Мастихин — Автор (original) (raw)

Мастихин

Алюмосиликатная шпинель и способ ее получения

Номер патента: 1215302

Опубликовано: 27.09.1999

Авторы: Балашов, Буянов, Золотовский, Клевцов, Криворучко, Мастихин

1. Алюмосиликатная шпинель состава 3,3 Al2О3 SiО2 структурного типа j-Al2О3 в качестве катализатора и/или носителя.2. Способ получения алюмосиликатной шпинели состава 3,3 Al2О3 SiО2 структурного типа j- Al2О3, заключающийся в механической активации смеси гидроксида алюминия и оксида кремния при энергонапряженности 3-210 Вт/г в течение 0,08-3 ч с последующей термообработкой при 700-1100oC в течение 1-12 ч.

Устройство для резки рентгеновской пленки

Номер патента: 1712939

Опубликовано: 15.02.1992

Авторы: Климкин, Мастихин, Хомяков, Щеголева

МПК: G03D 15/04

Метки: пленки, резки, рентгеновской

...а другой конец стержня контактирует с выступом каретки.Недостатком этого устройства являетсяограничейие технологических возможностей, так как оно может резать пленку только одного типоразмера.Цель изобретения - повышение производительности резки пленок за счет упро, щения настройки устройства на нужныйтипоразмер пленки и обеспечение возможности разрезания одновременно несколькослоев пленки.На фиг.1 представлено устройство, общий вид; на фиг.2 - то же, вид сбоку,Устройство включает опору 1, к которойкрепятся боковые стенки 2, в которых закреплены ведущий 3 и ведомый 4 валы, которые приводятся в действие ручнымприводом 5,На ведущем валу 3 выполнен паз 6 сканавками, расположенными на определен 45 дущего вала, а рабочая поверхность...

Оксид алюминия и способ его получения

Номер патента: 1376492

Опубликовано: 23.08.1990

Авторы: Буянов, Золотовский, Клевцов, Криворучко, Мастихин, Парамзин

МПК: C01F 7/02

Метки: алюминия, оксид

...продукта. Втабл. 1 приведены условия полученияи характеристики готового продукта. 20Если иехацохцицческую активациюпроводить В течецце времеи иецее0,08 ч, то на стадии нагрева. образуются оксиды ЛЗ. (111), содержащиеАЗ. (111) только в 4- и б-коордииированном состоянии. Если активацво проводить в течение зреиецп более 3 ч,то изменений катцоццого расцределе"ния в образующихся прц последующемнагреве оксцдах це происходит, однако начинается перерасход энергии.Прц температуре нагрева иецее100 С образуютс гцдроксцды А 1 (111),содержащие Ы (111) тол ко в б-коордициронаццом состояццц. Прц теиперату ре выше 600"С 5-коордццроцанцое со-"стояние АЗ. (111) неустойчиво. Оно переходит в А- и б-коордцццроваццые состояния,Полученный оксцд...

Способ расщепления и модуляции когерентного оптического излучения

Номер патента: 1078396

Опубликовано: 07.03.1984

Авторы: Зубринов, Мастихин, Шелопут

МПК: G02F 1/33

Метки: излучения, когерентного, модуляции, оптического, расщепления

...модуляция дифрагированного пучка на величину, рав-ную частоте звукаНедостатком известного способаявляется то, что для увеличенияугла расщепления необходимо увеличивать чаетоту ультразвука, чтоприводит к увеличению разности частот между расщепленными пучками.Цель изобретения - увеличениеугла расщепления при сохранении тойже разности частот дифрагированныхпучков.Указанная цель достигается тем,что согласно способу расщепленияи модуляции когерентного оптичесого излучения, включающему операцию возбуждения в светоэвукопроводе бегущей ультразвуковой волны,распространяющейся под углом Брэгга к световому потоку, возбуждаютвторую бегущую ультразвуковую волну, направленную навстречу первойпод углом, равным сумме двух угловБрэгга, причем 014 62 ,...

Способ термообработки монокристаллов твердых растворов галогенидов таллия

Номер патента: 593349

Опубликовано: 07.09.1981

Авторы: Авдиенко, Березина, Богданов, Мастихин, Сапожников, Шелопут

МПК: C30B 33/00

Метки: галогенидов, монокристаллов, растворов, таллия, твердых, термообработки

...при повышенной температуре. Отжиг кристаллов, содержащих 42 Т 0 Вг и 58 Те 1, проводится при 330 С на воздухе в течение 3-4 ч 11. Указанный способ преследует цель избавиться от термических напряжений, возникающих в кристаллах в процессе роста и обработки.Однако кристаллы твердых растворов галогенидов таллия, например кристаллы состава, ТССЕ ТЕ 1 (КРС-б) ТЕВг Т 11 (КРС) имеют еще и микронеоднородности, обусловленные Флуктуациями в процессе кристаллизации. Такие кристаллы нельзя использовать в качестве звукопроводов для акустооптических устройств, так как неоднородности приводят к,дополиительному механизму значительного затухания звука,(71) 3 Институт Физики полупроводников Сибирского отделенияЗаявительАН. СССРф 59 3349 Формула...

