Устройства для управления выходными параметрами лазера, например путем воздействия на активную среду — H01S 5/06 — МПК (original) (raw)
Способ управления частотой излучения инжекционного полупроводникового лазера
Номер патента: 921419
Опубликовано: 07.11.1984
Авторы: Косичкин, Перов, Поляков, Широков
МПК: H01S 5/00, H01S 5/06
Метки: излучения, инжекционного, лазера, полупроводникового, частотой
...тока накачки. в тот же момент, но и от предыстории его из -менения.Имеется, однако, ряд закономерностей, которые позволяют, целенаправленно выбирать закон изменениятока для достижения необходимогоизменения процесса сканирования.Эти закономерности иллюстрируютсячертежами, где на фиг. 1 изображена прямоугольная форма импульса тока накачки, на фиг, 2 - изменениетемпературы активной области лазера при подаче на него прямоугольногоимпульса тока накачки на фиг. 3 -изменение тока накачки по линейномузакону, на фиг. 4 - .изменение температуры активной области лазерапри изменении тока накачки по линейному закону, на фиг. 5 - экспоненциальная форма импульса тока накачки на фиг. 6 - изменение темпера 35туры активной области лазера при изменении...
Способ формирования световых импульсов полупроводникового лазера
Номер патента: 1072722
Опубликовано: 30.01.1985
Авторы: Коваленко, Паниткин, Тарасов
МПК: H01S 5/00, H01S 5/06
Метки: импульсов, лазера, полупроводникового, световых, формирования
...источник накачки 1, перничный поток возбуждающего излучения 2, экран 3 из материала,непрозрачного для излучения;.отверстия 4 в экране, полупроводниковый кристалл 5 с резонаторомвозбуждаемые области б в кристалле; световой импульс 7,Устройство работает следующим образом.Источник накачки 1 создает поток возбуждающего излучения 2,который после прохождения через экран 3 делится на несколько пучков излучения, одновременно накачиэающих отдельные возбуждаемые области н кристалле, В результате про"исходит генерация коротких световыхимпульсов, которая происходит засчет изменения направления генера"ции света в возбуждаемых областях.Предлагаемый способ может бытьреализован следующим образом.П р и м е р 1. Кристалл ОаАЯ,.толщина 0,8 мм, диаметр 20...
Устройство для изменения частоты полупроводниковых квантовых генераторов
Номер патента: 670049
Опубликовано: 15.08.1989
Авторы: Анзин, Глушков, Еремец, Ицкевич, Косичкин, Надеждинский, Толмачев, Широков
МПК: H01S 5/00, H01S 5/06
Метки: генераторов, изменения, квантовых, полупроводниковых, частоты
...Оптический диапазон от 25 мк до видимого света обеспечивается сменными окнами из сапфира и кремния. В качестве жидкости используются,на - пример, керосино-масляные и пентаномасляные смеси. Рабочий вариант камеры имел длину 150 мм и внешний диаметр 32 мм.Предлагаемое устройство работает следующим образом.В корпус 2 вставляется поршень 3 и через подпятник 4 Фиксируется в начальном положении силовым винтом (гайкой) 5. Рабочий канал 1 заполняется смесью, передающей давление.На оптическом окне 9 монтируется полупроводниковый квантовый генератор 8. Обтюратор 7 укрепляется в корпусе 2. Вращением силового винта (гайки) поршень приводится в положение, соответствующее нужному давлению. Давление может создаваться также и с помощью внешнего...
Способ генерации импульсов излучения в полупроводниковом лазере
Номер патента: 1614056
Опубликовано: 15.12.1990
МПК: H01S 5/00, H01S 5/06
Метки: генерации, излучения, импульсов, лазере, полупроводниковом
...должно быть направлено наоборот, т.е. из поглощающей части в усиливающую). Ширина поглощающей области равна 40 мкм, зазор б между поглощающей и усиливающими частями равен 30 мкм, электрическое сопротивление утечки - 510 Ом. В усиливающие части (между электродами 4 и 5 и1614056 О.Кравцова Составитель О,Куреннаядактор А,Ревин Техред М.Моргентал . Корре 3)каз 3895 ВНИИПИ Го Тираж 395 Подписноеарственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКН 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул,Гагарина, 101 электродом 6) подают импульсы тока величиной 2 А, к поглощающей части (между электродами 8 и 6) прикладывают постоянное отрицательное напряжение О от 1 В до 20 В. При данных...
Способ частотно-импульсной модуляции излучения одномодового инжекционного лазера
Номер патента: 1505389
Опубликовано: 07.02.1992
Авторы: Мазур, Моршнев, Францессон
МПК: H01S 5/06
Метки: излучения, инжекционного, лазера, модуляции, одномодового, частотно-импульсной
...элемента 10, вновь проходи г волоконный световод 8 и волоконно-оптический аттенюатор 9 и через объектив 7 поступает обратно В лазерцмй резонатор, ограниченный отражательными торцамц 3 и 4.Долямощности излучения, возвращаемого обратно н лазерный резонатор, определяется выра)ециемРос1 л 55 50 где Рл мощно ть, снимаемая с торца ) )оа. гцого лазера 1; 3 15053 ки полки)чец Ъо)окоццый световод 11 лцццц связи. Физические данные злемецто следующие: 1 л длина лазерцого р .зоцатора 1 - длина эаэорл.5 между лазером 1 и согласуюяим объективом 7, 1) - длина объектива 7, 1 - ноздушцый зазор между объективом 7 и волоконным снетонодом 8, 1 - длина волоконного световода 8.Предлагаемый способ реализуется следующим образом;Одномодовый инжекционный...