Структуры с периодическим или квазипериодическим изменением потенциала, например со множеством квантовых ям, сверхрешётки — H01L 29/15 — МПК (original) (raw)

Полупроводниковое запоминающее устройство

Номер патента: 1005223

Опубликовано: 15.03.1983

Авторы: Елинсон, Мадьяров, Малахов, Покалякин, Терешин

МПК: H01L 29/15, H01L 45/00

...к увеличению количесгвв элементов схемы управления и к удорожанию такого запоминающего устройства.Целью изобретения является повышение стабильности работы и увеличение огно- у щения сопротивлений в выключенном и включенном состоянии,Уквзанная цель постигается тем, что в полупровоцниковом запоминающем устройстве на основе гегероперехоцв иэ 1 О вырожценного полупровоцникв и невырожценной полупроводниковой пленки с ловушками в запрещенной зоне, содержащемконтактный элемент, соэцвющий потенциальный барьер с невырожценным полу- И провоцником, межцу вырожценным полупровоцником и невырожценной полупровоцниковой пленкой введен слой иэ теннельно-прозрачного диэлектрика.Туннельно-прозрачный циэлекгрик 2 ф . может быть выполнен иэ 510 . В случае...