Шефталь — Автор (original) (raw)
Шефталь
Способ получения монокристаллических пленок на аморфной подложке
Номер патента: 270076
Опубликовано: 07.11.1982
Автор: Шефталь
МПК: C30B 23/00
Метки: аморфной, монокристаллических, пленок, подложке
...отличается от известных тем, что подслой наносят на часть поверхности подложки, а .монокристаллическую пленку осаждают на подслой с переходом на подложку. Это.позволяет получить беэдисло 10 кационные пленки с заданной кристаллографической ориентацией.Получение монокристаллическойпленки описываемым способом осуществляют в два этапа,1 этап. Вещество напыляется на,свежие сколы растворимых кристаллов,например Каб КВг и др., в результате получаются тонкие 400-1000 Ао монокристаллические слои этого вещества. Затем слои легко отделяютсяот водорастворимой подложки и наносятся на стекло простым подхватыванием с вода. Сцейление такой пленкисо стеклом достаточно хорошее.11 этап. Стекло с механически нанесенной на него монокристаллической пленкой...
Способ эпитаксиального наращивания монокристаллических слоев на неорентирующей подложке
Номер патента: 538639
Опубликовано: 05.06.1977
Авторы: Бузынин, Клыков, Кокориш, Смородина, Шефталь
МПК: H01L 21/20
Метки: монокристаллических, наращивания, неорентирующей, подложке, слоев, эпитаксиального
...вдОль Баправдении1 ХОуСогдасно предложенному способукристаллическуО пдастипу кремния Ортадни1 Х 1, толщиной ЗОООт до 13.кдасса чистоты поверхнтеь. химически снимают нарушенокисляют пластину в атмосфере кипри 98 ООС и течение ЗО мин, Засят. Ба слой Окисда фОтОрезпст и прдйт экспонирование узора, ориентировдоль направлении О.ХО пластиныде проявления и задубдивания фоторпроизводят седектнвное травдениев травнтеле состава НГ:БИО,СНСоставитель В. АникииРедактор Т. Орловская Техред А, Богдан Корректор Д, Мельничэщо Заказ 174 ОО 64 Тираж 976 Подписное ЦНИИПИ,Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/8Филиал ППП фПатентф, г. Ужгород, ул, Проектная, 4 водят вакуумное...
Устройство для наращивания монокристаллических пленок из паровой фазы вещества
Номер патента: 146282
Опубликовано: 01.01.1962
Авторы: Гаврилова, Гиваргизов, Кеворков, Спиридонова, Шефталь
МПК: C30B 25/08
Метки: вещества, монокристаллических, наращивания, паровой, пленок, фазы
...вдоль ее оси, проходит держатель, на котором крепится нагреватель, Держатель во время наращивания вращается.2, Нагреватель расположен внутри реактора и нагревается инду- ционными токами высокой частоты. В качестве нагревателя используется графит, кавещество химически стойкое и нереагируюшее с подложками при температурах процесса, Нагреватель представляет собой тело вращения, по форме приближающееся к конусу. Нижней, узкой, частью он закрепляется на держателе так, что его верхняя, плоская, часть перпендикулярна оси трубки и направлению потока газовой реакционной смеси. Нагреватель располагается несколько выше индуктора, в области неоднородного по высоте аксиально-симметричного высокочастотного поля. Необходимость специальной формы и...
Устройство для ускоренного выращивания кристаллов из расплава
Номер патента: 132614
Опубликовано: 01.01.1960
Авторы: Васильева, Степанов, Хаимов-Мальков, Шефталь
МПК: C30B 11/00
Метки: выращивания, кристаллов, расплава, ускоренного
...и повышает чистоту кристалла.На фиг. 1 изооражено устройство в разрезе; на фиг. 2 - кольцоохл адитель.Тигель 1 с расплавом укреплен на подставке 2, при помощи которой может перемещаться из обогреваемой верхней камеры 3 трубчатой вертикальной печи в ненагреваемую нижнюю камеру 4. Камеры печи разделены массивным металлическим кольцом-диафрагмой Б, внутри которого по трубам циркулирует охлаждающая жидкость (вода, антифриз и др,) или охлажденный газ. Ось кольца-диафрагмы совпадает с осью тигля, а величина зазора между стенками нагретого тигля н кольцом должна быть минимальной (порядка 0,3 - 0,5 м,я).Тигель с расплавом опускается в охлаждающее кольцо-диафрагму, что позволяет производить сильное локальное охлаждение растущего кристалла с...
Устройство для ускоренного выращивания кристаллов из расплава
Номер патента: 132613
Опубликовано: 01.01.1960
Авторы: Васильева, Степанов, Хаимов-Мальков, Шефталь
МПК: C30B 11/00
Метки: выращивания, кристаллов, расплава, ускоренного
...печи в не обогреваемую нижнюю часть, где соосно с тиглем установлен сосуд 2, заполненный легкоплавким металлом или сплавом (олово, сплав Розе или Вуда),Стенки сосуда охлаждаются током протекающей жидкости (вода, антифриз) или охлажденного газа, Сосуд имеет широкий слив 3, рас. положенный немного ниже его верхнего края, и приемник 4 для вытекающего из слива металла,Для успешного действия устройства расплав перегревается значительно выше температуры плавления, примерно на 200 и более. Горячий тигель с расплавом опускается в охлаждяемый сосуд с легкоплав. ким металлом и плавит последний, что приводит в результате интенсивного теплообмена к резкому охлаждению растущего кристалла прп одновременном перегреве расплава. Вытекающий из...
