Конденсаторы с мдп-структурой, например моп-структурой — H01L 29/94 — МПК (original) (raw)
Полупроводниковый конденсатор
Номер патента: 166074
Опубликовано: 01.01.1964
Автор: Гай
МПК: H01L 29/94
Метки: конденсатор, полупроводниковый
...сульфида или селенида кадмия с удельным сопротивлением 0,1 - 100 ом. см, легированный кадмием, индием, галлием или галоидами,Для уменьшения омического сопротивления монокристаллического электрода его выполняют в виде пластинки толщиной 20 - 2000 мк На одну из сторон рабочего электрода наносится омический контакт 4 из кадмия, алюминия или индия, на который электролитически наносят слой меди и припаивают проводник 5. В качестве вспомогательного электрода 2 используется тонкая пластинка из платины или другого инертного металла, устанавливаемая на расстоянии около 1 люл от рабочего электрода 2, Оболочку 6 электролитической ячей ки изготовляют из диэлектрика, например изстекла, полиэтилена или тефлона. Г 1 ри подаче отрицательного...
Полупроводниковый управляемый нелинейный конденсатор (варикап)
Номер патента: 278886
Опубликовано: 01.01.1970
МПК: H01L 29/94
Метки: варикап, конденсатор, нелинейный, полупроводниковый, управляемый
...нелинейные конденсаторы (варикапы) на р-гг-переходе и поверхностно барьерные вари- капы, являющиеся двухэлектродными приборами, в которых один электрод служит как входным, так и выходным выводом.С целью создания трехэлектродного варикапа с разделенными входом и выходом с повышенными частотными свойствами, в предлагаемом варикапе применен управляющий кольцевой электрод и две кольцевые диффузионные сильнолегированные области противоположного по отношению к проводнику типа проводимости, Предлагаемый варикап представляет собой структуру металл - диэлектрик - полупроводник, изготавливаемую по обычной планарной технологии.На фиг. 1 изображена схема предлагаемого варикапа; на фиг. 2 - его эквивалентная схема; на фиг. 3 - вольт-фарадные...
Полупроводниковый варикап
Номер патента: 367488
Опубликовано: 01.01.1973
Автор: Авторы
МПК: H01L 29/94
Метки: варикап, полупроводниковый
...слоя, обеспечивается электрическая развязка цепей УС и УН, а также увеличивается в несколько раз линейность по отношению к амплитуде УС.На чертеже схематически показан предлагаемый варикап в разрезе.Он содержит полупроводниковую пластину 1, нижний металлический (управляющий) электрод 2, диэлектрический слой 3, инверсионный канал 4, слой б истощения (Шоттки), диффузионную область б с типом проводимости, противоположным по отношению к проводимости объемного материала, первый уп-. равляемый металлический электрод 7, верхний управляющий металлический электрод 8, второй управляемый металлический электрод 9.На нижнюю поверхность полупроводниковой пластины 1, например, из кремния р-типа, нанесен нижний металлический электрод 2,...
Полупроводниковый прибор
Номер патента: 997581
Опубликовано: 23.12.1983
Авторы: Попов, Прохожева, Свердлова
МПК: H01L 29/76, H01L 29/94
Метки: полупроводниковый, прибор
...взаимосвязь конструктивных параметрон использованных материалов,например работы выхода , 1 1На 1 более блиэкик по технической сущности к изобретению являет я ,2.: полупроводниковый прибор на основе МДП в структу, содержащей слои полу - проводника, диэлектрика и еталла В качестве гизлектрического слоя в полупроводниковом приборе используется А 1,О Однако такой прибор облщает недостаточным коэФфициентом ныпрям Внешняя контактная разность потенциалон, распределяясь между контактирующими материалак"г., приводит ж образованию областей пространственного заряда (ОПЗ), искривлению зок в полупроводнике и диэлектрике, Так как удельное сопротивление диэлектрика много бог.ьше удельногс сопротивления металла и больше удель нога согрстквления...
Интегральный регулируемый конденсатор
Номер патента: 1106366
Опубликовано: 15.08.1990
Авторы: Ковальчук, Михайлов, Михеев
МПК: H01L 29/94
Метки: интегральный, конденсатор, регулируемый
.... .стрт;с)т)к) 1 351В заврсрмос 1 И ат 1 , Ки(Ф . пгг";Рс)Д т.)1 - КГ)К 1 РНГ;ТГ)РГ 1 1;З;г гГ-т, т.Г;СКСИИ) Можно )ОЛ)ГгИТГ тптт.тгтат)нс:трт 1(:йнсгк); ткс гь ОСе Вьт:ОНгг .5О.ЕРАПИР ПОта 1)а 1 КИ ; т"НгГ Кап гн".И П(тл(РС ИК:; - ..:, тСТ );) ;" тт ОО З г 1 Кс 1 тМ Лг З Р,:.:Ь.1; .5 ;) ГтгситИЕ "т( 5 ттнтХ ттгттттг" ",тт " Ргр; СнттС 15 гМО; О -с)рГтг ГОЗ: )ттггтт(жс Ь1 г я СтОй тттттгГ г Ка.: НОГО .1 СргЕБ, с тт тт)Нт, г рБгяэ с)гСсрр)с . 1 Гт с) Ет )г т;)(р5.ю.51 си 5)3 ттгсс ".стт 1 .ктстм и 5,. т г тттс,. Нис,;,тт агу СМ 1;1 (т;1,т Г)тт стар". "Г Э С . 1 С.:ттИг,Пс)ПС)гс 1 КЫг)Э-тР ". ." РИт ЭБт ".Пс Ч ." Г Г:Кз ":1 СРС т(," Г "Г дс.) атд Оккн; га -,тк.,- ТГ -Е, П:С)1 СЭ ОТК сЮг;:1 .)д)1 ОЙ ИЗ Сгк с(й ,:я фЬ г,5срОг 5 гГБССЬя 1...
Мдп-конденсатор
Номер патента: 1795837
Опубликовано: 20.09.1996
МПК: H01L 29/94
Метки: мдп-конденсатор
...второго типа проводимости, сформированные в подложке и расположенные по 95837 4длине с обеих сторон обкладок без перекрытия с ними, введен источник напряжениясмещения, один полюс которого подключенк подложке, а второй полюс соединен свысоколегированными областями второго типа проводимости и его полярность противоположна знаку заряда основных носителейвысоколегированных областей.На фиг.1 представлен МОП-конденсатор,общий вид; на фиг,2 - то же, поперечныйразрез,В представленном на чертеже примереконкретного выполнения МОП-конденсаторав качестве полупроводника первого типапроводимости принят полупроводник, легированный примесью р-типа; второго типапроводимости, легированный примесью и-типа,МОП-конденсатор выполнен на подложке1 р-типа,...