго (вспомогательного) силового транзистора и обратным включением управляющего транзистора, шунтирующего коллекторный переход силового.На чертеже приведена схема соединения 20 описываемого транзистора.Управляющие транзисторы 1 и 2 включены параллельно эмиттер ному...
Транзистор для схем с автоматической регулировкой усиления
Номер патента: 256084
Опубликовано: 01.01.1969
Авторы: Данилин, Константинов, Морозов, Черн
МПК: H01L 29/06
Метки: автоматической, регулировкой, схем, транзистор, усиления
...дает возможность получить приведенное выше отношение между концентрациями подвижных носителей и примеси в коллекторном 25 переходе, а это в свою очередь и определяетвозможность раооты транзистораАРУ.ет Кроме того, указанная структура позволя выполнять транзисторы с АРУ на базе пр стой сплавно-диффузионной технологии пр2 М 084 Составитель М. ЛепешкинаРедактор Б. Б. Федотов Техред Т, П. Курилко Корректор Р. И, Крючкова Заказ 577/3 Тираж 480 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква Ж, Раушская наб., д. 4(5 Типография, пр. Сапунова, 2 условии сохранения небольших значений сопротивления базы.Обязательным условием, обеспечивающим указанную соизмеримость концентраций носителей и примеси,...
Полевой транзистор с моп-структурой
Номер патента: 287629
Опубликовано: 01.01.1970
МПК: H01L 29/78
Метки: моп-структурой, полевой, транзистор
...т,)П 1 2 В тО:)1 с,1-ае, с.;П 1 "12.етР пс 13 ехода10 я)пОДлох)к ОбразОВ 212 13 к,рсмн 15сопротпвлсп)псм - 1 О 0),)1,сзхГсл 11 разность и,)тспцпсло) мс: д) затв)ро.1 под;ОжкОй10 и 10 Гд 2 сопротпВлснпе бу.30;1 ет П 01)я)дка 10 - 1)0.)1, и эта Г)ел 1 чппг со287629 Фи ЯСоставитель О. Б, федюк едактор Л, Герасимова Корректор Л. А. Царько аква 0075,10- - 70 г. Тираж 480 Подписное1 И 11111 Комитета но делам ивооретений н откргктнй нрн Совете Министров СССРМосква, К.зо, 1 аушскав най, д. 4/о нгральна тнографнв МО противления достаточна в больгшшстве случаев для входного сопротивления для транзисторов с такой структурой. Транзистор прн отсутствии повреждения или пробоя окисной изолилирующей пленки может свободно функционировать в качестве...
Канальный транзистор с изолированными затворами
Номер патента: 292327
Опубликовано: 01.01.1971
Авторы: Иностранна, Мацушита, Пностранец
МПК: H01L 23/52, H01L 29/76
Метки: затворами, изолированными, канальный, транзистор
...1, но без экранирующего электрода 7 с затвором 8, заземленным на псрсмсццьш ток, тоемкостное сопротивление между первым затвором 6 и стоком 4, т, е. емкостное сопротивление обратной связи, резко уменьшается, Если в транзиторе, имеющем более двух затворов, на первый и второй затворы поступают отдельные сигналы, то второй загвор нельзя заземлять, поскольку возникают осложнения из-за статической емкости между затворами.В описываемом транзисторе для понижения емкостной связи между псрвым и вторым затворами установлен экранирующий электрод 7, заземленный или соединенный с истоком 1.Изображенный на фиг. 3 транзистор типа МОЯ содержит экранирующий электрод 7, два изолированных затвора 6 и 8, электрод 2 истока и электрод 5 стока. В том случае...
Канальный транзистор с изолированными затворами
Номер патента: 292328
Опубликовано: 01.01.1971
Авторы: Акира, Томисабуро, Тосио
МПК: H01L 29/76
Метки: затворами, изолированными, канальный, транзистор
...затвору, Аналогично создается р в а- переход в обратном направлении в канальном транзисторе р-типа с изолированными затворами,Область, образующая р - г-переход с полупроводниковой подложкой, располагается в непосредственной близости от истока. Следовательно, когда разность потенциалов между истоком и управляющим затвором становится достаточно большой, непрерывно образуются области высокой электропроводности в той части подложки, которая размещена между р - и-переходом и истоком, в результате так называемого прокола базы, вызывающего большой по величине ток через область перехода, Это означает, что транзистор с пробоем базы включен между управляющим затвором и истоком полевого транзистора с изолированными затворами.В канальном...