Прием выполнения динамического способа выращивания монокристаллов
Номер патента: 108804
Опубликовано: 01.01.1957
Авторы: Попов, Шефталь
МПК: C30B 7/00
Метки: выполнения, выращивания, динамического, монокристаллов, прием, способа
...ноябри 1956 г. на имя тел же лин способ динамического 1 я кристаллов для оптиоэектрического н иных с укреплением в крие затравочных нристалсв.108256, где беспоижение раствора по отмонокристал.чу создают сивного вращения криа по горизонта.чьнон льной оси, чередуюшссутками покоя. Эт 11 м доорения роста и пмуце.однородного монокрипособа выпутсм ре- исталгчоносряле случасталлов появляется витнем динамического с ращивания кристаллов, версивного вращения кр ца или мешалки, что в ев получения монокри динамическому способу единственно возможным Известенвыра шиван едмет изобретенн полнения динамическовыращнвания монокрнавт. св.108256, отй с я тем, что хаотиче. ие среды выращиваемоа создают реверсивным криста,члоносца и.чи меПредложен метод...
Способ динамического выращивания монокристаллов
Номер патента: 108256
Опубликовано: 01.01.1957
Авторы: Попов, Шефталь
МПК: C30B 7/00
Метки: выращивания, динамического, монокристаллов
...промежутками ПОК 051.2, Прием выполнения спосооа по п. 1, о т л и ч а ю щ и 1"1 с я тем, что выращивание монокристаллов производят из расплавов, а также из газовой среды.3, Прием выполнеция способа по П,1 и 2, отличающийся тем, что при кристаллизации из раство ров и газовой фазы в одном кристаллизаторе получают несколько кристаллов. ИСАНИЕАВТОРСКОМУ В известных способах выращиваци 51 крист аллоя . для Оптического, пьсзоэ,н ктрического и иных цазцаеп ццй с укрепленными в крцсталлцза Гор 1:1 дтравочными кристалла ми применяют динамические методы выращивания монокристаллов, со. стоящие во вращении растуцего кристалла или в перемешивани и раствора.К недостаткам известных способов относится однообразный характер движения, что...
Способ получения монокристаллов германия и кремния с заданным содержанием примесей
Номер патента: 107450
Опубликовано: 01.01.1957
Авторы: Кокориш, Красилов, Шефталь
МПК: C30B 25/02, C30B 29/06
Метки: германия, заданным, кремния, монокристаллов, примесей, содержанием
...еще далеко це совершенны ввиду трудностей регулировки концентрации и распределения примесей.13 этом гаправлеции описываемый спосоо полусци 5 аОцористаялических пленок германия ц крстпия является перспективным,С пинось способа за я в меется возможность гдллическую плсцспределением прибыл получен мо- слоИ германия с иостьо толнной гике чистого гернесколько десятых цокрцстд, иическиидыро иой проводло 40 ,иг ца пластаация толщиной вмиллиметра.Такие пласгиць)леция в гих индиядов типа Р Р игодцы для вила получения три Грсдтст цзобретени овле- соедисокоИФподя ил фазу те га- И, ко- водосте с следующем.Пленки германия и кремния,зующцеся в результатс восставцця волоролом цх хлорисаыхцсций зеС 1 и 51 С 1) при вьтемпературе, кристаллизуются...
Приспособление для устранения пересыщения раствора в аппаратах для выращивания кристаллов
Номер патента: 72801
Опубликовано: 01.01.1948
Автор: Шефталь
МПК: C30B 7/02
Метки: аппаратах, выращивания, кристаллов, пересыщения, раствора, устранения
...в кристаллизатора и ра в аппа применени сенного вн ля устранения пересыщения раств ния кристаллов, о т л и ч а ю щ е е с де сосуда с растворителем, распол единенного с ним трубкой. При выращивании кристаллов в аппаратах, обычно примендля этой цели, часто наблюдается местное пересыщение расвызывающее образование паразитических кристаллов.Для предупреждения возможности подобных псресыщенийбретения предложил специальное приспособление - увл ажнлажнитель представляет собой сосуд с растворителем; он расн вне кристаллизатора и соединен с ним трубкой.Аппарат для выращивания кристаллов и расположение увлтеля показано на чертеже.Температура растворителя в увлажнителе 1 поддерживаетсядушным термостатом 2 постоянной, что обеспечивает...
