Содержащие, кроме легирующих материалов и других примесей, только соединения типа a — H01L 29/20 — МПК (original) (raw)

Диод

Номер патента: 389732

Опубликовано: 25.07.1974

Авторы: Вишневская, Евстропов, Именков, Коган, Попов, Рубисова, Царенков

МПК: H01L 29/20

Метки: диод

...концентрацией ловушек, а время его рас 2 п сасывания - временем выброса носителейзаряда из ловушки в зону свободных неосновных носителей. Это позволяет выбором уровня легирования управлять величиной накопленного заряда и временем его рассасывания 25 при фиксированном времени жизни неосновных носителей и фиксированных токах заряда и разряда,Пример. В качестве исходного материала был взят фосфид галлия. Легирование Зо фосфида галлия азотом производилось из389732 20 Предмет изобретения Составитель А. Кот Корректоры: Л. Корогод и В. ПетроваТехред 3. Тараненко Редактор Т. Орловская Заказ 3507;6 Изд.73 Тираж 760 Подписное ЦНИИПИ Государственного комигета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, Ж, Раушская наб.,...

Оптоэлектронная пара

Номер патента: 472601

Опубликовано: 05.08.1978

Авторы: Вул, Добрякова, Сайдашев, Шик, Шмарцев

МПК: H01L 29/20

Метки: оптоэлектронная, пара

...связан с необходимостью преодоления энергетическогобарьера высотой 9, и, следовательно,Оиреяеияеося иосооиииой времеви Й сир(ф8 сиду этого проводимость образца,определяемая концентрацией электроновв массе образца, ниэкоомной даже приЗЛщациокарной подсветке, будет медпенно(в случае У О КТ) репаксировагь с характерным временем Г . Величине Сопределяегся только параметрами ИО -перехода и может быть сделана поэтому достаточно большой в соответствии с величиной т.е. выбором концентрации,Чктипом пегирующей примеси ипи гемпературой.Для попучения эпеменга, реагирующего на действие света неограниченноечисло раэ, использовано излучение с глубиной проникновения больше толщины обраэца и с достагочн малой экспозициЕйе 50Для создания образца...

Электролюминесцентный диод и способ его изготовления

Номер патента: 665350

Опубликовано: 30.05.1979

Авторы: Альфред, Бригитте, Еренфрид, Клаус, Конрад, Райнер, Флориан

МПК: H01L 29/20

Метки: диод, электролюминесцентный

...диффузии с надлежащей последующей обработкой (отжигом) для более детальной юстировки симметричного поглощающего профиля.Если исходным материалом является ар 5 10 15 20 25 Зо 35 40 45 50 55 60 65 сеццд галлия, то требуются основные при мссц п)5 10 д см -вплоть до концентрации выпадения. В качестве л-основной примеси могут быть свинец, кремний, теллур, в качестве акцептора служит цинк.Изобретение описано на двух примерах выполнения для изготовления двойного слоя р+ на субстрат (подложку) или в самом субстрате на основе арсенида галлия.На фиг. 1 показана структура элементов; на фиг. 2 изображен профиль примесей; на фиг. 3 - поглощающий профиль; ца фиг.4 приведены интенсивность и однородность времени задержки в зависимости ширины полосы...

Полупроводниковый материал для свч транзисторов

Номер патента: 970906

Опубликовано: 15.06.1991

Авторы: Афанасьев, Будкевич, Вевиорский, Прокофьева, Соколов, Фролов

МПК: C30B 29/42, H01L 29/20

Метки: материал, полупроводниковый, свч, транзисторов

...хрома и кислорода, которые находяТся в структурно-связанном состоянии и в определенном соотношении . 40Отличие способа состоит в том, что примеси хрома и кислорода в виде глубоких акцептора и донора соответственно находятся в структурно связан ном состоянии при следующем соотно ,шенин компонентов, ат/смз:Арсенид галлия 4,42 10Хром (1-8) 106Кислород (1-10)10850Хром и кислород вводятся совместно в виде окиси хрома при компоновке шихты для получения высокоомного арсенида галлия методом Чохральского.Указанное количество хрома и кислоро да тождественно весовому проценту окиси хрома, вводимой в шнхту, и составляет О,02-0,067, по массе от исходного веса арсенида галлия,Указанное соотношение компонентов обеспечивает получение...

Полупроводниковый прибор

Номер патента: 1306407

Опубликовано: 20.04.1995

Авторы: Бородовский, Булдыгин, Принц

МПК: H01L 29/20, H01L 31/0352

Метки: полупроводниковый, прибор

1. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР на основе соединений А3В5, представляющий собой полупроводниковую пленку с двумя омическими контактами, выполненную на полуизолирующей подложке, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей за счет обеспечения управляемого переключения прибора из низкоомного в одно из более высокоомных состояний, обеспечения возможности записи и сохранения информации о величине и полярности напряжения, прилагаемого к прибору при записи, обеспечения непрерывной регистрации поглощенного прибором излучения, полуизолирующая подложка выполнена из материала, легированного компенсирующей примесью с глубоким уровнем с концентрацией в интервале 5