Составной транзистор
Номер патента: 318161
Опубликовано: 01.01.1971
МПК: H03K 17/60
Метки: составной, транзистор
...коллекторното така на,цап(ряжение эхт(иттер-рсоллектор, Кроме того, эти потери выделяотся в самом выходном транзнсторе,что опособстаует его нагрс(ву и в отдельныхслучаях может оказаться недопустимым. Известны схемы, где в цепь коллектора выходпо(го тра(цзи(сто(ра включено небольшое дополнительноеое сон р оти(вление, котяОе п озв ол ястт(ранзоостору работа(ть в областями насыщения.Однако излиш(ние потери переносятся из транаотстора,в соп(ротивлен(ие, но не устраняотся10 из колл ектор(н ой цени.Цель изобретения - уменьшение потерь в(выходной коллекторной цеп(и составного транзистора,Для этого в эту цепь включена пер(вич 15 ная обмотка трасцоформат(ра тока, вторичнаяобмотка котс(рого включена в цепь коллектора входного...
Импульсный стабилизатор напряжения постоянного тока1из1вестны импульсные стабилизаторы напряжения постоянного тока, содержащие составной регулирующий транзистор. на транзисторах различного типа. проводимости,уз
Номер патента: 434395
Опубликовано: 30.06.1974
Автор: Темрезов
МПК: G05F 1/56
Метки: импульсные, импульсный, постоянного, проводимости,уз, различного, регулирующий, содержащие, составной, стабилизатор, стабилизаторы, типа, тока1из1вестны, транзистор, транзисторах
...делителем в цепи коллектора и резпстивцый делитель смещения составного транзистора, о тл и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения надежности и упрощения, в стабилизатор до полнительно введены два конденсатора, одиниз которых включен между отводом рсзцстив ного делителя смещения и эмпттером состав ного транзистора, другой - ,между базой составного транзистора и отводом резистпвцого 0 делителя в цепи коллектора коммутирующеготранзистора. Известны импульсные стабилизаторы напряжения постоянного тока, содержащие составной регулирующиц транзистор па транзисторах различного типа проводимости, узел управления, коммутирующий транзистор с резистивньом делителем в цепи коллектора и резистивный делитель смещения составного...
Составной транзистор
Номер патента: 485562
Опубликовано: 25.09.1975
Автор: Уан
МПК: H03K 17/60
Метки: составной, транзистор
...транзистора3 через ограничительный элемент (диод 8).Для исключения шунтирования эдгиттербазового перехода выходного транзистора 3обмоткой 7 прямое напряжение диода должО но быть больше суммы напряжений1,+ "9(ГтзПри запирании составного транзисторавначале от блок2 закрывяетгя входнойтранзистор, 1,485562 3 Так как выходной транзистор 3 закрывается всегда с запаздыванием по отношению к закрыванию входного транзистора 1(причем это время зависит от величинызапирающего тока), ток нагрузки через токовый трансформатор 4 трансформируетсяв цепь дополнительной обмотки 7.Напряжение на обмотках токового трансформатора определяется в это время величиной алгебраической суммы напряжений 10"рв+Оэ(р .УТок обмотки 7 протекает через базу выходного...
Составной транзистор
Номер патента: 502454
Опубликовано: 05.02.1976
Автор: Уан-Золи
МПК: H02M 1/08
Метки: составной, транзистор
...торныи ток азового тока Составной транзистор предназначен для использования в усилителях мощности и в выходных каскадах статическх преобразозателей.Известна схема составного транзистора с положительной обратной связью по току, в которой при помощи токового трансформатора обеспечивается пропорциональное давление тока з цепи коллектора и базы выходного транзистора. Отпирание и запирание выходного транзистора осуществляется путем управления входным транзцстором,Недостаток иззестной схемы состоит,в низком коэффициенте усиления по току,Целью предлагаемого устройстза является увеличение коэффициета усиления по току и уменьшение мощности управления входпьвм транзистором.Это достигается т=м, что, выходные цепи входного транзистора и выходные...
