H01L 29/86 — управляемые только изменением электрического тока или электрического потенциала, приложенного к одному или нескольким электродам, по которым проходит выпрямляемый, усиливаемый, генерируемый или переключаемый ток (original) (raw)

Полупроводниковый генератор

Номер патента: 782641

Опубликовано: 23.01.1982

Авторы: Богун, Карпова, Корнилов, Привезенцев

МПК: H01L 29/86

...из кремния, легированного золо 20 том с примесью сурьмы, Контакт, инжекппрующий дырки, выптолиен из кремния,легированного, алюминием,На чертеже схема пичеоки изображен заявляемый генератор, разрез.2 З Генератор содержит птласттпну 1 кремния, содержащего цинк с концентрациейЛ 1 гп =8 10 - о см з и донорную вримесь,например, фосфор, с концентрацией г 1 ф==5 10" см - . В таком материале диффуЗО зионная длина электронов равна 1=0,05,I" Х 5 Редактор Т. Морозова Корректор С, файн Техред Л, Куклина Заказ 29)37Изд.103 Тираж 757 ПодписноеНПО Поиск Государственного комитета СССР но дедам изобретений и открытий13036, Москва, Ж, Раущская наб., д, 4/б" 1 ин, лары, фил, аред. Патент 3Расстояние между ионтактами 2:и 3 составляет 0,04 см. Контакт 2,...

Полупроводниковый прибор с отрицательной дифференциальной проводимостью

Номер патента: 886672

Опубликовано: 30.01.1986

Авторы: Гуле, Климовская

МПК: H01L 29/86, H01L 47/00

Метки: дифференциальной, отрицательной, полупроводниковый, прибор, проводимостью

...ностным полем: носители заряда одного знака вытягиваются на геометрическую поверхность, носители другогознака удаляются от нее. Когда к пластине вдоль ее поверхности прикладыЗ 0 вается электрическое поле, то в этомполе возникает добавочная поляризация флуктуации в направлении поля.Концентрация свободных носителейзаряда, локализованных на геометри/ческой поверхности при условии, чточастота захвата носителей больше частоты выброса .(практически все носители, вызвавшие флуктуацию, захватились поверхностными центрами), независит от координаты или же в области флуктуации меньше, чем за ее пределами.Тогда ток, создаваемый носителями,локализованными на геометрической по 45 верхности, за пределами флуктуацииравен886672 Редактор С.Титова Техред...

Полупроводниковый ограничительный прибор

Номер патента: 1827699

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Божков, Семенов, Табакаева

МПК: H01L 29/86

Метки: ограничительный, полупроводниковый, прибор

...прибор, включенный параллельно линии передачи, например волноводно-щелевой, работает следующим образом,При малом уровне СВЧ-сигнала, когда мгновенное значение напряжения на диодах не достигает напряжения открывайия, прибор имеет высокое полное сопротивление, значительно превышающее по абсолготной величине волновое сопротивление линии передачи. Ослабление, вносимое в СВЧ-тракт гголупроводниковым прибором, в этом случае имеет минимальное значение.При большом уровне СВЧ-сигнала в один полупериод колебаний открывается один полупроводниковый диод, в другой полупериод колебаний - другой (арсенид-галлиевые диоды с барьером Шоттки в миллиметровом диапазоне волн и не более длинных волнах глогут считаться "безынерциоиныгги"). Полное...

Полупроводниковый диод

Номер патента: 605491

Опубликовано: 19.06.1995

Авторы: Гусельников, Крысов, Тагер

МПК: H01L 29/86

Метки: диод, полупроводниковый

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДИОД, содержащий пластину, выполненную из нескольких пар слоев различных полупроводниковых материалов, причем в каждой паре один слой имеет меньшую величину отношения дрейфовой скорости насыщения подвижных носителей заряда к диэлектрической проницаемости, чем другой, и два контактных участка, по крайней мере, один из которых является барьерным, отличающийся тем, что, с целью увеличения эффективности умножения частоты, число упомянутых пар слоев равно кратности умножения частоты, а барьерный участок содержит слой сильнолегированного полупроводника.

Колба электронно-лучевого прибора

Номер патента: 1200758

Опубликовано: 20.07.1995

Авторы: Гинсбург, Зильберштейн, Конаков, Кононов, Кузьминова, Юрков

МПК: H01L 29/86

Метки: колба, прибора, электронно-лучевого

КОЛБА ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВОГО ПРИБОРА, содержащая прямоугольный стеклянный экран и сочлененный с ним по торцу стеклянный конус, поверхность которого снабжена выпуклостью в сечении по большой оси, отличающаяся тем, что, с целью увеличения процента выхода годных колб за счет повышения термомеханической прочности, на поверхности конуса в сечении по диагональной оси, начиная от торца конуса, расположены две выпуклости и одна вогнутость между ними, причем отношение максимальной длины стрелы прогиба к длине хорды выбрано из соотношения:для первой выпуклости от 1/9 до 1/7для второй выпуклости от 1/15 до 1/13для вогнутости от 1/16 до 1/14,а для выпуклости в сечении по большой оси от 1/35 до 1/25.

Силовой быстровосстанавливающийся диод

Номер патента: 1101098

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Асина, Белоногова, Дерменжи, Кузьмин, Рухамкин, Уверская, Юдицкий

МПК: H01L 29/36, H01L 29/86

Метки: быстровосстанавливающийся, диод, силовой

Силовой быстровосстанавливающийся диод, содержащий в базовой области рекомбинационную примесь, концентрация которой уменьшается от эмиттера вглубь базы, отличающийся тем, что, с целью уменьшения коммутационного перенапряжения и обратного тока утечки при сохранении нагрузочных характеристик в проводящем состоянии, в качестве рекомбинационной примеси вводят платину, распределение концентрации которой удовлетворяет следующим условиям:;0,3 NB Npt(xj) ...