Способ выращивания монокристаллов
Номер патента: 66668
Опубликовано: 01.01.1946
Автор: Шефталь
МПК: C30B 7/00
Метки: выращивания, монокристаллов
...а ИИВ с Н И 51 К 1)1 СБ.СОБ 1 Ь) 1): СБ 1) 01 ЧС 1 С)110СКО)(0151 И)01 сссс, Н)ОН 5 ЮТ 11 Кс 1 с)ССТБО ИС (ОД 30(0 01)ЯЗО 1 с НИ Я Г)1(ТО тагОН ЬКОГО К) 1 СТ с 5,1 И К; БЫ )(:с 131 К) ИЗ К)ИС тс, 1, с 1 00,СС К)ИИ)10 (10 Чс 1 СТЬ. ОДс КО Б 51 То)атт О НОТ т КНЗИ 1 И 1, Кс)КИ)1 ОЙ) БЗО) . (0,1 К И;3ЫТЬ БЫ)ОЗс)1 с 1 БТН 1 С 3 Ь ГЬ 35 110 Г(И И 5 )с)г(.Н с),Ь 1 ОГЭ".Ь(1)(10;1, И 11)ИК Г 1 ЧОСКИ Б КСЧ( СТВО .)сТ)1 ВО 3(р 1)ОН(5)Н)Т ) 3"10 СТО)5 СИИИ, тс г КИ , 131) 3 БОССБ БОБ,1( Иэ Зс)Т 3)И)КОИ 110)3 БЛ ЬНО 1 К) ИСТИ 1 Ч(.- СКОБ ИО(103)НОС эИ 1)СГСНБэ)а 1 сОННЫИ С;ОИ 00 а.т ОТ" Я .1) 1 Нэт 11 11 Т66668 1 1 ) )1 си ;1 0 ) 1) сс и и 5 Х 1 омптет по дета)1 и:)о)рстеип 1 и от 1 рыти) пи Совете Мппистроп СССР Редактор Л, К. Лейк)и)а 11 ис...
Приспособление для предохранения горючей жидкости в лампах типа “примус” от перегревания
Номер патента: 1737
Опубликовано: 15.09.1924
Автор: Шефталь
МПК: F24C 5/16
Метки: горючей, жидкости, лампах, перегревания, предохранения, примус, типа
...от п жидкость примуса. редмет плт раненияримусрименеервуаре риттрубк гое дно резерд,ля ОДНОЙ, ( э н красный Печатник, Ленхп ад, Межд И ПО- Л ИГОГ Предлагаемое изобретение имеет целью устранить опасность взрыва примуса от сильного нагрева резервуара при длительной работе.Изображенное на чертеже предлагаемое приспособление для защиты резе вуара А примуса от нагревания состо из цап олняемого водой закрытого сосуда Б с трубкой К в центре для пропуска трубки Г, сообщавшей резервуар примуса с горелкой Е.Для установки сосуда Б на выпуклой поверхности резервуара дно его имеетсоответственную вогнутую форму. Наливаемая через втулку В в сосуд Б йода влеиному 17 января 1923 г.76235). Приспособление для предохгорючей жидкости в лампах типаПот...
Цинковальный котел
Номер патента: 1227
Опубликовано: 15.09.1924
Автор: Шефталь
МПК: C23C 2/06
Метки: котел, цинковальный
...расплавлении1металла в котле одвляется свинец в тручего расплавленныеи цинка имеют возрасширяться, не разрчто обыкновенно слкогда верхний слойрасплавиться. го огнеся слой инка Ъю.концом же, как Редмет плтен литками, находиа на нем слойдоходит открытыа и наполнена тасть котла, свинцо котел, отличающийся у бы н, доходящей и заполняемой свинцом ижняя часть котла. Цинковальныйприменением тпочти до днатак же, как и н обретение имеет целью ковальный котел от жет получиться при ленни остывшего мерасширения нижнего ления верхнего.бражен вертикальный печи с цинковальным Предлагаемое изпредохранить цинтечи, которая мовторичном расплавталла, вследствиеслоя ранее расплавНа чертеже изопоперечный разрезкотлом.На дне котла, обложеннупорными исвинца...
Клапан
Номер патента: 357
Опубликовано: 15.09.1924
Автор: Шефталь
МПК: F16K 1/12
Метки: клапан
...1924 года ента ыдач правляюшей ишинли ка- .Рвинт клапанно иной отверстиеа ускным отводо деля и соединеналами з с вып еризуюши Ися имене- втул- нного Клапан, харем взамен снаправлпиндыя ии каналомьника - винтово юшей винт клад оединенной отве с выпускным отво ст д К патенту Н. Б. Шефталя, зая заяв. сви ,( дпатента опубликовано 30 июспространяется на 15 лет о Предлагаемый клапан имеет целью замену сальника втулкой. На чертеже клапан изображен в продольном разрезе. Он представляет двузапорный кран из цельного корпуса, без сальника. Отверстие , соединяющее выпускноИ отвод у с винтовой резьбой крана, служит для высасывания воды, направляющейся под напором в винтовой нарезке ручкии втулки г. Таким образом, сальник заменен винтовой...