Мощный свч транзистор
Номер патента: 460012
Опубликовано: 05.03.1976
Авторы: Баранов, Достанко, Мурашкин, Цуканов
МПК: H01L 21/00
Метки: мощный, свч, транзистор
...в кристалле транзистора, повышегоию коэффициента усиления по мощности и зь 1 ходной мощности прибора. Отсутствие непосрвдстввнного контакта с кремнием з обла) Состагитель Г, /Те:пед А, Еамь викина никова едактор Т. Орлсвск корректср 14. СнмкинаПодписное тров СССР Государственного комитет по делам изобретений Москва, Ж, Раушска Заказ 707/892ЦНИ Тираж 977 а Совета Мини и открытий н наб., д. 4/5П ип. Харьк. фил. пред. Патент стп эмиттера и маскирующими переход эмиттер - база участками пленки %0, такого металла,как А), для которого характерны процессь 1 электромиграции и интечсивного восстановления окисных соединений при повышенной температуре, положительно сказывается на проценте выхода годных приборов и их надежности. Если с эмиттером...
Кремниевый диффузионный транзистор
Номер патента: 546042
Опубликовано: 05.02.1977
Автор: Добкин
МПК: H01L 21/22
Метки: диффузионный, кремниевый, транзистор
...в прилегающей к базе области эмиттера, обеспечивающего высокое значение коэффициента усиления, связано с сушествованием связи диффузионной длины неосновных носителей тока и концентрацией примеси и приводит к уменьшению времени жизни и коэффициента диффузии, определяющих значение диффузионной длины. В случае если примеси имеют градиент концентрации выше оптимального, малы геометрические размеры активной области эмиттера. Если 0 значение градиента концентрации примесиниже оптимального, мала концентрация примеси в активной области эмиттера,Для случая распределения примеси в прилегающей к базе области эмиттера по закок 2б ну Я" оптимальное значение градиентаконцентрации определяется по формуле4 й Мгрви ЬРР ЗР н"р ах- концентрация...
Униполярный транзистор
Номер патента: 597033
Опубликовано: 05.03.1978
Автор: Тагер
МПК: H01L 29/78
Метки: транзистор, униполярный
...периодическая диэлектрическая структура 6. Периодическая структура может иметь различную конфигурацию. В варианте конструкции, показанном на чертеже заявки, эта структура выполнена в виде набора узких диэлектрических полосков, шириной 1 образующих на поверхности ппастины периодичес -кую структуру с шагом 2 Й, причем отношение этого шага к насьпленной скорости носителей тока в попупроводнике Ф равняется периоду Т- высокочастотныхУкопебаний, соответствующему центральной иастоте рабочего диапазонаи не зависит от полного угла пропета носителей заряда в высокочастотном поле 8 . й р, фПп,который может намного превысить 23Существенно, что в отличие от явпения нарастания волн пространственного заряда в полупроводниках с ОЛП, используемых...
Интегральный транзистор
Номер патента: 529701
Опубликовано: 30.01.1979
Авторы: Ержанов, Кокин, Кремлев, Любимов, Манжа
МПК: H01L 27/04
Метки: интегральный, транзистор
...2 часток .э может оыть открыт или за529701 г з перт расширившимся слоем объемного заряда р - и-перехода подложка 1 - коллекторная область 2.Интегральный транзистор в качестве инвертирующего работает следующим об разом.Подложку 1 и эмиттерную область 4 заземляют; коллекторную область 2 через нагрузочный резистор подключают к источнику питания. При высоком положи тельном напряжении на коллекторной области транзистора соединительный участок Б заперт слоем объемного заряда р - п-перехода подложка 1 - коллекторная область 2. Базовая область 3 не соединяет ся с подложкой 1 транзистора; весь ток является его базовым током.Предлагаемый интегральный транзистор работает так же, как и его аналоги.При понижении напряжения на коллек О торной...
