H01L 45/00 — Приборы на твердом теле, специально предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения, не имеющие потенциального барьера, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностного барьера, например диэлектрические триоды; приборы с эффектом Овшинского; способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки вышеуказанных приборов или их частей (original) (raw)
Полупроводниковый прибор
Номер патента: 213194
Опубликовано: 01.01.1968
Автор: Стафеев
МПК: H01L 29/06, H01L 45/00
Метки: полупроводниковый, прибор
...концентрацию неравновесных носителей. Это возможно, например, при осве щении светом или другим излучением путем введения неосновных носителей из дополнительного р - и а - перехода (или точечного контакта), осуществленного на базовой области. 60Так, управление током диода путем модуляции величины д возможно, например, изменснием ширины слоя объемного заряда, если она достаточно велика. Такой способ может быть осуществлен в приборах из полупровед и дырок;р, - удельное сопротивление исходного всщества;р - время жизни неосновных носителей,ника с малой концентрацией примесей и носителей (порядка 10+1012 см - 3)Управление током посредством модуляции длины диффузионного смещения возможно несколькими путями, например, изменяя подвижность...
Состав для изготовления активного слоя порогового элемента
Номер патента: 434517
Опубликовано: 30.06.1974
Авторы: Котенко, Кутолин, Шурман
МПК: H01L 45/00
Метки: активного, порогового, слоя, состав, элемента
...для изготовления пороговых элементов с величиной порогового напряжения 6 - 100 в, например элементов Х 1 - 10, И 1 - 20, М 1 - 30 (США).При использовании таких составов в элементах с более высоким пороговым напряжением требуется значительное увеличение толщины активного слоя. При этом уменьшается диапазон рабочих частот (увеличивается общее время переключения), снижается рабочий ток (увеличивается сопротивление элемента в открытом состоянии), ухудшается зависимость порогового напряжения от температуры (увеличивается температурный коэффициент порогового напряжения).С целью увеличения порогового напряжения элементов предлагается состав для изготовления активного слоя, содержащий теллур, мышьяк, германий, кремний и сульфид одного...
Тонкопленочный переключательный элемент
Номер патента: 963123
Опубликовано: 30.09.1982
Авторы: Абдул-Заде, Агаев, Алекперова, Ахмед-Заде, Ахмедов
МПК: H01L 45/00
Метки: переключательный, тонкопленочный, элемент
...Ж 35, Раушская Подписноета СССРтийнаб., д. 4/5 аказ ППП "Патент", г. Ужгород ул, Проектн или 3 9631напыления необходима термобработка втечение 1,5 2,0 ч при 240-270 С 2,Недостатками известного устройстваявляются наличие гистерезиса в вольтамперной характеристике (ВАХ), вызванныйбольшой емкостью структуры, кроме тогоактивная область двухслойна, а также необходимость в золотых электродах и термообработке.Бель изобретения - упрощение конструкции трехс табильного переюпочателя,обладающего безгистерезис ной симметрией.Указанная цель достигается тем чтообласть полупроводника выполнена на ос- ииове полукристаллического сплава АВСоВ в соотношении (30 40)Я 5 и (7060)% СоЬ с концентрацией носителей(10-10") см .На чертеже представлена...
Полупроводниковое запоминающее устройство
Номер патента: 1005223
Опубликовано: 15.03.1983
Авторы: Елинсон, Мадьяров, Малахов, Покалякин, Терешин
МПК: H01L 29/15, H01L 45/00
Метки: запоминающее, полупроводниковое
...к увеличению количесгвв элементов схемы управления и к удорожанию такого запоминающего устройства.Целью изобретения является повышение стабильности работы и увеличение огно- у щения сопротивлений в выключенном и включенном состоянии,Уквзанная цель постигается тем, что в полупровоцниковом запоминающем устройстве на основе гегероперехоцв иэ 1 О вырожценного полупровоцникв и невырожценной полупроводниковой пленки с ловушками в запрещенной зоне, содержащемконтактный элемент, соэцвющий потенциальный барьер с невырожценным полу- И провоцником, межцу вырожценным полупровоцником и невырожценной полупровоцниковой пленкой введен слой иэ теннельно-прозрачного диэлектрика.Туннельно-прозрачный циэлекгрик 2 ф . может быть выполнен иэ 510 . В случае...