Материал для акустического поглотителя

Номер патента: 625250

Опубликовано: 25.09.1978

Авторы: Березина, Богданов, Мастихин, Рыбакова, Сапожников, Шелопут

МПК: H01B 1/02

Метки: акустического, материал, поглотителя

...материалу является материал для акустического поглотителя - медногвллиевые сплавы 21.Недостатком такого материала являются заранее обусловленные значения акустического импеданса, которые могут не совпадать с акустическим нмпедансом звукопровода, что приводит к отражению звуковой энергии, ухудшает рабочие .харакЦвпь изобретении - расширение интер вала значений акустического импвдансаи повышение акустического согласованиясо звукопроводом.Это достигается тем, что материалдля акустического поглотители, содержа щий галлий и медь, дополнительно содержит вольфрам при следующем соотношении компонентов, вес.%:Галл ий628280 10 К%5- 8 молибдат свинца фосфид галлия КЮ39 37 40: 38 24 26 65 32 16,8 16,8 Составитель А, Соловей Редактор Р. Пурнам...

Способ получения ненасыщенных третичных аминов

Номер патента: 555090

Опубликовано: 25.04.1977

Авторы: Алт, Гаврилина, Ермаков, Лазуткин, Лазуткина, Малахов, Мастихин, Прозорова

МПК: C07C 209/60, C07C 211/00, C07D 213/09 ...

Метки: аминов, ненасыщенных, третичных

...с реакционной смесью запаивают и помещают на 1 ч в термостатируемый при 90 С стакан. Давление в ампуле 7-8 атм, После реакции ампулу вскрывают и удаляют все летучие продуктЫ под вакуумом при 40 - 50 С. Остаток (1,5 г) пред. ставляет собой третичный аминМ-Св Н,з,СйзВыход продукта - 21% от метилэтиламина и 26% от бутадиена.. П р и м е р 6. В предварительно вакуумированную стеклянную толстостенную ампулу вводят 1 г катализатора (11), содержащего 3% Рд, 2% Р и 5 мл бутадиена диэтиламина. Ампулу с реакционной смесью запаивают и помещают на 10 мин в термостап- руемый при 96 С стакан, Давление в ампуле 9- 10 атм. После реакции, ампулу вскрывают, отфильтровьвают кататщзатор и затем из жидкости удаляют все летучие продукты под вакуумом при40...

Катализатор для окислительной димеризации ароматических соединений

Номер патента: 448665

Опубликовано: 25.09.1976

Авторы: Гаврилина, Мастихин, Матвеев, Менненга

МПК: B01J 23/68, B01J 27/13, B01J 27/19 ...

Метки: ароматических, димеризации, катализатор, окислительной, соединений

...затрудне. ниями и протекает медленно, что проявляется в пониженном выходе соответствующих изомеров, В этой счязи дурол (1,2,4,5.тетраметилбензол) димеризуется медленно, Выход диурила высок (90%) лишь п ри невысоких степенях прев ращения,Пример 1. Гомогенный раствор объемом 45 мл, состоящий из 30 мл ледяной уксусной кислоты, 7 мл воды, 0,1 г Нг 804 (в пересчете на безводную), 5 млбензола, бг Н,1 РЧо,оЧг 04 г 1 ( фосфорномолибденованациевой ГПК), в перерасчете на безводную, 0,06 г РдЯЭ 4 (в пересче. те на безводный) встряхивают в атмосфере Ог при давлении 1160 мм рт.ст и температуре 84 С. За 175 мин раствор поглощает 50,7 мл О измеренных при 20 С и 1160 мм рт,ст. Получено 0,73 г щфеннла - 74% на прореагировавший Ог.П р и м е р...

Пдтентш-технйея. библиотека

Номер патента: 340061

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Богданов, Мастихин, Шелопут

МПК: H03H 7/30

Метки: библиотека, пдтентш-технйея

...активной системы ох лаждения и обеспечения параметров линии задержки в предлагаемом устройстве между пластинами из сульфида кадмия, имеющих большие, по сравнению с толщиной, линейные размеры, вставлены и присоединены к ним 2 посредством теплолроводящей, акустической связи алюминиевые радиаторы,Радиаторы предоставляют собой алюминиевые диски (алюминий обладает высокими теплоемкостью и теплопроводностью и имеет на сдвиговых волнах акустический пмпеданс, близкий к акустическому импедансу сульфпда кадмия и плавленого кварца), торцовые поверхности которых плоскопараллельны и обработаны по 14 классу чистоты. Образцы сульфида кадмия и радиаторы соединены фольгой толщиной 0,5 лкм, полученной пз тройной звтектики.Ультразвуковая сдвиговая...

Способ изготовления кристаллов для ультразвуковых преобразователей

Номер патента: 211899

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Зандин, Мастихин, Шелопут

МПК: B06B 1/06

Метки: кристаллов, преобразователей, ультразвуковых

...от того, для какого типа волн создается преобразователь, продольных или поперечных, в вакууме 10 -мм рт, ст. испарением наносится слой меди, После 1 .этого образец прогревается в вакууме 10-емм рт. ст. до + 400 С в течение 2 - 20 мин с целью проведения диффузии меди в низкоомный кристалл. Легированный медью слой сульфида кадмия обладает высоким сопротивлением и является активным пьезоэлеприческим слоем.Известный способ обладает рядом недостатков: низкой температурной стабильностью основных параметров полученных преобразова телей из-за возможности дальнейшей диффузии меди, что ограничивает использование подобных преобразователей в различных уст. ройствах, например ультразвуковых линиях задержки, и сложно тью технологии ввиду наличия...