Полевой транзистор
Номер патента: 646391
Опубликовано: 05.02.1979
Авторы: Кремлев, Лавров, Назарьян
МПК: H01L 29/812
Метки: полевой, транзистор
...проводимости таким, образом, что ее проекцйя полностью перекрывает контакт стоковой области г. подложке.На чертеже изображен полевой транзистор, имеющий область истока 1, омический контакт 2 области стока, затворные области 3, дополнительную область 4 противоположного истоку типа проводимости и область канала 5.В предложенной конструкции область канала 5 перекрывается слоем объемного заряда затвор-исток перехода, выполненного в виде диода Шоттки, когда на затворе имеет место отрицательный или нулевой (по отношению к области ) потенциал, Когда646391 3в области 3 приложен продолжительный потенциал, то область объемного заряда уменьшается и между истоком 1 и стоком 2 имеет место гальваническая связь,Уменьшение длины канала в предложенном...
Полевой транзистор
Номер патента: 650132
Опубликовано: 28.02.1979
Автор: Тагер
МПК: H01L 29/80
Метки: полевой, транзистор
...из известных методов эпитаксиального выращивания гетероструктур (газофазным, жидкостным или молекулярным) формируется трехслойная структура. Основным критичным параметром в этой структуре является толщина внутреннего полупроводникового слоя 3, определяющая длину канала затвора транзистора, Исходными материалами для этой структуры могут служить полупроводниковые соединения с близкими постоянными решетки, например высокоомные арсенид галлия и твердый раствор арсенид галлия - арсснид алюминия.Многослойную полупроводниковую пластину разрезают на отдельные кристаллы; одну из поверхностей каждого кристалла, нормальную к границам эпитаксиальных слоев, подвергают чистовой обработке (шлифовке, полировке), обеспечивающей обычное для...
Составной транзистор
Номер патента: 746932
Опубликовано: 23.07.1980
Автор: Уан
МПК: H03K 17/60
Метки: составной, транзистор
...токового трансформатора 3, дТранзистор 2 открыт током, трансформированным из его коллекторной цепи посредствомтокового трансформатора 7. Базовый ток транзистора 2 пропорционален току его коллектора,Для выключения ключа от блока управления14 открывается транзистор 11. По цепи, состоящей из дополнительных обмоток 10, 6дополнительного и основного токовых трансфор.маторов, развязывающего диода 12 и выходнойцепи транзистора 11, начинает протекать ток,трансформируемый из первичных обмоток 8и 4 дополнительного и основного токовых транс.форматоров. Так как дополнительная обмотка6 основного токового трансформатора 3 способ.на отдать больший ток, чем дополнительнаяобмотка 10 дополнительного токового трансформатора 7, напряжение на...
Интегральный биполярный транзистор
Номер патента: 865081
Опубликовано: 23.08.1982
МПК: H01L 29/73
Метки: биполярный, интегральный, транзистор
...рекомбинациопных и инжекционных составляющих тока базы,При малых напряжениях на эмиттерйом переходе, что равносильно режиму малых токов, доля рекомбинационных составляющих в суммарном токе базы становится более существенной, чаще всего бывает больше инжекционной, Последнее вызывает уменьшение коэффициента передачи тока,Наличие в устройстве по изобретению дополнительного слоя 8, отделяющего пассивную зону базы от поверхности, снижает вероятность процесса рекомбинации поскольку в этом случае исключается возможность встречи на поверхности кристалла основных и неосновных носителей заряда (электронов и дырок), Для обеспечения непосредственного контакта к базе дополнительный слой покрывает всю поверхность пассивной базы за исключением ее...
Полевой транзистор
Номер патента: 585772
Опубликовано: 30.11.1982
Авторы: Воронин, Скакодуб, Щербаков
МПК: H01L 23/04, H01L 29/78
Метки: полевой, транзистор
...затврра, а также тем, что токовыводы стока и истока расположеныперпендикулярно токовыводу затвора, 30или тем, что токовыводы стока и истока расположены параллельно и направлены в противоположную сторонутоковыводу затвора.Кристаллодержатель также может 35быть изготовлен из других материалов,таких как лейкосапфир, окись магнияили .окись берилдия.На фиг, 1 и 2 схематично даны дваварианта конструкции полевого транзистора, разрез и вид сверху.Полевой транзистор содержитполупроводниковую структуру 1, кристаллодержатель 2, токовывод 3 истока, токовывод 4 стока, токовывод 5 45затвора. Кристаллодержатель 2 выполнен в виде ступенчатой .Фигурнойпланки (см. Фиг. 1), токовывод затвора установлен по оси симметриипланки, а токовыводы истока.и...