Полупроводниковый переключающий элемент
Номер патента: 1140190
Опубликовано: 15.02.1985
Авторы: Вольфганг, Йерг, Кристиан
МПК: H01L 29/06, H01L 45/00
Метки: переключающий, полупроводниковый, элемент
...строение переключающего элемента.Переключающий элемент находится на подложке 1, которая может представлять собой кремниевую, стеклянную или металлическую пластину. В качестве исходного слоя для собственно переключающего элемента на подложку 1 нанесен базовый электрод 2, например, из сплава молибдена и алюминия или никеля и хрома, Базовый электрод 2 и часть подложки 1 покрыты слоем поликристаллического кремния 3, в котором образован легированный проводящий канал 4, расположенный перпендикулярно к рабочей поверхности слоя поликристаллического кремния и обеспечивающий контактирование базового электрода 2 со слоем аморфного полупроводникового материала 5. Между проводящим каналом 4 и аморфным полупроводниковым материалом 5...
Способ изготовления переключающего прибора с памятью на основе халькогенидов
Номер патента: 450530
Опубликовано: 23.09.1991
Авторы: Гудков, Егорова, Юрлова
МПК: H01L 45/00
Метки: основе, памятью, переключающего, прибора, халькогенидов
...для получения промежуточного рабоего слоя 25механический контакт алюминиевогоэлектрода и полупроводникового халькогенида меди нагревают до температуры "поджига" реакции л 300 С либоо внешним нагревом, либо сочетанием 30 внешнего нагрева с пропусканием электрического тока. Затеи при наличии кислорода начинается вторая стадия реакции алюмотермии - реакция взаимодействия алюминиевого электрода с35 .халькогенидом меди, При этом выделяет- ся большое количество тепла, которое затрачивается на синтез нового химического соединения - промежуточного рабочего слоя; причем реакция синтеза происходит в очень тонком слое.Предлагаемый способ опробован в лабораторных условиях на примере изготовления переключающих приборов с памятью на основе...
Переключатель на основе полупроводникового халькогенидного или оксидного стекла
Номер патента: 314460
Опубликовано: 23.09.1991
Авторы: Берлин, Коломиец, Лиогонький, Шамраев, Юрлова
МПК: H01L 45/00
Метки: оксидного, основе, переключатель, полупроводникового, стекла, халькогенидного
...выполнении илипереключатели системы металл-халькогенидное или оксидное стекло - металл Однако графитовые оми такты нестойки к ударнымри металлических электр з пленки частично диффу бъем халькогенидной или обретения - создание п 803144 б(54)(57) ПЕРЕКЛ 10 ЧАТЕЛЬ НА ОСНОВГПОЛУЛРОВОДНИКОВОГО ХАЛЪКОГЕНИД 11 ОГОИЛИ ОКСИДНОГО СТЕКЛА с двумя электродами, о т л и ч а ю щ и й с ятем, что, с целью увеличения стабильности параметров прибора, электродывыполнены на основе электропроводящих химических инертных полимеров,например полиазофенилена,ыполнены из химически инертно Каждый матричный переключающий элемент представляет собой два прямоугольных омических контакта из по- Св лимерной пленки с зазором между ними от 2 до 40 мкм в зависимости...
Полупроводниковый материал для элементов памяти
Номер патента: 736810
Опубликовано: 30.07.1994
Авторы: Алексеюнас, Бондаренко, Гечяускас, Дульцева, Ежова, Кочнева, Миллер, Переляев, Суворов, Швейкин
МПК: H01L 45/00
Метки: материал, памяти, полупроводниковый, элементов
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ ЭЛЕМЕНТОВ ПАМЯТИ на основе поликристаллического диоксида ванадия, отличающийся тем, что, с целью увеличения объема записываемой информации, он дополнительно содержит связующее при следующем соотношении компонентов, мас.%:Поликристаллический диоксид ванадия 93 - 97Связующее 3 - 7при этом связующее состоит из эпоксидной диановой смолы и титаноорганического сложного полиэфира дикарбоновой кислоты и алкиленгликоля при следующем соотношении компонентов, мас.%:Эпоксидная диановая смола 40 - 92Титаноорганический сложный полиэфир дикарбоновой кислоты и алкиленгликоля Остальное
Полупроводниковый материал для переключающих элементов
Номер патента: 778374
Опубликовано: 30.07.1994
Авторы: Миллер, Переляев, Швейкин
МПК: C30B 29/22, H01L 45/00
Метки: материал, переключающих, полупроводниковый, элементов
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ ПЕРЕКЛЮЧАЮЩИХ ЭЛЕМЕНТОВ, включающий монокристаллический диоксид ванадия, отличающийся тем, что, с целью повышения его устойчивости и надежности в работе, материал дополнительно содержит пятиокись ванадия в количестве 0 - 95 мас.% в виде поликристаллической матрицы, в которой размещены монокристаллы диоксида ванадия, ориентированные параллельно друг другу.
