Хаимов-мальков — Автор (original) (raw)

Хаимов-Мальков

Способ окрашивания ювелирных кристаллов

Номер патента: 768455

Опубликовано: 07.10.1980

Авторы: Жижейко, Жмурова, Хаимов-Мальков

Метки: кристаллов, окрашивания, ювелирных

...1. Для того, чтобы бесцветным . исталлам лейкосапфира придать голу)о окраску, соответствующую цвету алю" -кобальтовой шпинели, наносят на ниж:ото часть кристалла полубриллиантовойранки известным способом термического ;пыления слой металлического кобальта ", тщиной 0,3 мм. Затем кристалл подвергаа термообработке на воздухе при темпера)уре 1100 С в течение 30 мин, В результатвердофазной химической реакции)зОз + СО+ /0-.СОА 104 на по- )1)хности кристалла лейкосапфира обра устся слой алтомокобальтовой шпинели, ) торый окрашивает кристалл в голубой ц)тебе. Полученный окрашенный слой устой)цц в ооычных условиях (твердость по 4 оосу - 3, це растворяется в бытовых35)т)слотах и щелочах).Пример 2. Для получения ювелирного :)мня зеленого цвета...

Горелка для выращивания кристаллов по методу вернейля

Номер патента: 688777

Опубликовано: 30.09.1979

Авторы: Пискун, Сытин, Хаимов-Мальков, Циглер

МПК: F23D 21/00

Метки: вернейля, выращивания, горелка, кристаллов, методу

...горелки позволяет получить, например, кристаллы рубина с изменением показателя преломления ЛУ: 110 -на диаметре 20 мм при длине 240 мм. центральодного маИзобретение относится к устройствам для выращивания кристаллов и может быть спользовано в электронной промышленноти,Известна горелка, содержащая корпус сцентральным каналом для подачи исходного материала и размещенные по концентрическим окружностям сопла для выходатопливовоздушной смеси 1.Недостатком описанной горелки является трудоемкость ее изготовления, подгорание соли в процессе работы и низкое качество выращиваемых кристаллов.Целью изобретения является стабилизация процесса горения и улучшение качества выращиваемых кристаллов,Цель достигается тем, что отношениядиаметров...

Способ выращивания монокристаллов тугоплавких окислов

Номер патента: 283188

Опубликовано: 25.11.1977

Авторы: Багдасаров, Ильин, Седаков, Федоров, Хаимов-Мальков

МПК: B01J 17/08

Метки: выращивания, монокристаллов, окислов, тугоплавких

...без дополнительного отжима. б 10 ормула изобретен Способ выращивания монокристалло гоплавких окислов направленной кр ллиэацией расплава в молибденовом Изобретение может быть использовано преимущественно для получения монокристаллических пластин корунда.Известен способ выращивания монокристаллов тугоплавких окислов направленной кристаллизацией расплава в молибденовом контейнере,Предложенный способ отличается осуществлением зонной плавки в лодочке вусловиях остаточного дазвления газовойсреды над расплавом 10 , - 5 10ммрт .ст. при соотношении поверхности иобъема расплава не менее 1 -см", скорости перемещения фронта кристаллизации 8-10 мм/ч и осевом температурномградиенте на фронте кристаллизации неболев 1 ф С/мм.Проведение...

Устройство для ускоренного выращивания кристаллов из расплава

Номер патента: 132614

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Васильева, Степанов, Хаимов-Мальков, Шефталь

МПК: C30B 11/00

Метки: выращивания, кристаллов, расплава, ускоренного

...и повышает чистоту кристалла.На фиг. 1 изооражено устройство в разрезе; на фиг. 2 - кольцоохл адитель.Тигель 1 с расплавом укреплен на подставке 2, при помощи которой может перемещаться из обогреваемой верхней камеры 3 трубчатой вертикальной печи в ненагреваемую нижнюю камеру 4. Камеры печи разделены массивным металлическим кольцом-диафрагмой Б, внутри которого по трубам циркулирует охлаждающая жидкость (вода, антифриз и др,) или охлажденный газ. Ось кольца-диафрагмы совпадает с осью тигля, а величина зазора между стенками нагретого тигля н кольцом должна быть минимальной (порядка 0,3 - 0,5 м,я).Тигель с расплавом опускается в охлаждающее кольцо-диафрагму, что позволяет производить сильное локальное охлаждение растущего кристалла с...

Устройство для ускоренного выращивания кристаллов из расплава

Номер патента: 132613

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Васильева, Степанов, Хаимов-Мальков, Шефталь

МПК: C30B 11/00

Метки: выращивания, кристаллов, расплава, ускоренного

...печи в не обогреваемую нижнюю часть, где соосно с тиглем установлен сосуд 2, заполненный легкоплавким металлом или сплавом (олово, сплав Розе или Вуда),Стенки сосуда охлаждаются током протекающей жидкости (вода, антифриз) или охлажденного газа, Сосуд имеет широкий слив 3, рас. положенный немного ниже его верхнего края, и приемник 4 для вытекающего из слива металла,Для успешного действия устройства расплав перегревается значительно выше температуры плавления, примерно на 200 и более. Горячий тигель с расплавом опускается в охлаждяемый сосуд с легкоплав. ким металлом и плавит последний, что приводит в результате интенсивного теплообмена к резкому охлаждению растущего кристалла прп одновременном перегреве расплава. Вытекающий из...