Мощный транзистор с гребенчатой структурой
Номер патента: 978235
Опубликовано: 30.11.1982
Авторы: Горюнов, Дулов, Мулев, Сергеев, Широков
МПК: H01L 23/02
Метки: гребенчатой, мощный, структурой, транзистор
...основания эмиттерных дорожек к их концу, причем угол наклона верхней плоскости прокладки к основанию определяется из соотношения,Х Хлогично, поэтому функцию Их) =-- , ап. я,йЭ с Т(о )81 и о =0,58л л ,л где 3 о - предельно допустимый или номинальный ток для данного .типатранзисторов; ным отклонением Х"Г хпрямой Х = 1+Б ) где Т(о) - температура в точках х = 0;ДТ(х) - величина превышения температуры перехода в точках с координатой х над температурой Т (о ) .Условие 3(х):сопв 1 означает, что уве личение падения напряжения на сопротивлении металлизации с ростом х компенсируется возрастанием температуры полностью, так что выражение под знаком ехр в формуле (1) не зависит от х, т.е. 15 20где С - некоторая константа,откуда после некоторых...
Полевой транзистор
Номер патента: 1103762
Опубликовано: 07.01.1986
Авторы: Борисов, Васенков, Полторацкий, Ракитин, Сурис, Фукс
МПК: H01L 29/78
Метки: полевой, транзистор
...влиянию)в приповерхностных областях подложки под туннельно-прозрачным диэлект 30 риком электродов истока и стока образуются слои, обогащенные свободныминосителями. Эти слои примечательнытем, что являются хорошими инжекторами свободных носителей в индуцированный канал (в отличие от барьеровШоттки под электродами истока и стока известного транзистора). Поддействием электрического поля электрода затвора свободные носители вы 40 текают из-под электрода истока всторону электрода стока, двигаясьпо индуцироваяному поверхностномуканалу и ускоряясь полем, создаваемым напряжением, прикладываемым меж 45 ду электродами стока и истока, Восполнение носителей под туннельнопрозрачным диэлектриком электродаистока происходит благодаря протеканию...
Свч широкополосный мощный транзистор
Номер патента: 724000
Опубликовано: 07.01.1986
МПК: H01L 27/02
Метки: мощный, свч, транзистор, широкополосный
...тем,что в широкополосном СВЧ транзисторе эмиттерные области транзисторов, выполненные в виде гребенчатой структуры, охватывающей базовой области, и крайние секции конденсаторов охватывают по периферии со стороны общей базовой металлизации секции согласующих МДП-конденсаторов, соединены металлической дорожкой между собой и индуктивно связаны только с общей базовой металлизацией. На чертеже схематически показанпредлагаемый мощный широкополосныйСВЧ транзистор.Он содержит корпус 1, базовый,эмиттерный и коллекторный выводы 2,1/3 и 4 соответственно, контактнуюплощадку под МДП конденсатор 5,кристалл транзистора 6 и кристалл МДПконденсатора 7. Кристалл транзистора 6 состоит из трех ячеек 8, каждая из которых имеет ряд транзисторных...
Полевой транзистор
Номер патента: 1221690
Опубликовано: 30.03.1986
МПК: H01L 29/80
Метки: полевой, транзистор
...1, от подложки до области затвора и расстояние от области затвора до приповерхност ной высоколегированной области: отко Условия (1) и (2) означают, чтов предлагаемом устройстве при низком 25 уровне напряжения на области 6, непревышающем /Оо/ ОПЗ 3, и д в слоесмыкаются, а ОПЗ 4, и / в областизатвора 5 не смыкаются, так что полевой транзистор закрыт и между об 3 р ластями стока и истока отсутствуетканал в слое 2 для протекания тока.Когда напряжение на области б, равноили превышает величину 10 отх, то ОПЗ3, и 0 не смыкаются, а ОПЗ Зо исмыкаются. При этом в слое 2существует канал и полевой транзистор открыт.При указанных параметрах слоев ви областей полевого транзистора на" 40пряжение 0 составляет величину 0,1 т0,5 В, напряжение Ц" 1-3 В, а...