Полупроводниковый материал для переключающих элементов и критических терморезисторов
Номер патента: 697016
Опубликовано: 09.01.1995
Авторы: Алексеюнас, Бондаренко, Гечяускас, Миллер, Переляев, Швейкин
МПК: G01K 7/22, H01L 45/00
Метки: критических, материал, переключающих, полупроводниковый, терморезисторов, элементов
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ ПЕРЕКЛЮЧАЮЩИХ ЭЛЕМЕНТОВ И КРИТИЧЕСКИХ ТЕРМОРЕЗИСТОРОВ, включающий монокристаллический диоксид ванадия, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности и механической прочности, он дополнительно содержит связующее на основе эпоксидной диановой смолы при следующем соотношении компонентов, мас.%:Диоксид ванадия - 1 - 60Связующее - Остальное
Полупроводниковый переключающий элемент
Номер патента: 692443
Опубликовано: 20.05.1995
Авторы: Алексеюнас, Бондаренко, Гечяускас, Миллер, Переляев, Швейкин
МПК: H01L 27/24, H01L 35/00, H01L 45/00 ...
Метки: переключающий, полупроводниковый, элемент
1. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПЕРЕКЛЮЧАЮЩИЙ ЭЛЕМЕНТ, содержащий активную область, заключенную между двумя токонесущими электродами, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности, активная область представляет собой матрицу, выполненную из полупроводника, стойкого к воздействию окружающей среды, в которой выращены каналы переключения из материала заданного состава.2. Элемент по п.1, отличающийся тем, что матрица выполнена из V2O5, а каналы переключения выполнены из VO2.
Бистабильный переключатель
Номер патента: 578802
Опубликовано: 19.06.1995
Авторы: Аникин, Воробьев, Елинсон, Панфилов, Поветин, Симаков, Смакаева, Степанов
МПК: H01L 45/00
Метки: бистабильный, переключатель
БИСТАБИЛЬНЫЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ с памятью, сохраняющейся при отключенных источниках питания, включающий пластину полупроводника, компенсированного примесями, дающими глубокие уровни, например кремния, компенсированного золотом, на поверхности которого расположено два металлических электрода, один из которых является барьерным контактом, а другой омическим контактом, причем под омическим контактом в пластине полупроводника сформирован сильнолегированный n+ или p+ слой, отличающийся тем, что, с целью увеличения числа переключений и снижения энергетических параметров переключения, сильнолегированная область выступает за размеры омического электрода в направлении к барьерному электроду не менее чем на 1,5 толщины слоя металла...
Бистабильный переключатель с памятью
Номер патента: 640618
Опубликовано: 19.06.1995
Автор: Панфилов
МПК: H01H 35/00, H01L 45/00
Метки: бистабильный, памятью, переключатель
БИСТАБИЛЬНЫЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ С ПАМЯТЬЮ, сохраняющейся при отключении источника питания, содержащий активную область на основе полупроводника, компенсированного примесями, дающими глубокие уровни, например кремния, компенсированного золотом, на поверхности которой расположены два электрода, один из которых является барьерным, а другой омическим контактом, отличающийся тем, что, с целью обеспечения управления параметрами и расширения функциональных возможностей переключателя, он содержит дополнительный электрод, расположенный над межэлектродной областью и отделенный от нее слоем диэлектрика.
Бистабильный переключатель с памятью
Номер патента: 659034
Опубликовано: 19.06.1995
Автор: Панфилов
МПК: H01L 27/24, H01L 45/00
Метки: бистабильный, памятью, переключатель
БИСТАБИЛЬНЫЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ С ПАМЯТЬЮ, сохраняющейся при отключенном источнике питания, содержащий пластину полупроводника, компенсированного примесями, например, кремния, компенсированного золотом, на поверхности которой расположены два металлических электрода, один из которых является барьерным, а другой омическим, причем под омическим электродом сформирован сильнолегированный слой, который выступает за границу омического электрода по направлению к барьерному не менее, чем на 1,5 толщины слоя металла барьерного электрода, отличающийся тем, что, с целью увеличения сопротивления в низкопроводящем состоянии, сильнолегированный слой отделен от полупроводника пластины слоем полупроводника противоположного типа проводимости.
Токопроводящий материал для элементов памяти
Номер патента: 1160907
Опубликовано: 27.01.2001
Авторы: Барейкене, Бондаренко, Волков, Захарова, Ивакин
МПК: H01C 7/10, H01L 45/00
Метки: материал, памяти, токопроводящий, элементов
Токопроводящий материал для элементов памяти на основе оксидного соединения ванадия, отличающийся тем, что, с целью увеличения времени хранения информации, в качестве оксидного соединения ванадия он содержит додекаванадата гидрат, отвечающий общей химической формуле MxV12O31 n H2O, или изополиванадат молибдата (вольфрамата) гидрат, отвечающий общей химической формуле MxV12ЭyO31 n H2O, где M - щелочной или щелочноземельный металл либо водород; Э - молибден или...