Составной транзистор
Номер патента: 1231576
Опубликовано: 15.05.1986
Авторы: Елистратов, Судаков
МПК: H03F 3/19
Метки: составной, транзистор
...первого дополнительного транзистора 4) второго кацала усиления равна 112Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может использоваться в мощных усилителях, умножителях, автогенераторах высокой и сверхвысокой частоты, а также в других генераторных и усилительных устройствах самого различного назначения.Цель изобретения - повышение коэффициента усиления по току при одновременном расширении диапазона рабочих частот.На чертеже представлена принци" Р6 з 8 з 8 кВыходные токи обоих каналов усиления, имеющие фазы - и Г, суммируютс 2 ся на общей нагрузке в коллекторной цепи СТ1 азность фаз суммируемых выход-. ных токов двух каналов усиления с учетом выражений (1)-(3) равна+ , + цР. .р - Ч Ч, +9 -Ч, .Р -Рбз бк 6 э 6 з Е Як Тогда...
Транзистор
Номер патента: 730213
Опубликовано: 30.09.1986
Авторы: Демиденко, Драбович, Комаров, Маслобойщиков, Пазеев, Пономарев, Слесаревский, Судилковский, Юрченко
МПК: H01L 21/98
Метки: транзистор
...содержит теплоотводящую пластину 1, являющуюся коллекторным электродом и выполненную изэлектропроводящего материала, транзисторные структуры 2, токосъемы:коллекторный 3, эмиттерный 4, базовый 5, базовый и эмиттерный электроды 6 и 7, изоляционные прокладки 8и 9 между ними. Транзисторные структуры 2 закреплены на теплоотводящей пластине 1 и назодятся с ней втепловом контакте. Коллекторные выводы транзисторных структур 2 присоединены к теплоотводящей пластине 1,Теплоотводящая пластина 1 и электроды 1, 6 и 7 присоединены соответственно к коллекторному 3, эмиттерному4, базовому 5 токосъемам, В электродах 6 и 7 выполнены отверстия 10.На изоляционных прокладках 8 и 9 соответственно в плоскостях электродов6 и 7 размещены дополнительные...
Составной транзистор
Номер патента: 1293826
Опубликовано: 28.02.1987
Авторы: Монастырский, Мусаелян, Павлов, Хейфец
МПК: H03F 3/18
Метки: составной, транзистор
...1 может быть записана в виде соотношенияк Р Вэ э см Бэ 4 ф потенциал на базепервого транзистора 1;прямые падения напряжения на переходахбаза - эмиттер, соответственно, первогои четвертого транзисторов 1 и 5;падение напряженияна элементе б смещения (в качестве элемента б может быть 5 использован, например, диод или стабилитрон).Учитывая, что прямое падение напряжения на переходе база - эмиттер20 транзистора меняется незначительно сизменением режимного тока, считается,что изменения потенциала на базе составного транзистора практически точно повторяются на коллекторе первого25 транзистора 1. При этом значительноуменьшается составляющая тока череземкость перехода база - коллекторпервого транзистора 1, что эквивалентно...
Составной транзистор
Номер патента: 957690
Опубликовано: 15.03.1987
Авторы: Кабанец, Лапицкий, Семин, Тарасевич
МПК: H01L 27/08
Метки: составной, транзистор
...пластине 1, например, из кремния и -типа проводимости, сформирован опитаксиальный слой 2 коллектора, например, из кремния п-типа, в котором сформированы слои 3 базы, например, р-типа проводимости., В слоях 3 базы сформированы слои 4 эмиттера, например, п-типа проводимости. Поверхности слоя 2 коллектора, слоя 3 базы и слоя 4 эмиттера покрыты изолирующим слоем 5. Выходящие на поверхность р - п-переходы эмиттера и коллектора находятся под изолирующим слоем 5. Через окна в изолирующем слое 5 к полупроводнико вым слоям 3 и 4 присоединены токоподводящие контакты 6-8, выполненные, например, из алюминия.Планарный составной транзистор состоит из нескольких каскадов, нап ример двух, соединенных преимущественно по схеме Дарлингтона....
Полевой транзистор
Номер патента: 1097139
Опубликовано: 15.04.1987
МПК: H01L 29/78
Метки: полевой, транзистор
...минимальном напряжении между затвором, истоком и подложкой для одного транзистора другой транзистор смещен только по подложке, а для уменьшения потребляемой мощности используют длинноканальные МДП-транзисторы, имеющие большое значение коэффициента влияния подложки на пороговое напряжение.В качестве нагрузок может быть использовано несколько последовательно включенных МДП-транзисторов с обеднением, затвор и исток каждого транзистора соединены между собой.Недостатком такой нагрузки является большая потребляемая мощность. При минимальном напряжении между истоком, затвором и подложкой для последнего транзистора остальные транзисторы смещены только по подложке, так как затворы соединены с соответствующими истоками, а для уменьшения...
Составной транзистор
Номер патента: 1337995
Опубликовано: 15.09.1987
Авторы: Ботвинник, Еремин, Сахаров
МПК: H03F 1/00
Метки: составной, транзистор
...является попарное равенство резисторов 5 и 15, 12 и 13, 25 идентичность конструкции транзисторов1 (по второму эмиттеру) и 14, а также 8 и 9.Так как базы и эмиттеры транзисторов 8 и 9 объединены и оба транзистора работают в активном режиме, точерез резисторы 12 и 13 обоих каналовпротекают одинаковые токи равные напряжение источника питания;падение напряжения на резисторе 15 от протеканиябазового тока при токе эмиттера, равном 1;падение напряжения на переходе база-эмиттер транзистора при прямом смещении;сопротивление резистора 13. Кроме того, напряжение на коллекторе транзистора 9 постоянно и равно 2 И . Резистор 11 обеспечивает постоянство тока через транзистор 10. Напряжение на коллекторе транзистора 8, являющееся управляемым...
Транзистор
Номер патента: 736807
Опубликовано: 07.10.1987
Автор: Смолянский
МПК: H01L 29/70
Метки: транзистор
...нафиг. 1; семейство вольтамперных характеристик при.положительном смещениимежду управляющим электродом иэмиттером - на фиг. 2.Транзистор содержит п -контактнуюобласть 1, эпитаксиальную п-область2, базовую р-область 3, с концентра цией легирующей примеси на 1-2 порядка большей, чем концентрация леги( (брующей примеси в слое ( 10 -1 О )-3,эпитаксиальная эмиттерная областьп-типа 4 с концентрацией легирующей 15 примеси порядка 10 -10 см -4, коль 1 бцевая ограничивающая область 5, ограничивающая область транзистора,высоколегированная (10 -1 О см )(9 2( -Ъобласть у амиттера п -типа, глуби 2 о ной примерно 1-2 мкм, дополнительнаяр-область 6 с концентрацией примесипорядка 10 -10 см , с глубинойь гОне более глубины области 7, металлизация к...
Высокочастотный составной транзистор
Номер патента: 1424115
Опубликовано: 15.09.1988
Авторы: Богданов, Нагорный, Судаков
МПК: H03F 3/19
Метки: высокочастотный, составной, транзистор
...всех токов и напряжений в цепях вы сокочастотного составного транзистора понимаются их первые гармоники). Как видно из векторной диаграммы, приведенной на фиг.2, ток базы второго транзистора 2 1 2 опережает по фазе "ок эмиттера первого транзистора 1 -Э 1на угол с Компенсация фазового двига между коллекторными токамиыС С Свг Квхю Ьг КеЛв ,К +(Х +с 4. - )г1вх вхОЗС 2 ЬсЬК +ЫЬХ +(Х )гвх С вх вх аСд 1 г3 )нФ свд 1К, +(Х +ж- - )2 1вх вх ЫС де ы - циклическая частота; Ки Х в - активная и реактивная составляющие входного сопротивления цепив точках Ь-Й (фиг.1),К К К+К + г7 1вх вхВхг Квх 1(К+К ) г+( ) г1ЯЬ ях ке(Ев,) и Згп(2 ) - реальная и мнимая участи выходного сопротивле первого и второго транзисторов 1,2 (1 к, и 1 2) в высокочастотном...